一种提升EEPROM编程精度的振荡器电路及其方法与流程

文档序号:12473224阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种提升EEPROM编程精度的振荡器电路,包括:

RC振荡器、EEPROM存储器,其特征在于,还包括:寄存器以及MOS管开关阵列;

所述寄存器中存储用于控制MOS管开关阵列的矩阵数据;

所述MOS管开关阵列通过控制开关控制RC振荡器的电阻;

所述RC振荡器通过改变电阻大小控制输出频率;

所述存储器中存入能正常写入存储器时的频率所对应的MOS管开关阵列数据,存入的地方为存储器内存储区域划出的一部分作为修正专用区域;

在读取模式时,读取存储器中存入的数据,直接输出适于写入的振荡器频率。

2.一种提升EEPROM编程使用的振荡器精度的方法,其特征在于,还包括:寄存器和MOS管开关阵列;

包括如下步骤:

S101,在存储器的存储区域划出一部分作为修正专用区域;

S102,判断存储器是否处于测试模式,是,则执行S103,否则执行S108;

S103,向寄存器中输入MOS管开关阵列的矩阵数据,并控制MOS管开关阵列的开关;

S104,根据MOS管开关阵列的开关调整RC振荡器的电阻;

S105,输出RC振荡器的输出频率;

S106,判断EEPROM存储器是否可以正常写入数据,是,则执行S107,否则执行S103;

S107,将寄存器中的MOS管开关阵列数据存储到修正专用区域中;

S108,根据EEPROM存储器中修正专用区域的MOS管开关阵列数据控制MOS管开关阵列的开关;

S109,通过控制MOS管开关阵列电阻变化控制RC振荡器输出的用于EEPROM存储器正常编程的频率。

3.根据权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于,所述S104通过MOS管开关阵列调整RC振荡器的电阻为:通过控制MOS管开关阵列来控制MOS管电阻,然后通过控制MOS管的电阻值变化控制RC振荡器的电阻值变化。

4.根据权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于,所述测试模式下先用粗略扫描数据的方式控制MOS管开关阵列,判断数据的大体范围。

5.根据权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于,所述测试模式下在前期测试基础上,在小范围内用精确扫描数据的方式控制MOS管开关阵列,得到精确的数据值。

6.根据权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于,所述在EEPROM存储器中划分出来修正专用区域的面积大小可以忽略不计。

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