技术领域本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种存储器内读操作定时器数值的测试方法及装置。
背景技术：
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。通常，按照所计时的对象不同，每个存储器内可以包含多个定时器。比如，存储器内可以包含用于对读操作进行计时的读操作定时器，用于对写操作进行计时的写操作定时器，以及用于对擦除操作进行计时的擦除操作定时器等等。在实际应用中，往往需要获取存储器内读操作定时器的数值，进而通过所述数值对存储器的某些特性进行分析。目前，获取存储器内读操作定时器数值的通常做法是：在对存储器进行封装前，使用特定的仪器在存储器的非钝化表面进行扎针，来获取存储器内部产生的读操作控制信号。由于读操作控制信号为控制存储器内部的读取电路执行读取操作的时间信号，因此根据读操作控制信号可以获知读取电路每次执行读操作所耗时间，也就获得了读操作计时器的数值。然而，上述做法只能在存储器封装前实施，不适用于在存储器封装后实施，给用户使用带来不便。
技术实现要素：
本发明解决的技术问题是如何在存储器封装后，获得存储器内读操作定时器的数值，便于用户使用。为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种存储器内读操作定时器数值的测试方法，所述方法包括：向所述存储器内输入地址信号以及控制信号，通过所述控制信号控制所述存储器内部的读取电路按照所述地址信号执行读取操作；调整所输入的地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化情况；当检测到所述平均功耗的变化趋势发生跳变时，将所述平均功耗的变化趋势发生跳变时对应的所述地址信号的翻转周期，作为所述存储器内所述读操作定时器的数值并输出。可选地，所述调整所输入的地址信号的翻转周期，包括：缩短所述地址信号的翻转周期。可选地，所述平均功耗的变化趋势发生跳变为在[1ns，10ns]内数值变化大于1％。本发明实施例还提供了一种存储器内读操作定时器数值的测试装置，所述装置包括：输入单元，适于向所述存储器内输入地址信号以及控制信号，通过所述控制信号控制所述存储器内部的读取电路按照所述地址信号执行读取操作；测试单元，适于调整所输入的地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化情况；输出单元，适于当检测到所述平均功耗的变化趋势发生跳变时，将所述平均功耗的变化趋势发生跳变时对应的所述地址信号的翻转周期，作为所述存储器内所述读操作定时器的数值并输出。可选地，所述测试单元适于缩短所述地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化情况。可选地，所述输出单元适于在检测到所述平均功耗在[1ns，10ns]内变化大于1％时，确定所述平均功耗发生跳变。与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：通过检测存储器执行读操作时平均功耗的变化情况，进而可以在检测到平均功耗的变化趋势发生跳变时，将平均功耗发生跳变时对应的地址信号的翻转周期作为读操作定时器的数值。由于上述方法的实施，不受存储器是否封装的限制，因此可以更加方便用户使用。附图说明图1是现有技术中一种测试存储器内部读操作定时器数值的示意图；图2是现有技术中一种地址信号与读操作控制信号的示意图；图3是本发明实施例中一种存储器内部读操作定时器数值的测试方法流程图；图4是本发明实施例中另一种地址信号与读操作控制信号的示意图；图5是本发明实施例中一种表征存储器平均功耗与地址信号频率之间关系的曲线示意图；图6是本发明实施例中两种占空比的读作控制信号示意图；图7是本发明实施例中另一种表征存储器平均功耗与地址信号频率之间关系的曲线示意图；图8是本发明实施例中一种存储器内部读操作定时器数值的测试装置的结构示意图。具体实施方式参照图1，以存储器为闪存1为例，在对闪存1进行封装前，给闪存1施加电源电压Vdd，并输入如图2所示的地址信号ADD，以及读操作控制信号CTRL。在控制信号CTRL的控制下，闪存1内部会产生读操作控制信号SEN，所述读操作控制信号SEN可以控制读取电路读取输入地址信号ADD对应的地址的数据。在闪存1执行读操作时，使用特定的仪器在存储器的非钝化表面进行扎针，就可以获得如图2所示的读操作控制信号SEN。然而，上述获取读操作定时器数值的方法，仅适用于在对存储器进行封装前，一旦对所述存储器进行了封装，则无法通过上述方法获得读操作定时器数值。针对上述问题，本发明实施例提供了一种存储器内读操作定时器数值的测试方法，所述方法通过检测存储器执行读操作时平均功耗的变化情况，进而可以在检测到平均功耗的变化趋势发生跳变时，将平均功耗发生跳变时对应的地址信号的翻转周期作为读操作定时器的数值。上述方法的实施，不受存储器是否封装的限制，因此可以更加方便用户使用。为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。本发明实施例提供了一种存储器内读操作定时器数值的测试方法。参照图3，所述方法可以包括如下步骤：步骤31，向所述存储器内输入地址信号以及控制信号，通过所述控制信号控制所述存储器内部的读取电路按照所述地址信号执行读取操作。如图1所示，在对闪存1进行封装后，给闪存1施加电源电压Vdd，并输入地址信号ADD以及读操作控制信号CTRL。在控制信号CTRL的控制下，闪存1内部会产生读操作控制信号SEN，所述读操作控制信号SEN可以控制读取电路读取地址信号ADD对应的地址的数据。步骤32，调整所输入的地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化趋势是否发生跳变。如图4所述，在具体实施中，所述读操作控制信号SEN通常为数字信号，每个周期内，高电平的时间长度也就是读操作定时器的数值Tsense为固定值。并且，读操作控制信号SEN的第i个周期Ti与地址信号ADD第i个周期的频率FADD-i相等，即Ti＝FADD-i。所述存储器的功耗Ivdd通常为模拟信号，第i个周期内，处于高值的时间长度为Ih-i，处于低值的时间长度为Il-i。其中，所述功耗Ivdd的高值通常大于低值的10倍以上。在具体实施中，如图5所示，所述存储器的平均功耗Iavg会随着地址信号ADD的频率FADD-i的增大而增大，并且Iavg与地址信号ADD的频率FADD-i以及读操作控制信号SEN高电平的时间长度Tsense-i对应关系如下：Iavg＝FADD-i*Tsense*∑Ih-i。当Il-i＜＜Ih-i时，Iavg≈∑Ih-i，因此可以得到FADD-i*Tsense≈1。也就是说，当Il-I＜＜Ih-i时，所述地址信号ADD第i个翻转周期的频率FADD-i，与读操作控制信号SEN第i个周期高电平的时间长度Tsense-i互为倒数。在本发明的一实施例中，利用FADD-i与Tsense之间的关系，如图6所示，可以通过不断地缩短所输入的地址信号ADD的翻转周期，也就是不断地增大所述地址信号ADD的频率，进而来增大读操作控制信号SEN的占空比，使得每个周期内的△t趋近于0，即由SEN1变化为SEN2，获得Tsense的值。当然，还可以通过其它方式调整所输入的地址信号ADD的翻转周期，具体无论如何调整所输入的地址信号ADD的翻转周期，只要可以获得读操作控制信号SEN每个周期内的△t为0时的临界点即可。如图6及图7所示，当不断地缩短所输入的地址信号的翻转周期至△t为0时，即FADD-i＝F’ADD时，由于所述存储器内部读操作控制信号SEN停止翻转，会导致所述存储器内部相关控制电流的切换功耗突然减小，也就导致所述存储器的平均功耗突然减小，即所述平均功耗的随地址信号ADD频率的变化趋势由之前的上升趋势跳变为下降趋势。当FADD-i＞F’ADD时，所述平均功耗的随地址信号ADD频率的变化趋势继而转为上升趋势。因此，可以通过检测所述存储器按照调整后的所述地址信号ADD执行所述读取操作时，平均功耗的变化情况，来获得Tsense的值。当检测到所述平均功耗的变化趋势发生跳变时，执行步骤33，否则继续执行步骤32。步骤33，将所述平均功耗的变化趋势发生跳变时对应的所述地址信号的翻转周期，作为所述存储器内所述读操作定时器的数值并输出。在具体实施中，由于Tsense与所述地址信号ADD的翻转周期之间存在上述对应关系，因此在检测到所述平均功耗Iavg的变化趋势发生跳变时，可以扫描所述平均功耗Iavg的变化趋势发生跳变时所对应的所述地址信号ADD的翻转周期，进而将所对应的所述地址信号ADD的翻转周期作为Tsense的值，由此获得所述存储器内读操作定时器的数值。需要说明的是，在具体实施中，所述平均功耗Iavg是否发生跳变可以根据实际情况设定，比如，可以设定所述平均功耗Iavg在预设时间内数值的变化范围，并在所述平均功耗Iavg在预设时间内数值达到所设定变化范围时，判定所述平均功耗Iavg的变化趋势发生跳变。在本发明的一实施例中，可以将所述平均功耗Iavg在[1ns，10ns]内数值变化是否大于1％，作为所述平均功耗Iavg是否发生跳变的判断标准。需要说明的是，在本发明的实施例中，所述存储器可以为任意具有存储功能的设备。并且，所述存储器的具体表现形式不受限制，既可以将具有实物形式，也可以不具有实物形式。例如，所述存储器可以为应用于数字系统中的内存条、TF卡等存储二进制数据的存储设备，也可以为应用于集成电路中的随机读写存储器(RAM)、闪存(Flash)等存储设备。由上述内容可知，本发明实施例的存储器内读操作定时器数值的测试方法，通过检测存储器执行读操作时平均功耗的变化情况，进而可以在检测到平均功耗的变化趋势发生跳变时，将平均功耗发生跳变时对应的地址信号的翻转周期作为读操作定时器的数值，而不受存储器是否封装的限制，更加方便用户使用。本发明实施例还提供了一种存储器内读操作定时器数值的测试装置。参照图8，所述装置可以包括：输入单元81，测试单元82以及输出单元83。其中：所述输入单元81，适于向所述存储器内输入地址信号以及控制信号，通过所述控制信号控制所述存储器内部的读取电路按照所述地址信号执行读取操作。所述测试单元82，适于调整所输入的地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化情况。所述输出单元83，适于当检测到所述平均功耗的变化趋势发生跳变时，将所述平均功耗的变化趋势发生跳变时对应的所述地址信号的翻转周期，作为所述存储器内所述读操作定时器的数值并输出。在具体实施中，所述测试单元82可以通过缩短所述地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化情况。在具体实施中，所述测试单元82可以通过延长所述地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化情况。需要说明的是，在具体实施中，所述平均功耗Iavg是否发生跳变可以根据实际情况设定，比如，可以设定所述平均功耗Iavg在预设时间内数值的变化范围，并在所述平均功耗Iavg在预设时间内数值达到所设定变化范围时，判定所述平均功耗Iavg的变化趋势发生跳变。在本发明的一实施例中，可以将所述平均功耗Iavg在[1ns，10ns]内数值变化是否大于1％，作为所述平均功耗Iavg是否发生跳变的判断标准。由上述内容可知，本发明实施例中所述存储器内读操作定时器数值的测试装置，通过输入单元81向存储器内部输入地址信号以及控制信号来控制所述存储器执行读取操作，进而由所述测试单元82调整所输入的地址信号的翻转周期，并检测所述存储器按照调整后的所述地址信号执行所述读取操作时，平均功耗的变化情，最终由所述输出单元83在检测到所述平均功耗的变化趋势发生跳变时，将所述平均功耗的变化趋势发生跳变时对应的所述地址信号的翻转周期，作为所述存储器内所述读操作定时器的数值并输出。相对于现有技术，所述装置的实施不受存储器是否封装的限制，更加方便用户的使用。本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：ROM、RAM、磁盘或光盘等。虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。