1.一种存储器装置，包括：
擦除操作控制器，对存储块执行擦除操作；
擦除暂停计数管理器，管理擦除暂停计数，所述擦除暂停计数表示在完成对所述存储块的所述擦除操作之前，暂停所述擦除操作的次数；以及
编程参数值确定器，基于所述擦除暂停计数来确定待用于对所述存储块的编程操作的参数值。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，进一步包括编程操作控制器，使用所确定的参数值对所述存储块执行所述编程操作。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述编程操作是软编程操作或普通编程操作。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述参数值对应于编程起始电压、编程循环数量或编程阶跃电压。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述编程参数值确定器确定所述编程起始电压随着所述擦除暂停计数增加而具有更高的电压电平。
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述编程参数值确定器确定所述编程循环数量随着所述擦除暂停计数增加而更大。
7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述编程参数值确定器确定所述编程阶跃电压随着所述擦除暂停计数增加而具有更高的电压电平。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述编程参数值确定器根据编程参数策略来确定与所述擦除暂停计数相对应的参数值，所述编程参数策略定义关于暂停擦除操作的次数的参数值。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述编程参数策略包括与软编程操作相对应的第一编程参数策略和与普通编程操作相对应的第二编程参数策略中的至少一个。
10.根据权利要求8所述的存储器装置，进一步包括策略存储装置，存储所述编程参数策略。
11.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括：
当接收到对应于存储块的擦除命令时，对所述存储块执行擦除操作；
当在正在对所述存储块执行所述擦除操作时接收到对应于所述存储块的擦除暂停命令时，暂停对所述存储块的所述擦除操作；
当在暂停对所述存储块的所述擦除操作时接收到对所述存储块的擦除重启命令时，重启对所述存储块的所述擦除操作；
对在完成对所述存储块的所述擦除操作之前接收到所述擦除命令的次数进行计数，以生成计数数量；并且
基于所述计数数量确定待用于对所述存储块的编程操作的参数值。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：使用所确定的参数值对所述存储块执行所述编程操作。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述编程操作是软编程操作或普通编程操作。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述参数值对应于编程起始电压、编程循环数量或编程阶跃电压。
15.根据权利要求14所述的方法，其中确定所述参数值包括：确定所述编程起始电压随着所述计数数量增加而具有更高的电压电平。
16.根据权利要求14所述的方法，其中确定所述参数值包括：确定所述编程循环数量随着所述计数数量增加而更大。
17.根据权利要求14所述的方法，其中确定所述参数值包括：确定所述编程阶跃电压随着所述计数数量增加而具有更高的电压电平。
18.根据权利要求11所述的方法，其中确定所述参数值包括：根据编程参数策略来确定与所述计数数量相对应的参数值，所述编程参数策略定义关于暂停所述擦除操作的次数的参数值。
19.一种存储器装置，包括：
存储块，存储数据；
外围电路，对所述存储块执行擦除操作和编程操作；
擦除操作控制器，控制所述外围电路以执行所述擦除操作；以及
编程操作控制器，控制所述外围电路以利用参数值来执行所述编程操作，所述参数值取决于在所述擦除操作完成之前暂停所述擦除操作的次数。