动态随机存取存储器及其操作方法与流程

本公开主张2017年11月9日申请的美国正式申请案第15/808,448号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)及其操作方法，特别涉及dram的更新及其读/写方法。

背景技术：

动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)是一种随机存取存储器的形态。该种形态的随机存取存储器将每个位元的数据存储在单独的电容器中。最简单的dram单元包括单个n型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxide-semiconductor，nmos)晶体管和单个电容器。如果电荷存储在电容器中，则根据所使用的惯例，该单元被称为存储逻辑高。如果不存在电荷，则称该单元存储逻辑低。由于电容器中的电荷随时间消耗，因此dram系统需要额外的更新电路来周期性地更新存储在电容器中的电荷。由于电容器只能存储非常有限的电荷量，为了快速区分逻辑1和逻辑0之间的差异，通常每个位元使用两个位元线(bitline，bl)，其中位元线对中的第一位被称为位线真(bitlinetrue，blt)，另一个是位元线补数(bitlinecomplement，blc)。单个nmos晶体管的栅极由字元线(wordline，wl)控制。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现要素：

本公开的一实施例提供一种动态随机存取存储器(dram)，该dram包括：一更新单元以及一存取元件。该更新单元包括一目标列，其中该目标列被请求执行一读/写(read/write，r/w)操作。该存取元件被配置为当该更新单元正在被更新时，对该目标列执行该r/w操作。

在一些实施例中，该dram还包括一第一更新单元及一第二更新单元。该第一更新单元被指派至一待处理排程的第一位置。该第二更新单元被指派至该待处理排程的一第二位置，其中，若该第一更新单元目前没有正在被更新，那么当该第一更新单元被更新时，该第一更新单元作为该更新单元。

在一些实施例中，该dram还包括一第一更新单元及一第二更新单元。该第一更新单元被指派至一待处理排程的一第一位置。该第二更新单元被指派至该待处理排程的一第二位置。若该第一更新单元正在被更新，那么当该第二更新单元被更新时，该第二更新单元作为该更新单元。

在一些实施例中，该第二位置在更新的顺序上不紧接在该第一位置后面。

在一些实施例中，该第二位置在更新的顺序上紧接在该第一位置后面。

在一些实施例中，该dram还包括一第一更新单元、一第二更新单元、一第三更新单元。该第一更新单元被指派至一待处理排程的一第一位置。该第二更新单元被指派至该待处理排程的一第二位置，其中该第二位置在该第一位置后面。该第三更新单元被指派该待处理排程的一第三位置。若该第一更新单元正在被更新以及该第三更新单元作为该更新单元，那么该第三更新单元由该待处理排程的该第三位置升等至该第二位置。

在一些实施例中，若该第一更新单元正在被更新以及该第三更新单元作为该更新单元，那么该第二更新单元由该待处理排程的该第二位置被降等至该第三位置。

在一些实施例中，若该更新单元正在被更新且该目标列尚未被更新，那么当该更新单元正在被更新时，该存取元件被配置为对该目标列执行该r/w操作。

在一些实施例中，当该更新单元正在被更新时，不更新该目标列。

在一些实施例中，当该目标列被更新时，数据自该目标列被读取出来。

本公开的另一实施例提供一种动态随机存取存储器(dram)的操作方法。该操作方法包括：提供包括一目标列的一更新单元，其中该目标列被请求执行一读/写(read/write，r/w)操作；更新该更新单元；以及当更新单元正在被更新时，对更新单元的该目标列执行该r/w操作。

在一些实施例中，该操作方法还包括：提供一第一更新单元；提供一第二更新单元；指派该第一更新单元至一待处理排程的一第一位置；指派该第二更新单元至该待处理排程的一第二位置；以及，若该第一更新单元目前没有正在被更新，那么当该第一更新单元被更新时，该第一更新单元作为该更新单元。

在一些实施例中，该操作方法还包括：提供一第一更新单元；提供一第二更新单元；指派该第一更新单元至一待处理排程的一第一位置；指派该第二更新单元至该待处理排程的一第二位置；以及，若该第一更新单元正在被更新，那么当该第二更新单元被更新时，该第二更新单元作为该更新单元。

在一些实施例中，该第二位置在更新的顺序上不紧接在该第一位置后面。

在一些实施例中，其中该第二位置在更新的顺序上紧接在该第一位置后面。

在一些实施例中，该操作方法还包括提供一第一更新单元；提供一第二更新单元；提供一第三更新单元；指派该第一更新单元至一待处理排程的一第一位置；指派该第二更新单元至该待处理排程的一第二位置，其中该第二位置在该第一位置之后；指派该第三更新单元至该待处理排程的一第三位置；以及若该第一更新单元正在被更新以及该第三更新单元作为该更新单元，那么该第三更新单元由该待处理排程的该第三位置升等至该第二位置。

在一些实施例中，该操作方法还包括：若该第一更新单元正在被更新以及该第三更新单元作为该更新单元，那么该第二更新单元由该待处理排程的该第二位置被降等至该第三位置。

在一些实施例中，该操作方法还包括：若该更新单元正在被更新且该目标列未被更新时，对该目标列执行该r/w操作。

在一些实施例中，该操作方法还包括：当该更新单元正在被更新时，不更新该目标列。

在一些实施例中，该操作方法还包括：当该目标列被更新时，数据自该目标列被读取出来。

在本公开中，因为当该更新单元正在被更新时，能对该更新单元的该存储列执行该r/w操作，因此该dram的效率相对较佳。

在一些现有的方法中，举例来说，直到现有的dram的所有更新单元的更新都已经完成后，才准许对一更新单元的一存储列执行一r/w操作。结果，该现有的dram的效率相对较差。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得优选了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中的技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中的技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明

参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。

图1是根据本公开的一些实施例的一动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)的示意图。

图2是根据本公开的一些实施例的dram的一操作方法的流程图。

图3是根据本公开的一些实施例的另一dram的示意图。

图4的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的该dram在一方案中的一操作。

图5的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的该dram在该方案中的另一操作。

图6的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的该dram在另一方案中的一操作。

图7的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的该dram在该另一方案中的另一操作。

图8是根据本公开的一些实施例的图3所示的该dram的一操作方法的流程图。

图9是根据本公开的一些实施例的另一动态随机存取存储器(dram)的示意图。

图10的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的该dram在一第一方案中的一操作。

图11的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的该dram在该第一方案中的另一操作。

图12的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的该dram在一第二方案中的一操作。

图13的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的该dram在该第二方案中的另一操作。

图14的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的该dram在一第三方案中的一操作。

图15的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的该dram在该第三方案中的另一操作。

图16是根据本公开的一些实施例的图9所示的该dram的一操作方法的流程图。

图17是根据本公开的一些实施例的图9所示的该dram的另一操作方法的流程图。

附图标记说明：

10dram

11更新元件

12存储区

13存取元件

20操作方法

21操作

22操作

30dram

32控制元件

34存储区

40操作方法

41操作

42操作

43操作

44操作

50dram

60操作方法

61操作

62操作

63操作

64操作

70操作方法

71操作

72操作

73操作

74操作

75操作

76操作

77操作

78操作

120更新单元

122存储列

340第一更新单元

342第二更新单元

540存储区

542第一更新单元

544第二更新单元

546第三更新单元

p1第一位置

p2第二位置

pn第n位置

r/w读/写

ref更新

tr目标列

具体实施方式

本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。

“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。

为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该领域中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的优选实施例详述如下。然而，除了实施方式之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于实施方式的内容，而是由权利要求定义。

图1是根据本公开的一些实施例的一动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)10的示意图。参照图1，dram10包括一更新元件11、一存储区12及一存取元件13。

存储区12包括一更新单元120，更新单元120包括多个存储列122(memoryrow)。更新单元120用以存储数据。更详细地，所述多个存储列122的每一者包括一存储胞来存储数据。在本实施例中，更新单元120包括多个存储列122。然而，在其它实施例中，更新单元120可能包括单一个存储列122。此外，在本实施例中，更新单元120中的多个存储列122属于单个存储库(bank)，然而，本公开不限于此。多个存储列122可以属于不同存储库。换言之，更新单元120可以包括单个存储库、多个存储库、单一存储列122或多个存储列122。本公开不限于上述的特定形态。

更新元件11被配置为以一种方式更新更新单元120，其中该种方式指的是，例如，一电荷从存储列122的一存储胞中被读取，并随后立即写回至该存储胞。然而，本公开不限于此，该更新操作可以还包括其它细节操作。

存取元件13被配置为，当更新单元120正在被更新时，对更新单元120的存储列122执行一读/写(read/write，r/w)操作。在下面的讨论中，例如，该r/w操作指的不是一读取操作，就是一写入操作。

在一实施例中，存取元件13，当更新单元120正在被更新时，对更新单元120的存储列122执行该写入操作。如前所述，该更新操作包括将电荷写回存储胞。另外，该写入操作包括将电荷写入该存储胞。因此，在更新单元120正在被更新的情况下，又对存储列122执行该写入操作，存储列122此时是不需要被更新的。因为，对存储列122执行该写入操作就能够达到对存储列122更新的效果。

在一实施例中，如前所述，该更新操作包括从存储胞读取电荷。另外，该读取操作包括从存储胞读取电荷。因此，不需要执行额外的读取操作。当存储列122被更新时，就能够从存储列122中顺便读取数据。

在本公开中，由于当更新单元120正在被更新时，能对更新单元120的存储列122执行该r/w操作，所以dram10的效率相对较佳。

在一些现有的dram中，例如图1所示的dram10，举例来说，当更新单元120正在被更新时，不能对更新单元120的存储列122执行该r/w操作。例如，直到现有的dram的所有更新单元的更新都已经完成后，才准许对存储列122执行该r/w操作。也就是说，该r/w操作不能在合理的时间内完成。结果，该现有的dram的效率相对较差。

图2是根据本公开的一些实施例的dram的一操作方法20的流程图。参照图2，其描述图1所示的dram10的操作方法20，操作方法20包括操作21及22。

操作方法20开始于操作21，其中提供包括一存储列122的一更新单元120。

操作方法20继续至操作22，当更新单元120正在被更新时，对更新单元120的存储列122执行该r/w操作。

在本实施例中，由于当更新单元120正在被更新时，能对更新单元120的存储列122执行该r/w操作，所以，dram10的效率相对较佳。

在一些现在的方法中，以图1所示的dram10为例，直到，举例来说，在现有的dram的所有更新单元的更新都已经完成后，才准许对存储列122执行该r/w操作。结果，该现有的dram的效率相对较差。

图3是根据本公开的一些实施例的另一dram30的示意图。参照图3，dram30与参照图1描述和说明的dram10类似，除了例如dram30包括一控制元件32和包括一第一更新单元340和一第二更新单元342的一存储区34之外。

第一更新单元340和第二更新单元342每一者的功能与更新单元120的功能相同。因此，省略对第一更新单元340和第二更新单元342的详细描述。此外，为了清楚附图说明，未描绘第一更新单元340和第二更新单元342每一者的存储列122。

第一更新单元340被指派至一待处理排程的一第一位置p1。第二更新单元342被指派至一待处理排程的一第n位置pn，其中n是除了1以外的正整数。

在本公开中，术语“待处理(pending)”包括两种可能的方案。在第一种方案中，一更新单元尚未被更新(于下文中，也可称为：没有正在被更新)。在第二种方案中，一更新单元正在被更新，但该更新单元的该更新尚未完成。因此，待处理排程指的是：待处理更新单元的时间表。

另外，更新元件11，根据待处理排程，执行更新操作。举例来说，因为第一更新单元340被指派为第一位置p1，所以第一单元340将首先被更新。被指派为待处理排程(与更新顺序关联)第二位置的更新单元直到第一更新元件340的更新已经完成后才开始更新，依此类推。在本公开的一些实施例中，第n位置是待处理排程的第二位置，这表示被指派为第二位置的更新单元将直到第一更新元件340的更新已经完成后才开始更新。

控制元件32用于判断第一更新单元340是否正在被更新，并且基于该判断结果来控制更新元件11的该更新操作和存取元件13的一r/w操作，其将于图4至图7进行详细描述和说明。

图4的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的dram30在一方案中的一操作。图5的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的dram30在该方案中的另一操作。在图4与图5所说明的该方案中，第一更新单元340正在被更新，以及第二更新单元342包括一目标列tr，目标列tr被请求执行一读/写(read/write，r/w)操作。

在图4的操作中，控制元件32判断出第一更新单元340正在被更新，如实线框所示。据此，控制元件32控制更新元件11及存取元件13，如图5所示。接着，参照图5，第一更新单元340的更新已经完成，如虚线框所示；以及，第二更新单元342正在被更新，如实线框所示。存取元件13，当第二更新单元342正在被更新时，对第二更新单元342的目标列tr执行该r/w操作。

图6的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的dram30在另一方案中的一操作。图7的示意图说明根据本公开的一些实施例的图3显示的dram30在该另一方案中的另一操作。在图6与图7所说明的该另一方案中，第一更新单元340目前没有正在被更新，以及第一更新单元340包括目标列tr。如前所述，“待处理”包括两种方案。图6与图7所说明的该另一方案不是“待处理”的该第二种方案，而是“待处理”的该第一种方案。在“待处理”的该第一种方案中，第一更新单元340尚未被更新。

在图6的操作中，控制元件32判断出第一更新单元340没有正在被更新(亦即，第一更新单元340尚未被更新)，如虚线框所示。据此，控制元件32控制更新元件11及存取元件13，如图7所示。接着，参照图7，更新元件11更新第一更新单元340，如实线框所示。存取元件13，当第一更新单元340正被更新时，对第一更新单元340的目标列tr执行该r/w操作。

在本公开中，由于当第一更新单元340正在被更新时，能对第一更新单元340的目标列tr执行该r/w操作，或在第二更新单元342正在被更新时，能对第二更新单元342的目标列tr执行该r/w操作，所以，dram30的效率相对较佳。

图8是根据本公开的一些实施例的图3所示的dram30的一操作方法40的流程图。参照图8，操作方法40包括操作41、42、43及44。

操作方法40开始于操作41，其中提供一更新单元340。

操作方法40继续至操作42，其中控制元件32判断是否第一更新单元340正在被更新。若否，操作方法40继续至操作43，其中存取元件13，当第一更新单元340包括目标列tr时且当第一更新单元340正在被更新时，对第一更新单元340的目标列tr执行该r/w操作。若是，操作方法40继续至操作44，其中存取元件13，当第二更新单元342包括目标列tr时以及当第二更新单元342被更新时，对第二更新单元342的目标列tr执行该r/w操作。

在本公开中，在第一更新单元340正在被更新时，能对第一更新单元340的目标列tr执行该r/w操作，或在第二更新单元342正在被更新时，能对第二更新单元342的目标列tr执行该r/w操作，因此采用操作方法40的dram效率相对较佳。

图9是根据本公开的一些实施例的另一动态随机存取存储器(dram)50的示意图。参照图9，dram50与参照图3描述和说明的dram30类似，除了例如dram50包括包含了一第一更新单元542、一第二更新单元544和一第三更新单元546的一存储区540之外。

第一更新单元542、第二更新单元544和第三更新单元546的每一者的功能与更新单元120的功能相同。因此，在此省略对这此功能的详细描述。此外，为了清楚说明，未描绘第一更新单元542、第二更新单元544和第三更新单元546每一者的存储列122。

第一更新单元542被指派至一待处理排程的一第一位置p1。第二更新单元544被指派至第一位置p1后的一第二位置p2。第三更新单元546被指派至一第n位置pn，其中n是除了1及2以外的正整数。

与图3的实施例不同，控制元件32进一步执行一升等(promotion)操作，其将参考图9至图15详细描述和说明。因此，dram50的效率相对更佳。

图10的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的dram50在一第一方案中的一操作。图11的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的dram50在该第一方案中的另一操作。在图10与图11所说明的该第一方案中，第一更新单元542目前没有正在被更新，以及第一更新单元542包括目标列tr。如前所述，“待处理”包括两种方案。图10与图11所说明的该第一方案不是“待处理”的该第二种方案，而是“待处理”的该第一种方案。在“待处理”的该第一种方案中，第一更新单元542尚未被更新。

在图10的操作中，控制元件32判断出第一更新单元542没有正在被更新(亦即，第一更新单元542尚未被更新)，如虚线框所示。据此，控制元件32控制更新元件11及存取元件13，如图11所示。接着，参照图11，更新元件11更新第一更新单元542，如实线框所示。存取元件13在第一更新单元542正在被更新时，对第一更新单元542的目标列tr执行该r/w操作。

图12的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的dram50在一第二方案中的一操作。图13的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的dram50在该第二方案中的另一操作。在图12与图13所说明的该第二方案中，第一更新单元542目前正在被更新，以及第二更新单元544包括目标列tr。

在图12的操作中，控制元件32判断出第一更新单元542目前正在被更新，如实线框所示。而且，控制元件32判断出第二更新单元544包括目标列tr。据此，控制元件32控制更新元件11及存取元件13，如图13所示。接着，参照图13，完成第一更新单元542的更新，如虚线框所示；以及，第二更新单元544正在被更新，如实线框标示。存取元件13，在第二更新单元544正在被更新时，对第二更新单元544的目标列tr执行该r/w操作。

图14的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的dram50在一第三方案中的一操作。图15的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9显示的dram50在该第三方案中的另一操作。在图14与图15所说明的该第三方案中，第一更新单元542目前正在被更新，以及第三更新单元546包括目标列tr。

在图14的操作中，控制元件32判断出第一更新单元542正在被更新，如实线框所示。而且，控制元件32判断出在第二位置p2的第二更新单元544未包括目标列tr，和判断出在第n位置pn的第三更新单元546包括目标列tr。据此，控制元件32控制更新元件11、存取元件13和存储区540，如图14和图15所示。

参照图14及15，控制元件32将第三更新单元546从第n位置pn升等到第二位置p2。因此，在第一更新单元542的更新完成后，更新元件11更新在第二位置p2的第三更新单元546。存取元件13，在第三更新单元546正在被更新时，对第三更新单元546的目标列tr执行该r/w操作。

由于包括目标列tr的第三更新单元546被升等至第二位置p2，该r/w操作可以立刻被执行。因此，dram50的效率相对更佳。否则，如果第三更新单元546没有被升等，直到第n位置pn的第三更新单元546被更新时，该r/w操作才被执行。

在一些实施例中，控制元件32，通过比较第二更新单元544的存储列的更新位址和目标列tr的读/写位址，来判断是否第二新单元544包括目标列tr。当该更新位址与该读/写位址一致时，控制元件32判断出第二更新单元544包括目标列tr。

在一些实施例中，控制元件32升等第三更新单元546是通过互相交换第三更新单元546的位置和第二更新单元544的位置。举例来说，第三更新单元546被从第n位置pn升等至第二位置p2，和第二更新单元544从第二位置p2被降等至第n位置pn。然而，本公开不限于此，第二更新单元544可以被降等至待处理排程的任何位置。

图16是根据本公开的一些实施例的图9所示的该dram50的一操作方法60的流程图。参照图16，操作方法60与参照图8描述和说明的操作方法40类似，除了例如操作方法60包括操作61、62、63及64。

在操作42之后，如果是肯定的，操作方法60继续至操作61。在操作61中，控制元件32判断是否第二更新单元544包括该目标列tr。若是，操作方法60继续至操作64，其中存取元件13，当第二更新单元544正在被更新时，对目标列tr执行该r/w操作。若否，操作方法60继续至操作62，其中，当第三更新单元546包括目标列tr时，通过重新排程该待处理排程，第三更新单元546从第n位置pn升等至第二位置p2。

操作方法60继续至操作63，其中存取元件13，当第三更新单元546正在被更新时，对第三更新单元546的目标列tr执行该r/w操作。

图17是根据本公开的一些实施例的图9所示的dram50的另一操作方法的流程图。参照图17，操作方法70与参照图16描述和说明的操作方法60类似，除了例如操作方法70包括操作71、72、73、74、75、76、77及78。

在操作42之后，如果是肯定，操作方法70继续至操作71，其中控制元件32判断是否检查第一更新单元542。若否，操作方法70继续至操作61。若是，操作方法71继续至操作72。

在操作72中，控制元件32判断是否第一更新单元542包括目标列tr。在一实施例中，控制元件32执行该判断是通过比较第一更新单元542的存储列的更新位址和目标列tr的读/写位址。若否，操作方法70返回至操作61。若是，操作方法70继续至操作73。

在操作73中，控制元件32判断是否目标列tr已经被更新。若否，操作方法70继续至操作74，其中存取元件13，当第一更新单元542正在被更新时，对目标列tr执行该r/w操作。举例来说，第一更新单元542包括两个存储列122，第二存储列122作为目标列tr。在这种情况下，第一存储列122正在被更新。因此，控制元件32判断出第一更新单元542正在被更新。然而，第二存储列122尚未被更新。因此，当存取元件11更新到第一更新单元542的第二存储列122时，存取元件13对第二存储列122执行该r/w操作。若是，操作方法70继续至操作78，其中存取元件13，在第一更新单元542被更新完成后和第二更新单元544被更新前，对目标列tr执行该r/w操作。

在操作61之后，若否，操作方法70继续至操作75。在操作75中，控制元件32判断是否第三更新单元546包括目标列tr。若否，操作方法70继续至操作78。若是，控制元件32将第三更新单元546从待处理排程的第n位置pn升等到第二位置p2。在操作76之后，在操作77中，存取元件13，当第三更新单元546正在被更新时，对目标列tr执行该r/w操作。

在本公开中，因为当更新单元120正在被更新时，能对该更新单元120的存储列122执行该r/w操作，因此该dram10的效率相对较佳。

在一些现在的方法中，以图1所示的dram10为例，直到，举例来说，现有的dram的所有更新单元的更新都已经完成后，才准许对存储列122执行该r/w操作。结果，该现有的dram的效率相对较差。

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)。该dram包括一更新单元及一存取元件。该更新单元包括一目标列，其中该目标列被请求执行一读/写(read/write，r/w)操作。该存取元件被配置为当该更新单元正在被更新时，对该目标列执行该r/w操作。

本公开提供一种操作方法，包括：提供包括一目标列的一更新单元，其中该目标列被请求执行一读/写(read/write，r/w)操作；更新该更新单元；以及当该更新单元正在被更新时，对该更新单元的该目标列执行该r/w操作。

虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的构思与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多制程，并且以其他制程或其组合替代上述的许多制程。

再者，本公开的范围并不受限于说明书中所述的制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该领域的技术人士可自本公开的公开内容理解可根据本公开而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，这些制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤被包含于本公开的权利要求内。