技术总结
在将根据从第1坑点串的最长坑点(P1max)或最长间隙(S1max)获得的反射光量而算出的反射率设为第1反射率、将根据从第2坑点串的最长坑点(P2max)或最长间隙(S2max)获得的反射光量而算出的反射率设为第2反射率的情况下，第1坑点串被形成为第1反射率与第2反射率大致相同。
技术研发人员：中峻之;山田博久;山本真树;田岛秀春;小西正人;
受保护的技术使用者：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司;
文档号码：201810164420
技术研发日：2014.04.08
技术公布日：2018.06.08