专利名称：小磁心金属磁头换能器及其制造方法
技术领域：
本发明的主题与本专利申请同时申请的由Beverley R.Gooch和George R.Varian发明的题为“叠片式高频电磁换能器及其制造方法”的专利申请的主题有关，该专利申请也转让给本发明的受让人。
本发明总的说来涉及磁头换能器，更具体地说，涉及一种用溅射条来形成磁心柱的小磁心金属磁头换能器。
磁带数据记录器的性能在很大程度取决于制造记录磁头和记录磁带的磁性材料的性能，并取决于受这些材料影响其磁性的结构形式。制造记录磁带和其它有关的记录媒体主要采用硬磁性材料，这些材料的特点是，剩余磁通密度高，矫顽磁力小，磁导率低。另一方面，表现为矫顽磁力小，剩余磁通密度低磁导率较高的软磁材料，则通常用来制造磁头的磁心，以将电信号记录到磁带上并从磁带重放电信号。
一般的环式磁头是由两个高磁导率磁心构成的，磁心有一个非磁性的间隙隔片和一个线圈，信号信息即加到这个线圈上。记录磁头是一种换能器，它将来自信号系统的电能变换成磁场，从磁头的实际间隙发放出来，同时将与电信号成正比的磁性图案压印在磁带上。重放磁头也是一种换能器，但它相反是收集从磁带穿过实际间隙的磁力线，再将其变换成与所记录的磁通量成正比的电信号。
录像磁头的磁性材料习惯上采用铁氧体材料。但随着高清晰度磁带录象机、数字磁带录象机、计算机数字数据存储装置等的出现，使记录媒体采用高矫顽磁力的记录媒体，例如金属粉末媒体、金属蒸发媒体等，这加速了向记录甚至更大量信息的高密度结构的方向发展的趋势。作为这个发展趋势的一部分，就要求提高在媒体上记录的信息信号的频率。传统的铁氧体完全不能提供实现这些用途所需的理想性能。铁氧化磁心本性脆弱，不能制成宽度窄的磁迹或薄磁心叠片，因为消除不了制造过程中铁氧体材料因具本性引起的碎裂和断裂。
除了铁氧体磁头有关的制造问题，还有性能问题，特别是当这类磁头与高矫顽磁力的磁带配用时，和特别是在记录过程中，更是如此。在记录过程中，较大的信号需要有高矫顽磁力的磁带而不是普通的磁带。在重放过程中采用铁氧体磁头，性能问题并不严重，因为来自磁带的信号电平要小得多。但记录信号提高时，它必然使铁氧体磁头趋于饱和。此外，在重放的过程中还可以观察到因这种高矫磁力磁带与铁氧体磁头接触而产生突出的噪声电平，从而需要更多的信号使信噪比达到可容许的程度。块状金属同样在性能上也有缺点，主要在于其高频响应差。
考虑到上述各点，因而有人考虑采用任何数目的其它市面上出售的磁通密度饱和性能较高的磁性材料，这类材料包括钴锆铌(CZN)合金、铁铝硅合金，这包括Alfesil、Sendust、Spinalloy或Vacodur，它们各个的标称组成是85%的铁、6%的铝和9%的硅，还包括非晶质金属。
除了要考虑所使用磁头心材料的磁性能外，支配磁头性能在设计上关键考虑的问题是磁迹宽度、间隙深度和磁心的几何结构(例如磁路长度)。这些参数各个必须按磁带记录机的设计标准选择，同时保持磁头效率尽可能高。
因此，迫切需要有一个经改进的高频电磁换能器，这种换能器的磁路短以减小磁心的磁阻，且使减小了的磁心磁阻受磁心所采用的磁性材料的磁导率的影响较小。此外，磁损耗应减小，磁心材料在正常记录信号电平下使用时不应进行饱和状态。这种换能器的制造应满足下列要求产量高、精确度高、成本低且性能高度均匀。本发明满足了这些要求，且还具有有关的各项优点。
本发明的上述和其它目的是通过提供重放和/或在磁带上记录高频信号用一种经改进的磁换能器，该换能器有通常完全相同的第一和第二部分，该两部分相向接合在一起时形成这样的一个换能器换能器在毗邻各极端处有一个成形的绕组孔口，还有一个开设在下方的绕组孔口，两个绕组孔口是为在其中容纳线圈线匝而配置的，使线圈处在换能器间隙的轴线上，磁心柱由两个象Alfesil之类的条形材料用例如溅射法敷到非磁性衬底上构成。
各磁心部分形成细长非磁性块状衬底的一部分，开始时在一个公用表面两边缘形成对置的细长接合切口和一个靠近其中一个切口的中间绕组槽。槽形表面上和绕组槽中淀积有铬粘附层，铬粘附层上是一层象Alfesil材料之类适当磁性材料组成的磁心层。然后在该工件上形成一排或多个等间距配置垂直于绕组槽取向的由V字形磁迹宽度界定的沟槽，然后平行或靠近第一绕组槽开设第二绕组槽。磁迹宽度槽和第二绕组槽，它们的深度应足以完全穿过粘附层和磁心层，从而形成多个通常平行彼此分隔的磁心部分。然后在槽状表面上淀积上一层铬粘附层，再淀积上诸如氧化铝或二氧化硅之类的合适材料组成的适当绝缘层或间隙层。接着将该两个工件毗邻对置对齐，再借助于两个接合切口用玻璃粘接起来，玻璃的温度和流动的时间要控制得使玻璃不致流入绕组窗口中。
磁心的尺寸非常小，因而磁路短。由于磁路非常短，磁心的磁阻受磁心磁导率影响的程度就较小，从而在75至150兆赫频率范围内的磁通效率增益突出。整个换能器是用例如材料淀法制造出来的，产量高，精确度极高，成本低。成批生产时，大量换能器的所有磁心材料是在同一工序中淀积上的，全部换能间隙也是同时形成的。这样就使所有的换能器质量高度均匀。
从下面结合附图所作的说明可以清楚了解本发明的其它特点和优点，附图中同样的编号表示若干视图中同样的元件。
图1是本发明间隙换能器中金属磁头成品的透视图。
图2至图4展示制造和装配图1的换能器时所采用的顺序方法中各步骤的透视图。
图5是沿图4的5-5线截取的工件部分的剖视图。
图6是两个工件部分对置时的部件分解透视图。
图7是与图6类似的视图，两工件部分在粘接之前处于毗邻对置的情况。
图8和图9示出了用以粘接图1换能器两部分的两步玻璃粘接法的透视图。
图10是图1的换能器沿图1中10-10线截取的剖视图。
图11是图1的换能器进一步加工以用在旋转磁头组件上的透视图。
图12是图11换能器部分顶视图的示意图。
现在参看附图，特别参看图1，图中示出了总编号为10的磁头或换能器，换能器10由总编号为12、14的第一和第二两半磁心形成，这两半磁心在谈到其制造过程时显然会知道是形状和结构完全相同的两半，必要时，两者可以同时制成。该换能器经装配后形成通常呈板状的薄截面构件，这是通过例如将两半换能器块件对齐和粘接在一起之后切成片制成的。
也请参看图2至图10。换能器10有第一和第二通常完全相同的部分或两半磁心12、14，该两半磁心对置粘接在一起时形成这样的一个换能器，换能器在毗邻各极端处有一个成形的绕组孔口30，还有一个开设在下方的绕组孔口44，两个绕组孔口是为在其中容纳线圈35的线匝而配置的，使线圈35处在换能器10的间隙轴线上，磁心柱由两个象Alfesil之类的材料条淀积或溅射到非磁性衬底上构成。在本实施例中，最好采用溅射法。
各磁心部分或两半磁心12、14形成细长非磁性块衬底20的一部分，开始时在公用表面22两边缘形成对置的细长接合切口26、28和一个靠近其中一个切口的细长绕组槽30。槽状表面22上和绕组槽30中淀积有铬粘附层32，铬粘附层32上是一层象Alfesil材料之类的合适高频磁性材料组成的磁心层34。虽然也可以采用钴锆铌合金，但在此最佳实施例中采用了Alfesil。然后在该工件上形成一排或多个等间距配置垂直于绕组槽30取向的由V字形磁迹宽度界定的沟槽40a-40j，然后平行或靠近第一绕组槽30开设第二绕组槽44。磁迹宽度槽40a-40j和第二绕组槽44，它们的深度应足以完全穿过粘附层32和磁心层34，从而形成多个毗连的通常平行的磁心部分。然后在槽状表面22上淀积上第二铬粘附层52，再淀积上诸如氧化铝或二氧化硅之类的合适材料组成的适当绝缘层或间隙层54。接着将该两个工件毗邻对置对齐，再借助于两个由两对对置着的接合切口形成的槽用玻璃粘接起齐，玻璃57的温度和流动时间要控制得使玻璃不致流入绕组窗口中。
现在参看图2至图5说明制造本发明高频电磁换能器10的各磁心部分或两半磁心12、14过程中所采用的顺序方法步骤。具体参看图2。本方法的起始着眼点是由适当的非磁性非导电材料(例如钛酸钙)、其它陶瓷材料或其它类似的绝缘材料组成通常细长而薄的衬底块20。开始时，衬底20起码有两个彼此相互垂直的第一和第二表面22和24;以下称表面22为接合表面，表面24为磁头边缘表面。然后用一般机械加工方法或反应离子束蚀刻法(RIBE)使衬底20形成一定的形状，即在衬底20的上下(从图中看去)纵向边缘形成总编号分别为26和28的第一和第二纵向延伸的呈直角的接合切口。切口26、28通常(在垂直于接合表面22方向上的)深度相等，且其一个表面通常垂直于接合表面22。衬底20毗邻其上边缘的接合表面22上形成有线圈绕组槽30靠近偏离上接合切口26。绕组槽30可以取任何适当的形状，例如，V字形、U字形或半圆形，对槽30的形状和深度要求的主要作用是在下面即将谈到的与另一部分接合时其尺寸应足以容纳线圈绕组。
参看图3。衬底20形成且使其呈一定的形状之后，在表面22上淀积上一层适当的物质(例如铬)组成的粘附层32，再在粘附层32上淀积上磁心层34，磁心层34由适当的高磁导率磁性合金材料组成，例如Alfesil，这是一种铁铝硅合金，其标称组成为85%的铁、6%的铝和9%的硅。选用粘附层32的组成时既要考虑到其与衬底20材料组成的兼容性，也要考虑到其与磁心层34组成的兼容性。铬层32和Alfesil层34可以用象溅射一类的适当方法淀积，铬层的厚度要合乎规定，通常在2至3微英寸(即50.8-76.2nm)左右。磁心层34的厚度约0.001英寸(即25.4μm)，磁头10的磁心主要即由磁心层34构成。淀积32、34各层时，用任何适当的方法(例如采用掩模法等)保护各接合切口，使材料不致淀积列切口上。
从图4中可以看到，接着在部分加工好的工件上开设磁迹宽度等间距配置的切口40a-40j，切口40a-40j在垂直于边缘表面的方向延伸，其深度足以穿过各薄层32和34，穿透深度约为接合表面26、28深度的一半。磁迹宽度切口可用任何一般的方法形成，例如，采用一般机械加工方法或反应离子束蚀刻法。磁迹宽度切口40a-40j，在水平平面(从图中以及从图5中看去)对称配置，它们的横截面最好呈V字形，这样，在稍后即将谈到的切成片之后，各极端35的横截面呈梯形，梯形形成磁迹宽度的短(或前)柱或边的尺寸用TW表示，约为0.002英寸(即50.8μm)。也可以先开设磁迹宽度切口40a-40j，再用例如溅射法敷上磁心层34。特定顺序的选择更多的是考虑所使用设备的功能。在溅射之前开切口时，在某些情况下可能需要在溅射之前去毛刺，但这取决于所使用的方法。
接着在通常平行于上绕组槽30的方向上开更深的纵向绕组槽44，槽44的深度大于相交的磁迹宽度槽40a-40j的深度，且大于接合切口26，28的深度。槽44开设的方向通常垂直于接合表面22所界定的平面，槽口通过各薄层32、34延伸，一直延伸入衬底体20中。
槽44偏离绕组槽30预定的距离开设，无论在长度或宽度上基本上都大于槽30。绕组槽30与毁口26的毗邻表面之间的距离与磁迹宽度(TW)一起确定了前间隙的面积，槽30与槽40的毗邻上边缘之间的距离与磁迹宽度(TW)一起确定后间隙的面积，该预定距离选取得使磁阻比约为10∶1，即前间隙的磁阻为后间隙磁阻的10倍。Alfesil磁心层34在绕组槽44下面的部分于是就完全处在要制造的换能器10的磁路之外。因此绕组槽44的位置确定换能器磁心的长度，即磁心层34在槽44上方的尺寸。槽44上方的磁心层可以看作由三部分组成最顶部分，相当于前间隙部分的磁头心部分;中间部分，即绕组槽30;和下磁心部分，在绕组槽34与40之间，相当于后间隙部分。
图5是附加淀积层的放大截面图。先是淀积上大约1至2微英寸(即25.4至50.8nm)的第二铬粘附层52，再淀积上绝缘层或间隙层54，其厚度为所要求的磁道间隙间距的一半。在本实施例中，间隙层约为4微英寸(即101.6nm)，因而间隙距为12微英寸(即304.8nm)。铬粘附层32可有可无，若在所使用的制造工艺中间隙层54与磁心层34能很好地粘附，则可以取消铬粘附层32。
如图6和图7中所示，两半磁心12、14是由两个相同的块件20、20＇组成的部分，彼此面对安置着，各块件的极面彼此面对着对齐。各块件20，20＇的极面实际上是表面22的剩余部分，上述各淀积层即顺次淀积在表面22上。组件20＇与组件20完全相同，为便于叙述，其相应各元件都用相同的编号加上上撇号(＇)表示。组件20、20＇彼此面对面邻接配置，在这种情况下，从图中可以看到，于是就形成有上绕组窗口和下绕组窗口，前者由两个窗口槽30、30＇形成，后者由两个切出的窗口槽44，44＇形成。成对的上接合切口26、26＇和成对的下接合口28、28＇分别形成上下接合槽。然后将两半磁心12、14适当地夹持在一起准备接合。
用玻璃接合法将块件20、20＇接合在一起时，要小心防止玻璃接合材料进入绕组窗口中。为此采用了两步接合法，图8和图9即举例说明了这个方法。先参看图7，在V字形槽40a-40j面对面与相应的槽40a＇-40j＇配置的情况下，两块件20、20＇的界面处就形成通常呈钻石形的孔口39a-39j。这些孔口39a-39j横切复合块件的深度，且给由绕组槽30、30＇构成的上绕组线圈窗口和由槽44、44＇构成的下绕组窗口提供流体流动的通路。如图8(这是通过由此形成的其中一个孔口截取的横截面)所示，首先把复合块件倒转过来，使各绕组窗口配置在复合块件底部。在毗邻接合切口28、28＇形成的槽中配置适当的玻璃棒56，然后将块件和玻璃加热到预定的温度，历时预定的时间，在该期间，玻璃棒56与熔融玻璃56＇一起熔化，流入接合槽并流入与槽44、44＇所构成的绕组窗口相隔一段距离的孔口39a-39j中。
然后将夹持好的复合块件转180度，并将第二玻璃棒57安置入由毗邻的成对接合切口26、26＇形成的槽中。接着将块件和玻璃棒57在预定温度下加热预定的时间，直到熔融的玻璃57＇流入与毗邻各槽30、30＇构成的绕组窗口只间隔一段距离的各孔口只间隔一段距离的各孔口是为止。选择玻璃棒56(和57)的组成使其与衬底(即衬底块件20、20＇的钛酸钙材料)的热膨胀系数相匹配。先把块件在倒转的位置加热，就可以使玻璃56＇需要流经更长的距离才能到达槽44、44＇所构成的绕组窗口。玻璃56＇一旦流入孔口39a-39j中并开始凝固时，就可以将组件倒转过来。第二玻璃棒57放入切口26、26＇所形成的接合槽中时，玻璃流动的距离，即从接合槽到槽30、30＇所形成的绕组窗口的距离非常小。因此该玻璃流动所需要的附加时间变短。在任何情况下，玻璃在任何一个位置的流动都作为达到所需效果的温度和时间的函数加以控制的。
这时将衬底块件20、20＇沿图7中所示的切割线60切成片就可以制取一个个的换能器10。这些切割线60通常与衬底块件20、20＇的边成一个φ角，以形成记录方位所要求的角。各个换能器10每次切成一片，但通常的作法是将所有的换能器10同时一次过地切成许多片。
图10以侧视方向示出了图1换能器10切成片的坯件的剖视图，线圈35的各线匝穿过上下绕组窗口。为便于说明，示图是经过放大了的，实际上换能器10的实际尺寸是非常小的。图11和12示出经过进一步处理后用于旋转磁头组件的换能器10。从图中可以看到，换能器10的磁头表面呈圆形或取一定的轮廓，磁头的几何尺寸因除去了形成横向切口或台肩部分25a，25b而进一步改变，从而形成窄的脊条部分25c，磁带即在该脊条上移动。在实践中，在装配的过程中，该形成轮廓和切口的工序是在衬底块件20、20＇切成片之前进行的。首先使磁头表面24形成一定的轮廓，然后在切割线60处形成适当宽度的槽(见图7)，接着在这些槽的中点将块件切成片，形成图10中所示的形状。图11示出了加工的结果，这时磁迹宽约0.002英寸(即50.8μm)，换能器的厚度T约0.008英寸(即203.2μm)，得出的脊条25c的厚度X约为0.004英寸(即101.6μm)。
举例说，各换能器10的长度和宽度约在0.100至0.125英寸(即2.54-3.18mm)的范围，厚度约在0.008至0.020英寸(即203.2-508μm)的范围。磁心层34起作用的磁性部分，即磁心层34在槽44、44＇形成的绕组窗口上方的部分，其尺寸“A”约为0.016英寸(即406.4μm)，因而磁心的尺寸非常小。间隙深度尺寸B约为0.001英寸，上绕组窗口尺寸“C”约为0.004英寸，在上下绕组窗口之间留出大约0.011英寸(即279.4μm)的间隙。因此，线圈35通常与间隙的平面在同一个平面上，绕组的长度(各窗口之间的距离)为0.001英寸，(槽30，30＇形成的)上绕组窗口仅为0.004英寸，其中基本上充满线圈35的线匝，线圈35距磁媒体或磁带表面通路的距离仅为0.001英寸。从图10可以看得最清楚，槽30、30＇所形成的窗口几乎是方的，槽30的角度β约为45度。
在如此间隙中有金属的变换器10中，磁路上有两个间隙前间隙和后间隙。间隙面对后间隙表面的表面积比间隙面对前间隙表面的面积大，在这种情况下，后间隙形成的磁阻比起前间隙的小得多，因而磁力线集中在前间隙非常靠近线圈35处。按本发明构制的换能器10体积非常小，因而也减小了线圈35每匝绕组的电感，这样，谐振频率已知时，可以绕更多的线匝数，从而提高磁头的输出电压。
磁心的实际体积小，因而磁路的长度小。在磁路非常短的情况下，磁心的磁阻就不太受磁心磁导率的影响，因而在100至150兆赫频率范围内，增益非常突出。整个换能器10是用例如材料淀积法和溅射法制造出来的，产量高，精确度非常高，成本低。成批生产时，大量换能器10所有的磁心材料是在同一个工艺工序中淀积出来的，且所有换能间隙都是同时形成的。这使所有的换能器10质量高度均匀。与同大小的铁氧体磁头相比，本发明的间隙中有金属的变换能器在有关频率范围内的信号电平约提高了6分贝，且因磁带与换能器接触引起的噪声电平大大地减小了。
换能器10的结构经济实惠，直截了当，不复杂，而且高度简单。本发明的换能器10实质上是在衬底成形的表面边缘上的两个溅射形成的磁心柱。本发明的制造方法简单，不复杂，因而应用现有的一般易于物色到的制造设备就能制造出成本低、磁通密度利用率高的换能器。
熟悉本技术领域的行家们都知道，这里所介绍的层叠式高频电磁换能器及其制造方法是可以作种种修改和改进的。因此，这里所作的说明不会因此限制了本发明的范围，本发明仅受到所附权利要求书的限制。
权利要求
1.一种磁换能器，用磁性媒体以重放和/或记录高频信号，包括一对通常完全相同的磁心部分，其表面边缘为一个绝缘间隙所分隔，并接合在一起形成通常垂直于所述边缘的表面，各磁心部分的表面边缘上淀积有一层高磁导率磁性材料薄层，所述边缘的形状取得使两边缘对置在一起时，所述成对磁心部分形成毗邻所述表面的第一绕组窗口；第二绕组窗口，在所述成对的磁性部分中靠近所述第一窗口形成，且在离开所述表面的方向上偏离第一窗口；以及线圈装置，穿过所述窗口，与所述各边缘的交界部分对齐，所述线圈装置基本上充满所述第一绕组窗口。
2.如权利要求1所述的磁换能器，其特征在于，所述磁心部分基本上由绝缘材料制成。
3.如权利要求2所述的磁换能器，其特征在于，表面边缘的宽度确定了磁迹宽度，且所述高磁导率材料薄层是溅射出来的磁性材料。
4.如权利要求3所述的磁换能器，其特征在于，所述磁性材料是从钴锆铌合金和铁铝硅合金所组成的合金组中选取的。
5.如权利要求4所述的磁换能器，其特征在于，所述绝缘材料从氧化铝、二氧化硅和陶瓷所组成的物料组中选取。
6.如权利要求1所述的磁换能器，其特征在于，所述第二绕组窗口的面积基本上大于所述第一绕组窗口的面积。
7.根据权利要求1所述的磁换能器，其特征在于，所述第一与第二绕组窗口之间的间距基本上大于所述表面与所述第一绕组窗口之间的间距。
8.如权利要求7所述的磁换能器，其特征在于，所述第一与第二绕组窗口之间的间距约比所述表面与所述第一绕组窗口之间的间距大10倍。
9.如权利要求4所述的磁换能器，其特征在于，所述薄层是大约千分之一英寸(即25.4μm)的溅射层。
10.如权利要求9所述的磁变换器，其特征在于，所述表面与所述第一窗口之间的间距约为千分之一英寸(即25.4μm)。
11.一种磁换能器，用磁带媒体以重放和/或记录高频信号，包括一对通常完全相同的磁心部分，其表面边缘为一绝缘间隙所分隔并接合在一起形成通常垂直于所述边缘的表面，所述表面的形状取得使其偏离吡邻的磁带媒体，各磁心部分包括一衬底，由绝缘材料制成，且具有其中的一个所述表面边缘;一薄层，由高磁导率的磁性材料淀积在所述表面边缘上形成，所述边缘的形状取得使其与另一类似的边缘对置在一起时，所述边缘形成第一和第二绕组窗口，而其中一个所述窗口紧挨所述表面;以及一个信号线圈，穿过所述各窗口，与所述各边缘的交界处一般对齐，所述信号线圈基本上充满毗邻所述表面的绕组窗口。
12.如权利要求11所述的磁换能器，其特征在于，所述高磁导率材料制成的薄层是溅射的磁性材料。
13.如权利要求11所述的磁换能器，其特征在于，所述磁性材料从钴锆铌合金和铁铝硅合金所组成的合金组选取。
14.如权利要求12所述的磁换能器，其特征在于，所述绝缘材料从氧化铝、二氧化硅和陶瓷所组成的物料组选取。
15.如权利要求11所述的磁换能器，其特征在于，绕组窗口毗邻所述表面的面积基本上小于另一绕组窗口的面积。
16.如权利要求11所述的磁换能器，其特征在于，所述各绕组窗口之间的间距约比所述表面与毗邻所表面的绕组窗口之间的间距大10倍。
17.如权利要求11所述的磁换能器，其特征在于，所述薄层是大约千分之一英寸(即25.4μm)的溅射层。
18.如权利要求16所述的磁换能器，其特征在于，所述表面与毗邻所述表面的绕组窗口之间的间距约为千分之一英寸(即25.4μm)。
19.如权利要求11所述的磁换能器，其特征在于，所述磁性材料薄层淀积在所述绕组窗口毗邻所述表面的对面边缘。
20.一种工件，用以形成多个用磁带媒体重放和/或记录高频信号的磁换能器，所述工件包括一个通常呈块状的由绝缘材料制成的衬底，具有第一和第二相互垂直的表面;一个第一浅槽，在其中一个所述表面通常平行且靠近另一所述表面的一条线上;一个第二较大的槽，在所述一个表面上平行于所述第一槽;多个等间距的切口，在所述一个表面中，通常垂直于所述第一槽取向，供在所述各切口之间形成多个边缘之用;和一层薄的高磁导率材料层，淀积在至少所述多个边缘上，所述工件的形状、尺寸取得和配置得使其边缘与另一个同样工件的边缘对置且在其间用绝缘材料使其与另一边缘接合时，形成许多换能坯件组成的矩阵，该换能器坯件从如此接合的工件切割制取时形成许多换能器，各换能器的第一和第二绕组窗口由所述第一和第二槽形成。
21.如权利要求20所述的工件，其特征在于，所述高磁导率磁性材料制成的薄层是溅射磁性材料。
22.如权利要求20所述的工件，其特征在于，所述磁性材料由钴锆铌合金和铁铝硅合金组成的合金组中选出。
23.如权利要求20所述的工件，其特征在于，所述绝缘材料由氧化铝、二氧化硅和陶瓷组成的物料组中选出。
24.如权利要求20所述的工件，其特征在于，所述第一和第二槽的所尺寸取得使绕组窗口毗邻另一表面的面积基本上小于另一绕组窗口的面积。
25.如权利要求24所述的工件，其特征在于，所述各绕组窗口之间的间距约比所述另一表面与毗邻所述另一表面的绕组窗口之间的间距大10倍。
26.如权利要求25所述的工件，其特征在于，所述磁性材料薄层是大约千分之一英寸(即25.4μm)的溅射层。
27.如权利要求26所述的工件，其特征在于，所述表面与毗邻所述表面的绕组窗口之间的间距约为千分之一英寸(即25.4μm)。
28.如权利要求27所述的工件，其特征在于，所述各边缘的宽度约为千分之二英寸(即50.8μm)。
29.如权利要求28所述的工件，其特征在于，所述各绕组窗口之间的间距约为千分之十一英寸(即279.4μm)。
30.用磁性媒体以重放和/或记录高频信号的磁换能器的一种制造方法，该方法包括下列步骤形成一扁平的非磁性、非导电衬底的第一表面，该衬底的第二表面通常垂直于第一表面，在所述第一表面形成靠近且通常平行于所述第二表面的第一槽;在所述第一表面上和所述槽中淀积一薄层的高磁导率磁性材料;在如此淀积出的表面上形成多个等间距通常完全相同的切口，所述各切口通常垂直于所述槽取向，切口的深度足以在所述各切口之间形成棱面，各所述棱面上有所述磁性层的一部分;在通常平行于所述第一槽的方向上形成比所述第一槽深的第二槽;在至少所述棱面上淀积一层间隙绝缘层;将两个如此经过加工的衬底与其棱面邻接对置地接合起来;将所述接合着的衬底切成一片片的磁换能器;然后给至少一些所述换能器配上信号线圈，具体的作法是将各绕组穿入所述第一和第二槽所形成的两个窗口中，所述信号线圈的各绕组基本上充满第一槽所形成的窗口。
31.如权利要求30所述的磁换能器制造方法，其特征在于，所述磁性材料是用选自钴锆铌合金和铁铝硅合金所组成的合金组的材料溅射成。
32.如权利要求30所述的磁换能器的制造方法，其特征在于，绝缘材料由氧化铝、二氧化硅和陶瓷组成的物料组选出。
33.如权利要求30所述的磁换能器的制造方法，其特征在于，所述薄层磁性材料的厚度约为千分之一英寸，所述第一槽与所述第二表面之间的间距约为千分之一英寸。
34.如权利要求33所述的磁换能器制造方法，其特征在于，所述第一槽所形成的窗口约为方形，其边长约为千分之四英寸。
35.如权利要求34所述的磁换能器制造方法，其特征在于，两窗口之间的间距约为千分之十一英寸。
36.用磁性媒体以重放和/或记录高频信号的磁换能器的一种制造方法，该方法包括下列步骤使非磁性非导电衬底的表面形成扁平的第一表面，衬底的第二表面通常垂直于第一表面，在所述第一表面上靠近且通常平行于所述第二表面形成第一槽;在所述一表面上形成多个等间距通常完全相同的切口，所述各切口通常垂直于所述槽取向，其深度足以在所述各切口之间形成棱面;在所述一表面上至少所述槽中和所述各棱面上淀积一薄层的高磁导率磁性材料;在通常平行于所述第一槽的方向上形成比所述第一槽深的第二槽;在至少所述各棱面上淀积间隙绝缘层;将两个如此经加工的衬底与其各棱面邻接对置地接合在一起;将所述经接合的衬底切成一片片的磁换能器;然后至少给一些所述一个个的换能器配备信号线圈，具体作法是将各绕组穿过第一和第二槽所形成的两个窗口。
37.如权利要求36所述的磁换能器制造方法，其特征在于，所述信号线圈的各绕组基本上充满第一槽所形成的窗口。
38.如权利要求36所述的磁换能器，其特征在于，所述磁性材料由钴锆铌合金和铁铝硅合金组成的合金组选出的合金溅射出来的。
39.如权利要求36所述的磁换能器制造方法，其特征在于，所述绝缘材料由氧化铝、二氧化硅和陶瓷所组成的组中选出。
40.如权利要求36所述的磁换能器的制造方法，其特征在于，所述薄层磁性材料的厚度约为千分之一英寸，所述第一槽与所述第二表面之间的间距约为千分之一英寸。
41.如权利要求40所述的电磁变换器的制造方法，其特征在于，所述第一槽略呈方形，其边长约为千分之四英寸(即101.6μm)。
42.如权利要求41所述的磁换能器的制造方法，其特征在于，两窗口之间的间距约为千分之十一英寸。
43.如权利要求36所述的磁换能器的制造方法，其特征在于，所述棱面的宽度确定所述胸能器的磁迹宽度，所述第二表面与所述第一槽形成的窗口之间的间距确定换能器的间隙宽度。
全文摘要
一种磁换能器，用磁媒体以重放和/或记录高频信号。该变换器有通常完全相同的第一部分和第二部分，该两部分相向结合在一起时形成这样一个换能器变换器在毗邻各极端处有一个成型的绕组孔口，还有一个开设在下方的绕组孔口，两个绕组孔口是为在其中容纳线圈线匝而配置的，使线圈处在换能器间隙的轴线上，磁心柱由两个象Alfcsil之类的材料条淀积或溅射到非磁性衬底上构成。
文档编号G11B5/127GK1097259SQ9310824
公开日1995年1月11日 申请日期1993年7月7日 优先权日1993年7月7日
发明者B·R·古奇 申请人:安佩克斯系统公司