技术特征：
1.一种半导体存储装置，包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括磁化反转存储元件和控制流向所述磁化反转存储元件的电流的第一开关元件；和控制电路，执行基于所述磁化反转存储元件的、写入错误率曲线相对于写入电压的非对称性的写入控制。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述控制电路执行通过控制所述第一开关元件的导通时段而使wa和wb彼此不同的所述写入控制，其中wa是向所述磁化反转存储元件写入第一状态时的脉冲宽度，并且其中wb是向所述磁化反转存储元件写入第二状态时的脉冲宽度。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，当将所述第一状态写入所述磁化反转存储元件时的脉冲为第一脉冲，并且将所述第二状态写入所述磁化反转存储元件时的脉冲为第二脉冲时，所述控制电路在写入时段中向所述磁化反转存储元件输出所述第一脉冲，并在消隐时段中向所述磁化反转存储元件输出所述第二脉冲。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述控制电路通过控制所述第一开关元件的导通时段来执行所述写入控制以使wa小于wb。5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述控制电路将所述多个存储器单元划分为多个组，并基于每个组中的单个存储器单元中包含的所述磁化反转存储元件的状态，判断是否需要向每个组写入所述第二状态。6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述多个存储器单元被划分为多个组，以及其中，所述半导体存储装置进一步包括：多条布线，为每个组逐一设置并耦接到每个存储器单元的第一开关元件；以及多个第二开关元件，为每条布线逐一设置，并控制在向所述磁化反转存储元件写入所述第二状态时使用的电压向布线的供应。7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，每个存储器单元包括多个所述磁化反转存储元件以及控制流向所述多个磁化反转存储元件中的每个的电流的多个所述第一开关元件。8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，所述多个磁化反转存储元件在数据保持特性方面彼此不同。9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述多个磁化反转存储元件被设置为使得形成材料或尺寸中的至少一个或多个彼此不同。10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，所述多个磁化反转存储元件被设置为使得要形成的层的高度彼此不同。11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个存储器单元被划分为多个存储器单元阵列，以及每个存储器单元阵列由包括所述磁化反转存储元件的存储器单元构成，该磁化反转存储元件针对每个存储器单元阵列在数据保持特性方面彼此不同。12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中每个存储器单元包括多个所述磁化反转存储元件以及控制流向所述多个磁化反转存
储元件中的每个的电流的多个所述第一开关元件，以及包含在同一存储器单元中的所述多个磁化反转存储元件具有相同的数据保持特性。13.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中所述多个存储器单元阵列包括第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列，所述第一存储器单元阵列临时保持输入到所述半导体存储装置的数据，所述第二存储器单元阵列以非易失性方式存储在所述第一存储器单元阵列中临时保持的数据，以及在构成所述第二存储器单元阵列的存储器单元中包含的磁化反转存储元件的数据保持特性高于在构成所述第一存储器单元阵列的存储器单元中包含的磁化反转存储元件的数据保持特性。
技术总结
根据本公开的一个实施例的半导体存储装置包括多个存储器单元和控制电路。每个存储器单元包括磁化反转存储元件和控制流向磁化反转存储元件的电流的第一开关元件。控制电路执行基于磁化反转存储元件的、写入错误率曲线相对于写入电压的非对称性的写入控制。对于写入电压的非对称性的写入控制。对于写入电压的非对称性的写入控制。
技术研发人员：辰野太郎
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.04.07
技术公布日：2022/11/25