光信息记录介质的制作方法

专利名称：光信息记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及光学地记录或再生信息的光信息记录介质。
背景技术：
近年来，在光信息记录介质中，为了进行图像等庞大信息的处理，需要进一步增加信息记录容量。作为其解决方法，有使用超分辨率技术的方法、以及使用多层光信息记录介质的方法，其中，超分辨率技术是再生时的信息处理增强技术之一，多层光信息记录介质使信息记录层多层化，能够对各个信息记录层进行记录/再生。
所谓超分辨率技术，是指对再生装置具有的光学分辨率极限以下的标记长度(由激光波长以及光学系统的数值孔径决定)的信号进行再生的技术。由此，能够进行使用了更小的标记长度的记录，因而实质上的记录密度得到增加。这是由于，在进行高密度化时， 成为问题的是再生技术，而不是记录技术。
关于这些技术，首先从超分辨率技术开始进行说明。
以往，提出了用于再生比再生装置具有的光学系统分辨率极限短的标记长度的信号的许多光信息记录介质(以后称为超分辨率介质)。
作为这种技术，例如已知如下技术，S卩，虽然无法用于利用基板的凹凸记录了不可改写的信息的再生专用介质的再生，但对应于可改写的光磁记录介质，在利用光记录介质驱动装置再生在光磁记录介质的由磁性材料构成的记录膜上通过磁化方向记录的信息时使用的技术(参考专利文献I)。
另外，其他还已知不仅适用于可改写光记录介质，还能够适用于再生专用介质的技术，该技术将光学特性(透过率)随着温度发生变化的热致变色色素层作为掩模层，设置在反射膜的再生光入射面上(参考专利文献2)。
此外，所谓掩模层，如后所述，是指通过模拟地限制激光光点等，引起超分辨率现象的层。
对这些光信息记录介质而言，利用了由照射到其再生面的再生激光产生的激光光点具有光强度分布，因此产生温度分布的情况。
更具体而言，专利文献I公开的光磁记录介质中，在记录层的上面设置再生层。并且，再生时，只有在激光光点内的高温部分处，记录层的磁场转印到再生层，因此作为结果能够再生比光学系统分辨率极限短的标记长度的信号。
另外，在专利文献2公开的光记录介质中，在比反射层更接近再生光入射面的再生层上的再生激光光点内，产生温度或光强度分布，据此在所述激光光点内产生光学特性的分布。
例如，在使用温度越高则透过率越高的材料作为再生层的情况下，只有温度高的部分的透过率变高，因而模拟地缩小了在反射层面上产生的激光光 点。据此，作为结果能够再生比光学系统分辨率极限短的标记长度的信号。
但是，在超分辨率再生技术中，模拟地缩小激光光点，因此再生光的利用效率降低(反射光当然变少)。因此，激光光点的缩小存在界限，按照线密度，两倍左右为记录密度提 高的界限。
接着说明多层光信息记录介质。
多层光信息记录介质例如如专利文献3所公开，采用了从再生光入射面起以第一 信息记录层、第二信息记录层这样的顺序设置信息记录层，利用主要由树脂构成的中间层 分离各信息层的结构。
在这种结构中，距再生光入射面最远的信息记录层以外的层是透过再生光的半透 明层，因而从再生光入射面入射的再生光能够在各信息记录层上聚焦。因此，该多层光信 息记录介质可以说是随着信息记录层的总数增加，能够增加信息记录密度的光信息记录介 质。
此外，用于该技术的最普通的光信息记录介质是单面再生的两层DVD-ROM。
不过，在多层光信息记录介质中，存在层数越多则其生产越困难，因此成为价格非 常高的介质的问题。以下，基于多层光信息记录介质的生产方法的一例说明生产困难的理由。
在多层光信息记录介质的生产中，例如在目前最普通的DVD的情况下，若最多为 两层，则首先在真空中在基板上对记录膜或反射膜等第一信息记录层进行成膜，随后回到 大气中之后，贴合以同样方式生成的对第二信息记录层进行了成膜的基板即可。
但是，在层增加到三层以上的情况下，例如为三层的情况下，在真空中进行了成膜 的上述第一信息记录层上，在大气中旋转涂敷作为中间层的紫外线固化树脂等。接着，在大 气中贴合塑料母盘(stamper)之后，照射紫外线使之固化，并剥离母盘，据此在中间层的表 面上转印追踪用的槽、利用其排列来记录信息的预制坑(pre-pit)等的凹凸(称为2P法)。
在此基础上，再次在真空中，在转印了预制坑等的凹凸的上述中间层上对第二信 息记录层进行成膜，还需要在大气中，贴合与设置了第一信息记录层的基板同样生成的、对 第三信息记录层进行了成膜的基板。
这样，介质在真空中和大气中反复来往多次，以非常复杂的工序进行生产。
另外，为了调整各反射率各层采用不同的膜结构，因而在通常的大量生产时，介质 一边沿着一个方向在生产线上前进一边形成各层，因此需要个数为信息记录层的层数的真 空成膜装置。但是，真空成膜装置的价格非常高，运转成本在光信息记录介质生产所使用的 装置中也是价格较高的。因此，从成本上看，实际上难以使信息记录层增加到三层以上。
这样，关于光信息记录介质的高密度化的方法，主要提出了上述两种方法，但如上 所述，它们分别存在着问题。因此，目前提出了多层超分辨率技术，作为同时具有上述二者 的优点，并能够最有效地增加光信息记录介质的信息记录密度的技术(参考专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开平8-180486号公报(1996年7月12日公 开)，，
专利文献2 :日本公开专利公报“特开2001-035012号公报(2001年2月9日公 开)，，
专利文献3 :日本公开专利公报“特开2000-235733号公报(2000年8月29日公开)，，
专利文献4 :日本公开专利公报“特开2006-269040号公报(2006年10月5日公 开)，，发明内容
发明要解决的问题
但是，本发明的发明人们经研究发现，在多层超分辨率再生所使用的多层超分辨 率再生专用光信息记录介质中，在多层(非超分辨率)再生专用光信息记录介质、采用了单 调模式记录方式(使用单一长度的标记的记录)的多层超分辨率再生专用光信息记录介质 中并未产生的问题，在采用了作为从信号处理观点出发的高密度化手段用于许多光信息记 录介质的、标记边缘记录方式的多层超分辨率光信息记录介质中产生。
以下对上述问题进行记载。
图19是表示再生专用的两层DVD-ROM的结构的概略图。
如上所述，在作为多层光信息记录介质最普通的、单面再生专用的两层 DVD-R0M902中，如图19所示，从接近再生光入射面的一侧起，依次层叠第二基板960、第一 信息记录层920、中间层930、第二信息记录层940、以及基板950，接近再生光入射面一侧的 第一信息记录层920与中间层930的接触面(界面)上设置的预制坑(预制坑群931)的 记录形式与远离再生光入射面一侧的第二信息记录层940与基板950的接触面上设置的预 制坑(预制坑群951)的记录形式不同。
具体而言，从原盘制作的观点出发，在第一信息记录层920侧，预制坑的记录形式 以On-Pit (外坑)形式(预制坑形成为相对于再生光入射面凸出)记录信息，在第二信息 记录层940侧，预制坑的记录形式以In-Pit (内坑)形式(预制坑形成为相对于再生光入 射面凹陷)记录信息。
上述问题是将该构造应用于采用了标记边缘记录方式的多层超分辨率光信息记 录介质的情况下产生的问题。该问题的细节在后面进行描述，是在上述结构中一个信息记 录层的再生特性显著劣化的问题。
这种问题例如在图20的(a) (b)所示的预制坑群931、951这样的、通常不使用标 记边缘记录方式的单调模式的预制坑群(标记位置记录方式)中不会发生。
本发明鉴于上述问题而作，其目的在于提供价廉、并且使用大记录容量的超分辨 率再生技术的多层光信息记录介质。
解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的光信息记录介质从再生光的入射侧起，依次配置具 有该再生光的入射面的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分别分离所述信 息记录层的中间层，该光信息记录介质的特征在于在所述两层以上的信息记录层中以指 定调制方式作为标记以及间隔记录信息，所述两层以上的信息记录层中的每一层包括构成 所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由所述预制坑群构成的标记以及间隔具 有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最小的最小标记与由所述预制坑群构成 的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再生所述信息记录层中记录的信息的再 生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群形成为所述再生光学系统再生该预制坑群时的 推挽信号的极性为负极性。
在此，所述的所谓预制坑群由多个预制坑构成。所述的所谓预制坑，是指设置于基 板或中间层的凹凸形状。
本发明的光信息记录介质从再生光的入射侧起，依次配置具有该再生光的入射面 的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分别分离所述信息记录层的中间层， 在所述两层以上的信息记录层中以指定调制方式作为标记以及间隔记录信息，所述两层以 上的信息记录层中的每一层包括构成所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由 所述预制坑群构成的标记以及间隔具有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最 小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再 生所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群采用所述 标记相对于所述再生光的入射面比所述间隔凹陷地形成的In-Pit形式。
根据所述结构，所述预制坑群采用所述标记相对于所述再生光的入射面比所述间 隔凹陷地形成的In-Pit形式。据此，即使配置为最小标记与最小间隔的平均长度在再生光 学系统的分辨率极限以下，也能够防止再生光学系统再生该信息记录层而得的信息的再生 特性发生劣化。
发明的效果
本发明的光信息记录介质从再生光的入射侧起，依次配置具有该再生光的入射面 的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分别分离所述信息记录层的中间层， 在所述两层以上的信息记录层中以指定调制方式作为标记以及间隔记录信息，所述两层以 上的信息记录层中的每一层包括构成所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由 所述预制坑群构成的标记以及间隔具有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最 小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再 生所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群形成为所 述再生光学系统再生该预制坑群时的推挽信号的极性为负极性。
本发明的光信息记录介质从再生光的入射侧起，依次配置具有该再生光的入射面 的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分别分离所述信息记录层的中间层， 在所述两层以上的信息记录层中以指定调制方式作为标记以及间隔记录信息，所述两层以 上的信息记录层中的每一层包括构成所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由 所述预制坑群构成的标记以及间隔具有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最 小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再 生所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群采用所述 标记相对于所述再生光的入射面比所述间隔凹陷地形成的In-Pit形式。
据此，收到能够提供价廉、并且防止再生特性劣化的大记录容量的光信息记录介 质的效果。


图1是表示本发明的光信息记录介质的结构的概略图。
图2是表示设置于本发明的光信息记录介质的中间层的预制坑群的放大结构的 立体图。
图3是表示设置于本发明的光信息记录介质的基板的预制坑群的放大结构的立 体图。
图4表示再生设备再生预制坑群时的再生光学系统的推挽信号，是表示极性为负 极性的推挽信号的情形的图。
图5表示再生设备再生预制坑群时的再生光学系统的推挽信号，是表示极性为正 极性的推挽信号的情形的图。
图6是表示本发明的光信息记录介质的结构的平面图。
图7是表示本发明的光信息记录介质中配置的BCA的一例的概略图。
图8是表示本发明的光信息记录介质的结构的概略图。
图9是表示比较例的光信息记录介质的结构的概略图。
图10是表示图8的光信息记录介质的第一信息记录层中记录的信息与图9的光 信息记录介质的信息记录层中记录的信息的评价结果的图。
图11的(a)是表示光信息记录介质300A的结构的概略图，(b)是表示光信息记 录介质300B的结构的概略图。
图12的(a)是表示光信息记录介质400A、500A、600A的结构的概略图，(b)是表 示光信息记录介质400B、500B、600B的结构的概略图。
图13的(a)是表示In-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图，(b)是表示 On-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图。
图14是表示各实验用光信息记录介质的再生信号的测定结果的图。
图15是表示形成了单调形式的预制坑的光信息记录介质的结构的概略图。
图16的(a)是表示单调的On-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图，(b)是 表示单调的In-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图。
图17是表示图15的光信息记录介质的第一信息记录层与第二信息记录层的再生 特性(OTF)的图。
图18是表示第二信息记录层的超分辨率膜由单层构成的光信息记录介质的结构 的图。
图19是表示以往的再生专用的两层DVD-ROM的结构的概略图。
图20的(a)是表示单调的On-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图，(b)是 表示单调的In-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图。
具体实施方式
以下，详细地说明本发明的实施方式。
(1、光信息记录介质I的概略结构)
对本发明的一个实施方式所涉及的光信息记录介质(多层超分辨率光信息记录 介质)I的结构进行说明。
图1是表示光信息记录介质I的结构的概略图。
如图1所示，光信息记录介质I中，从再生光的入射侧起，依次配置具有再生光的入射面的覆盖层(透光层)10、作为两层以上信息记录层的第一信息记录层(信息记录层)20以及第二信息记录层(信息记录层)40、以及基板50。此外，光信息记录介质I包括分别分离第一信息记录层20和第二信息记录层40的中间层30。
光信息记录介质I的信息记录层是由第一信息记录层20和第二信息记录层40的两层构成的多层结构。第一信息记录层20与第二信息记录层40分别在形成有预制坑群31 的中间层30和形成有预制坑群51的基板50上形成，是只能通过再生光读出信息的再生专用(ROM :Read Only Memory,只读存储器)的信息记录层。
在第一信息记录层20和第二信息记录层40中，以指定的调制方式，通过由预制坑群31、51构成的标记(mark)以及间隔(space),作为形状记录信息。
此外，在以下说明中，有时将第一信息记录层20和第二信息记录层40中的、配置基板50侧(即距再生光的入射面较远侧的信息记录层)的第二信息记录层40称为LO层。
(关于光信息记录介质I的各结构要素)
接着，使用图1，对构成光信息记录介质I的各结构要素依次进行说明。
覆盖层10配置在构成光信息记录介质I的各层中的、再生光的最初的入射侧。覆盖层10的与接触第一信息记录层20 —侧相反侧的面是再生光的入射面。
覆盖层10例如由厚度为75 μ m的紫外线固化树脂(再生光波长λ为405nm时的折射率为1. 50)构成。覆盖层10的材料是再生光的波长的透过率高的材料即可。即，覆盖层10例如可以由聚碳酸酯膜和透明粘合剂形成。
另外，覆盖层10的表面可以具有对再生不产生不良影响的防污特性(即使在附着了指纹等的情况下，来自第一信息记录层20以及第二信息记录层40的再生信号等也不会劣化的特性)或耐擦伤特性。此外，上述防污特性和耐擦伤特性可以通过在覆盖层10的表面上设置硬膜来满足。
此外，覆盖层10的厚度也可以根据光信息记录介质I的再生装置所具有的光学系统(再生光学系统)进行变更。具体而言，覆盖层10例如可以是O. 6mm的聚碳酸酯基板。
第一信息记录层20是与覆盖层10相邻设置的再生专用的信息记录层(ROM层)。
第一信息记录层20由设置于下层的中间层30的预制坑群31和层叠于预制坑群 31的超分辨率膜23构成。
第一信息记录层20中，利用设置于下层的中间层30的预制坑群31，作为形状记录信息。设置于中间层30的预制坑群31由多个凹凸形状的预制坑构成。
通过在形成于中间层30的凹凸形状的预制坑群31上层叠超分辨率膜23，通过预制坑群31的凹凸，在超分辨率膜23上形成凹凸形状。这 样，由预制坑群31记录的信息作为形状记录在第一信息记录层20中。
如后所述，形成于中间层30的预制坑群31在再生光学系统的光学分辨率极限 (以下有时简单地称为分辨率极限)以下形成。
超分辨率膜23是使利用预制坑群31记录的信息能够由再生光学系统再生的膜。 即，超分辨率膜23是虽然预制坑群31内的最小的标记与间隔的平均长度在分辨率极限以下形成，但仍然能够由再生光学系统进行再生(超分辨率再生)的超分辨率膜。
第一信息记录层20是通过在预制坑群31上层叠超分辨率膜23，能够使利用预制坑群31记录的信息由再生光学系统再生的层。
超分辨率膜23例如是利用入射的再生光的温度分布模拟地缩小再生光的光点直径，或者利用超级(Super) ROM等原理本身尚未清楚的超分辨率再生技术中发现的现象，能够再生预制坑群31的膜。
超分辨率膜23例如利用溅镀法等层叠两层薄膜而构成。具体而言，这两层薄膜是从再生光的入射侧依次层叠的再生膜21 (厚度约55nm的氧化锌)和反射膜22 (厚度约6nm 的 Ti)。
此外，超分辨率膜23的材料、厚度以及层数并不限定于此，只要是作为能够进行超分辨率再生的层发挥作用，能够再生设置于后述的中间层30的预制坑群31的超分辨率膜即可。
另外，所谓再生膜，意味着通过组合半透明膜或反射膜能够进行超分辨率再生的膜，所谓半透明膜，意味着透过再生光，同时起到反射膜的作用的膜。
中间层30例如由厚度为25 μ m的透明紫外线固化树脂(再生光波长时的折射率为1. 50)构成。中间层30的材料并不限定于此，只要是再生光的波长的透过率高的材料即可。另外，中间层30的厚度也并不限定于此，只要是能够分离各个信息记录层(在此是第一信息记录层20以及第二信息记录层40)，层间串扰不成为问题的适当厚度即可。
此外，所谓层间串扰，是指来自正在再生的信息记录层以外的信息记录层的噪声。 另外，中间层30也可以是多层结构。
在中间层30的与超分辨率膜23接触侧的面上，利用2P法(photo polymarization,光聚合法)，设置与作为形状记录于第一信息记录层20的信息相对应的凹凸形状的预制坑群31。预制坑群31以预制坑相对于上述再生光的入射面以凹形形成的 In-Pit (内坑)形式形成。
在此，所谓2P法，是指在平板与原盘之间填充紫外线固化树脂，照射紫外线使紫外线固化树脂固化后剥离原盘，由此在平板上转印原盘的凹凸(预制坑)的方法。
该预制坑群31的结构在后面描述。
第二信息记录层40是与覆盖层10相距最远的位置处设置的再生专用的信息记录层(ROM层)。
第二信息记录层40由设置于下层的基板50的预制坑群51和层叠于预制坑群51 的超分辨率膜43构成。
第二信息记录层40中，利用设置于下层的基板50的预制坑群51，作为形状记录信息。设置于基板50的预制坑群51由多个凹凸形状的预制坑构成。
通过在形成于基板50的凹凸形状的预制坑群51上层叠超分辨率膜43，通过预制坑群51的凹凸，在超分辨率膜43上形成凹凸形状。这样，由预制坑群51记录的信息作为形状记录在第二信息记录层40中。
如后所述，形成 于基板50的预制坑群51在再生光学系统的分辨率极限以下形成。 超分辨率膜43是使利用预制坑群51记录的信息能够由再生光学系统再生的膜。即，超分辨率膜43是虽然预制坑群51内的最小的标记与间隔的平均长度在分辨率极限以下形成， 但仍然能够由再生光学系统进行再生的超分辨率膜。
第二信息记录层40是通过在预制坑群51上层叠超分辨率膜43，能够使利用预制 坑群51记录的信息由再生光学系统再生的层。
超分辨率膜43例如是利用入射的再生光的温度分布模拟地缩小再生光的光点直 径，或者利用Super ROM等原理本身尚未清楚的超分辨率再生技术中发现的现象，能够再生 预制坑群51的膜。
超分辨率膜43中，例如利用溅镀法等层叠两层薄膜而构成超分辨率膜。具体而 言，这两层薄膜是从再生光的入射侧依次层叠的再生膜41 (厚度约65nm的氧化锌)和反射 膜42 (厚度约7nm的Ta)。
此外，超分辨率膜43的材料、厚度以及层数并不限定于此，只要是作为能够进行 超分辨率再生的层发挥作用，能够再生设置于后述的基板50的预制坑群51的超分辨率膜 即可。
基板50是具有以与上述中间层30相同的In-Pit形式记录了信息的预制坑群的 圆盘状基板。基板50例如由直径120_、厚度1.1mm的聚碳酸酯构成。
此外，基板50的材料以及厚度并不限定于此，只要是表面(光入射面)上设置有 预制坑群51，并且具有能够作为基板使用的程度的指定强度即可。具体而言，基板50例如 可以由聚烯烃树脂、金属等构成。另外，基板50也可以是多层结构。
这样，光信息记录介质I配置作为多个信息记录层的第一信息记录层20和第二信 息记录层40。
另外，第一信息记录层20由最小标记和最小间隔的平均长度在再生光学系统的 分辨率极限以下的预制坑群31和层叠于预制坑群31的超分辨率膜23构成。
同样，第二信息记录层40由最小标记和最小间隔的平均长度在再生光学系统的 分辨率极限以下的预制坑群51和层叠于预制坑群51的超分辨率膜43构成。以此方式，光 信息记录介质I作为多层超分辨率光信息记录介质构成。
(光信息记录介质I的变形例)
接着，使用图18，对光信息记录介质I的变形例进行说明。
光信息记录介质I可以是如下的多层超分辨率光信息记录介质，即配置两层以 上的信息记录层，各信息记录层是包含最小标记和最小间隔的平均长度在再生光学系统的 分辨率极限以下的预制坑群、以及作为使利用该预制坑群记录的信息能够由上述再生光学 系统再生的膜的超分辨率膜的层。
也就是说，在预制坑群31、51由反射率高的金属材料构成的情况下，层叠于其上 的超分辨率膜23、43分别可以不由两层构成，而是由单层构成。
作为这种多层超分辨率光信息记录介质的结构的一例，使用图18进行说明。
图18是表示多个信息记录层中的第二信息记录层40a的超分辨率膜43由单层构 成的光信息记录介质的结构的概略图。
光信息记录介质Ia从再生光的入射侧起依次由覆盖层10、第一信息记录层20、中 间层30、第二信息记录层40a、以及基板50a构成。
第二信息记录层40a由预制坑群51a和层叠于预制坑群51a的超分辨率膜43构 成。
超分辨率膜43与再生膜41同样由厚度约65nm的氧化锌构成。
基板50a例如由Ta等反射率高的金属材料构成。并且，在基板50a的配置超分辨 率膜43侧的面上，形成预制坑群51a。配置于该基板50a的预制坑群51a与基板50a同样， 由Ta等金属材料构成。据此，预制坑群51a也作为反射膜发挥作用。
此外，预制坑群51a构成的标记以及间隔的长度与预制坑群51相同。
可以以此方式构成作为多层超分辨率光信息记录介质的光信息记录介质la。
根据光信息记录介质la，第二信息记录层40a包括预制坑群51a和超分辨率膜 43，预制坑群51a由反射率高的金属材料构成，超分辨率膜43由一层构成。
据此，预制坑群51a由反射率高的金属材料构成，因而不需要层叠多层以构成超 分辨率膜41。因此，与在光信息记录介质I的预制坑群51a上层叠超分辨率膜的情况相比， 能够减少制造成本。
(关于预制坑群的结构)
接着，使用图2至图6，说明设置于中间层30、基板50的预制坑群31、51的结构。
图2是表示设置于中间层30的预制坑的结构的立体图。图3是表示设置于基板 50的预制坑的结构的立体图。
预制坑群31、51配置多个预制坑，分别由与作为形状记录在第一信息记录层20、 第二信息记录层40中的信息相对应的凹凸构成。预制坑群31、51中，预制坑对再生光的反 射面为标记32、52，预制坑间对再生光的反射面为间隔33、53。预制坑群31、51按照指定的 调制方式例如1-7RLL调制方式,作为形状将信息分别记录在第一信息记录层20、第二信息 记录层40中。
由预制坑群31、51构成的标记32、52分别具有不同的长度。通过以此方式以不同 长度构成标记32、52，与以单一长度构成标记的所谓单调模式记录方式相比，能够提高记录 信息的密度。
以此方式以不同长度构成的标记32、52例如按照1-7RLL调制方式，利用标记边缘 记录方式记录信息。标记边缘记录方式是通过读取标记32、52的边缘部分(与相邻的间隔 33、53的边界部分)读取信息(“I”(高)或“O”(低))的方式。
这样，通过使用标记边缘记录方式，与用于单调模式记录方式的标记位置记录方 式相比，能够提高所记录的信息的容量。
预制坑群31、51形成为由预制坑群31、51构成的标记32、52中长度最小的最小 标记与由预制坑群31、51构成的间隔33、53中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再生 上述信息记录层(第一信息记录层20、第二信息记录层40)中记录的信息的再生光学系统 的分辨率极限以下。
因此，能够提高配置标记32、52以及间隔33、53的密度。因此，能够增大第一信息 记录层20、第二信息记录层40中分别记录的信息的容量。
在此，所谓上述最小标记与上述最小间隔的平均长度，是能够根据指定的调制方 式、以及第一信息记录层20或第二信息记录层40中记录的信息的密度计算出的长度。
所谓上述最小标记与上述最小间隔的平均长度，在结构上，例如在1-7RLL调制方 式的情况下，是作为最小标记的2T标记长度与作为最小间隔的2T间隔长度的平均长度。
具体而言，在再生光学系统以BD(Blu_ray Disc，蓝光光盘)为基准的情况下，例 如，1-7RLL调制方式时的2T标记长度与2T间隔长度的平均长度为93nm。
并且，如上所述，超分辨率膜23、43分别构成为即使预制坑群31、51在再生光学系统的分辨率极限以下形成，也能够由再生光学系统进行再生的超分辨率膜。因此，由预制坑群31、51记录的信息(即由标记32、52以及间隔33、53记录的信息)能够由再生光学系统再生。
以此方式，光信息记录介质I作为多层超分辨率光信息记录介质构成。
具体而言，光信息记录介质I中，作为信息记录层配置由两层构成的第一信息记录层20以及第二信息记录层40，采用在最小标记与最小间隔的平均长度为再生光学系统的分辨率极限以下的预制坑群31、51上分别层叠了超分辨率膜23、43的构成。
这样，通过作为多层超分辨率光信息记录介质构成光信息记录介质1，增加用于在信息记录层中记录信息的容量，因此能够抑制信息记录层的层叠数增加为三层、四层.......这样，通过使光信息记录介质I为多层超分辨率光信息记录介质，能够增加用于存储信息的容量，同时能够抑制与信息记录层的层叠数增加相伴而来的制造成本增大。
另外，预制坑群31、51采用标记32、52相对于再生光的入射面比间隔33、53凹陷地形成的In-pit形式。再生光学系统再生In-Pit形式的预制坑群31、51时的推挽(push pull)信号的极性为负极性。
换言之，也可以表达为预制坑群31、51形成为再生光学系统再生预制坑群31、51 时的推挽信号的极性为负极性。
图4表示再生设备再生预制坑群时的再生光学系统的推挽信号，是表示极性为负极性的推挽信号的情形的图。
图5表示再生设备再生预制坑群时的再生光学系统的推挽信号，是表示极性为正极性的推挽信号的情形的图。
所谓推挽信号的极性为负极性，意味着在再生信号的受光部被分割为内周和外周两部分，从自外周侧的受光部得到的电压中减去自内周侧的受光部得到的电压从而计算出推挽信号的再生设备中，在从正在再生预制坑的信息的轨道跳至内周的情况下，如图4所示推挽信号的电平以O、负、O、正、O的顺序得到。
在通过再生设备再生由形成于光信息记录介质I的In-Pit形式的预制坑群31、51 记录的信息时，再生光学系统的推挽信号的极性如图4所示的极性为负极性。
此外，在通过再生设备再生由以On-Pit (外坑)形式形成的预制坑群记录的信息时，得到图5所示的、推挽信号的电平以O、正、O、负、O的顺序得到的正极性的推挽信号。
这样，即使配置为由预制坑群31、51构成的最小标记与最小间隔的平均长度在再生光学系统的分辨率极限以下，也能够防止再生光学系统分别再生第一信息记录层20和第二信息记录层40而得的信息的再生特性发生劣化。
因此，根据光信息记录介质1，能够具有大存储容量、价廉、并且防止再生特性的劣化。
S卩，根据光信息 记录介质I的结构，作为形成于光信息记录介质I的全部信息记录层的第一信息记录层20以及第二信息记录层40的再生特性能够较为良好。
此外，若再生光信息记录介质I的再生光学系统的再生光的波长为λ，数值孔径为NA，则预制坑群31、51中的最小标记与最小间隔的平均长度为λ/(5.76ΝΑ)以下的情况是较为理想的。
在此，在预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度比λ /(5. 76ΝΑ)大的情况下，即使预制坑群的记录形式为On-Pit形式，如后所述，也能够生成用于再生信息记录层中记录的信息的时钟(详细情况在后面描述)。
因此，虽然再生特性发生劣化，但通过对再生特性进行补充，也能够取得所需的再生特性。即，若预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度达到λ/(5.76ΝΑ)以下，则根据预制坑群的记录形式(In-Pit记录形式或是On-Pit记录形式)得到的再生特性的差异变得更为显著。
在此情况下，由坑的记录形式产生的差变得更为显著，通过采用In-Pit形式，能够进行进一步的大容量化。
S卩，在以异于光信息记录介质I的结构制作光信息记录介质的情况下，若预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度比λ /(5. 76ΝΑ)小，则修正信息记录层的再生特性变得极为困难。
另一方面，在光信息记录介质I中，分别通过In-Pit形式形成预制坑群31、51，因而即使预制坑群31、51中的最小标记与最小间隔的平均长度比λ/(5.76ΝΑ)，也能够在不修正通过再生第一信息记录层20以及第二信息记录层40而得的信息的再生特性的情况下，防止再生特性的劣化，得到良好的再生特性。
(光信息记录介质I的平面结构)
接着，使用图6、图7，对光信息记录介质I的平面结构进行说明。
图6是表示光信息记录介质I的结构的概略的平面图。
图7是表示光信息记录介质I中配置的BCA的一例的概略图。在图7中，箭头a 表示长度，箭头b表示宽度。
如图6所示，光信息记录介质I包含作为用于进行通常信息的记录再生的区域的区域A(内容记录区域)、以及作为用于记录再生BCA(Burst cutting area,脉冲串切割区) 的区域的区域B。
区域A是用于进行用户使用的内容信息等的记录再生的区域。区域A是为了再生所记录的信息需要进行追踪(tracking)的信息记录区域。
区域B是用于记录BCA的BCA记录区域，设置于光信息记录介质I的内周侧。
如图7所示，BCA形成为条形码状。
BCA与在第一信息记录层20、第二信息记录层40中记录信息的标记32、52、间隔 33、53(即预制坑群31、51)相比，以能够容易检测的记录方式，在第二信息记录层40中进行记录。
BCA作为信息包含用于识别光信息记录介质I的光盘类型(DVD或BD等介质种类)的信息即光盘类型识别信息、以及用于识别各个光信息记录介质I的信息即个体识别信息。
此外，光盘类型识别信息中还包含表示第一信息记录层20和第二信息记录层40 分别是构成为使利用预制坑群31、51记录的信息能够由再生光学系统再生的层的信息。 即，光盘类型识别信息中还包含表示光信息记录介质I是多层超分辨率光信息记录介质的信息。
BCA形成于作为与覆盖层10相距最远的位置处设置的信息记录层的LO层(第二信息记录层40)。即，在光信息记录介质I中，上述光盘类型识别信息以及上述个体识别信息记录在作为与覆盖层10相距最远的位置处设置的信息记录层的LO层中。
因此，能够使再生上述光盘类型识别信息以及上述个体识别信息的再生装置预先设定在作为多个信息记录层的第一信息记录层20、第二信息记录层40中，上述光盘类型识别信息以及上述个体识别信息记录在哪个层中。
据此，能够缩短上述再生装置用于在作为多个信息记录层的第一信息记录层20、 第二信息记录层40中确定记录了上述光盘类型识别信息以及上述个体识别信息的第二信息记录层40的时间。此外，对同一再生装置，各种光盘类型的光信息记录介质的共有化变得容易。
此外，对于BCA而言，在制造光信息记录介质I时，脉冲激光照射到作为LO层的第二信息记录层40，据此在第二信息记录层40中形成10 μ m单位的宽度的条纹。
据此，在第二信息记录层40中形成BCA。BCA是宽度为10 μ m单位、长度从100 μ m 单位到数百ym(mm单位)的条纹，因而比形成于第一信息记录层20以及第二信息记录层 40的预制坑群31,51(标记32、52以及间隔33、53)等大。
因此，再生BCA的再生装置的聚集即使多少发生偏移，不进行追踪也能够由上述再生装置进行读取。这样，BCA与作为标记32、52以及间隔33、53记录信息的记录方式相比，以能够容易检测的记录方式，形成于第二信息记录层40。
此外，使用专用的脉冲激光的照射装置，能够较为容易地在光信息记录介质I上形成BCA作为光盘类型识别信息以及个体识别编号。
另外，如上所述，作为多层超分辨率光信息记录介质的光信息记录介质I的各第一信息记录层20、第二信息记录层40中形成的标记32、52以最小标记与最小间隔的平均长度在再生光学系统的分辨率极限以下的方式高密度地形成。
再生如第一信息记录层20、第二信息记录层40这样记录密度高的信息时，与再生形成了记录密度比第一信息记录层20、第二信息记录层40低的信息记录层的光信息记录介质(例如，最小标记与最小间隔的平均长度大于再生光学系统的分辨率极限的非多层超分辨率光信息记录介质)的信息的情况相比，需要增大再生激光功率(再生光的强度)。
因此，若以用于再生光信息记录介质I的信息的再生激光功率再生上述非多层超分辨率光信息记录介质，则存在破坏上述非多层超分辨率光信息记录介质的危险性。
另一方面，如BCA这样，将光盘类型识别信息以与作为标记32、52以及间隔33、53 记录信息的记录方式相比能够容易地检测的记录方式记录到第二信息记录层40中，由此， 对于再生光学系统，使之在增大用于再生作为标记32、52以及间隔33、53记录的信息的再生激光功率之前确认光盘类型识别信息，由此能够判定是否是多层超分辨率光信息记录介质。
因此，能够防止错误地使用为了再生设置有由标记32、52以及间隔33、53记录的信息的第一信息记录层20、第二信息记录层40而增大了的再生激光功率，再生非多层超分辨率光信息记录介质。据此，能够提供通用性高的光信息记录介质I。
另外，如图6所示，在光信 息记录介质I中，区域B配置于区域A的内周。S卩，BCA 配置于光信息记录介质I的内周附近。这样，记录光盘类型识别信息或个体识别信息的半径位置位于再生信息时需要追踪的区域A的内周侧。
在此，在BCA中包含光盘类型识别信息或上述个体识别信息的情况下，为了即使利用再生光学系统照射再生光的半径方向的位置多少发生偏移，也能够再生BCA中包含的上述光盘类型识别信息或上述个体识别信息的信息，作为记录BCA的区域，需要是在半径方向上具有指定的长度，在周向上具有一周的区域。
为了确保这种记录光盘类型识别信息或上述个体识别信息的区域，用于存储其他信息的信息记录区域(区域A)的面积会减少。
因此，通过使记录上述光盘类型识别信息以及上述个体识别信息的区域B的半径位置为区域A的内周侧，与设置于外周侧的情况相比，能够抑制区域A的记录容量的减少。
此外，与将BCA配置于光信息记录介质I的外周附近的情况相比，能够减少光信息记录介质I中记录的BCA的记录量。因此,能够缩短用于将BCA记录到光信息记录介质I 中的时间。
(2、组合以往技术时的问题)
接着，关于使超分辨率技术适应以往的多层再生专用信息记录介质时的问题，以下进行说明。
首先，说明采用标记边缘记录方式的光信息记录介质的预制坑的记录形式以及信息记录层的结构的差异所产生的再生特性的差异，接着，说明不采用标记边缘而采用单调记录方式(=标记位置记录方式)的光信息记录介质的再生特性。
(2-1、采用标记边缘记录方式的多层超分辨率光信息记录介质)
(单层信息记录层与多层信息记录层的再生信号的评价实验)
首先，使用图8至图10示出，多层超分辨率光信息记录介质的各信息记录层的再生特性在分离各信息记录层的中间层的膜厚等适当时，能够根据以同样方式制作的信息记录层由单层构成的光信息记录介质的结果进行设想。
以如下方式进行了实验，实验中同时制作具有再生专用的信息记录层的光信息记录介质(多层超分辨率光信息记录介质)100和光信息记录介质200这两种样本，并评价通过对它们分别进行再生而得到的、来自各自的信息记录层的再生信号。
在光信息记录介质100和光信息记录介质200中，光信息记录介质100具有的信息记录层为两层，与此相对，不同之处在于，光信息记录介质200具有的信息记录层为一层。其他结构相同。
图8是表示本实施方式所涉及的光信息记录介质100的结构的概略图。
如图8所示，制作了从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层10、第一信息记录层120、中间层30、第二信息记录层140、以及基板50的结构的光信息记录介质100。
此外，再生光信息记录介质100的再生装置所具有的再生光学系统的再生波长入为 405nm, N. A.为 O. 85。
覆盖层10使用了厚度为75 μ m的紫外线固化树脂(再生光波长405nm时的折射率为1. 50)。
第一信息记录层120 由超分辨率膜123和预制坑群31构成，超分辨率膜123由两层薄膜构成，预制坑群31形成于下层的中间层30。
作为构成超分辨率膜123的两层薄膜，以从再生光的入射侧起依次为再生膜21和反射膜22的方式进行层叠。作为再生膜21使用厚度为55nm的氧化锌，作为反射膜22使用厚度为6nm的Ti。此外,第一信息记录层120对应于上述的第一信息记录层20。
中间层30使用了透明紫外线固化树脂(再生光波长的折射率为1.50)。中间层 30采用25 μ m的厚度，从而不产生第一信息记录层120与第二信息记录层140的层间串扰。 在中间层30的第一信息记录层120侧的面上,设置道间距为O. 32 μ m并且为In-Pit记录形式的预制坑群31 (参考图2)。即，第一信息记录层120包含标记相对于光入射面以凹陷方式形成的预制坑群31，再生第一信息记录层120时的推挽的极性为负极性。
预制坑群31将从与后述的基板50相同的母盘压缩成型的实质上的同一基板作为原始原盘，反复进行两次2P转印(指从原始原盘进行2P转印，以得到的2P转印基板为原盘再次进行2P转印)，从而在中间层30上形成。这样，将预制坑群31形成为与作为形状记录在第一信息记录层120中的信息相对应的凹部。
第二信息记录层140由超分辨率膜143和预制坑群51构成，超分辨率膜143由两层薄膜构成，预制坑群51形成于下层的基板50。
构成超分辨率膜123的两层薄膜以从再生光的入射侧起依次为再生膜41和反射膜42的方式进行层叠。作为再生膜41使用厚度为65nm的氧化锌，作为反射膜42使用厚度为7nm的Ta。此外，第二信息记录层140对应于上述的第二信息记录层40。
基板50使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。另外,在基板 50的第二信息记录层140侧的面上，设置道间距为O. 32 μ m并且为In-Pit记录形式的预制坑群51 (参考图3)。
预制坑群51由与作为形状记录在第二信息记录层140中的信息相对应的凹凸构成。在第二信息记录层140中，以标记相对于光入射面凹陷的方式形成预制坑群51，由此记录信息。另外，再生预制坑群51时的推挽的极性为负极性。
通过按照1-7RLL调制方式调制预制坑群31、51，再生所记录的信息。预制坑群31、 51以具有多个长度的方式形成了标记32、52。该标记32、52被设置成最小标记与最小间隔的平均长度为再生光学系统的分辨率极限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)以下的93nm。
图9是表示比较例的光信息记录介质200的结构的概略图。
光信息记录介质200是将图8的基板50上层叠的第一信息记录层120优化为单层光盘的比较用的单层光信息记录介质。
如图9所示，光信息记录介质200采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层 10、信息记录层220、以及基板50的结构。
信息记录层220与图8的第一信息记录层120同样由超分辨率膜223和预制坑群 51构成，超分辨率膜223由两层薄膜构成。即，信息记录层220是以从再生光的入射侧起依次为再生膜21、反射膜22、以及预制坑群51的方式进行了层叠的结构。
在基板50的信息记录层220侧的面上，与图8的光信息记录介质100同样，形成预制坑群51。
并且，分 别使用评价设备测定了比特错误率(以后称为bER)的再生功率依赖性 (再生特性)，该比特错误率表示光信息记录介质100的第一信息记录层120中记录的信息与光信息记录介质200的信息记录层220中记录的信息的再生错误率。
作为评价设备，使用了作为一般的BD用评价设备的PULSTEC制造的DDU-1000 (再生光学系统再生光波长(λ ) 405nm、数值孔径N. A. = O. 85),PULSTEC制造的BD评价用信号检测器、以及作为高密度信号处理进行一般信号处理的PRML (12221)。
不过，PULSTEC制造的BD评价用信号检测器对应于高密度，因而进行仅使增益增加IOdB的改造。
图10是表示光信息记录介质100的第一信息记录层120中记录的信息与光信息记录介质200的信息记录层220中记录的信息的评价结果的图。
在图10中，横轴表示评价设备的再生激光功率(即再生光的强度)(mW)，纵轴表示 bER。
如图10所示，比较再生具有两层信息记录层的光信息记录介质100的第一信息记录层120时的再生特性与再生具有单层信息记录层的光信息记录介质200的信息记录层 220时的再生特性，两个再生特性几乎看不出差别。
即，在再生第一信息记录层120时与再生信息记录层220时,bER相对于再生激光功率的强度变化的变化量几乎相同。
因此，图10所示的评价结果表示，在适度设置不产生层间串扰的中间层30的情况下，对于超分辨率多层光信息记录介质的各信息记录层的再生特性，除了透过信息记录层时的光量损失以外，不产生影响。
此外，虽然并未图示，但比较再生光信息记录介质100的第二信息记录层140时的再生特性与再生光信息记录介质200的信息记录层220时的再生特性，除了透过第一信息记录层120所产生的光损失导致的再生灵敏度的降低以外，两个再生特性也几乎看不出差别。
因此，根据该实验结果，在判断超分辨率多层光信息记录介质的各信息记录层的再生特性的优劣时，测定对各信息记录层进行了单层化的光信息记录介质的再生特性即可。·
(关于预制坑的记录形式以及信息记录层的结构与再生特性的关系)
接着，为了确认不同预制坑记录方式、以及不同预制坑密度的再生专用的多层光信息记录介质中各信息记录层的再生优劣，按照上述结论，制作了作为以下的实验用光盘的单层光信息记录介质 300A、300B、400A、400B、500A、500B、600A、以及 600B。
图11的(a)是表示光信息记录介质300A的结构的概略图，(b)是表示光信息记录介质300B的结构的概略图。
图12的(a)是表示光信息记录介质400A、500A、600A的结构的概略图，(b)是表示光信息记录介质400B、500B、600B的结构的概略图。
图13的(a)是表示In-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图，(b)是表示 On-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图。
如图11的(a)所示，光信息记录介质300A采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层310、信息记录层320A、以及基板350A的结构。
覆盖层310使用了厚度为100 μ m的紫外线固化树脂(再生光波长405nm时的折射率为1. 50)。
信息记录层320A由非超分辨率膜323和预制坑群351A构成，非超分辨率膜323 由一个薄膜构成，预制坑群351A形成于下层的基板350A。非超分辨率膜323使用了厚度为 5nm 的 Ti。
基板350A使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(a)所示，在基板350A的非超分辨率膜323侧的面上，设置了预制坑群 351A，该预制坑群351A由与作为形状记录在信息记录层320A中的信息相对应的凹凸构成， 道间距(半径方向的长度)为O. 32 μ m。
在预制坑群351A中，以能够按照1-7RLL调制方式再生信息的方式，配置多个在周向上具有不同长度的标记。
预制坑群35IA设置成由预制坑群35IA构成的标记352A以及间隔353A中的、最小标记与最小间隔的平均长度为149nm(以口 120mm的光盘换算，相当于25GB)。S卩，由预制坑群351A构成的最小标记与最小间隔的平均长度大于再生光学系统的分辨率极限(λ / (4Ν. A.) = 119nm)。
此外，设置于基板350A的预制坑群351A的记录形式采用了 In-Pit形式。S卩，以标记352A相对于光入射面比间隔353A凹陷的方式形成了预制坑群351A。换言之，以再生信息记录层320A时的推挽信号的极性为负极性的方式形成了预制坑群351A。
如图11的(b)所示，光信息记录介质300B采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层310、信息记录层320B、以及基板350B的结构。
信息记录层320B由非超分辨率膜323和预制坑群35IB构成，预制坑群35IB形成于下层的基板350B。
光信息记录介质300B除了基板350B以外(即除了预制坑群351B的记录形式以外)与光信息记录介质300A为相同的结构。
基板350B与基板350A同样，使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(b)所示，在基板350B的非超分辨率膜323侧的面上，设置了预制坑群 351B，该预制坑群351B由与作为形状记录在信息记录层320A中的信息相对应的凹凸构成， 道间距为O. 32 μ m。预制坑群351B的记录形式采用了 On-Pit形式。
g卩，以标记352B相对于光入射面比间隔353B凸出的方式形成了预制坑群351B。 换言之，以再生信息记录层320B时的推挽的极性为正极性的方式形成了预制坑群351B。
将从与基板350A相同的母盘压缩成型的实质上的同一基板作为原盘，利用2P转印设置了该预制坑群351B。据此，在基板350B上设置了 On-Pit形式的预制坑群351B。
S卩，基板350A与350B是以照片为例的所谓正片和底片的关系。
如图12的(a)所示，光信息记录介质400A采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层410、信息记录层420A、以及基板450A的结构。
覆盖层410使用了厚度为100 μ m的紫外线固化树脂(再生光波长405nm时的折射率为1. 50)。
信息记录层420A由 超分辨率膜423和预制坑群451构成，超分辨率膜423由以从再生光的入射侧起依次为再生膜421、反射膜422的方式层叠的两层薄膜构成，预制坑群51 形成于下层的基板450A。
再生膜421使用厚度为60nm的氧化锌，反射膜422使用厚度为7nm的Ta。
基板450A使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(a)所示，在基板450A的超分辨率膜423侧的面上，设置了预制坑群451A，该预制坑群451A由与作为形状记录在信息记录层420A中的信息相对应的凹凸构成， 道间距为O. 32 μ m。
在预制坑群451A中，以能够按照1-7RLL调制方式再生信息的方式，配置多个在周向上具有不同长度的标记。
预制坑群45IA设置成由预制坑群45IA构成的标记452A以及间隔453A中的、最小标记与最小间隔的平均长度为149nm(以口 120mm的光盘换算，相当于25GB)。S卩，由预制坑群451A构成的最小标记与最小间隔的平均长度大于再生光学系统的分辨率极限(λ / (4Ν. A.) = 119nm)。
此外，设置于基板450A的预制坑群451A的记录形式采用了 In-Pit形式。S卩，以标记452A相对于光入射面凹陷的方式形成预制坑群451A，再生信息记录层420A时的推挽信号的极性为负极性。
此外，基板450A是从与基板350A相同的原盘成型的基板，实质上相同。
如图12的(b)所示，光信息记录介质400B采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层410、信息记录层420B、以及基板450B的结构。光信息记录介质400B除了基板 450B以外(即除了预制坑群451B的记录形式以外)与光信息记录介质400A为相同的结构。
信息记录层420B由超分辨率膜423和预制坑群45IB构成，超分辨率膜423由以从再生光的入射侧起依次为再生膜421、反射膜422的方式层叠的两层薄膜构成，预制坑群 451B形成于下层的基板450A。
基板450B与基板450A同样,使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(b)所示，在基板450B的超分辨率膜423侧的面上，设置了预制坑群 451B，该预制坑群451B由与作为形状记录在信息记录层420A中的信息相对应的凹凸构成， 道间距为O. 32 μ m。预制坑群451B的记录形式采用了 On-Pit形式。
S卩，以标记452B相对于光入射面比间隔453B凸出的方式形成了预制坑群451B。 换言之，以再生信息记录层420B时的推挽的极性为正极性的方式形成了预制坑群451B。
将从与基板450A相同的母盘压缩成型的实质上的同一基板作为原盘，利用2P转印设置了该预制坑群451B。据此，在基板450B上设置了 On-Pit形式的预制坑群451B。
S卩，基板450A与450B是以照片为例的所谓正片和底片的关系。
如图12的(a)所示，光信息记录介质500A采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层510、信息记录层520A、以及基板550A的结构。
覆盖层510使用了厚度为100 μ m的紫外线固化树脂(再生光波长405nm时的折射率为1. 50)。
信息记录层520A由超分辨率膜523和预制坑群55IA构成，超分辨率膜523由以从再生光的入射侧起依次为再生膜521、反射膜522的方式层叠的两层薄膜构成，预制坑群 551A形成于下层的基板550A。再生膜521使用厚度为60nm的氧化锌，反射膜522使用厚度为7nm的Ta。
基板550A使用了 直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(a)所示，在基板550A的超分辨率膜523侧的面上，设置了预制坑群551A，该预制坑群551A由与作为形状记录在信息记录层520A中的信息相对应的凹凸构成， 道间距为O. 32 μ m。
在预制坑群551A中，以能够按照1-7RLL调制方式再生信息的方式，配置多个在周向上具有不同长度的标记552A。
预制坑群55IA设置成由预制坑群55IA构成的标记552A以及间隔553A中的、最小标记与最小间隔的平均长度为113nm(以口 120mm的光盘换算，相当于33GB)。即，由预制坑群551A构成的最小标记与最小间隔的平均长度在再生光学系统的分辨率极限(λ / (4Ν. A.) = 119nm)以下。
此外，设置于基板550A的预制坑群551A的记录形式采用了 In-Pit形式。[!卩，以标记552A相对于光入射面凹陷的方式形成预制坑群551A，再生信息记录层520A时的推挽信号的极性为负极性。
如图12的(b)所示，光信息记录介质500B采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层510、信息记录层520B、以及基板550B的结构。光信息记录介质500B除了基板 550B以外(即除了预制坑群551B的记录形式以外)与光信息记录介质500A为相同的结构。
信息记录层520B由超分辨率膜523和预制坑群55IB构成，超分辨率膜523由以从再生光的入射侧起依次为再生膜521、反射膜522的方式层叠的两层薄膜构成，预制坑群 551B形成于下层的基板550B。
基板550B与基板550A同样，使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(b)所示，在基板550B的超分辨率膜523侧的面上，设置了预制坑群 551B,该预制坑群55IB由与作为形状记录在信息记录层540B中的信息相对应的凹凸构成， 道间距为O. 32 μ m。预制坑群551B的记录形式采用了 On-Pit形式。
g卩，以标记552B相对于光入射面比间隔553B凸出的方式形成了预制坑群551B。 换言之，以再生信息记录层520B时的推挽的极性为正极性的方式形成了预制坑群551B。
将从与基板550A相同的母盘压缩成型的实质上的同一基板作为原盘，利用2P转印设置了该预制坑群551B。据此，在基板550B上设置了 On-Pit形式的预制坑群551B。
S卩，基板550A与550B是以照片为例的所谓正片和底片的关系。
如图12的(a)所示，光信息记录介质600A采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层610、信息记录层620A、以及基板650A的结构。
覆盖层610使用了厚度为IOOym的紫外线固化树脂(再生光波长405nm时的折射率为1. 50)。
信息记录层620A由超分辨率膜623和预制坑群65IA构成，超分辨率膜623由以从再生光的入射侧起依次为再生膜621、反射膜622的方式层叠 的两层薄膜构成，预制坑群 651A形成于下层的基板650A。再生膜621使用厚度为60nm的氧化锌，反射膜622使用厚度为7nm的Ta。
基板650A使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(a)所示，在基板650A的超分辨率膜623侧的面上，设置了预制坑群 651A，该预制坑群651A由与作为形状记录在信息记录层640中的信息相对应的凹凸构成，道间距为O. 32 μ m。
在预制坑群651A中，以能够按照1-7RLL调制方式再生信息的方式，配置多个在周向上具有不同长度的标记。
预制坑群65IA设置成由预制坑群65IA构成的标记652A以及间隔653A中的、最小标记与最小间隔的平均长度为83nm(以口 120mm的光盘换算，相当于45GB)。S卩，由预制坑群651A构成的最小标记与最小间隔的平均长度在再生光学系统的分辨率极限(λ /(4N. A.) = 119nm)以下。
此外，设置于基板650A的预制坑群651A的记录形式采用了 In-Pit形式。S卩，以标记652A相对于光入射面凹陷的方式形成预制坑群651A，再生信息记录层620A时的推挽信号的极性为负极性。
如图12的(b)所示，光信息记录介质600B采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层610、信息记录层620B、以及基板650B的结构。光信息记录介质600B除了基板 650B以外(即除了预制坑群651B的记录形式以外)与光信息记录介质600A为相同的结构。
信息记录层620B由超分辨率膜623和预制坑群65IB构成，超分辨率膜623由以从再生光的入射侧起依次为再生膜621、反射膜622的方式层叠的两层薄膜构成，预制坑群 651B形成于下层的基板650B。
基板650B与基板650A同样,使用了直径120mm、厚度1.1mm的聚碳酸酯的圆盘状基板。
如图13的(b)所示，在基板650B的超分辨率膜623侧的面上，设置了预制坑群 651B，该预制坑群651B由与作为形状记录在信息记录层620B中的信息相对应的凹凸构成， 道间距为O. 32 μ m。预制坑群651的记录形式采用了 On-Pit形式。
g卩，以标记652B相对于光入射面比间隔653B凸出的方式形成了预制坑群651B。 换言之，以再生信息记录层620B时的推挽的极性为正极性的方式形成了预制坑群651B。
将从与基板650A相同的母盘压缩成型的实质上的同一基板作为原盘，利用2P转印设置了该预制坑群651B。据此，在基板650B上设置了 On-Pit形式的预制坑群651B。
S卩，基板650A与650B是以照片为例的所谓正片和底片的关系。
图14是表示各实验用光信息记录介质的再生信号的测定结果的图。
使用图14，针对上述单层光信息记录介质300A至600B，使用上述评价设备等测定抖动(Jitter :低密度的信号再生特性的一般评价指标)或bER(比特错误率)的最低值， 确认了各实验用光信息记录介质的再生特性的优劣。
在图14中，表示各实验用光信息记录介质的测定结果(抖动或bER)和测定时的信号波形。在图14的表不信号波形的不波器的照片中，横轴表不时间，纵轴表不电压。
首先，比较设置了再生光学系统的分辨率极限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)以下(以 □ 120mm的光盘换算,相当于33GB)的标记长的预制坑群的光信息记录介质500A、500B、 600A、600B。
如上所述，光信息记录介质500A与光信息记录介质500B的不同之处仅在于预制坑群551A、551B的凹凸关系相反。同样，光信息记录介质600A与 光信息记录介质600B的不同之处仅在于预制坑群651A、651B的凹凸关系相反。
但是,根据图14可明显看到，比较光信息记录介质500A与光信息记录介质500B 的再生特性，光信息记录介质500B的抖动的最低值为27. 5%，而光信息记录介质500A的抖动的最低值为10. 9 %，与光信息记录介质500B的抖动的最低值相比，光信息记录介质500A 的抖动的最低值较小。
这样，可知与光信息记录介质500B相比，光信息记录介质500A的再生特性较好。
同样，比较光信息记录介质600A与光信息记录介质600B的再生特性，结果是光信息记录介质600A的bER的最低值为3. 6X 10_5，与一般实用上所需的3. OX 10_4相比足够小，较为良好，而光信息记录介质600B甚至无法生成为了解码再生信号而最低限度所需的时钟。
这样，可知与光信息记录介质600B相比，光信息记录介质600A的再生特性较好。
由此可知，即使使用具有标记密度等相同的预制坑群的基板，根据预制坑群的记录形式是In-Pit形式还是On-Pit形式，再生特性也有较大差异，与On-Pit形式相比， In-Pit形式的再生特性较好。
另外，根据图14可知，标记的密度(信息的记录密度)越大，In-Pit形式时的再生特性与On-Pit形式时的再生特性的差越大。
尤其可知，如设置于光信息记录介质600B的预制坑群65IB这样，最小标记(标记 652B)与最小间隔(间隔653B)的平均长度为83nm( = λ/(5. 76ΝΑ(以口 120mm的光盘换算，相当于45GB)))时，甚至无法生成时钟。
S卩，预制坑群651的最小标记与最小间隔的平均长度为83ηηι(λ / (5. 76ΝΑ))时,无法生成时钟，因而由信号处理的高度化(例如，从PRML (1221)到PRML (12221)的变更等) 产生的bER(与再生特性同义)的改善也无法实现。
接着，根据图14可知，比较光信息记录介质300A、400A与光信息记录介质300B、 400B的再生特性，光信息记录介质300A、400A与光信息记录介质300B、400B之间，抖动的最低值的值大致相同，再生特性没有产生较大的差别。
即，可以知道，在设置了最小标记与最小间隔的平均长度大于再生光学系统的分辨率极限(λ/(4Ν·Α·) = 119nm)的预制坑群(预制坑群351A、351B、451A、451B)的光信息记录介质300A、300B、400A、400B (例如以口 120mm的光盘换算，相当于25GB)中，无论信息记录层是超分辨率膜(信息记录层420A、420B、520A、520B、620A、620B)还是非超分辨率膜 (信息记录层320A、320B)，在On-Pit形式与In-Pit形式之间，再生特性都不产生较大的差别。
由此可知，预制坑群的记录形式为In-Pit形式时的再生特性较好的理由与信息记录层的种类(超分辨率膜还是非超分辨率膜)无关，仅仅依赖于记录密度(指预制坑群的最小标记与最小间隔的平均长度)。
据此可知，为了再生设置了再生光学系统的分辨率极限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)以下(以口 120mm的光盘换算，相当于33GB)的标记长的预制坑群的光信息记录介质，与信息记录层为超分辨率膜还是非超分辨率膜无关，通过使预制坑群的记录形式为In-Pit形式， 与使预制坑群的记录形式为On-Pit形式的情况相比，能够得到良好的再生特性。
(2-2、与采用单调记录方式的多层超分辨率光信息记录介质的比较)
接着，使用 图15至图17说明与采用单调记录方式的多层超分辨率光信息记录介质的再生特性的比较结果。
图15是表示形成了单调形式的预制坑的光信息记录介质700的结构的概略图。
图16的(a)是表示单调的On-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图，(b)是表示单调的In-Pit形式的预制坑群的放大结构的立体图。
如图15所示，光信息记录介质700采用从再生光的入射面侧起依次层叠了覆盖层 710、第一信息记录层720、中间层730、第二信息记录层740、以及基板750的结构。
覆盖层710由两层构成，采用从再生光入射侧起依次层叠了膜厚为80 μ m的聚碳酸酯膜711和膜厚为20 μ m的透明粘合树脂层的结构。
第一信息记录层720由超分辨率膜723和预制坑群731构成，超分辨率膜723由以从再生光的入射侧起依次为再生膜721、反射膜722的方式层叠的两层薄膜构成，预制坑群731形成于下层的中间层730。
再生膜721使用厚度为175nm的氧化锌，半透明膜722使用厚度为7nm的Si。
中间层730使用了厚度为25 μ m的透明紫外线固化树脂(再生光波长时的折射率为1. 50)。
如图16的(a)所示，在中间层730的超分辨率膜723侧的面上，以道间距O. 32 μ m 设置了与作为形状记录在第一信息记录层720中的信息相对应的On-Pit记录形式的预制坑群731。
将从与后述的基板750相同的母盘压缩成型的实质上的同一基板作为原盘，利用 2P转印设置了预制坑群731。这样，在中间层730上以单调形式的On-Pit形式设置了预制坑群731。预制坑群731分为八个区域。
在图16的(a)的例子中，在半径方向上分为八个区域，各区域的标记732的长度 (标记长度)与间隔733的长度(间隔长度)的平均长度在半径方向上依次为60、80、100、 120、140、160、200、以及 400nm。
这样，预制坑群731是八种长度(相当于密度)的单调形式预制坑群，能够确认各区域的再生特性。
如图15所示，第二信息记录层740由超分辨率膜743和预制坑群751构成，超分辨率膜743由两层薄膜构成，预制坑群751形成于下层的基板750。超分辨率膜743中，从再生光入射侧起依次层叠厚度为155nm的由氧化锌构成的再生膜741和厚度为50nm的由 Si构成的反射膜742。
基板750使用具有预制坑群751的聚烯烃系树脂制的圆盘状基板。
如图16的(b)所示，在基板750的超分辨率膜743侧的面上，以道间距O. 32 μ m 设置了与作为形状记录在第二信息记录层740中的信息相对应的In-Pit记录形式的预制坑群751。预制坑群751分为八个区域。
在图16的(b)的例子中，在半径方向上分为八个区域，各区域的标记752的长度 (标记长度)与间隔753的长度(间隔长度)的平均长度在半径方向上依次为60、80、100、 120、140、160、200、以及 400nm。
这样，预制坑群7 51是八种长度(相当于密度)的单调形式预制坑群，能够确认各区域的再生特性。
通过具有再生波长为404nm、数值孔径为O. 85的再生光学系统的评价设备再生上述光信息记录介质700的第一信息记录层720与第二信息记录层740，测定了 0TF。
图17是表示具有单调预制坑群的光信息记录介质700的第一信息记录层720与第二信息记录层740的再生特性(OTF)的图。
此外，OTF是表示超分辨率性能的指标，表示C/N(表示信号质量的评价基准)的记录标记长(在再生专用光信息记录介质的情况下与坑长同义)依赖性。
根据图17可明显看出，第一信息记录层720与第二信息记录层740的再生特性中看不出显著差别。
S卩，根据图17所示的结果可知，在如光信息记录介质700这样采用单调记录方式的多层超分辨率光信息记录介质中，再生特性不会根据预制坑的记录形式(指In-Pit或 On-Pit)而产生差别。
根据上述可知，一般的多层光信息记录介质为了提高记录容量，使用标记边缘记录方式。此外，为了降低成本，为了在接近再生光入射面一侧的第一信息记录层与远离再生光入射面一侧的第二信息记录层中记录信息而设置的预制坑群的记录形式为In-Pit形式和On-Pit形式,相互不同。
因此，若在上述多层光信息记录介质中采用超分辨率技术，则以On-Pit形式记录了信息的信息记录层的再生特性与另一者的以In-Pit形式记录了信息的信息记录层的再生特性相比，显著变差。
另一方面，如上所述，在实施方式所涉及的光信息记录介质I中，最小标记与最小间隔的平均长度小于再生光学系统的分辨率极限(λ/(4Ν.Α.) = 119nm)的预制坑群51的记录形式为In-Pit形式。并且，作为使由预制坑群51记录的信息的再生成为可能的超分辨率膜的第二信息记录层40设置在设置有预制坑群51的基板50上。
因此，在第二信息记录层40与第一信息记录层20之间，再生的信号特性不会产生差别，能够实现可靠性高的良好的高密度信号再生。另外，能够实现价廉、并且使用大记录容量的超分辨率再生技术的多层光信息记录介质。
另外，在预制坑群51中的最小标记52与最小间隔53的平均长度为λ /(5. 76ΝΑ) 以下的情况下，本实施方式的光信息记录介质I尤为理想。
这是因为，如上所述，预制坑群31、51的最小标记与最小间隔的平均长度与再生光学系统的分辨率极限长度相比越短，则In-Pit形式与On-Pit形式的再生特性之差变得越显著。尤其是，在最小标记与最小间隔的平均长度达到λ/(5.76ΝΑ)以下的情况下，为了进行补充再生特性的信号处理所需的时钟变得无法生成。
此外，若能够生成时钟，则能够使用补充程度根据所再生的信号而异的信号处理法(例如，并用PRML(1221)和补充性更高的PRML (12221)等)。但是，在使用这种方法的情况下，存在着光信息记录介质再生装置的结构变得复杂，成本提高的问题。
另一方面，根据光信息记录介质I的结构，能够防止无法生成时钟。因此，能够利用单一的信号处理法补充所再生的信号，因此能够防止光信息记录介质再生装置的结构变得复杂，能够取得成本提高的抑制效果。
此外，光信息 记录介质I并不限定于上述的预制坑群31与预制坑群51双方均为 In-Pit形式的结构，也可以是预制坑群31与预制坑群51中的任一者为In-Pit形式的结构。
此外，两层的第一信息记录层20或第二信息记录层40中的一个层可以不是再生专用的ROM层，而是能够进行信息改写的层(RE层)。
此外，本发明的实施方式所涉及的光信息记录介质并不限定于上述内容，也可以是还设置了各种类型的信息记录层的三层以上的信息记录介质，在此情况下覆盖层或中间层的厚度可以与上述不同。
本发明并不限定于上述各实施方式，能够在权利要求书所示的范围内进行各种变更，适当组合不同实施方式中分别公开的技术手段得到的实施方式也包含在本发明的技术范围中。
如上所述，本发明的光信息记录介质从再生光的入射侧起，依次配置具有该再生光的入射面的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分别分离所述信息记录层的中间层，该光信息记录介质的特征在于在所述两层以上的信息记录层中以指定调制方式作为标记以及间隔记录信息，所述两层以上的信息记录层中的每一层包括构成所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由所述预制坑群构成的标记以及间隔具有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再生所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群形成为所述再生光学系统再生该预制坑群时的推挽信号的极性为负极性。
在此，所述的所谓预制坑群由多个预制坑构成。所述的所谓预制坑，是指设置于基板或中间层的凹凸形状。
另外，已知在所述再生光学系统的再生光的波长为λ，数值孔径为NA时，入/ (4ΝΑ)左右是用于读取(再生)由所述标记或间隔记录的信息的光学系统的分辨率极限。 因此，在本发明中，用于再生所述信息记录层中记录的信息的所述再生光学系统的分辨率极限为λ/(4ΝΑ)。
另外，所谓所述最小标记与·所述最小间隔的平均长度，是能够根据所述指定的调制方式、以及信息记录层中记录的信息的密度计算出的长度。在结构上，例如在1-7RLL调制方式的情况下，是作为最小标记的2Τ标记长度与作为最小间隔的2Τ间隔长度的平均长度。
根据所述结构，在通过中间层分别分离的所述两层以上的信息记录层中，以指定调制方式记录作为标记以及间隔的信息。据此，利用能够以指定的调制方式进行调制的再生装置，能够再生该记录的信息。
根据所述结构，所述两层以上的信息记录层中的每一层都包括构成所述标记以及间隔的预制坑群。即，包含形成于中间层或基板的预制坑群的信息记录层通过预制坑群的凹凸形状，作为形状记录信息。这种包含预制坑群的信息记录层是再生专用的信息记录层。
根据所述结构，由所述预制坑群构成的标记具有不同的长度，通过以此方式以不同长度构成标记，与以单一长度构成标记的所谓单调模式记录方式(即标记位置记录方式)相比，能够提高记录信息的密度。
根据所述结构，由所述预制坑群构成的标记中长度最小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再生各个所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下。据此，能够提高配置标记以及间隔的密度，因而能够在各个上述信息记录层中记录大容量的信息。
据此，能够抑制为了增加所记录的信息的容量而增加所形成的信息记录层的层叠数，因而能够抑制由于增加信息记录层的层叠数而导致的制造成本增大。
根据所述结构，所述超分辨率膜是使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜。据此，能够由所述再生光学系统作为再生装置再生信息记录层中记录的信息。
在此，有时将光信息记录介质中如上所述的，配置两层以上的信息记录层，各信息记录层是包含最小标记和最小间隔的平均长度在再生光学系统的分辨率极限以下的预制坑群、以及作为使利用该预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜的超分辨率膜的层的光信息记录介质称为多层超分辨率光信息记录介质。
通过以此方式构成多层超分辨率光信息记录介质，能够由所述再生光学系统再生该多层超分辨率光信息记录介质的各信息记录层中记录的大容量的信息。
通过以此方式构成多层超分辨率光信息记录介质，能够抑制为了增加所记录的信息的容量而增加所形成的信息记录层的层叠数，因而能够抑制由于增加信息记录层的层叠数而导致的制造成本增大。
根据所述结构，所述预制坑群配置为所述再生光学系统再生该预制坑群时的推挽信号的极性为负极性。这样，所述再生光学系统再生所述预制坑群时的推挽信号的极性为负极性的预制坑群以In-Pit形式形成各预制坑。
此外，所谓In-Pit形式，是预制坑群的各预制坑中，所述标记相对于所述再生光的入射面比所述间隔凹陷地形成的形式。
据此，即使配置为最小标记与最小间隔的平均长度在再生光学系统的分辨率极限以下，也能够防止再生光学系统再生该信息记录层而得的信息的再生特性发生劣化。
这样，根据所述结构，能够提供价廉、并且防止再生特性劣化的大记录容量的光信息记录介质。
若所述再生光学系统的再生光的波长为λ，数值孔径为NA，则所述预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度为λ/(5.76ΝΑ)以下的情况是较为理想的。
在此，在预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度比λ/(5. 76ΝΑ)大的情况下，即使所述预制坑群的记录形式为On-Pit形式，如后所述，也能够生成用于再生信息记录层中记录的信息的时钟。
因此，虽然再生特性发生劣化，但通过对再生特性进行补充，也能够取得所需的再生特性。
S卩，若预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度达到λ/(5.76ΝΑ)以下，则根据预制坑群的记录形式(In-Pit记录形式或是On-Pit记录形式)得到的再生特性的差异变得更为显著。
根据所述结构，即使预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度在λ/ (5. 76ΝΑ)以下，也能够再生记录了由所述预制坑群记录的信息的信息 记录层，因而能够防止再生特性的劣化，得到良好的再生特性，能够提高记录容量。
较为理想的是，表示所述两层以上的信息记录层的每一层是构成为使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的层的信息包含在表示所述光信息记录介质的类别的光盘类型识别信息中，所述光盘类型识别信息与作为所述标记以及间隔记录的信息相比，以能够容易检测的记录方式，记录在所述两层以上的信息记录层中的任一层的信息记录层中。
根据所述结构，表示所述两层以上的信息记录层的每一层是构成为使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的层的信息包含在表示所述光信息记录介质的类别的光盘类型识别信息中。
S卩，表示所述光信息记录介质是多层超分辨率光信息记录介质的信息包含在所述光盘类型识别信息中。
并且，所述光盘类型识别信息与作为所述标记以及间隔记录的信息相比，以能够容易检测的记录方式，记录在层叠于所述预制坑群的信息记录层中。
在此，在再生所述多层超分辨率光信息记录介质的作为所述标记以及间隔记录的信息的情况下，与再生标记以及间隔的密度比所述多层超分辨率光信息记录介质形成得更大的光信息记录介质(非多层超分辨率光信息记录介质)的信息的情况相比，需要增大再生激光功率(再生光的强度)。
因此，若以用于再生所述多层超分辨率光信息记录介质的信息的再生激光功率再生非多层超分辨率光信息记录介质，则存在破坏该非多层超分辨率光信息记录介质的危险性。
根据所述结构，在增大用于再生所述多层超分辨率光信息记录介质的作为所述标记以及间隔记录的信息的再生激光功率之前，通过确认光盘类型识别信息，能够判定是否为多层超分辨率光信息记录介质。
因此，能够防止错误地使用为了再生设置有由所述标记以及间隔记录的信息的信息记录层而增大了的再生激光功率，再生非多层超分辨率光信息记录介质。据此，能够提供通用性高的光信息记录介质。
较为理想的是，所述能够容易检测的记录方式是将脉冲激光照射到所述信息记录层形成的，宽度为10 μ m单位，长度从100 μ m单位到_单位的多个条纹所表示的信息的记录方式。
根据所述结构，在由所述再生光学系统读取光盘类型识别信息或个体识别编号时的再生时，即使聚焦或再生光照射的半径方向位置多少发生偏差，也能够由所述再生光学系统读取光盘类型识别信息以及个体识别编号。
另外，使用专用的脉冲激光的照射装置，能够较为容易地记录光盘类型识别信息以及个体识别编号。
较为理想的是，记录所述光盘类型识别信息以及作为识别各个所述光信息记录介质的信息的个体识别信息的半径位置位于再生信息时需要进行追踪的信息记录区域的内周侧。
在此，在以能够容易检测的记录方式记录所述光盘类型识别信息或所述个体识别信息的情况下，为了即使照射再生光的半径方向的位置多少发生偏移，也能够再生所述光盘类型识别信息或所述个体识别信息的信息，作为记录所述光盘类型识别信息或所述个体识别信 息的区域，需要是在半径方向上具有指定的长度，在周向上具有一周的区域。
为了确保这种记录光盘类型识别信息或所述个体识别信息的区域，用于存储其他 信息的信息记录区域会减少。
根据所述结构，使记录所述光盘类型识别信息以及所述个体识别信息的半径位置 位于再生信息时需要进行追踪的信息记录区域的内周侧，因而与设置于外周侧的情况相 比，能够抑制需要进行追踪的信息记录区域的记录容量的减少。
本发明的光信息记录介质从再生光的入射侧起，依次配置具有该再生光的入射面 的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分别分离所述信息记录层的中间层， 在所述两层以上的信息记录层中以指定调制方式作为标记以及间隔记录信息，所述两层以 上的信息记录层中的每一层包括构成所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由 所述预制坑群构成的标记以及间隔具有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最 小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再 生所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使 利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群采用所述 标记相对于所述再生光的入射面比所述间隔凹陷地形成的In-Pit形式。
根据所述结构，所述预制坑群采用所述标记相对于所述再生光的入射面比所述间 隔凹陷地形成的In-Pit形式。据此，即使配置为最小标记与最小间隔的平均长度在再生光 学系统的分辨率极限以下，也能够防止再生光学系统再生该信息记录层而得的信息的再生特性发生劣化。
产业上的可利用性
本发明尤其能够适用于包括多个信息记录层，信息的记录密度高的再生专用的光信息记录介质。
标号说明
1、la、100光信息记录介质
10覆盖层(透光层)
20、120第一信息记录层
23、43超分辨率膜
30中间层
31、51、51a预制坑群
32、52标记
33、53间隔
40、40a、140第二信息记录层
50、50a基板
权利要求
1.一种光信息记录介质，从再生光的入射侧起，依次配置具有该再生光的入射面的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分离各个所述信息记录层的中间层，该光信息记录介质的特征在于在所述两层以上的信息记录层中以指定调制方式作为标记以及间隔来记录信息，所述两层以上的信息记录层中的每一层，包括构成所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由所述预制坑群构成的标记以及间隔具有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再生所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群形成为所述再生光学系统再生该预制坑群时的推挽信号的极性为负极性。
2.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于若所述再生光学系统的再生光的波长为λ，数值孔径为NA，则所述预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度为λ/(5.76ΝΑ)以下。
3.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于表示所述两层以上的信息记录层的每一层是构成为使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的层的信息包含在表示所述光信息记录介质的类别的光盘类型识别信息中，所述光盘类型识别信息与作为所述标记以及间隔而记录的信息相比，以能够容易检测的记录方式，记录在所述两层以上的信息记录层中的任一层的信息记录层中。
4.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其特征在于所述能够容易检测的记录方式是将脉冲激光照射到所述信息记录层而形成的，由宽度为10 μ m单位、长度从100 μ m单位到_单位的多个条纹所表示的信息的记录方式。
5.根据权利要求3或4所述的光信息记录介质，其特征在于记录所述光盘类型识别信息以及作为识别各个所述光信息记录介质的信息的个体识别编号的半径位置与再生信息时需要进行追踪的信息记录区域相比位于内周侧。
6.一种光信息记录介质，从再生光的入射侧起，依次配置具有该再生光的入射面的透光层、两层以上的信息记录层、以及基板，还包括分离各个所述信息记录层的中间层，该光信息记录介质的特征在于在所述两层以上的信息记录层中以指定调制方式作为标记以及间隔来记录信息，所述两层以上的信息记录层中的每一层，包括构成所述标记以及间隔的预制坑群、以及超分辨率膜，由所述预制坑群构成的标记以及间隔具有不同的长度，由所述预制坑群构成的标记中长度最小的最小标记与由所述预制坑群构成的间隔中长度最小的最小间隔的平均长度在用于再生所述信息记录层中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，所述超分辨率膜是使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的膜，所述预制坑群采用所述标记相对于所述再生光的入射面与所述间隔相比凹陷地形成的内坑形式。
7.根据权利要求6所述的光信息记录介质，其特征在于若所述再生光学系统的再生光的波长为λ，数值孔径为NA，则所述预制坑群中的最小标记与最小间隔的平均长度为λ/(5.76ΝΑ)以下。
8.根据权利要求6或7所述的光信息记录介质，其特征在于表示所述两层以上的信息记录层的每一层是构成为使利用所述预制坑群记录的信息能够由所述再生光学系统再生的层的信息包含在表示所述光信息记录介质的类别的光盘类型识别信息中，所述光盘类型识别信息与作为所述标记以及间隔记录的信息相比，以能够容易检测的记录方式，记录在所述两层以上的信息记录层中的任一层的信息记录层中。
9.根据权利要求8所述的光信息记录介质，其特征在于所述能够容易检测的记录方式是将脉冲激光照射到所述信息记录层而形成的，由宽度为10 μ m单位、长度从100 μ m单位到_单位的多个条纹所表示的信息的记录方式。
10.根据权利要求8或9所述的光信息记录介质，其特征在于记录所述光盘类型识别信息以及作为识别各个所述光信息记录介质的信息的个体识别编号的半径位置与再生信息时需要进行追踪的信息记录区域相比位于内周侧。
全文摘要
光信息记录介质(1)的第一信息记录层(20)、第二信息记录层(40)包括构成标记(32、52)以及间隔(33、53)的预制坑群(31、51)、以及超分辨率膜(23、43)，标记(32、52)以及间隔(33、53)具有不同的长度，标记(32、52)以及间隔(33、53)中长度最小的最小标记与长度最小的最小间隔的平均长度在用于再生第一信息记录层(20)、第二信息记录层(40)中记录的信息的再生光学系统的分辨率极限以下，预制坑群(31、51)形成为再生光学系统再生预制坑群(31、51)时的推挽信号的极性为负极性。据此，提供价廉、并且使用大记录容量的超分辨率再生技术的多层光信息记录介质。
文档编号G11B7/24085GK103069489SQ20118003935
公开日2013年4月24日 申请日期2011年6月10日 优先权日2010年6月11日
发明者田岛秀春, 森豪, 原田康弘, 山本真树, 山田博久, 小西正人 申请人:夏普株式会社, 存储技术株式会社