存储装置和使用定时器设置的相关方法
【专利说明】存储装置和使用定时器设置的相关方法
[0001]本申请要求于2014年3月14日提交的第10-2014-0030272号韩国专利申请的优先权，该专利申请的主题通过引用合并于此。
技术领域
[0002]本发明构思总体上涉及一种存储装置，更具体地讲，涉及使用定时器设置的存储装置和方法。
【背景技术】
[0003]半导体存储器装置可根据当断电时它们是否保留存储的数据，而被大致划分成两个类别。这些类别包括当断电时丢失存储的数据的易失性存储器装置和当断电时保留存储的数据的非易失性存储器装置。易失性存储器装置的示例包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)，非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)和闪存。
[0004]由于诸如相对高的存储密度、高效性能、每比特低成本和承受物理冲击的能力的吸引人的特征，闪存是非易失性存储器的特别普及的形式。当前，闪存和其他形式的非易失性存储器用于在诸如计算机、航空电子、电信和消费者电子行业(仅列举一些)的广泛种类的应用中存储用户数据、程序和微代码。
【发明内容】
[0005]在本发明构思的一个实施例中，提供一种用于操作存储装置的方法，所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。所述方法包括:当在断电状态之后通电时，搜索用于至少一个页中的至少一个存储器单元的读取电压；使用电压-时间查找表计算与搜索到的读取电压相应的关断时间；使用与在断电之前被编程的页相应的时间戳和关断时间来设置存储装置的定时器。
[0006]在本发明构思的另一实施例中，提供一种存储装置和存储器控制器。所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置，所述至少一个非易失性存储器装置包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到位线的沿与基板垂直的方向布置的多个串，每个串包括至少一个串选择晶体管、多个存储器单元和至少一个接地选择晶体管，其中，所述至少一个非易失性存储器装置在编程操作中存储注册了全局时间的时间戳，并使用时间戳在读取操作中设置期望的读取电压。存储器控制器被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置，并包括用于产生全局时间的定时器。定时器使用与在断电状态之前被编程的页相应的时间戳和与在断电状态后通电之前的读取电压的变化相应的关断时间来产生全局时间。读取电压的变化和关断时间之间的关系被存储在电压-时间查找表中。
[0007]在本发明构思的另一实施例中，提供一种用于对存储装置编程的方法，所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。所述方法包括:接收编程请求；确定是否设置定时器；当确定的结果为设置定时器时，使用电压-时间查找表和设置定时器所需的读取电压来设置定时器。所述方法还包括:在将从定时器产生的全局时间更新为时间戳的同时，根据编程请求执行编程操作。全局时间包括与在断电后通电之前的读取电压的变化相应的关断时间。
[0008]在本发明构思的另一实施例中，提供一种用于读取存储装置的方法，所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。所述方法包括:接收读取请求；使用被请求读取的页的时间戳和全局时间设置至少一个读取电压；根据设置的读取电压对被请求读取的页执行读取操作。全局时间包括与在断电状态后通电之前的读取电压的变化相应的关断时间。
[0009]在本发明构思的另一实施例中，一种非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、地址解码器、输入/输出电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到位线的沿与基板垂直的方向布置的多个串，每个串包括至少一个串选择晶体管、多个存储器单元和至少一个接地选择晶体管。地址解码器被配置为根据地址选择所述多个存储器块之一。输入/输出电路被配置为在编程操作中将编程数据存储在选择的存储器块的页中，并在读取操作中从选择的存储器块的该页读取数据。控制逻辑被配置为在编程操作或读取操作中控制地址解码器和输入/输出电路。注册有全局时间的时间戳在编程操作中被存储。全局时间包括与在断电状态后通电之前的读取电压的变化相应的关断时间。在读取操作中使用时间戳设置至少一个读取电压。
[0010]本发明构思的这些和其他实施例能够通过与根据全局时间确定的时间戳相关地执行特定操作来潜在地提高非易失性存储器装置的可靠性。
【附图说明】
[0011]附图示出本发明构思的选择的实施例。在附图中，相同的参考标号指示相同的特征。
[0012]图1是示出根据本发明构思的实施例的存储装置的示图。
[0013]图2是示出根据本发明构思的实施例的全局时间的示图。
[0014]图3是示出根据本发明构思的实施例的非易失性存储器装置的框图。
[0015]图4是图3中示出的存储器块BLK的立体图。
[0016]图5是示出根据本发明构思的实施例的存储器块的立体图。
[0017]图6是示出根据本发明构思的实施例的图5中示出的存储器块的等效电路的电路图。
[0018]图7是示出根据本发明构思的实施例的时间戳存储方法的示图。
[0019]图8是示出根据本发明构思的另一实施例的时间戳存储方法的示图。
[0020]图9是示出根据本发明构思的另一实施例的时间戳存储方法的示图。
[0021]图10是示出根据本发明构思的实施例的设置存储装置的定时器的方法的流程图。
[0022]图11是示出根据本发明构思的实施例的存储装置的编程方法的流程图。
[0023]图12是示出根据本发明构思的另一实施例的存储装置的编程方法的流程图。
[0024]图13是示出根据本发明构思的实施例的存储装置的读取方法的流程图。
[0025]图14是示出根据本发明构思的另一实施例的存储装置的框图。
[0026]图15是示出根据本发明构思的另一实施例的存储装置的框图。
[0027]图16是示出根据本发明构思的实施例的主机系统的框图。
[0028]图17是示出根据本发明构思的实施例的固态驱动器的框图。
[0029]图18是示出根据本发明构思的实施例的eMMC的框图。
[0030]图19是示出根据本发明构思的实施例的UFS系统的框图。
[0031]图20是示出根据本发明构思的实施例的移动装置的框图。
【具体实施方式】
[0032]以下参照附图描述本发明构思的实施例。这些实施例被呈现为教导示例，并且不应被解释为限制本发明构思的范围。
[0033]在下面的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等可用于描述各种特征，但是描述的特征不应受这些术语限制。相反，这些术语仅用于将一个特征与另一特征区分开来。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的特征可被命名为第二特征。
[0034]为了易于描述，在此可使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下面”、“在…上面”、“上面”等的空间相对术语，以描述如附图中示出的一个特征与其它特征的关系。空间相对术语意在包含除了附图中描绘的方位以外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在其它特征下面”或“在其它特征之下”的特征将被导向为“在所述其它特征上面”。因此，术语“在…下面”和“在…下方”可包含上面和下面两个方位。装置可位于其它方位(旋转90度或处于其它方位)，并且在此使用的空间相对描述符被相应地解释。此外，当特征被称为在两个特征“之间”时，该特征可以是该两个特征之间仅有的特征，或还可以存在一个或多个中间特征。
[0035]在此使用的术语仅用于描述实施例的目的，而不意在限制本发明构思。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。当在本说明书中使用时，诸如“包括”和/或“包含”的术语指定所叙述的特征的存在，但不排除一个或多个其它特征的存在或添加。如这里所使用的，术语“和/或”包括关联列出项中的一个或多个的任何和所有组合。在特征被称为“在”另一特征“上”、“连接到”另一特征、“结合到”另一特征或者与另一特征“相邻”的情况下，该特征可直接在该另一特征上、直接连接到该另一特征、直接结合到该另一特征或者与该另一特征直接相邻，或者可存在中间特征。
[0036]除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本领域的普通技术人员通常理解的意义相同的意义。诸如在通用字典中定义的术语应被解释为具有与在现有技术的背景和/或本说明书中的意义一致的意义，而不应被解释为理想化或过于形式化的意义，除非这里明确地如此限定。
[0037]图1是示出根据本发明构思的实施例的存储装置10的示图。
[0038]参照图1，存储装置10包括至少一个非易失性存储器装置100和控制该至少一个非易失性存储器装置100的存储器控制器200。
[0039]非易失性存储器装置100可包括例如NAND闪存装置、NOR闪存装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、相变存储器(PRAM)装置、磁阻随机存取存储器(MRAM)装置