一种芯片改写设备的存储装置的制作方法

本实用新型涉及打印耗材芯片设备领域，尤其涉及一种芯片改写设备的存储装置。

背景技术：

在现有的打印耗材芯片改写设备中，通常采用内置在主控芯片中的FLASH来存储芯片复位改写数据。由于FLASH存储器的特性，只支持所有地址空间一次性擦写操作，且其擦写次数为10K次，导致一台耗材芯片改写设备中只能实现对其内部存储的所有复位改写数据进行统一次数的复位改写操作分配。如一台耗材芯片改写设备中存储有A-J的10个类型的耗材数据，且存储有复位改写次数为100次，当选择类型A的耗材数据复位改写后，则所有类型的耗材数据可复位改写次数均减少为99次，因为不同类型的耗材数据存在不同的复位改写需求，现有的耗材芯片改写设备无法实现对不同型号的耗材数据进行复位改写次数的独立设置，不具备兼容性。

技术实现要素：

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的之一在于提供一种芯片改写设备的存储装置，优化了写入方式、数据存储方式及数据存储结构，实现任意地址位数据擦写，数据擦写的次数根据不同系列产品做灵活设置，增加了擦写次数，使存储空间均衡使用，延长了存储装置的使用寿命。

本实用新型提供一种芯片改写设备的存储装置，包括主控模块和片外非易失性存储器，所述主控模块包括易失性存储器、非易失性存储器、数据读写模块，所述片外非易失性存储器与所述主控模块连接，所述片外非易失性存储器包括数据存储单元和指针存储单元，所述数据存储单元存储耗材数据，所述指针存储单元存储指针，所述指针指向所述耗材数据的地址，所述易失性存储器包括镜像单元，上电时，所述数据读写模块读取所述片外非易失性存储器存储的数据至所述镜像单元。

进一步地，所述数据存储单元划分地址区间存储所述耗材数据，所述耗材数据包括芯片改写设备的可改写授权次数和设备配置数据。

进一步地，所述指针存储单元划分地址区间存储所述耗材数据的地址。

进一步地，所述主控模块还包括校验模块，所述校验模块通过校验算法处理所述片外非易失性存储器存储的数据，得到校验结果。

进一步地，所述校验算法包括CRC算法、MD2算法、MD4算法、MD5算法、SHA1算法、SHA256算法、SHA384算法、SHA512算法、RIPEMD算法、PANAMA算法、TIGER算法、ADLER32算法。

进一步地，所述数据读写模块将所述校验结果写入所述非易失性存储器。

进一步地，所述镜像单元的容量大于或等于所述片外非易失性存储器的容量。

进一步地，所述非易失性存储器为RAM。

进一步地，所述RAM为动态RAM或静态RAM。

进一步地，所述片外非易失性存储器为EEPROM。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型一种芯片改写设备的存储装置，通过增加片外非易失性存储器和片内易失性存储器，将片外非易失性存储器的存储空间划分为数据区和指针区，数据区用来存储耗材数据，指针区用来存储指针，指针指向耗材数据的地址，在片内易失性存储器的固定地址开辟镜像空间，片外非易失性存储器为不同系列数据配置独立存储区，设备上电后，片外非易失性存储器存储的数据校验结果正确，则将片外非易失性存储器存储的数据复制至镜像空间，应用程序从片内易失性存储器读取数据执行，将执行结果写入片外非易失性存储器，执行结果经校验算法写入片内非易失性存储器，本实用新型优化了写入方式、数据存储方式及数据存储结构，实现任意地址位数据擦写，数据擦写的次数根据不同系列产品做灵活设置，增加了擦写次数，使存储空间均衡使用，延长了存储装置的使用寿命。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型的一种芯片改写设备的存储装置结构框图；

图2为本实用新型的BOOTLOADER程序数据更新流程图。

具体实施方式

下面，结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

一种芯片改写设备的存储装置，如图1所示，主控模块和片外非易失性存储器，主控模块包括易失性存储器、非易失性存储器、数据读写模块，片外非易失性存储器与主控模块连接，片外非易失性存储器包括数据存储单元和指针存储单元，数据存储单元存储耗材数据，指针存储单元存储指针，指针指向耗材数据的地址，优选地，片外非易失性存储器为EEPROM，表1为EEPROM存储空间。

表1 EEPROM存储空间

在一实施例中，优选地，数据存储单元划分地址区间存储耗材数据，耗材数据包括芯片改写设备的可改写授权次数和设备配置数据，优选地，指针存储单元划分地址区间存储耗材数据的地址，实现为不同系列数据配置独立存储区，如A、B表示不同类型的耗材数据，指针存储单元地址为0X0000-0X0012的区域存储A类型耗材数据的地址，指针存储单元地址为0X0014-0X0026的区域存储B类型耗材数据的地址，A类型耗材数据和B类型耗材数据的授权次数的地址均为0X4e20，数据区中地址为0X4e20的存储单元存储的授权次数为16。

在一实施例中，易失性存储器包括镜像单元，上电时，数据读写模块读取片外非易失性存储器存储的数据至镜像单元，优选地，镜像单元的容量大于或等于片外非易失性存储器的容量，优选地，非易失性存储器为RAM，优选地，RAM为动态RAM或静态RAM，动态RAM和静态RAM的数据读写方式相同，优选地，主控模块还包括数据更新模块，数据更新模块通过扫描数据区和指针区的字段更新数据，数据为授权次数，如图2所示，BOOTLOADER程序导入新授权次数时，首先扫描EEPROM内可存放数据的存储单元，EEPROM的存储空间中未使用过的数据区存储单元和指针区存储单元的字段均为0XFF，EEPROM的存储空间中已使用完的数据区存储单元和指针区存储单元的字段均为0X00，优选地，判断数据区存储单元的字段是否为0XFF，若是，则存储数据至数据区存储单元，返回数据区存储单元的地址偏移量，若否，则判断数据区的字段是否为0X00，若是，则存储数据至数据区存储单元，返回数据区存储单元的地址偏移量，若否，则结束扫描；判断指针区存储单元的字段是否为0XFF，若是，则存储地址偏移量至指针区存储单元，若否，则判断指针区存储单元的字段是否为0X00，若是，则存储地址偏移量至指针区存储单元，若否，则结束扫描。

在一实施例中，优选地，主控模块还包括校验模块，校验模块通过校验算法处理片外非易失性存储器存储的数据，得到校验结果，校验算法包括CRC算法、MD2算法、MD4算法、MD5算法、SHA1算法、SHA256算法、SHA384算法、SHA512算法、RIPEMD算法、PANAMA算法、TIGER算法、ADLER32算法，优选地，数据读写模块将校验结果写入非易失性存储器，优选地，非易失性存储器为FLASH存储器。

本实用新型一种芯片改写设备的存储装置，通过增加片外非易失性存储器和片内易失性存储器，将片外非易失性存储器的存储空间划分为数据区和指针区，数据区用来存储耗材数据，指针区用来存储指针，指针指向耗材数据的地址，在片内易失性存储器的固定地址开辟镜像空间，片外非易失性存储器为不同系列数据配置独立存储区，设备上电后，片外非易失性存储器存储的数据校验结果正确，则将片外非易失性存储器存储的数据复制至镜像空间，应用程序从片内易失性存储器读取数据执行，将执行结果写入片外非易失性存储器，执行结果经校验算法写入片内非易失性存储器，本实用新型优化了写入方式、数据存储方式及数据存储结构，实现任意地址位数据擦写，数据擦写的次数根据不同系列产品做灵活设置，增加了擦写次数，使存储空间均衡使用，延长了存储装置的使用寿命。

以上，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制；凡本行业的普通技术人员均可按说明书附图所示和以上而顺畅地实施本实用新型；但是,凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围内，利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本实用新型的等效实施例；同时,凡依据本实用新型的实质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本实用新型的技术方案的保护范围之内。