专利名称：增加芯片老化扫描效率的方法
增加芯片老化扫描效率的方法技术领域
本发明系有关于一种芯片老化扫描的方法，尤指一种利用芯片的数据锁存器增加 芯片老化扫描效率的方法。
背景技术：
请参照第1图，第1图是背景技术说明芯片老化扫描100的示意图。如第1图所示， 图形发生器101可对存储器芯片102内的每一存储单元写入一特定逻辑电位(逻辑高电位 “1”或逻辑低电位“0”)，其中图形发生器101可利用团块图形(solid pattern)、棋盘式图 形(check board pattern)、列条码图形(row bar pattern)及 / 或行条码图形(column bar pattern)对存储器芯片102内的每一存储单元写入特定逻辑电位。
另外，如第1图所示，合格判断单元(pass/fail decision unit) 104判断存储器 芯片102内的每一存储单元所储存的特定逻辑电位是否正确，并将对应于每一存储单元的 判断结果输出，由测试机台108读取每一存储单元的判断结果。但测试机台108并不需要 知道存储器芯片102中哪一存储单元不合格，只要存储器芯片102中有一存储单元不合格， 则测试机台108就会判断存储器芯片102不合格。如此，芯片老化扫描100将会耗费太多 时间，以判断存储器芯片102是否合格。因此，芯片老化扫描100对于存储器芯片102测试 而言并不是很有效率。发明内容
为实现本发明目的而提供的一种增加芯片老化(burn-in)扫描效率的方法，包 括
利用一图形发生器(pattern generator)，对一存储器芯片内的每一存储单元写 入一特定逻辑电位；
读取该存储单元储存的特定逻辑电位；
比较该存储单元储存的特定逻辑电位和该特定逻辑电位，判断该存储单元是否合 格(pass)，并储存有关于该存储单元的判断结果于该存储器芯片的数据锁存器；及
根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判断该 存储器芯片是否合格。
该图形发生器使用一团块图形(solid pattern)对该存储器芯片内的每一存储单 元写入该特定逻辑电位。
其中该图形发生器使用一棋盘式图形(check board pattern)对该存储器芯片内 的每一存储单元写入该特定逻辑电位。
其中该图形发生器使用一列条码图形(row bar pattern)对该存储器芯片内的每 一存储单元写入该特定逻辑电位。
其中该图形发生器使用一行条码图形(column bar pattern)对该存储器芯片内 的每一存储单元写入该特定逻辑电位。
其中根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判 断该存储器芯片是否合格包括
对相对应于该存储器芯片的多个输入输出端中的每一输入输出端的多个存储单 元的判断结果执行一第一逻辑运算，得到多个第一逻辑运算结果；
将该多个第一逻辑运算结果区分成多组第一逻辑运算结果；
对该多组第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，得到多个第二逻辑运算结果；
对该多个第二逻辑运算结果执行一第三逻辑运算，得到该存储器芯片的一最终逻 辑运算结果；及
根据一读取信号和该最终逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。
其中根据该数据锁存器内储存的有关于该存储器芯片内的每一存储单元的判断 结果，判断该存储器芯片是否合格包括
对该存储器芯片的所有存储单元的判断结果执行一逻辑运算，得到该存储器芯片 的一最终逻辑运算结果；及
根据一读取信号和该最终逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。
其中该特定逻辑电位是一逻辑高电位。
其中该特定逻辑电位是一逻辑低电位。
图1是背景技术的说明芯片老化扫描的示意图。
图2是本发明的一实施例说明增加芯片老化扫描效率的示意图。
图3是本发明的一实施例说明增加芯片老化扫描效率的方法的流程图,
图4是数据锁存器根据图3的方法运作的示意图。
图5是本发明的一实施例说明增加芯片老化扫描效率的方法的流程图,
图6是本发明的另一实施例说明芯片探针测试的示意图。
主要元件符号说明
100芯片老化扫描
200增加芯片老化扫描效率
101,201图形发生器
102、202存储器芯片
104、204合格判断单元
108,208测试机台
300 至 318、500 至 512 步骤
FLR第一逻辑运算结果
SLR第二逻辑运算结果
FR最终逻辑运算结果具体实施方式
请参照图2，图2是本发明的一实施例说明增加芯片老化扫描效率200的示意图。 如图2所示，图形发生器(pattern generator) 201可对存储器芯片202内的每一存储单元写入一特定逻辑电位，其中特定逻辑电位是一逻辑高电位“1”或一逻辑低电位“0”。图形发 生器201可利用团块图形(solid pattern)、棋盘式图形(check board pattern)、列条码图 形(row bar pattern)及/或行条码图形(column bar pattern)对存储器芯片202内的每 一存储单元写入特定逻辑电位，但本发明并不受限于团块图形、棋盘式图形、列条码图形及 行条码图形。另外，如图2所示，合格判断单元204(pass/fail decision unit)比较每一 存储单元储存的特定逻辑电位和写入的特定逻辑电位，以判断存储单元是否合格(pass)， 并将判断结果储存于存储器芯片202的数据锁存器206。和背景技术不同的是数据锁存器 206仅在接收到测试机台208的读取信号RS时，才会输出有关于存储器芯片202的一最终 逻辑运算结果FR。然后，测试机台208根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储 器芯片202是否合格。
请参照图3和图4，图3是本发明的一实施例说明增加芯片老化扫描效率的方法的 流程图，图4是数据锁存器206根据图3的方法运作的示意图。图3的步骤详述如下
步骤300:开始；
步骤302 利用图形发生器201，对存储器芯片202内的每一存储单元写入特定逻 辑电位；
步骤304 合格判断单元204读取存储单元储存的特定逻辑电位；
步骤306 合格判断单元204比较存储单元储存的特定逻辑电位和写入的特定 逻辑电位，以判断存储单元是否合格，并将判断结果储存于存储器芯片202的数据锁存器 206 ；
步骤308 数据锁存器206将相对应于存储器芯片202的多个输入输出端中的每 一输入输出端的多个存储单元的判断结果执行一第一逻辑运算，得到多个第一逻辑运算结 果 FLR ；
步骤310 将多个第一逻辑运算结果FLR区分成多组第一逻辑运算结果；
步骤312 对多组第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，得到多个第二逻辑运 算结果SLR ；
步骤314 对多个第二逻辑运算结果SLR执行一第三逻辑运算，得到存储器芯片 202的一最终逻辑运算结果FR ；
步骤316 测试机台208根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储器芯 片202是否合格；
步骤318:结束。
在步骤302中，图形发生器201可利用团块图形、棋盘式图形、列条码图形及/或 行条码图形对存储器芯片202内的每一存储单元写入特定逻辑电位。在步骤306中，合格判 断单元204比较存储单元储存的特定逻辑电位和写入的特定逻辑电位，以判断存储单元是 否合格，并将判断结果储存于存储器芯片202的数据锁存器206，而并不是直接输出存储单 元的判断结果至测试机台208，其中判断结果是逻辑高电位“1”或逻辑低电位“0”。如图3 所示，在步骤308中，数据锁存器206将相对应于存储器芯片202的多个输入输出端中的每 一输入输出端的多个存储单元的判断结果执行一第一逻辑运算(例如“及”的逻辑运算)， 得到多个第一逻辑运算结果FLR。例如，存储器芯片202具有16个输入输出端，则在步骤 308中，将会产生16个第一逻辑运算结果FLR，但本发明并不受限于存储器芯片202具有16个输入输出端。在步骤310中，如图3所示，数据锁存器206将16个第一逻辑运算结果 FLR区分成2组第一逻辑运算结果资料，但本发明并不受限于2组第一逻辑运算结果资料。 在步骤312中，对2组第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，得到2个第二逻辑运算结果 SLR0在步骤314中，数据锁存器206对2个第二逻辑运算结果SLR执行一第三逻辑运算， 得到存储器芯片202的最终逻辑运算结果FR。在步骤316中，数据锁存器206仅在接收到 测试机台208的读取信号RS时，才会输出存储器芯片202的最终逻辑运算结果FR ；测试机 台208则根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储器芯片202是否合格。
请参照图5，图5是本发明的一实施例说明增加芯片老化扫描效率的方法的流程 图，其步骤详述如下
步骤500:开始；
步骤502 利用图形发生器(pattern generator) 200，对存储器芯片202内的每一 存储单元写入特定逻辑电位；
步骤504 合格判断单元204读取存储单元储存的特定逻辑电位；
步骤506 合格判断单元204比较存储单元储存的特定逻辑电位和写入的特定 逻辑电位，以判断存储单元是否合格，并将判断结果储存于存储器芯片202的数据锁存器 206 ；
步骤508 数据锁存器206对存储器芯片202的所有存储单元的判断结果执行一 逻辑运算，得到存储器芯片202的一最终逻辑运算结果FR ；
步骤510 测试机台208根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储器芯 片202是否合格；
步骤512:结束。
在步骤508中，数据锁存器206系对存储器芯片202的所有存储单元的判断结果 执行一次逻辑运算，得到存储器芯片202的最终逻辑运算结果FR。在步骤510中，数据锁 存器206仅在接收到测试机台的读取信号RS时，才会输出有关于存储器芯片202的最终逻 辑运算结果FR ；测试机台208则根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储器芯片 202是否合格。
另外，图3和图5的方法，亦可应用于芯片探针测试(chip probe test)。请参照 图6，图6是本发明的另1实施例说明芯片探针测试的示意图。如图6所示，当利用低速的 探针卡(probe card)，例如CPO CP3探针卡，做芯片探针测试时，先将存储器芯片202的 每一存储单元的测试结果储存于数据锁存器206。然后，数据锁存器206会根据图3或图5 的方法，逻辑运算每一存储单元的测试结果，以产生最终逻辑运算结果FR。当低速的探针卡 发出读取信号RS时，低速的探针卡根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储器芯 片202是否合格。
综上所述，本发明所提供的增加芯片老化扫描效率的方法，使用存储器芯片内的 数据锁存器储存判断结果或测试结果，以及数据锁存器仅在接收到测试机台的读取信号 时，才会输出有关于存储器芯片的最终逻辑运算结果，而不是输出对应于每一存储单元的 判断结果或测试结果。因此，当存储器芯片在做芯片老化扫描或芯片探针测试时，因为数据 锁存器仅在接收到测试机台的读取信号后，才会输出有关于存储器芯片的最终逻辑运算结 果，所以可提升芯片老化扫描和芯片探针测试的效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与 修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种增加芯片老化扫描效率的方法，包括利用一图形发生器，对一存储器芯片内的每一存储单元写入一特定逻辑电位；读取该存储单元储存的特定逻辑电位；比较该存储单元储存的特定逻辑电位和该特定逻辑电位，判断该存储单元是否合格， 并储存有关于该存储单元的判断结果于该存储器芯片的数据锁存器；及根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判断该存储 器芯片是否合格。
2.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于该图形发生器使 用一团块图形对该存储器芯片内的每一存储单元写入该特定逻辑电位。
3.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于其中该图形发生 器使用一棋盘式图形对该存储器芯片内的每一存储单元写入该特定逻辑电位。
4.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于其中该图形发生 器使用一列条码图形对该存储器芯片内的每一存储单元写入该特定逻辑电位。
5.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于其中该图形发生 器使用一行条码图形对该存储器芯片内的每一存储单元写入该特定逻辑电位。
6.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于其中根据该数据 锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判断该存储器芯片是否合格 包括对相对应于该存储器芯片的多个输入输出端中的每一输入输出端的多个存储单元的 判断结果执行一第一逻辑运算，得到多个第一逻辑运算结果；将该多个第一逻辑运算结果区分成多组第一逻辑运算结果；对该多组第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，得到多个第二逻辑运算结果；对该多个第二逻辑运算结果执行一第三逻辑运算，得到该存储器芯片的一最终逻辑运 算结果；及根据一读取信号和该最终逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。
7.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于其中根据该数据 锁存器内储存的有关于该存储器芯片内的每一存储单元的判断结果，判断该存储器芯片是 否合格包括对该存储器芯片的所有存储单元的判断结果执行一逻辑运算，得到该存储器芯片的一 最终逻辑运算结果；及根据一读取信号和该最终逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。
8.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于其中该特定逻辑 电位是一逻辑高电位。
9.如权利要求1所述的增加芯片老化扫描效率的方法，其特征在于其中该特定逻辑 电位是一逻辑低电位。
全文摘要
本发明为“增加芯片老化扫描效率的方法”。利用一图形发生器，对一存储器芯片内的每一存储单元写入一特定逻辑电位，读取该存储单元储存的特定逻辑电位，比较该存储单元储存的特定逻辑电位和该特定逻辑电位，判断该存储单元是否合格，并储存有关于该存储单元的判断结果于该存储器芯片的数据锁存器，及根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判断该存储器芯片是否合格。
文档编号G11C29/08GK102034554SQ20101061031
公开日2011年4月27日 申请日期2010年12月16日 优先权日2010年11月24日
发明者刘士晖, 杨连圣, 陈威儒 申请人:钰创科技股份有限公司