NAND闪存测试治具的制作方法

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种nand闪存测试治具。

背景技术：

闪存(flash)的应用广阔，可以运用在如移动存储、5g、物联网、车联网以及人工智能等不同的领域，随着nand闪存的制造工艺的不断更新，产量的不断增加，不良率的不断上升，nand闪存控制器厂商需要更换新的控制器来进行调试，同时终端厂商也需要投入新的测试治具进行筛选测试。

目前市场上存在众多的闪存控制器芯片应用方案商，每一家的方案都只针对自家的控制器进行调试，并利用自家方案的主控量产工具对闪存进行批量地筛选测试等。由于nand闪存在不断地发展更新，方案主控也在不断地跟进，新的方案主控必然会淘汰旧的测试治具，对于终端厂商而言，将需要不断投入新的测试治具来对nand闪存进行筛选测试，这将造成极大的资源浪费并且增加了巨大的成本。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种nand闪存测试治具。

本发明的实施例提供一种nand闪存测试治具，包括：线路板、通讯接口、至少一tsop48端子板和对应个数的mkey连接器，所述至少一tsop48端子板、所述对应个数的mkey连接器和与每一mkey连接器连接的所述通讯接口均设置在所述线路板上，每一所述tsop48端子板包括一读/写功能扩展定义引脚和至少一片选功能扩展定义引脚，所述读/写功能扩展定义引脚和所述至少一片选功能扩展定义引脚均连接到对应的mkey连接器；

各所述tsop48端子板分别用于可插拔地连接待测试nand闪存芯片；

各所述mkey连接器分别用于可拆卸地连接与所述待测试nand闪存芯片对应的主控板；

所述通讯接口用于连接测试用终端，以使所述测试用终端通过各所述主控板测试各自对应的待测试nand闪存芯片。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，每一所述tsop48端子板的结构相同，所述tsop48端子板中的所述读/写功能扩展定义引脚和所述至少一片选功能扩展定义引脚均连接到所述mkey连接器相应的键位引脚。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，所述读/写功能扩展定义引脚为每一所述tsop48端子板的第3引脚。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，所述片选功能扩展定义引脚的个数为四个，所述四个片选功能扩展定义引脚分别为每一所述tsop48端子板的第21引脚、第22引脚、第26引脚和第27引脚。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，所述第21引脚对应于叠层数为5的nand闪存芯片的片选功能引脚；

所述第22引脚对应于叠层数为6的nand闪存芯片的片选功能引脚；

所述第26引脚对应于叠层数为7的nand闪存芯片的片选功能引脚；

所述第27引脚对应于叠层数为8的nand闪存芯片的片选功能引脚。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，每一所述mkey连接器的类型相同，所述mkey连接器采用a键、b键、m键或e键的mkey连接器。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，所述mkey连接器为m键mkey连接器，所述片选功能扩展定义引脚的个数为四个，

所述读/写功能扩展定义引脚连接所述m键mkey连接器的第17引脚；所述四个片选功能扩展定义引脚分别连接所述m键mkey连接器的第12引脚、第14引脚、第16引脚和第18引脚。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，所述tsop48端子板和所述mkey连接器的插槽端分别位于所述线路板的正面和反面。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，还包括：设置在所述线路板上的至少一测试底座，每一所述tsop48端子板对应一所述测试底座，所述测试底座可拆卸连接在所述tsop48端子板上，所述测试底座用于装载对应的待测试闪存芯片。

在上述的nand闪存测试治具中，进一步地，还包括：设置在所述线路板上的至少一开关，每一所述tsop48端子板对应一所述开关，所述开关用于接通或断开对应的tsop48端子板的电源。

本发明的实施例具有如下优点：

本发明的技术方案通过将设计的测试治具作为母板并将方案主控作为子板，利用子母板的方式，仅更换不同方案的主控子板就可以实现对不同方案商的nand闪存的筛选测试，对于终端厂商而言，可以减少测试治具的重复投入，大大降低了投入成本，实用性强。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本发明实施例的nand闪存测试治具的结构示意图；

图2示出了本发明实施例的nand闪存测试治具的tsop48端子板的结构示意图；

图3示出了本发明实施例的nand闪存测试治具的nand闪存的引脚定义图；

图4示出了本发明实施例的nand闪存测试治具的mkey连接器的结构示意图；

图5示出了本发明实施例的nand闪存测试治具的m键mkey连接器的引脚定义图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

随着存储技术的不断发展，单个flash的存储容量在不断提升，对于nand类型的flash，其具有改写速度快等特点，主要运用于大容量存储。nand闪存的存储密度的提升取决于存储单元层数的叠加，存储单元的堆叠可形成多层结构从而可提升芯片容量。随着nand闪存的容量在不断增加，本发明将提出一种测试治具，不仅可兼容不同厂商的nand闪存，还在兼容现有堆叠层数的nand闪存的基础上，增加了识别其他堆叠层数的nand闪存的功能，这样在需要不断测试新的nand闪存时，该测试治具也同样能够适用，从而可大大降低测试治具的投入成本。下面对该nand闪存测试治具进行详细说明。

实施例1

请参照图1，本发明实施例提出一种nand闪存测试治具，可用于对不同厂商的不同容量的nand闪存芯片的测试量产，对于终端厂商而言，利用该nand闪存测试治具可大大降低测试治具的投入成本等。如图1所示，该nand闪存测试治具包括一线路板10，该线路板10上设有至少一tsop48端子板1和对应个数的mkey连接器2，该线路板10上还设有与每一mkey连接器2连接的通讯接口3。其中，各tsop48端子板1分别用于可插拔地连接待测试nand闪存芯片，各mkey连接器2分别用于可拆卸地连接与所述待测试nand闪存芯片对应的主控板；而通讯接口3则用于连接测试用终端，以使所述测试用终端通过各主控板测试各自对应的待测试nand闪存芯片。

可以理解，该线路板10上的每一个tsop48端子板1对应连接一个mkey连接器2，形成一测试单元以用于测试一个nand闪存芯片。优选地，该线路板10上可设置多个上述的测试单元，以用于同时测试多个nand闪存芯片。其中，每一测试单元中的tsop48端子板1的结构均相同，mkey连接器2的结构也相同。通过在同一线路板10上设置多个测试单元，可提高芯片测试效率，还可以实现通讯接口3的共用，减小占用空间，降低成本等等。

本实施例中，该tsop48端子板1用于可插拔地连接一待测试nand闪存芯片。其中，该待测试nand闪存芯片是指封装形式为薄型小尺寸(thinsmalloutlinepackage，tsop)封装的且引脚个数为48的nandflash芯片。示范性地，该tsop48端子板1可按照图2所示的排序方式设置这48个引脚，并对各引脚进行预先定义。可以理解，该tsop端子板实质为一不具有电路结构的连接器，只有当flash芯片插入该tsop48端子板1时，则对应位置的引脚将相互重合，使得该tsop端子板的各引脚具有该flash芯片对应位置的引脚的功能定义。例如，若nandflash芯片的第12引脚为电源信号引脚vcc，则该tsop48端子板1的第12引脚可定义为vcc引脚。

本实施例中，每一tsop48端子板1包括一读/写功能扩展定义引脚和至少一片选功能扩展定义引脚，所述读/写功能扩展定义引脚和所述至少一片选功能扩展定义引脚均连接到对应的mkey连接器2。其中，这些重新定义的引脚主要是针对对应于该flash芯片中除主要功能引脚之外的可自定义功能的其他引脚，故也称为功能扩展定义引脚。

例如，对于nandflash芯片的典型引脚定义，可按照图3所示的nandflash芯片的引脚进行重新定义。下表1则给出了针对图3所示的各引脚的原始定义与新定义的对照表。其中，对于原始定义一栏，是指tsop48端子板1的48个引脚按照nandflash芯片的各引脚的原有功能进行定义的；对于新定义一栏，是指这48个引脚按照图3对部分引脚的功能进行重新定义。

表1

由表1可知，该tsop48端子板1的第3引脚作为所述读/写功能扩展定义引脚，即定义为r/b信号引脚，可用于识别闪存芯片当前是否可读等。

一个nand闪存的容量与其内部堆叠层数有关，对于不同堆叠层数的闪存，其ce数值不同，考虑对堆叠层数增加的nand闪存芯片的测试，本实施例中，将重新定义多个片选功能引脚，以分别用于识别不同ce数值的nand闪存芯片。

如图3所示，该tsop48端子板1中的片选功能扩展定义引脚的个数可为四个，其中，这四个片选功能扩展定义引脚分别为该tsop48端子板1的第21引脚、第22引脚、第26引脚和第27引脚。

进一步优选地，对于上述的4个片选功能扩展定义引脚，当nand闪存连接于该tsop48端子板1时，该tsop48端子板1的第21引脚将对应于叠层数为5的nand闪存芯片的片选功能引脚，即该第21引脚被定义为ce4信号引脚，用于识别叠层数为5的nand闪存芯片。

进一步优选地，该第22引脚对应于叠层数为6的nand闪存芯片的片选功能引脚，即该第21引脚定义为ce5信号引脚，用于识别叠层数为6的闪存芯片。

进一步优选地，该第26引脚对应于叠层数为7的nand闪存芯片的片选功能引脚，即该第21引脚定义为ce6信号引脚，用于识别叠层数为7的闪存芯片。

进一步优选地，该第27引脚对应于叠层数为8的nand闪存芯片的片选功能引脚，即该第21引脚定义为ce7信号引脚，用于识别叠层数为8的闪存芯片。

应当理解，这些片选功能扩展定义引脚并不限于为四个，其个数可根据实际需求定义。而这四个引脚也不应限于为上述的第21引脚、第22引脚、第26引脚和第27引脚，也可为其他引脚。另外，这四个引脚所对应的堆叠层数的顺序在此也并不作相应限定，具体可根据实际需求来选定。

本实施例中，该mkey连接器2用于可插拔地连接待测试nand闪存芯片对应的主控板，从而使待测试nand闪存芯片与主控板进行对接。其中，该mkey连接器2对应的m.2接口是高速存储产品的一种应用接口。可以理解，通过该m.2接口不仅可以实现不同方案的主控板的更换，还可以更加稳定且快速地传输信号等等。

示范性地，该mkey连接器2可采用a键、b键、e键或m键等不同类型的mkey连接器，其中，不同类型的mkey连接器2，其键位引脚的位置也不相同。例如，图4示出一种类型为m键的mkey连接器，对于该m键mkey连接器，可兼容pcixx2接口、sata接口、usb接口、pcm接口、uim接口、ssic接口以及uart-i2c接口等，其键位(key)引脚为第12引脚～第19引脚，通过对这些key引脚的配置，可使该mkey连接器在不同的场合使用不同的上述几种传输接口，即实现该测试治具的兼容性。

以上述的m键mkey连接器为例，如图5所示，若tsop48端子板1的第3引脚作为所述读/写功能扩展定义引脚，而片选功能扩展定义引脚的个数可为四个，其中，这四个片选功能扩展定义引脚分别为第21引脚、第22引脚、第26引脚和第27引脚时，此时，优选地，所述读/写功能扩展定义引脚将连接所述m键mkey连接器的第17引脚；所述四个片选功能扩展定义引脚分别连接所述m键mkey连接器的第12引脚、第14引脚、第16引脚和第18引脚。应当理解，这些扩展定义引脚与mkey连接器2的键位引脚的连接并不应限于上述的描述，具体可根据实际选用的mkey连接器2的类型来连接。

可以理解，通过对tsop48端子板1的部分特定引脚进行重新定义或扩展定义，并将这些重新定义的引脚分别连接到该mkey连接器2的键位(key)引脚，以利用该mkey连接器2能通过对不同键位引脚的设置而使其能适用于不同接口类型的存储模块，从而可使不同类型的主控板均能够适用于该mkey连接器2，实现该测试治具一对多的兼容性。

本实施例中，该通讯接口3用于将该nand闪存测试治具与测试终端进行连接，以使所述测试用终端通过各主控板测试各自对应的待测试nand闪存芯片。示范性地，该测试终端上安装有所述主控板对应的量产工具(massproductiontool，mpt)软件，通过该量产工具可对多个待测试nand闪存芯片进行同时筛选测试。其中，该测试终端可为计算机等设备。

通常地，不同厂商生产的闪存都配套有对应的主控芯片，相应地也会有不同的量产工具，当然，有些不同厂商的nand闪存也可以使用其他的主控芯片进行测试。例如，对于intel品牌不同型号的nand闪存，有的可采用如慧荣的主控芯片及量产工具，有的也可以采用联阳的主控芯片及其量产工具等。

示范性地，该通讯接口3可包括但不限于为usb2.0接口、usb3.0接口，uart接口等。可以理解，此时的线路板10上还应包括与该通讯接口3对应的接口控制器，该接口控制器与各mkey连接器2连接，用于选择对应的mkey连接器2与测试终端进行访问及测试等。例如，当采用usb3.0接口时，若存在多个上述的测试单元，则这些测试单元可共用该usb3.0接口进行同时测试，此时，可采用如gl3520或vl812等等不同类型的usb3.0集线控制器(hubcontroller)进行不同测试单元的数据传输等。

考虑到线路板10的尺寸及成本成正比，优选地，所述tsop48端子板1和所述mkey连接器2的插槽端分别位于所述线路板10的正面和反面，即分别位于线路板10的不同面，以节省占用空间，进而降低成本等。

考虑到有时可能只需要对部分的待测试nand闪存芯片进行同时测试，优选地，该nand闪存测试治具还包括设置在所述线路板10上的至少一开关，每一tsop48端子板1对应一个开关，所述开关用于接通或断开对应的tsop48端子板1的电源。这样方便用户针对性地对多个闪存芯片中某一个或几个进行测试，而不用将不需要测试的反复插拔等，可提高测试效率等。

可选地，该nand闪存测试治具还包括设置在所述线路板10上的至少一个测试底座，每一tsop48端子板1对应一个测试底座，所述测试底座可拆卸连接在所述tsop48端子板1上，所述测试底座用于装载对应的待测试闪存芯片。

本发明实施例的nand闪存测试工具作为母板，通过对tsop48端子板的部分引脚进行功能重新定义，并利用m.2接口来实现待测试nand闪存芯片与主控板之间的对应，不仅传输信号可靠，还能兼容不同类型的闪存，在需要对不同方案厂商的nand闪存进行测试时，仅需要在tsop端子板插入待测试闪存芯片，并相应地替换对应的主控板，即可实现对不同方案厂商的nand闪存芯片的筛选测试，对于终端厂商而言，极大地节省了投入测试治具的成本等。同时，通过重新定义了对应于不同ce数值的nand闪存芯片片选功能引脚，可实现对不同容量的nand闪存进行兼容测试，增加了测试治具的使用场景等。

在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。