技术特征：
技术总结
本发明公开了一种用于读写操作的缓存电路和存储器，其中缓存电路设置有第一数据输入输出正端、第一数据输入输出负端、第二数据输入输出正端、第二数据输入输出负端、第一控制端、第二控制端、第三控制端；缓存电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、两个开关单元。本发明采用同一电路结构既实现写缓存操作，又能够进行读操作，降低了存储器的成本；并且，通过预充电机制，缩短了读操作的周期，提高了存储器的读操作的速度。
技术研发人员：宋金星
受保护的技术使用者：上海贝岭股份有限公司
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.04.23