快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法与流程

本发明涉及快闪存储器技术领域，尤其涉及一种快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法。

背景技术：

快闪存储器(或称为闪存)包括两种基本结构：叠栅(stackgate)结构和分栅(splitgate)结构。其中，请参考图1a，一种分栅快闪存储器包括：半导体基片100，位于半导体基片100上的浮栅氧化层101、浮栅fg，在浮栅fg的一侧形成有作为擦除栅极的多晶硅层，作为控制栅，所有存储位的控制栅在行方向上连接为一体，即字线wl，一根单独的字线被称为一行，同时用金属互连线连接列方向上的每个存储单元的漏区d来形成位线bl，一根单独的位线被称为一列，每一页用一个公共的源区，源区上方通过多晶硅或者金属硅化物在行方向上连接来形成源线sl，扇区(sector，或称页)是指沿一个行对(奇数行加偶数行)并共用一个公共源线的存储区域，例如图1b中的sector0和sector1，sector0中字线wl00和wl01作为一个行对，共用一个公共源线sl0，sector1中字线wl10和wl11作为一个行对，共用一个公共源线sl1。

在上述的分栅快闪存储器的要被擦除的单元的字线wl上施加高压(例如为12.5v)后，该字线上所有的单元都将被擦除，一个擦除扇区由一对字线(源线两边最近的奇/偶行字线)组成，擦除后浮栅fg带正电荷，因此浮栅下方的沟道导通，但字线下方的沟道仍关断，不会有沟道电流，这与叠栅快闪存储器不同，因此分栅快闪存储器在擦写性能上能够避免叠栅快闪存储器的过度擦写问题。

随着快闪存储器器件尺寸的缩小，浅沟槽隔离结构的填充遇到了很大的挑战，如果工艺出现一些异常波动而导致浅沟槽隔离结构中出现空洞(stiviod)，那么在闪存器件制造完成以后就会在浅沟槽隔离结构中出现多晶硅残留，这些多晶硅残留会在终端客户使用一段时间以后引起一些可靠性问题；如图1b和1c所示，分栅快闪存储器的存储单元间的电隔离结构——浅沟槽隔离结构(shallowtrenchisolation，sti)存在的stivoid(即空洞缺陷)，在快闪存储器后续的制造过程中会被一些多晶硅填充，stivoid缺陷处的多晶硅残留会成为额外的浮动栅极，并在扇区擦除后呈现出带正电荷的多晶硅，因而影响临近存储单元wl底部沟道的关闭，从而使得相邻的存储单元无法通过编程串扰测试，该现象在产品使用一段时间后尤为严重，即存在一定的可靠性问题。

技术实现要素：

本发明的一目的在于提供一种快闪存储器的缺陷检测方法和耐久测试方法，能够快速检测出所述快闪存储器中存在的浅沟槽隔离结构多晶硅残留缺陷的问题，避免产品在后续使用过程中出现可靠性问题。

本发明的另一目的在于提供一种快闪存储器的制造方法，能够根据检测出的所述快闪存储器中存在的浅沟槽隔离结构多晶硅残留缺陷问题，来调整制造工艺参数，从而避免更多产品存在类似问题，提高快闪存储器的性能和良率。

为解决上述问题，本发明提供一种快闪存储器的缺陷检测方法，包括以下步骤：

选择快闪存储器的奇数扇区或选择所述快闪存储器的偶数扇区进行擦除；

所述擦除的应力使所述快闪存储器中相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接，以检测出具有多晶硅残留的存储单元；

或者，所述擦除的应力使所述快闪存储器中位于相邻扇区之间浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留由于被擦除而带正电荷，并在多晶硅残留带正电荷后施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试，根据所述编程串扰测试结果，检测出具有多晶硅残留的存储单元。

进一步的，所述擦除的应力使所述快闪存储器中相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与两侧相邻的两条字线均短接。

进一步的，在选择快闪存储器的奇数扇区或选择所述快闪存储器的偶数扇区进行擦除前，所述快闪存储器中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留包括以下五种类型中的至少一种：

类型一、位于两条相邻的字线之间并短接于两条相邻的字线；

类型二、位于两条相邻的字线之间并短接于其中一条字线且靠近另一条字线；

类型三、位于两条相邻的字线之间，与两条字线均未接触且靠近其中一条字线，在多次擦除操作后，所述浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留会与所述靠近的字线短接；

类型四、位于两条相邻的字线之间，与两条字线均未接触且与两条字线均保持一定距离，在多次擦除操作后，所述浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留会由于被擦除而带正电荷；

类型五、位于两条相邻的字线之间，且与两条字线均保持一定距离，所述距离大于所述类型四中的所述距离，在多次擦除操作后，所述浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留不会与任何一条字线短接，也不会被擦除而带正电荷。

进一步的，所述类型一中的多晶硅残留在快闪存储器的良率测试阶段就显示为整个扇区擦除失效，没有可靠性问题。

进一步的，所述类型二中的多晶硅残留能够通过良率测试，但是在耐久性测试的初期即会显示擦除失效，有可靠性问题

进一步的，所述类型三中的多晶硅残留能够通过良率测试，但是在耐久性测试的次数达到2千次以上时会显示擦除失效，有可靠性问题。

进一步的，所述类型四中的多晶硅残留能够通过良率测试，但是在耐久性测试的次数达到2万次以上时会显示擦除失效，有可靠性问题。

进一步的，所述类型五中的多晶硅残留能够通过良率以及耐久性测试，没有可靠性问题。

进一步的，所述擦除的应力使相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留从所述类型二或所述类型三分别变为所述类型一或所述类型二，以与相邻的至少一条字线短接；所述擦除的应力使所述类型四浅的多晶硅残留由于擦除而呈现正电荷特性；

进一步的，所述编程串扰测试中，所述编程电流从3.0μa增大到4.0μa以上，所述时间从7μs延长到9μs。

本发明还提供一种快闪存储器的耐久测试方法，包括上述的快闪存储器的缺陷检测方法。

本发明还提供一种快闪存储器的制造方法，根据上述的快闪存储器的缺陷检测方法的检测结果，或者根据上述的快闪存储器的耐久测试方法的测试结果，调整制造工艺参数，以进行快闪存储器的制造。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下技术效果：

1、本发明的快闪存储器的缺陷检测方法和耐久测试方法，通过选择快闪存储器芯片的奇数扇区或者偶数扇区来进行擦除，可以使快闪存储器芯片中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接或者由于被擦除而带正电荷，并在多晶硅残留带正电荷后施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试，从而将快闪存储器中具有多晶硅残留的存储单元以编程串扰失效的形式快速、有效地检测出来，从而避免了后续产品在使用过程中所出现的可靠性问题。

2、本发明的快闪存储器的制造方法，能够根据本发明的快闪存储器的缺陷检测方法的检测结果或者本发明的快闪存储器的耐久测试方法的测试结果，来调整制造工艺参数，能够避免浅沟槽隔离结构中出现空洞，并最终能够提高产品可靠性。

附图说明

图1a是一种分栅快闪存储器的沿位线方向的剖面结构示意图；

图1b是图1所示的分栅快闪存储器的俯视结构示意图；

图1c是分栅快闪存储器中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留缺陷的sem图；

图2是现有的分栅快闪存储器中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留缺陷的类型示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。

目前的快闪存储器产品通过浅沟槽隔离技术(sti，shallowtrenchisolation)制备电隔离区域实现存储单元区、外围电路区的内部及其之间的隔离，以最有效地利用有源区的线宽，提高集成度，请结合图1a和图1b，具体的制作过程包括：首先在半导体衬底100上依次沉积浮栅氧化层101、浮栅层fg(通常为多晶硅)、衬垫氮化硅层(未在图中显示)；然后对衬垫氮化硅层、浮栅层fg、浮栅氧化层101以及半导体衬底100进行刻蚀，形成从浮栅层fg向下延伸至所述半导体衬底100中的浅沟槽(即actet工艺)；然后对所述浅沟槽进行氧化物填充直至填满所述浅沟槽，并通过化学机械平坦化工艺去除衬垫氮化硅层上方多余的填充氧化物(即sticmp工艺)，以形成浅沟槽隔离结构sti；之后对浮栅层fg上方局部的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀，以调节相应区域的浅沟槽隔离结构sti的高度(即gstiet工艺)；之后在半导体衬底100中形成源区及其上方的源线多晶硅层(对应sl)、隧穿氧化层tox、字线wl(通常为多晶硅)以及漏区d。

然而，在快闪存储器产品开发中，快闪存储器阵列的sti(浅槽隔离结构)和aa(activearea，有源区)的尺寸较小，如果工艺出现一些异常波动，则在浅沟槽填充工艺中可能会存在浅沟槽空洞(stivoid)这一问题，这些浅沟槽空洞在快闪存储器后续的制造过程中会被一些多晶硅填充，从而导致最终的产品的浅沟槽隔离结构中存在多晶硅残留，进而影响产品可靠性。

请参考图2，目前的快闪存储器中存在于浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留共有以下五种类型：

类型一(即图2中的201)：位于两条相邻的字线wl之间，并同时短接于这两条相邻的字线wl，这种类型的stivoid多晶硅残留缺陷在该快闪存储器的良率测试(yieldtest)阶段就会被检测出来，显示为整个扇区擦除失效，没有可靠性问题，所述两条相邻的字线wl为两条相邻的源线sl之间的字线wl，如图1b中的wl01和wl10。

类型二(即图2中的202)：位于两条相邻的字线wl之间，并短接于其中一条字线wl，这种类型的stiviod多晶硅残留缺陷在良率测试阶段不会被检测出来，但是当这种类型的stiviod多晶硅残留缺陷还非常接近两条相邻的另外一条字线时，则会在该快闪存储器的耐久性失效测试(endurancefailtest，也简称为耐久性测试)的早期被检测出来(例如已经历的擦写次数低于1千次)，显示为擦除失效，有可靠性问题。其中，所述两条相邻的字线wl为两条相邻的源线sl之间的字线wl，如图1b中的wl01和wl10，耐久性失效测试是为保障快闪存储器芯片擦写次数满足寿命周期要求的重要途径。

类型三(即图2中的203)：位于两条相邻的字线wl之间，与这两条字线wl均未接触，且至少非常靠近其中一条字线wl，甚至与这两条字线均非常接近，这种类型的stiviod多晶硅残留缺陷在该快闪存储器的良率测试阶段不会被检测出来，但是在该快闪存储器的耐久性失效测试阶段，经过多次擦除操作(例如已经历的擦写次数不低于2千次)后，会被检测出来，显示为擦除失效，有可靠性问题，所述两条相邻的字线wl为两条相邻的源线sl之间的字线wl，如图1b中的wl01和wl10。

类型四(即图2中的204)：位于两条相邻的字线wl之间，与两条字线wl均未接触，且与两条字线均保持一定距离，这种类型的stiviod多晶硅残留缺陷在该快闪存储器的良率测试阶段不会被检测出来，但是在该快闪存储器的耐久性失效测试阶段，经过多次擦除操作(例如已经历的擦写次数不低于2万次)后，会被检测出来，显示为擦除失效，有可靠性问题，所述两条相邻的字线wl为两条相邻的源线sl之间的字线wl，如图1b中的wl01和wl10。

类型五(即图2中的205)：位于两条相邻的字线wl之间，且与两条字线wl均保持较远距离，这种类型的stiviod多晶硅残留缺陷在该快闪存储器的良率测试阶段不会被检测出来，通常在耐久性失效测试阶段也不会被检测出来，即能够通过良率测试和耐久性测试，对快闪存储器的擦写性能影响不大，没有可靠性问题，，所述两条相邻的字线wl为两条相邻的源线sl之间的字线wl，如图1b中的wl01和wl10。

针对图2所示的5种类型的stiviod多晶硅残留缺陷，本发明提供一种快闪存储器的缺陷检测方法，包括以下步骤：

s1，选择快闪存储器的奇数扇区或选择所述快闪存储器的偶数扇区进行擦除，此步骤不同于现有技术，现有技术中对某一扇区或者同时对所有扇区进行擦除；

s2，所述擦除的应力使所述快闪存储器中相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接，即所述擦除的应力使相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留从所述类型二变成类型一，或从所述类型三变为所述类型二，甚至变为所述类型一，相应的扇区(即存储单元)出现编程串扰失效，从而可以快速检测出这些浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留，即可以以编程串扰失效的形式快速检测出具有多晶硅残留的扇区(即存储单元)；

或者，s3，所述擦除的应力使所述快闪存储器中相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留带正电荷(这种情况主要是针对类型四的stiviod多晶硅残留缺陷)，之后，施加更大的编程电流(例如编程电流从3.0μa增大到4.0μa以上)以及更长的编程时间(编程时间从7μs延长到9μs))来进行编程串扰测试，相应的扇区(即存储单元)会在此次编程串扰测试中显示编程串扰失效，从而将快闪存储器中具有多晶硅残留的存储单元以编程串扰失效的形式快速、有效地检测出来。

本发明还提供一种快闪存储器的耐久测试方法，包括：

选择快闪存储器的奇数扇区或选择所述快闪存储器的偶数扇区进行擦除；

所述擦除的应力使所述快闪存储器中相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接，即所述擦除的应力使相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留从所述类型二变成类型一或从所述类型三变为所述类型二，甚至变为所述类型一，从而使得有这种stivoid多晶硅残留的闪存无法通过耐久性测试；

或者，s3，所述擦除的应力使所述快闪存储器中相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留带正电荷，即使类型四的多晶硅残留由于被擦除而带正电荷，之后，施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试，从而检测出类型四的这种缺陷，进而使得有这种stivoid多晶硅残留的闪存无法通过耐久性测试。

由上所述，本发明的快闪存储器的缺陷检测方法和耐久测试方法，通过选择快闪存储器芯片的奇数扇区或者偶数扇区来进行擦除，可以使快闪存储器芯片中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接或者由于被擦除而带正电荷，并在多晶硅残留带正电荷后施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试，从而可以快速、有效地将快闪存储器中具有多晶硅残留且能够造成编程串扰失效问题的浅沟槽隔离结构检测出来。

本发明还提供一种快闪存储器的制造方法，根据上述的快闪存储器的缺陷检测方法的检测结果，或者根据上述的快闪存储器的耐久测试方法的测试结果，调整制造工艺参数，以进行快闪存储器的制造，从而避免浅沟槽隔离结构中出现空洞而造成产品出现可靠性问题。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。