储存器电路以及储存器电路的预充电方法与流程

本发明有关储存器电路，特别有关储存器电路在读取、写入时预充电的电路以及方法。

背景技术：

现今储存器电路对操作速度的要求越来越高，在储存器电路内部的各种动作所耗费的时间当中，储存器电路在读取或写入后预充电(pre-charge)的时间是重要的设计参数。一般储存器电路在做读取或写入的操作时，需要先把读取或写入所使用的数据线预充到高电压位准，例如，当储存器电路在执行完写入动作后，接下来就是将写入所使用的数据线预充到高电压位准，再执行下一个读取或写入的动作。

而在一些情况下，若上述预充电的动作没有正确的执行，则在下一个读取的动作执行时，有可能造成读取出来的数据不正确；或者当上述储存器电路在处理连续读取的动作时，因为预充电的动作没有正确的执行，造成所使用的数据线的电压位准越来越低，导致连接上述数据线的上述储存器电路的传感放大器发生误动作。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供一种储存器电路以及储存器电路的预充电方法，以加强储存器电路的预充电电路的性能，进而避免上述预充电的动作没有被正确的执行。

依据本发明的一实施例，提供一种储存器电路，包括一第一储存库(memorybank)，通过一第一数据线连接一第一传感放大器；一第二储存库，通过一第二数据线连接一第二传感放大器；一第一开关元件，该第一开关元件的一端连接该第一数据线，且该第一开关元件的另一端连接该第二数据线；以及一控制电路，连接该第一开关元件的控制端，控制该第一开关元件的导通以及断开。

依据本发明的另一实施例，上述的储存器电路，在上述储存器电路对该第一储存 库执行读取或写入的预充电动作且该第二储存库操作于闲置状态时，该控制电路将该第一开关元件导通。

依据本发明的另一实施例，提供一种储存器电路的预充电方法，该储存器电路的一第一储存库通过一第一数据线连接一第一传感放大器，而该储存器电路的一第二储存库，通过一第二数据线连接一第二传感放大器，该方法包括设置一第一开关元件，该第一开关元件的一端连接该第一数据线，且该第一开关元件的另一端连接该第二数据线；以及当该第一储存库执行读取或写入的预充电动作，且该第二储存库操作于闲置状态时，将该第一开关元件导通。

本发明的有益效果在于，当储存库操作在闲置状态，而储存库欲执行预充电的动作时，控制电路除了将开关元件导通以执行预充电的动作之外，本发明实施例装置更可以提供额外的预充电路径，藉以提供比常用技术更为快速的预充电速度，从而保证预充电的正确执行，减少读取出数据不正确的可能性。

附图说明

图1a是依据本发明一实施例的储存器电路区块的示意图。

图1b是依据本发明一实施例的储存器电路区块的示意图。

图2a是依据本发明一实施例的储存器电路区块的示意图。

图2b是依据本发明一实施例的储存器电路的预充电时序图。

附图标号：

100a、100b、200储存器电路

101、102、201、202储存库

1011、1012、2011、2013、2012、2014数据线

103b共用传感放大器

1031、1032、2031、2032传感放大器

104、204控制电路

110-130、210-260开关元件

t既定时间

t1时间点

vdd电压源

具体实施方式

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本发明的具体实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

图1a是依据本发明一实施例的储存器电路100a的示意图。储存器电路100a包括一储存库(memorybank)101；一储存库102；一传感放大器1031，通过一数据线1011连接储存库101；一传感放大器1032，通过一数据线1012连接储存库102；一开关元件110，开关元件110的一端连接数据线1011，且开关元件110的另一端连接数据线1012；一开关元件120，开关元件120的一端连接数据线1011，且开关元件120的另一端连接一电压源vdd；一开关元件130，开关元件130的一端连接数据线1012，且开关元件130的另一端连接电压源vdd；以及一控制电路104，分别连接开关元件110、120、130的控制端，并且个别控制开关元件110、120、130的导通以及断开。

一般而言，储存器电路对一储存库执行读取或写入动作时，会在读取或写入动作完成后，先执行一预充电的动作，再进行下一个读取或写入的动作。根据以往储存器电路的预充电的操作，当储存器电路100a经由数据线1011对储存库101完成一次读取或写入动作后，控制电路104仅会将开关元件120导通，藉以使数据线1011在下一次读取或写入动作前，通过电压源vdd将电位预充至一高电压位准(例如约等于电压源vdd的电压位准)。此外，根据以往储存器电路的操作设定，当储存器电路的一储存库操作在闲置状态时，上述储存库连接至一传感放大器的数据线会被充电以维持在上述高电压位准，例如当储存器电路100a的储存库101操作在闲置状态时，开关元件120会操作在导通状态，且数据线1011的电位会维持在上述高电压位准。

在本发明的一实施例中，当储存库102操作在闲置状态，而储存库101欲执行上述预充电的动作时，控制电路104除了将开关元件120导通以执行预充电的动作之外，更可将本发明所设置的开关元件110导通以提供额外的预充电路径，藉以提供比常用技术更为快速的预充电速度。更加具体而言，当储存库102操作在闲置状态，而储存库101完成一次读取或写入动作后，控制电路104会将开关元件120导通，藉以让数据线1011通过电压源vdd进行预充电，在一既定时间后，控制电路104再将开关元件110导通，使数据线1011同时通过电压源vdd以及维持在上述高电压位准的数据线1012进行预充电的动作，进而增进储存器电路100a的预充电的能力及速度。

在本发明另一实施例中，当储存库102操作在闲置状态，而储存库101完成一次读取或写入动作后，控制电路104亦可先将开关元件110导通，藉以让数据线1011先通过维持在上述高电压位准的数据线1012进行预充电，并在一既定时间后再将开关元件120导通，使数据线1011同时通过数据线1012以及电压源vdd进行预充电。此时，由于数据线1011与维持在高准位的数据线1012之间的跨压较大，故较前一实施例而言，可进一步增加储存器电路100a预充电的速度。

在一实施例中，传感放大器1031、1032可整合为一共用传感放大器，如图1b所示的储存器电路100b的共用传感放大器103b。在一实施例中，当储存库102操作在闲置状态，而储存库101欲执行上述预充电的动作时，控制电路104会先将开关元件120导通一既定时间，再将开关元件110导通。在另一实施例中，当储存库102操作在闲置状态，而储存库101欲执行上述预充电的动作时，控制电路104会先将开关元件110导通一既定时间，再将开关元件120导通。在其他实施例中，当储存库102操作在闲置状态，而储存库101欲执行上述预充电的动作时，控制电路104会同时将开关元件110、120导通。

在一实施例中，由于开关元件110的设置，可同时增加储存库101、102的预充电路径。因此在相同的预充电能力下，设置一个开关元件110，可同时减少两个开关元件120、130(以往用于储存库101、102的预充电动作的开关元件)的元件尺寸，进而减少储存器电路的整体电路尺寸。而在另一实施例中，通过开关元件110的设置，更可同时达成增加储存器电路的预充电速度以及减少储存器电路的整体电路尺寸的效果。

图2a是依据本发明一实施例的储存器电路200的示意图。储存器电路200包括一储存库201；一储存库202；一传感放大器2031，通过数据线2011、2013连接储存库201；一传感放大器2032，通过数据线2012、2014连接储存库202；一开关元件210，开关元件210的一端连接数据线2011，且开关元件210的另一端连接数据线2012；一开关元件220，开关元件220的一端连接数据线2013，且开关元件220的另一端连接数据线2014；一开关元件230，开关元件230的一端连接数据线2011，且开关元件230的另一端连接一电压源vdd；一开关元件240，开关元件240的一端连接数据线2012，且开关元件240的另一端连接电压源vdd；一开关元件250，开关元件250的一端连接数据线2013，且开关元件250的另一端连接电压源vdd；一开关 元件260，开关元件260的一端连接数据线2014，且开关元件260的另一端连接电压源vdd；以及一控制电路204，分别连接开关元件210、220、230、240、250、260的控制端(栅极)，并且个别控制开关元件210、220、230、240、250、260的导通以及断开。在此实施例中，数据线2013是传输数据线2011所传输的数据的反相数据，而数据线2014是传输数据线2012所传输的数据的反相数据。在此实施例中，开关元件210、220、230、240、250、260是p型场效应晶体管。

在此实施例中，储存库202操作在闲置状态，因此开关元件240、260已被导通，且数据线2012、2014的电位维持在一高电压位准(例如约等于电压源vdd的电压位准)。当储存库201欲执行上述预充电的动作时，控制电路204会将开关元件230、250导通，藉以使数据线2011、2013分别通过电压源vdd进行预充电的动作，在一既定时间后，控制电路204再将开关元件210、220导通，使数据线2011同时通过数据线2012以及电压源vdd进行预充电的动作；数据线2013同时通过数据线2014以及电压源vdd进行预充电的动作，进而增进储存器电路200的预充电的能力并且增加储存器电路200的预充电的速度。

在另一实施例中，当储存库201欲执行上述预充电的动作时，控制电路204会将开关元件210、220导通，藉以使数据线2011、2013分别通过数据线2012、2014进行预充电的动作，在一既定时间后，控制电路204再将开关元件230、250导通，使数据线2011同时通过数据线2012以及电压源vdd进行预充电的动作；数据线2013同时通过数据线2014以及电压源vdd进行预充电的动作。此时，由于数据线2011、2013与维持在高准位的数据线2012、2014之间的跨压较大，故较前一实施例而言，可进一步增加储存器电路200预充电的速度。另外，在本发明其他实施例中，控制器亦可同时将开关元件210、220、230及250导通，使数据线2011直接同时通过数据线2012以及电压源vdd进行预充电的动作；数据线2013直接同时通过数据线2014以及电压源vdd进行预充电的动作。

图2b是依据本发明一实施例的储存器电路200对储存库201执行读取或写入时的预充电时序图。参考图2a，在此实施例中，储存库202操作在闲置状态，因此开关元件240、260已被导通，且数据线2012、2014的电位维持在一高电压位准(未绘示，在此实施例中等于电压源vdd的电压位准)；储存库201刚执行完写入动作，而数据线2011的电压是一低电压位准(0v)，且传输数据线2011的反相数据的数据线 2013的电压是上述高电压位准。当储存库201在时间点t1执行上述预充电的动作时，控制电路204先将开关元件210、220的栅极电压拉低，使开关元件210、220导通以使数据线2011、2013分别通过数据线2012、2014进行预充电的动作，在一既定时间t后，控制电路204再将开关元件230、250的栅极电压拉低，使开关元件230、250导通以使数据线2011、2013分别通过数据线2012、2014以及电压源vdd进行预充电的动作。

在一实施例中，传感放大器2031、2032可整合为一共用传感放大器。在一实施例中，储存库202操作在闲置状态，因此开关元件240、260已被导通，且数据线2012、2014的电位维持在上述高电压位准，当储存库201欲执行上述预充电的动作时，控制电路204会先将开关元件230、250导通一既定时间，再将开关元件210、220导通。在另一实施例中，当储存库202操作在闲置状态，而储存库201欲执行上述预充电的动作时，控制电路204亦可先将开关元件210、220导通一既定时间，再将开关元件230、250导通。在其他实施例中，当储存库202操作在闲置状态，而储存库201欲执行上述预充电的动作时，控制电路104会同时将开关元件210、220、230、250导通。

在一实施例中，上述储存器电路100a、100b、200可为动态随机存取储存器电路、静态随机存取储存器电路、闪存电路或电阻式随机存取储存器电路，但本发明并不受限于此。在一实施例中，上述开关元件110～130、210～260可为p型或n型场效应晶体管元件，但本发明并不受限于此。

本发明的有益效果在于，当储存库操作在闲置状态，而储存库欲执行预充电的动作时，控制电路除了将开关元件导通以执行预充电的动作之外，更可将本发明可以提供额外的预充电路径，藉以提供比常用技术更为快速的预充电速度，从而保证预充电的正确执行，减少读取出数据不正确的可能性。

本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何本领域相关技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求为准。