振荡电路及存储器的制作方法

文档序号:29792301发布日期:2022-04-23 17:57阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种振荡电路,其特征在于,所述振荡电路至少包括:基准电流产生模块,用于产生与电源电压无关的基准电流;基准电压产生模块,用于产生与电源电压线性相关的基准电压;充放电模块,连接于所述基准电流产生模块及所述基准电压产生模块的输出端,基于所述基准电流及所述基准电压对两条相同的充放电通路进行充放电,其中,两条充放电通路的充放电状态相反,且放电时间与所述电源电压无关;反馈模块,连接于所述充放电模块的输出端,基于所述充放电模块的输出信号产生所述充放电模块的充放电控制信号;以及,时钟输出模块,连接于所述反馈模块的输出端,基于所述充放电控制信号产生时钟信号。2.根据权利要求1所述的振荡电路,其特征在于:所述基准电流产生模块包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第一nmos管、第二nmos管及电阻;所述电阻的一端接地,另一端连接所述第一nmos管的源极;所述第一nmos管的漏极连接于所述第一pmos管的漏极和栅极;所述第一pmos管的源极连接所述电源电压;所述第二pmos管的源极连接所述电源电压,栅极连接所述第一pmos管的栅极,漏极连接所述第二nmos管的漏极和栅极;所述第二nmos管的栅极连接所述第一nmos管的栅极,源极接地;所述第三pmos管的源极连接所述电源电压,栅极连接所述第一pmos管的栅极,漏极输出所述基准电流。3.根据权利要求1所述的振荡电路,其特征在于:所述基准电压产生模块包括第四pmos管、第五pmos管及第一电流源;所述第四pmos管的源极连接所述电源电压,栅极和漏极连接所述第五pmos管的源极;所述第五pmos管的栅极和漏极连接所述第一电流源;所述第五pmos管的漏极输出所述基准电压。4.根据权利要求3所述的振荡电路,其特征在于:所述第一电流源由所述基准电流通过电流镜镜像得到。5.根据权利要求1所述的振荡电路,其特征在于:所述充放电模块包括第一充放电通路及第二充放电通路;所述第一充放电通路包括第六pmos管、第七pmos管、第三nmos管、第二电流源及第一电容;所述第六pmos管的源极连接所述电源电压,栅极接收第一充放电控制信号,漏极连接所述第一电容的上极板;所述第一电容的下极板接地;所述第七pmos管的源极连接所述第一电容的上极板,栅极连接所述基准电压,漏极连接所述第三nmos管的漏极并输出第一充放电信号;所述第三nmos管的栅极接收所述第一充放电控制信号,源极连接所述第二电流源;所述第二充放电通路包括第八pmos管、第九pmos管、第四nmos管、第三电流源及第二电容;所述第八pmos管的源极连接所述电源电压,栅极接收第二充放电控制信号,漏极连接所述第二电容的上极板;所述第二电容的下极板接地;所述第九pmos管的源极连接所述第二电容的上极板,栅极连接所述基准电压,漏极连接所述第四nmos管的漏极并输出第二充放电信号;所述第四nmos管的栅极接收所述第二充放电控制信号,源极连接所述第三电流源;其中,所述第一充放电控制信号与所述第二充放电控制信号为反相信号。6.根据权利要求5所述的振荡电路,其特征在于:所述第一充放电控制信号与所述第二
充放电控制信号的占空比为50%。7.根据权利要求5所述的振荡电路,其特征在于:所述第二电流源及所述第三电流源由所述基准电流通过电流镜镜像得到。8.根据权利要求7所述的振荡电路,其特征在于:所述时钟信号的周期满足:t
clk
=(2c*v
thp
)/(k*ibias);其中,t
clk
为时钟周期,v
thp
为pmos器件的阈值电压,c为所述第一电容与所述第二电容的容值,ibias为所述基准电流,k为产生所述第二电流源与所述第三电流源的镜像倍数。9.根据权利要求5-8任意一项所述的振荡电路,其特征在于:所述反馈模块包括rs锁存器、与逻辑单元及或逻辑单元;所述rs锁存器的第一输入端接收所述第一充放电信号,第二输入端接收所述第二充放电信号;所述与逻辑单元的第一输入端连接使能信号,第二输入端连接所述rs锁存器的第一输出端,输出所述第二充放电控制信号;所述或逻辑单元的第一输入端所述使能信号的反信号,第二输入端连接所述rs触发器的第二输出端,输出所述第一充放电控制信号。10.根据权利要求9所述的振荡电路,其特征在于:所述rs锁存器包括第一与非逻辑单元及第二与非逻辑单元,所述第一与非逻辑单元的第一输入端连接所述第一充放电信号,第二端连接所述第二与非逻辑单元的输出端,输出端作为所述rs锁存器的第一输出端;所述第二与非逻辑单元的第一输入端连接所述第二充放电信号,第二端连接所述第一与非逻辑单元的输出端,输出端作为所述rs锁存器的第二输出端。11.根据权利要求1所述的振荡电路,其特征在于:所述时钟输出模块包括第一驱动单元及第二驱动单元;所述第一驱动单元接收所述第二充放电控制信号,产生第一时钟信号;所述第二驱动单元接收所述第一充放电控制信号,产生第二时钟信号;所述第一时钟信号与所述第二时钟信号为反信号。12.一种存储器,其特征在于,所述存储器至少包括:如权利要求1-11任意一项所述的振荡电路,所述振荡电路为所述存储器提供时钟信号。13.根据权利要求11所述的存储器,其特征在于:所述振荡电路为所述存储器中的高压产生模块提供时钟信号。14.根据权利要求11或12所述的存储器,其特征在于:所述存储器为nor flash。

技术总结
本发明提供一种振荡电路及存储器,包括:基准电流产生模块,产生与电源电压无关的基准电流;基准电压产生模块,产生与电源电压线性相关的基准电压;充放电模块,基于基准电流及基准电压对两条相同的充放电通路进行充放电,其中,两条充放电通路的充放电状态相反,且放电时间与电源电压无关;反馈模块,基于充放电模块的输出信号产生充放电模块的充放电控制信号;时钟输出模块,基于充放电控制信号产生时钟信号。本发明的振荡电路可生成低功耗、与电源电压无关、频率稳定可调且占空比50%的时钟信号,应用范围广;在NOR FLASH存储器中,可为NOR FLASH存储器的高压产生模块提供高质量的时钟信号,提高存储器的工作性能。提高存储器的工作性能。提高存储器的工作性能。


技术研发人员:陈斌 孙英
受保护的技术使用者:中天弘宇集成电路有限责任公司
技术研发日:2021.12.29
技术公布日:2022/4/22
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