磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法与流程

本发明涉及磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法。

背景技术：

对于用作信息记录介质之一的磁盘而言，以往适宜地使用了玻璃基板。现在，应硬盘驱动装置中的存储容量增大的要求，实现了磁记录的高密度化。伴随于此，进行了下述操作：使磁头距磁记录面的悬浮距离极短，从而对磁记录信息区域进行微细化。对于这种磁盘用玻璃基板而言，为了达成高记录密度硬盘驱动装置所需的磁头低悬浮量化，降低基板的表面凹凸、特别是微小波纹的要求越来越强。

对此，已知一种平行度优异的磁记录介质用玻璃基板的制造方法(专利文献1)。

该制造方法中所用的玻璃基板的双面研磨装置的上定盘和下定盘具有包括内周端和外周端的圆盘形状，在上定盘和下定盘的与玻璃基板对置的面安装有研磨垫，为了使上定盘的研磨面和下定盘的研磨面分别为规定的形状，研磨垫利用修整夹具实施了修整处理。此时，在上述玻璃基板的制造方法中，对玻璃基板进行研磨时的研磨液的温度ts减去修整处理中所用的修整水的温度td所得到的δtsd(＝ts－td)为-5℃～+7℃。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5056961号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

最近，伴随着磁头的小型化、低悬浮量化、磁盘的高速旋转化等，在磁盘用玻璃基板中应降低的微小波纹的波长带宽变小。特别是，要求充分降低玻璃基板的波长50～200μm的微小波纹。在这种背景下，利用上述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法虽然能够制作平行度优异的玻璃基板，但无法降低上述微小波纹。

为了降低玻璃基板的微小波纹，研磨垫的表面状态是重要的因素。因此，要求以更好的精度对研磨垫的表面状态进行管理。在用于达到满足磁盘用玻璃基板的品质要求的主表面的表面粗糙度的最终研磨处理中，作为研磨垫，使用具有大量空隙(细孔)的发泡聚氨酯制的研磨垫。作为这样的研磨垫，可以使用绒面革型的研磨垫。对该研磨垫预先进行修整处理，以使表面露出所期望的尺寸的空隙的开口。具体而言，由于未用于研磨的新的研磨垫在其表面未开有开口，因此实施以一定的厚度削去表面的修整处理，从而在其表面设置开口。另外，若将研磨垫反复用于研磨处理，则研磨磨粒或因研磨处理而生成的玻璃淤渣等会作为残留物附着于研磨垫的表面的开口，从而使研磨速率或玻璃基板的表面粗糙度降低。因此，对于反复用于研磨处理的研磨垫，实施以一定的厚度削去表面的修整处理，从而在研磨垫的表面设置新的开口。

但是，在利用这种修整处理后的研磨垫而同时进行了最终研磨处理的多个玻璃基板之间，会发生玻璃基板的主表面的微小波纹产生偏差的问题。对于这种玻璃基板中的问题而言，在铝合金制基板的情况下也存在同样的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法，该磁盘用基板的制造方法在利用相同的研磨装置同时对2个以上的基板进行研磨处理时，能够抑制波长50～200μm的微小波纹在基板间的偏差。

用于解决课题的方案

本申请发明人为了解决上述问题，对研磨垫所实施的修整处理进行了详细的研究。

为了降低上述微小波纹和抑制微小波纹在玻璃基板间的偏差，对研磨垫的修整处理和研磨处理后的玻璃基板的表面粗糙度进行了调查，结果发现，研磨处理中所用的研磨垫的表面的开口的尺寸越小，并且开口的尺寸的偏差越小，则对于微小波纹的降低越有效；进而发现，在对反复用于研磨处理的研磨垫实施了修整处理后的研磨垫的表面，开口的尺寸不因部位而大幅不同时，对于抑制微小波纹在玻璃基板间的偏差是有效的。

通常，研磨垫使用具有大量空隙(细孔)的发泡聚氨酯。发泡聚氨酯中的空隙呈空隙的截面从表面向内部越来越大的形状。因此，为了降低微小波纹，在减小研磨垫表面的开口的尺寸时，优选减小未用于研磨处理的新的研磨垫的表面的修整量(通过修整处理而将表面削去的量)，对于反复用于研磨处理的研磨垫来说也优选减小修整量。而且，为了抑制微小波纹在玻璃基板间的偏差，优选从研磨垫的表面削去的修整量不依赖于部位而是一定的。但是，研磨垫的修整量在很多情况下因部位而不同，研磨垫的开口的尺寸容易因部位而不同，容易产生偏差。此处所说的部位例如是指研磨垫的半径方向的位置不同的部位。特别是，为了降低微小波纹而与以往相比减小修整量、减小研磨垫的开口的尺寸时，开口的尺寸容易因部位而产生偏差，因此在同时对2个以上的玻璃基板进行研磨的研磨处理中，问题是必须在降低微小波纹、并且抑制微小波纹在玻璃基板间的偏差的基础上解决。

本申请发明人对研磨垫的修整量因部位而发生变化、结果导致开口的尺寸因部位而产生偏差的理由进行了深入研究，结果想到，由于修整处理时产生的研磨垫的摩擦热，会使修整处理中所用的装置的上定盘与下定盘之间的平行度在修整处理中发生微妙的变化；并且，由于修整处理时的研磨垫的摩擦面所具有的热量的偏差，会使研磨垫的修整量发生偏差。由此，本申请发明人完成了下述发明。

(方式1)

一种磁盘用基板的制造方法，其特征在于，该磁盘用基板的制造方法包括下述研磨处理，即，用设置于一对定盘的一对绒面革型的研磨垫夹持基板，向上述研磨垫与上述基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使上述研磨垫与上述基板相对滑动，由此对上述基板的两主表面进行研磨，

在上述基板的上述研磨处理前，对上述研磨垫实施下述修整处理，即，一边向设置于上述定盘的上述研磨垫的表面供给冷却剂，一边使修整器与上述研磨垫相对滑动，从而将上述研磨垫的表面除去，

在上述修整处理中，对上述冷却剂的温度或单位时间的供给量进行控制，以使上述冷却剂从上述研磨垫夺去的热量在上述修整处理的终止时刻大于开始时刻。

(方式2)

一种磁盘用基板的制造方法，其特征在于，该磁盘用基板的制造方法包括下述研磨处理，即，用设置于一对定盘的一对研磨垫夹持基板，向上述研磨垫与上述基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使上述研磨垫与上述基板相对滑动，由此对上述基板的两主表面进行研磨，

在上述基板的上述研磨处理前，对上述研磨垫实施下述修整处理，即，一边向设置于上述定盘的上述研磨垫的表面供给冷却剂，一边使修整器与上述研磨垫相对滑动，从而将上述研磨垫的表面除去，

在上述修整处理中，使供给至上述研磨垫的上述冷却剂的温度在上述修整处理的终止时刻低于开始时刻。

(方式3)

一种磁盘用基板的制造方法，其特征在于，该磁盘用基板的制造方法包括下述研磨处理，即，用设置于一对定盘的一对研磨垫夹持基板，向上述研磨垫与上述基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使上述研磨垫与上述基板相对滑动，由此对上述基板的两主表面进行研磨，

在上述基板的上述研磨处理前，对上述研磨垫实施下述修整处理，即，一边向设置于上述定盘的上述研磨垫的表面供给冷却剂，一边使修整器与上述研磨垫相对滑动，从而将上述研磨垫的表面除去，

在上述修整处理中，使供给至上述研磨垫的上述冷却剂的单位时间的供给量在上述修整处理的终止时刻大于开始时刻。

(方式4)

如方式1～3中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，在上述修整处理中，使上述冷却剂从上述研磨垫夺去的热量随着上述修整处理的经过时间而慢慢地或者阶段性地增大。

(方式5)

如方式1～4中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述研磨垫的研磨面为圆环形状，

在上述研磨垫的研磨面的内周区域、外周区域、以及上述内周区域与上述外周区域之间的中间区域这3个区域中的上述修整处理后的开口的平均开口径之中，平均最大径与平均最小径之差为3μm以下。

(方式6)

如方式1～5中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述修整处理将上述研磨垫的表面除去5μm以下。

(方式7)

如方式1～6中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，在上述研磨处理中，将2个以上的基板分别保持于板状载具的2个以上的基板用保持孔中，使上述定盘旋转，从而使上述载具一边在上述定盘的旋转中心的周围公转一边自转，使上述基板在上述研磨垫滑动，

上述基板用保持孔设置于与上述载具的自转中心位置距离不同的2个以上的位置。

(方式8)

一种磁盘的制造方法，其特征在于，在由方式1～7中任一项所述的磁盘用基板的制造方法制造出的磁盘用基板的主表面至少形成磁性层。

发明的效果

在上述的磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法中，在利用相同的研磨装置同时对2个以上的基板进行研磨处理时，能够抑制波长50～200μm的微小波纹在基板间的偏差。

附图说明

图1的(a)、(b)是本实施方式中的第2研磨中所用的研磨装置的示意性构成图。

图2是对图1的(a)、(b)所示的研磨装置的研磨进行说明的图。

图3是对修整处理进行说明的图。

图4是对修整处理后成为问题的研磨垫的厚度进行说明的图。

图5是对研磨垫的结构进行说明的图。

具体实施方式

下面，对本发明的磁盘用基板的制造方法和磁盘用基板进行详细说明。需要说明的是，除了玻璃基板以外，本发明的磁盘用基板也可以应用于铝合金制基板，但在之后的说明中将磁盘用玻璃基板用作本实施方式进行说明。

在本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法中，包括下述研磨处理，即，用设置于一对定盘(上定盘和下定盘)的一对绒面革型的研磨垫夹持基板，向研磨垫与玻璃基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使研磨垫与玻璃基板相对滑动，由此对玻璃基板的两主表面进行研磨。在玻璃基板的研磨处理前，对研磨垫实施下述修整处理，即，一边向设置于定盘的研磨垫的表面供给冷却剂，一边使修整器与研磨垫相对滑动，从而将研磨垫的表面除去。此时，在修整处理中，对冷却剂的温度或单位时间的供给量进行控制，以使冷却剂从研磨垫夺去的热量在修整处理的终止时刻大于开始时刻。例如，在修整处理中，使供给至研磨垫的冷却剂的温度在修整处理的终止时刻低于开始时刻。或者，在修整处理中，使供给至研磨垫的冷却剂的单位时间的供给量在修整处理的终止时刻多于开始时刻。这种情况下，在修整处理中，使冷却剂从研磨垫夺去的热量随着修整处理的经过时间而慢慢地或者阶段性地增大即可。使上述冷却剂夺去的热量随着上述经过时间而慢慢地增大是指，随着时间经过而连续地增大上述热量(例如，以一定的速度增大上述热量)。使上述冷却剂夺去的热量阶段性地增大是指，在某个期间使上述夺去的热量一定，在其它期间使上述夺去的热量增大并保持一定。例如，将夺去的热量相对于经过时间作图时，为阶梯状的廓线即可。增大上述夺去的热量后的期间优选至少为修整处理时间整体的20％以上，更优选为50％以上。另外，在修整处理中，也可以使上述热量随着修整处理的经过时间而慢慢地增大，并且同时在某个时间阶段性地增大。

绒面革型的研磨垫是使用了聚氨酯树脂等的发泡树脂材料，是形成了截面从发泡树脂材料的内部向表面变小的液滴形状的空隙(气泡)的垫。

对于修整处理来说，除了将未用于研磨处理的新的研磨垫的表面削去、并利用修整器使规定范围的空隙的开口露出的修整处理以外，还包括下述修整处理：即，利用修整器将多次用于研磨处理而在开口附着有玻璃淤渣或研磨磨粒的研磨垫的表面削去，重新设置规定范围的空隙的开口。如后所述，研磨处理优选为最终研磨处理。

在进行这样的修整处理时，如上所述，使利用冷却剂从研磨垫夺去的热量在修整处理的终止时刻大于开始时刻的目的在于：由于修整处理时产生的研磨垫的摩擦热传递至定盘，从而在定盘产生温度分布，可抑制因该温度分布产生的定盘的微小变形。由于定盘的微小变形，例如，定盘的面与修整器的面之间的精确的平行度被破坏，定盘倾斜。由于在定盘的面设有研磨垫，因而在定盘按压修整器而进行研磨垫的修整处理时研磨垫从修整器受到的压力变得不一样。定盘如上所述因微小变形而倾斜，在一侧的部位压力升高时，研磨垫的修整量在上述一侧增多，在另一侧减小。其结果，通过修整处理所设置的研磨垫的开口在一侧大、在另一侧小。

另外，使利用冷却剂从研磨垫夺去的热量在修整处理的终止时刻大于开始时刻是基于下述理由。即，推测研磨垫的与修整器的摩擦面所具有的热量在修整处理的终止时刻大于开始时刻，其结果，在修整处理时产生的研磨垫的摩擦热会发生偏差。通过使利用冷却剂从研磨垫夺去的热量在修整处理的终止时刻大于开始时刻，推测能够抑制因该摩擦热的偏差所引起的修整量的偏差。另外推测，通过抑制研磨垫的摩擦面所具有的热量的上升，能够抑制摩擦热的偏差，能够抑制修整量的偏差。在研磨垫的修整量的偏差未得到抑制的情况下，例如，在半径方向的一侧修整量增多，在另一侧减小。这种情况下，通过修整处理所设置的研磨垫的开口径在半径方向的一侧变大，在另一侧变小。需要说明的是，与修整器接触的研磨垫的摩擦面所具有的热量难以作为研磨垫的可计测的温度表现出来，是难以计测的量。另外，无法直接测定修整处理中的研磨垫表面的温度。

此处，摩擦热的偏差、修整量的偏差是指各自的经时性或部位性的变动的情况。

另一方面，在使用了经修整处理的研磨垫的研磨处理中，如后所述，由于将多个玻璃基板保持在载具上的多个半径方向的位置而同时进行研磨，因此玻璃基板所接触的研磨垫的部位容易各自不同。因此，若利用开口的尺寸根据研磨垫的部位而不同的研磨垫对玻璃基板进行研磨处理，则经研磨处理的玻璃基板的微小波纹也容易因保持于载具的玻璃基板的半径方向的位置而不同。为了抑制这种玻璃基板间的微小波纹的偏差，即，为了抑制修整处理时的修整量的偏差，使进行修整处理时冷却剂从研磨垫夺去的热量在修整处理的终止时刻大于开始时刻。由此，在利用相同的研磨装置同时对2个以上的玻璃基板进行研磨处理时，能够降低波长50～200μm的微小波纹在基板间的偏差。

下面，对具有这样的修整处理和研磨处理的本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法的一例进行说明。

首先，成型出具有一对主表面的板状的成为磁盘用玻璃基板的原材料的玻璃坯料。接着，适宜地对该玻璃坯料进行加工，制作在中心部分开有孔且边缘部进行了倒角加工的环形状(圆环状)的玻璃基板。由此，生成玻璃基板。之后，对主表面进行研磨处理，从而可以降低波长为50μm～200μm的微小波纹。根据需要，研磨处理可以分成2次以上的处理来进行。另外，根据需要，可以进行主表面的磨削、端面(包括倒角部)的研磨、化学强化。此时，可以适宜地决定各处理的顺序。

以下，对各处理进行说明。

(a)玻璃坯料成型处理

玻璃坯料的成型例如使用浮法。玻璃坯料的成型处理中，首先是将熔融玻璃连续地流入装满锡等熔融金属的浴槽内，从而得到板状玻璃。熔融玻璃在实施了严密的温度操作的浴槽内沿着行进方向流动，最终形成调整为所期望的厚度、宽度的板状玻璃。由该板状玻璃切出规定形状(例如平面观察为四边形状)的板状玻璃坯料作为磁盘用玻璃基板的基础。

另外，除了浮法之外，板状的玻璃坯料的成型例如也可以使用压制成型法。进一步，可以使用下拉法、重新引下法、熔融法等公知的制造方法来进行板状的玻璃坯料的成型。对于由这些公知的制造方法所制作的板状的玻璃坯料，适宜地进行形状加工，从而切出圆板状的玻璃坯料作为磁盘用玻璃基板的基础。

(b)形状加工处理

接着，在形状加工处理中，在玻璃坯料成型处理后，使用公知的加工方法形成圆孔，从而制作开穿有圆形贯通孔的盘状玻璃基板。之后，可以进一步实施倒角。另外，出于调整板厚、降低平坦度等目的，可以实施主表面的磨削。

(c)第1研磨处理

接着，对玻璃基板的主表面实施第1研磨处理。第1研磨处理的目的在于主表面的镜面研磨。具体而言，一边将玻璃基板保持在设置于保持部件(载具)的保持孔内一边进行玻璃基板的两侧的主表面的研磨，该保持部件安装于双面研磨装置中。基于第1研磨的加工余量例如为几μm～100μm左右。第1研磨处理的目的在于，例如去除残留于主表面的伤痕或应变、或调整微小的表面凹凸。需要说明的是，关于表面凹凸，为了进一步降低或进行更精细的调整，可以将第1研磨处理分成2次以上的研磨处理来实施。

在第1研磨处理中，使用公知的双面研磨装置，一边供给研磨浆料一边对玻璃基板进行研磨，该双面研磨装置具备上定盘、下定盘、内齿轮、载具、太阳齿轮，并具有行星齿轮机构。在第1研磨处理中，使用包含研磨磨粒(游离磨粒)的研磨浆料。作为用于第1研磨的游离磨粒，例如使用氧化铈或氧化锆、胶体二氧化硅的磨粒等(颗粒尺寸：直径0.3～3μm左右)。在双面研磨装置中，将玻璃基板夹持于上下一对定盘之间。在下定盘的上表面和上定盘的底面安装圆环形状的平板研磨垫作为整体。并且，使上定盘或下定盘的任一者或两者移动操作，从而使玻璃基板与各定盘相对移动。由此对玻璃基板的两个主表面进行研磨。

(d)化学强化处理

玻璃基板可以适宜地进行化学强化。作为化学强化液，例如可以使用将硝酸钾、硝酸钠或它们的混合物加热至300℃～500℃而得到的熔融液。并且，例如将玻璃基板在化学强化液中浸渍1小时～10小时。

进行化学强化处理的时机可以适宜决定，但若在化学强化处理之后进行研磨处理，则在表面的平滑化的同时，还可以通过化学强化处理将粘着于玻璃基板的表面的异物去除，因此特别优选。化学强化处理未必一定进行。

(e)第2研磨(最终研磨)处理

接着，对化学强化处理后的玻璃基板实施第2研磨处理。第2研磨处理的目的在于主表面的镜面研磨。在第2研磨中，也使用具有与第1研磨中使用的双面研磨装置同样的构成的双面研磨装置。基于第2研磨的加工余量例如为0.5μm至10μm左右。

在第2研磨处理中，使用包含游离磨粒的浆料进行研磨。作为游离磨粒，适宜使用胶态二氧化硅。从降低玻璃基板g的主表面的波长为50～200μm的微小波纹的方面考虑，优选胶态二氧化硅的平均粒径为5nm以上50nm以下。若平均粒径大于50nm，则有可能无法充分降低波长为50～200μm的微小波纹。另外，有可能无法充分降低表面粗糙度。另一方面，若平均粒径小于5nm，则研磨速率有可能极端降低，生产率下降。从磁头的悬浮稳定性的方面出发，波长为50～200μm的微小波纹的值优选为0.8nm以下、更优选为0.6nm以下。

需要说明的是，在本实施方式中，上述平均粒径是指，将利用光散射法测定的粒度分布中的粉体集团的全部体积设为100％而求出累积曲线时，该累积曲线为50％的点的粒径(也称为累积平均粒径(50％直径)或d50)。

图1的(a)、(b)是第2研磨中使用的研磨装置10的示意性构成图。第1研磨处理也可以使用同样的装置。

如图1的(a)、(b)所示，研磨装置10具备下定盘12、上定盘14、内齿轮16、载具18、研磨垫20、太阳齿轮22和温度调整单元30。

研磨装置10从上下方向将内齿轮16夹持在下定盘12与上定盘14之间。在内齿轮16内，在研磨时保持有2个以上的载具18。图1的(b)中示出了5个载具18。对下定盘12和上定盘14平面性地粘接有研磨垫20。下定盘12和上定盘14按照在下定盘12和上定盘14所具备的旋转轴中心的周围进行旋转(自转)的方式而构成。

研磨装置10在用于研磨处理的同时，还作为用于后述的研磨垫20的修整处理的修整处理装置来使用。在作为修整处理使用的情况下，代替包含研磨磨粒的浆料，使用冷却剂。浆料、冷却剂也可以一边在研磨处理、修整处理中进行循环一边反复使用。

温度调整单元30对浆料、冷却剂的温度进行调整。浆料、冷却剂的温度调整包括热交换器、珀耳帖(peltier)元件等冷却单元或加热器等加热单元。温度调整单元30可以根据操作者的指示而对温度进行调整，但优选按照浆料或冷却剂的温度达到设定目标温度的方式对现在的温度进行计测并反馈控制温度。

如图2所示，按照玻璃基板g的下侧的主表面抵接于下定盘12上的研磨垫20、玻璃基板g的上侧的主表面抵接于上定盘14上的研磨垫20的方式配置圆板状的载具18。通过在这种状态下进行研磨，从而可以对被加工为圆环状的玻璃基板g的两侧的主表面进行研磨。

如图1的(b)所示，圆环状的玻璃基板g保持在设置于各载具18的圆形孔(玻璃基板用保持孔)中。即，玻璃基板g在下定盘12之上保持于在外周具有齿轮19的载具18。

在载具18中，在以载具18的圆板中心位置为中心的、半径不同的2个同心圆上的2个以上的位置设置有玻璃基板用保持孔。即，玻璃基板用保持孔设置于与载具18的自转中心位置(圆板中心位置)距离不同的2个以上的位置。在图1的(b)所示的载具18中，设置有外侧的玻璃基板用保持孔组和内侧的玻璃基板用保持孔组。载具18与设置于下定盘12的太阳齿轮22和内齿轮16咬合。使太阳齿轮22沿着图1的(b)所示的箭头方向旋转，从而各载具18沿着各自的箭头方向作为行星齿轮一边进行自转一边进行公转。由此，使用研磨垫20对玻璃基板g进行研磨。研磨时，例如以0.002～0.02mpa进行按压来对玻璃基板g进行研磨。如图1的(a)所示，用于研磨的浆料供给至上定盘14，流向下定盘12，之后被外部容器回收。

需要说明的是，第2研磨中使用的游离磨粒的种类、粒径、粒径的偏差或研磨垫20中使用的树脂的硬度、如后所述的研磨垫20表面的开口的尺寸等可以由第1研磨进行适宜变更。在本实施方式中，至少在最终的研磨处理中，为了降低研磨后的玻璃基板的波长为50～200μm的微小波纹，利用后述的修整处理对研磨垫20的表面进行管理。

第2研磨之后，对玻璃基板g进行清洗，得到磁盘用玻璃基板。

之后，制作在磁盘用玻璃基板的主表面设有磁性层的磁盘。在磁盘的表面例如设有附着层、软磁性层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层等各层。

(修整处理)

关于修整处理，在图1的(a)、(b)和图2所示的研磨装置10中，在将研磨垫20贴附于下定盘12和上定盘14的状态下，如图3所示，代替载具18而使用表面分散固定有金刚石磨粒等的、尺寸与载具18相同的圆板状的修整器32来进行处理。作为修整器，例如可以使用在不锈钢等基材的表面的一部分贴附有含有金刚石磨粒的颗粒的修整器。图3是对修整处理进行说明的图。即，修整处理为下述处理：将修整器夹在下定盘12与上定盘14之间，施加规定的压力并使修整器与研磨垫20相对滑动，由此将研磨垫的表面削去。

但是，在这样的修整处理中，由于研磨垫20与修整器32发生滑动，因而即便供给冷却剂，研磨垫20也容易因在研磨垫20所产生的摩擦热而温度升高。研磨垫20的热传递至下定盘12和上定盘14，在下定盘12和上定盘14形成温度分布。由于该温度分布引起的热膨胀之差，使下定盘12和上定盘14发生微小的变形，下定盘12、上定盘14以及修整器32的平行度被破坏。在图3所示的例子中，示出了上定盘14的面相对于下定盘12的面和修整器32的面倾斜的状态(在图3的纸面，上定盘14向右下倾斜)。例如，在上定盘14中，每1m以几10μm左右的梯度倾斜。若利用这样倾斜的定盘进行修整处理，则由于该倾斜使得研磨垫20的修整量根据部位而不同，研磨垫20的厚度也如图4所示根据部位而不同。图4是对修整处理后成为问题的研磨垫的厚度进行说明的图。通过该修整处理的修整量因部位而不同，从而经修整处理的研磨垫20的开口的尺寸也因部位而不同。

另外，由于研磨垫20和修整器32发生滑动，因而研磨垫20的摩擦面的温度容易因在研磨垫20所产生的摩擦热而升高。其结果，摩擦面所具有的热量容易因部位而产生偏差。由于该摩擦面的经时性或部位性的热量的偏差，削去研磨垫20的修整量也容易产生偏差。例如，如图4所示，研磨垫20的厚度因部位而不同。该修整处理的修整量因部位而不同，从而经修整处理的研磨垫20的开口的尺寸也因部位而不同。

图5是对研磨垫的结构进行说明的图。研磨垫20为绒面革型，使用发泡聚氨酯。如图5所示，未用于研磨处理的新的研磨垫20在表面未开有开口，在内部包含空隙。空隙均呈液滴形状，呈朝向研磨垫20的表面而变细的形状。因此，进行修整处理，从而将新的研磨垫20的表面除去，使空隙的前端部分形成开口。但是，若修整量因部位而不同，例如若沿着倾斜的线x进行修整处理，则开口的尺寸因部位而大幅不同。另外，为了减小玻璃基板的微小波纹，修整量设定为小于现有的修整量(沿着图5中的线y的修整量)。因此，由于略微的修整量的因部位的变化，小开口径的因部位的偏差也变大。因此，在为了降低玻璃基板的微小波纹而减小修整量的情况下，修整量的因部位的偏差会对小开口径的因部位的偏差产生影响，因而会成为更大的问题。因此，本实施方式中，为了减小修整量的因部位的偏差，由此使开口径(开口的尺寸)不因部位而产生偏差，在修整处理中，使冷却剂从研磨垫20夺去的热量在修整处理的终止时刻大于开始时刻。在本实施方式的修整处理中，具体而言，研磨垫20的摩擦面所具有的热量随着修整处理时间的经过慢慢地或者阶段性地增大。因此，按照大量地夺去研磨垫20的摩擦面所具有的上述热量的方式，上述的温度调整单元30对冷却剂的温度进行调整。

在这样的修整处理中，关于冷却剂的温度差，在修整处理开始时刻与修整处理终止时刻之间优选为0.5～10℃、更优选为1～5℃、进一步优选为2～4℃。通过为该范围内，能够使修整量不取决于部位而一定。上述冷却剂的温度差小于0.5℃的情况下，温度控制有时消耗成本，温度差大于10℃的情况下，研磨装置有可能发生结露而产生不良情况。

另外，冷却剂在修整处理开始时刻的温度优选为15～25℃、更优选为18～24℃。另外，关于冷却剂向研磨垫20的供给量，研磨垫20的每1m²研磨面优选为3～30升/分钟、更优选为5～15升/分钟。

另外，在使冷却剂的温度一定、增大冷却剂向研磨垫20的供给量的情况下，从使修整量不取决于部位而一定的方面考虑，修整处理终止时的供给量相对于开始时的供给量之比优选为1.1～5.0倍、更优选为1.2～4.0倍、进一步优选为1.5～3.0倍。上述供给量之比小于1.1倍的情况下，有时无法抑制修整量的偏差，大于5倍的情况下，冷却剂的成本有时过度消耗。该情况下，关于修整处理开始时冷却剂向研磨垫20的供给量，研磨垫20的每1m²研磨面优选为3～15升/分钟、更优选为3～10升/分钟。另外，冷却剂的温度优选为与上述相同的范围。

另外，本实施方式中，为了使冷却剂从研磨垫20夺去的热量随着修整处理的时间经过而慢慢地或者阶段性地上升，使用对冷却剂的温度进行调整的手段，除了该温度调整以外，也可以使供给至研磨垫20的冷却剂的供给量随着修整处理的时间经过而慢慢地或者阶段性地变化，从而使冷却剂从研磨垫20夺去的热量随着修整处理的时间经过而慢慢地或者阶段性地上升。

另外，从抑制玻璃基板的微小波纹和微小波纹的偏差的方面考虑，优选研磨垫20的研磨面为圆环形状，在研磨垫20的研磨面的内周区域、外周区域、以及内周区域与外周区域之间的中间区域这3个区域中的修整处理后的开口的平均开口径之中，平均最大径与平均最小径之差为3μm以下。关于开口的平均开口径，在内周区域、外周区域以及中间区域，分别用显微镜观察研磨垫20的表面，由所观察的20个以上开口的开口径求出的各区域的平均开口径即为上述开口的平均开口径。在这3个平均开口径之中，将最大值称为“平均最大径”，将最小值称为“平均最小径”。在这3个平均开口径之中，将最大与最小之差作为上述平均最大径与平均最小径之差。此处，假定从研磨垫20的中心在半径方向延伸的直线，将该直线上的从研磨垫20的内周侧的一端至外周侧的一端的长度设为100％时，将从内周侧的一端起5～15％的范围的区域、45～55％的范围的区域以及85～95％的范围的区域分别称为内周区域、中间区域以及外周区域。

另外，从减小玻璃基板的微小波纹的方面考虑，修整处理优选将研磨垫的表面除去5μm以下。更优选使研磨垫20的表面的除去量为3μm以下、特别优选除去2μm以下。如此形成的研磨垫20的开口的直径(开口径)的平均值优选为3～20μm、更优选为5～15μm。

另外，在玻璃基板的研磨处理中，如图1的(b)所示，将2个以上的玻璃基板分别保持于板状的载具18的2个以上的玻璃基板用保持孔中，使下定盘12和上定盘14旋转，从而使载具18在下定盘12和上定盘14的旋转中心的周围一边公转一边自转，使玻璃基板在研磨垫20滑动。此时，玻璃基板用保持孔设置于与载具18的自转中心位置(圆板状的载具18的中心位置)距离不同的2个以上的位置。这种情况下，在与自转中心位置较远的载具18的外侧的玻璃基板用保持孔中保持的玻璃基板与在与自转中心位置较近的载具18的内侧的玻璃基板用保持孔中保持的玻璃基板之间，研磨垫20的接触区域不同。因此，在研磨垫20的开口的尺寸因部位而产生了偏差的情况下，在内侧的玻璃基板用保持孔中保持的玻璃基板与在外周侧的玻璃基板用保持孔中保持的玻璃基板之间，微小波纹之差容易变大。但是，本实施方式中，通过抑制修整量的偏差，能够减小研磨垫20的开口的尺寸的因部位的偏差，其结果，能够抑制玻璃基板间的微小波纹的偏差。

(实验例)

为了确认本实施方式的效果，使用在各种条件下进行了修整处理的研磨垫对2个以上的玻璃基板进行上述第2(最终)研磨处理，由此制作出磁盘用玻璃基板。在第2研磨处理中，在5个载具18中，分别将10片玻璃配置于内周区域和外周区域，利用研磨装置10同时对50片玻璃基板进行研磨。对于实验中所用的玻璃基板，利用上述实施方式中记载的方法进行至第1研磨处理后，实施清洗处理。不进行化学强化处理。玻璃基板的外径为公称2.5英寸尺寸，板厚为约0.635mm。第2研磨处理使用分别设有多个外周侧的保持孔和内周侧的保持孔的载具，通过1次研磨处理同时对50片玻璃基板进行处理。

研磨垫20使用发泡聚氨酯，研磨垫20的研磨面的面积为1.0m²，对研磨垫20的修整处理的条件进行了各种变更。修整处理中，修整处理时间设为10分钟。研磨垫20的开口径的平均值为3～20μm。

在现有例1、2中，从修整处理开始时至修整处理终止时，一定地保持将冷却剂供给至研磨垫时的冷却剂的温度，同时以该状态进行修整处理(无温度降低调整)。在现有例1、2中，通过使冷却剂的温度不同而进行。通过公知的方法，利用红外线温度传感器计测修整处理前的上定盘14的温度与刚进行了修整处理后的上定盘14的温度之差(上定盘14的温度的时间变化)。修整处理前后的温度的计测基本上在上下定盘间隔开的状态下进行，关于刚进行了修整处理后的计测，停止上定盘14的旋转，使上定盘14从修整器离开后立即进行。

在实施例1～5中，使冷却剂的供给量一定，随着修整处理的时间的经过，慢慢地降低冷却剂的温度(有温度降低调整)。修整处理开始时的冷却剂的温度设为22℃。冷却剂的供给量为7升/分钟。在实施例1～6中，按照修整处理开始时与修整处理终止时的冷却剂的温度差为表2所示的设定值的方式来进行。在实施例1～6中，以一定速度降低冷却剂的温度。

另一方面，在实施例6～9中，如表3所示，使冷却剂的供给量一定，使冷却剂的温度等间隔地以2阶段或3阶段阶段性地变化。在2阶段、3阶段的温度变化中，均统一了温度的维持时间。即，在3阶段的情况下，温度有4种，因而将使10分钟的修整时间4等分后的时间作为上述维持时间。

在实施例10～14中，将冷却剂的温度固定为20℃，随着修整处理的时间的经过，慢慢地增加冷却剂的供给量(有冷却剂供给量的增加调整)。在实施例10～14中，按照修整处理终止时的冷却剂的供给量相对于修整处理开始时的冷却剂的供给量(5升/分钟)之比为表4所示的设定值的方式来进行。

关于现有例1、2和实施例1～14中的研磨垫20的开口径的偏差，利用光学显微镜计测50个开口径，求出其最大径与最小径之差。关于开口径，在上述内周区域、中间区域以及外周区域，分别用显微镜观察研磨垫20的表面，由此求出30个的开口径，求出平均开口径。由该平均开口径求出开口的最大径和最小径。

关于微小波纹的偏差，在第2(最终)研磨处理中，由在图1的(b)所示的载具18的内侧玻璃基板用保持孔中配置的玻璃基板与在外侧玻璃基板用保持孔中配置的玻璃基板的微小波纹求出。关于微小波纹，利用光学式表面形状测定机测定玻璃基板的主表面，以50～200μm的波长带宽的波纹的均方根粗糙度rq的形式算出。该rq的算出在50片玻璃基板的表里分别进行，利用所得到的100个rq求出rq的平均值。需要说明的是，rq的值在所有例子中均为0.8nm以下。

此外，该rq的平均值也对在内侧玻璃基板用保持孔中配置的玻璃基板和在外侧玻璃基板用保持孔中配置的玻璃基板分别求出。关于微小波纹在玻璃基板间的偏差，利用在内侧玻璃基板用保持孔中配置的玻璃基板与在外侧玻璃基板用保持孔中配置的玻璃基板之间的rq的平均值之差，以a～d的4个阶段进行评价。评价a是指微小波纹的偏差极小的水平(小于0.05nm)，评价b是指微小波纹的偏差小的水平(0.05nm以上且小于0.10nm)，评价c是指微小波纹的偏差勉强能允许的水平(0.10nm以上且小于0.15nm)，评价d是指微小波纹的偏差大到无法允许的程度的水平(0.15nm以上)。

在下述表1～4中示出了各研磨垫的修整处理的条件及其评价结果。

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

根据上述表1，即便进行上定盘14的温度的时间变化(℃)的调整，在不进行冷却剂的温度降低的调整、不进行冷却剂的供给量增加的调整的情况下，也未看到微小波纹的偏差的改善。另一方面，由上述表2～4可知，通过进行冷却剂的温度降低的调整，另外通过进行冷却剂的供给量的增加调整，微小波纹的偏差至少达到允许水平。另外可知，修整处理时的冷却剂的温度降低优选为2～4℃。可知修整处理时的冷却剂的供给量之比优选为1.5～3.0倍。

另外可知，从抑制微小波纹的偏差的方面出发，开口径的偏差(开口径的平均最大径与平均最小径之差)优选为3μm以下、更优选为2μm以下、进一步优选为1.5μm以下。

由此，本实施方式的效果是明显的。

以上，对本发明的磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法进行了详细说明，但是本发明不限定于上述实施方式和实施例，显然也可以在不脱离本发明主旨的范围内进行各种改良、变更。

符号的说明

10研磨装置

12下定盘

14上定盘

16内齿轮

18载具

19齿轮

20研磨垫

22太阳齿轮