专利名称：磁头及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种磁头及其制造方法，这种磁头不需要对供应磁头的偏置电流进行调节的可变电阻。
如图8所示，已往一般的VTR用音频磁头中，音频磁头11和CTL(控制)磁头12是一个整体。又如图8的A-A线断面图即图9所示，该音频磁头11由磁芯11a和线圈11b构成，磁芯11a例如可以用坡莫合金做成。音频磁头11装入盒体14内后，用树脂13模制成型。
如图9所示，上述音频磁头11装入及模制在盒体14内之后，用旋转磨石15研磨磁带行走面，使得间隙深度d达到予定尺寸即完成了磁头11。
但是，由于材料导磁率μ、间隙宽度及间隙深度的偏差，该音频磁头11的阻抗在该音频磁头11实际使用时的偏置工作点(偏磁频率70KHz、300μA)上有相当大的离差，不可能将该离差抑制在容许范围内(60KΩ±3KΩ)。
因此，已往都是将该音频磁头11放在连接着
图10所示可变电阻的偏置电路中使用。图10中，14为偏置电源，15为调节偏置电流用的可变电阻，16为音频信号Is的输入输出电路，9为阻止音频电流用的电容。
该音频磁头11虽然通常可在偏磁频率70KHz、电流300μA的偏置工作点使用，但是如前所述，由于不能将在该偏磁频率的音频磁头11的阻抗抑制在预定范围，所以要插入上述的调节偏置电流用的可变电阻15，来调节偏置电流。
因此，如上所述，已往的音频磁头制造方法中，存在着这样的问题即不能将在偏置工作点的音频磁头阻抗离差抑制在容许范围内。从而必须在偏置电路中连接调节偏置电流用的可变电阻15，存在着增高造价和调节费时费事的缺点。
本发明的目的在于提供一种无需调节偏置电流的磁头及该磁头的制造方法。本发明的磁头能克服上述已往技术中的缺点，将在偏置工作点的音频磁头的阻抗离差抑制在容许范围内。
为实现上述目的，本发明提供了一种磁头的制造方法，该方法是一边注入研磨液一边研磨磁头的磁带行走面，来调节磁头的阻抗，其特征在于，当频率5～30KHz、(100±10)μA(＝I)范围的电流流经磁头测定时的阻抗Z与该电流I的关系满足4.8×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)时，终止上述研磨。
满足上述条件制成的磁头，在偏置工作点的阻抗在上述容许范围(60KΩ±3KΩ)内，所以不需要调节偏置电流。
因此，使用本发明的磁头，就可以省却调节偏置电流用的可变电阻。
图1是说明本发明一个实施例原理的图。
图2是表示在1KHz(100μA)时的磁头阻抗与在70KHz(300μA)时的该磁头阻抗的关系图表。
图3是表示在20KHz(100μA)时的磁头阻抗与在70KHz(300μA)时该磁头阻抗的关系图表。
图4是将图2、图3的关系用曲线表示的图。
图5是使电流I变化时的在20KHz的磁头阻抗与在70KHz(300μA)时阻抗的关系图。
图6是本实施例的磁头制造方法概念图。
图7是将本实施例的磁头用于偏置电路时的电路图。
图8是VTR用音频·CTL磁头的立体图。
图9是图8的A-A线断面图。
图10是已往的偏置电路的电路图。
以下，参照附图详细描述本发明。图1表示本发明磁头制造方法一个实施例的原理图。
图中1为VTR用音频·CTL磁头，2为裸端子，3为前端连接着阻抗测定器的测定配线，4为旋转磨石，5为水溶性研磨液。
图1所示的磁头制造方法是一边将水溶性研磨液5注入研磨面一边研磨音频磁头1的磁带行走面，同时用图中未示的阻抗测定器测定该音频磁头1的阻抗，使该阻抗进入予定大小的范围内。
本发明者试着在偏置工作点(偏磁频率70KHz、300μA)实施上述的磁头制造方法时，发现由于高频(磁性的)感应产生的噪音和电气感应产生的噪音，使得很难正确地测定音频磁头1的阻抗。上述高频感应起因于测定配线3的冗长，上述电气感应起因于水溶性研磨液飞溅到裸端子2上。
上述磁性感应意味着高频电流流经长的配线(例如测定配线3)时，在该配线中引起磁性感应，有噪音电流流过的现象。上述电气感应意味着水溶性研磨液5溅到裸端子2上，成为不稳定状态(例如短路状态)的不能测定状态。
为了避免上述的磁性感应和电气感应，本发明者将施加在音频磁头1上的电流值及频率分别减低至1KHz、100μA，采用与上述同样的方法试着制造磁头。然后，测定所制造的音频磁头1在上述偏置工作点(偏磁频率70KHz、300μA)的阻抗，该测定值如图2所示，图4(a)表示该测定值的曲线图。
如图所示，横轴为流经频率1KHz、100μA电流测定时的音频磁头1的阻抗，纵轴为在上述偏置工作点的阻抗容许范围(60KΩ±3KΩ)。从图中可见，进入该容许范围的阻抗(横轴)的最小值约为1.14KΩ，最大值约为1.37KΩ。但是，与最小值和最大值之间的1.17KΩ及1.25KΩ相应的在上述偏置工作点的磁头阻抗值，在上述容许范围以外。
由此可见，如果使得具有最小值和最大值之间阻抗值的音频磁头1在上述偏置工作点工作，则在该偏置工作点的阻抗有的进入上述容许范围，有的不进入上述容许范围。也就是说，在流经频率为1KHz、100μA电流测定时的音频磁头1的阻抗(横轴)与在上述偏置工作点的阻抗容许范围(60KΩ±3KΩ)(纵轴)二者之间，不存在相关关系。
由上述可知，将频率1KHz、100μA的电流流经音频磁头1的制造磁头的方法，不能制造出高合格率的磁头。
本发明者又用频率20KHz、100μA的电流流经上述音频磁头1，采用与上述同样的方法来制造磁头。并且测定了所制造磁头在上述偏置工作点(偏磁频率70KHz、300μA)的阻抗，其测定值如图3所示，图4(b)表示该值的曲线图。
从图4(b)可知，在流经频率20KHz、100μA的信号时测定时的音频磁头1的阻抗与在上述偏置工作点的阻抗容许范围(60KΩ±3KΩ)二者之间，存在相关关系。这时的阻抗(横轴)最小值约为19KΩ，最大值约为20.8KΩ。
音频磁头1的阻抗Z一般用下式表示Z＝2πf｛N2/(l/μ(I)·μO·Sc+g/μO·Sg)｝式中，f为频率，N为线圈的圈数，μ(I)为磁芯的导磁率，I为电流，μo为空气的导磁率，Sc为磁芯断面积，g为间隙长，Sg为间隙的断面积。
在上式右边，除了频率f及磁芯的导磁率μ(I)以外，其它都是取决于各音频磁头构造的常数，所以，阻抗Z是频率f和电流I的函数。
在本技术领域中，一般都是将上述阻抗Z与电流I相关连地表示，根据这种表示方法，将频率20KHz/100μ的电流流经音频磁头1测定时的阻抗Z与电流I(＝100μA)的关系满足下式4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)时，则可以说该音频磁头1在上述偏置工作点的阻抗进入上述容许范围(60KΩ±3KΩ)。
本发明者进一步进行试验，将施加在音频磁头1上的频率固定为20KHz，使电流I以100μA为中心上下变化。求出该音频磁头1的I/Z与在频率70KHz、I＝300μA的阻抗Z的关系。其结果，上述频率为20KHz时的音频磁头的I/Z与在频率为70KHz、I＝300μA时的阻抗Z的关系如图5所法。
即当电流在100μA上下10%范围内时，如果I/Z在下式(1)范围内，则该音频磁头1在上述偏置工作点的阻抗在上述容许范围(60KΩ±3KΩ)内。
4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)……(1)然后，使上述频率在20KHz上下变化，如果频率为5～30KH范围，则满足上式的音频磁头1在上述偏置工作点的阻抗，在上述容许范围(600KΩ±3KΩ)内。
图6是用上述方法制造磁头的制造方法概念图。图中，6为输出上述频率5～30KHz、90～110μA信号的电源，7为阻抗计测器，8为I/Z运算部。其它标记表示与图1相同或等同的物。
本实施例中，由阻抗计测器7测定的磁头1的阻抗值供给到运算部8，从运算部8得到运算值。在该运算值满足上述(1)式条件之前，一直用旋转磨石4研磨音频磁头1的磁带行走面，直到运算值满足(1)式为止。这样得到的音频磁头1在上述偏置工作点的阻抗，进入上述容许范围(60KΩ±3KΩ)内。因此，如图7所示，将该音频磁头实际使用于VTR时，就不需要上述的调节偏置电流用的可变电阻。
根据本实施例，具有偏置电路造价便宜、无需调节偏置电流的优点。
由以上说明可知，本发明的制造方法，可以高合格率地制造出无需调节偏置电流的、在上述偏置工作点的阻抗进入上述容许范围(60KΩ±3KΩ)的磁头。本发明方法制造的磁头用于VTR的偏置电路中时，不需要调节偏置电流的可变电阻，也不需要制造时的调节作业，所以能用较低费用制作该偏置电路。
权利要求
1.一种磁头制造方法，是一边注入研磨液一边研磨磁头的磁带行走面，调节该磁头的阻抗，其特征在于，频率5～30KHz、(100±10)μA(=I)范围的电流流经磁头测定时的阻抗Z与该电流I的关系为4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)时，终止上述研磨。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，频率为20KHz，电流I为100μA。
3.一种磁头，其特征在于，频率20KHz、(100±10)μA(＝I)范围的电流流经磁头经测定时的阻抗Z与该电流I的关系满足下式4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)。
全文摘要
本发明提供一种磁头及其制造方法。本发明方法是一边注入研磨液一边研磨磁头的磁带行走面，调节该磁头的阻抗，当频率5～30kHz、(100±10)μA(＝I)范围的电流流经磁头测定时的阻抗Z与电流I的关系为4.80×10
文档编号G11B5/187GK1082748SQ9310856
公开日1994年2月23日 申请日期1993年7月10日 优先权日1992年8月17日
发明者秋山贤治, 隅谷真二, 小林隆生 申请人:Tdk株式会社