专利名称：半导体集成电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及到一种半导体集成电路，它安装了供调整电路特性之用的微调器件，具体而言，必须通过微调高精度地设定电路特性。
现有技术在半导体集成电路中，为了实现起初设计的电路动作，作为电路组成部分的二极管和晶体管之类的非线性器件以及电阻和电容之类的线性器件必须具有在设计阶段就已设定了的特性。通常，采用半导体制造工艺制成的各种器件，由于是在同一半导体衬底上实施同一条件下的工艺，就其特性的相对精度而言，可精确地实现所期望的数值。
然而，就各种器件特性的绝对精度而言，分散度常常达到20％至30％。因此，从电路的性质方面看，对于其特性值的绝对精度必须位于上述分散度范围的器件，譬如说对于设定运算放大器增益的电阻而言，通常要在工艺完成之后进行微调。
已知现有的微调技术主要有齐纳(Zener)击穿和激光微调。在半导体集成电路的制造阶段，在必须有上述绝对精度的器件近旁，要形成一个微调器件，藉以实现微调。微调器件通常与决定特性、而此种器件特性必须达到上述绝对精度的电阻并联。视该微调器件的种类和所施加的处理方法的不同，可对上述微调技术进行区分。
所谓齐纳击穿，是采用诸如双极晶体管和二极管之类具有PN结的非线性器件作为微调器件，向其PN结流过大电流形成短路路径，藉以对器件特性进行微调的一种方法。图5是对齐纳击穿进行说明的原理图。
如图5(a)所示，电阻R是为了决定必须达到上述绝对精度的器件特性的一种器件，如设定运算放大器增益的电阻即其一例。与该电阻R并联的是具有微调器件功能的二极管T。图5(b)是在对应于图5(a)粗线框100内部分的排布图。如图5(b)所示，二极管T是使双极晶体管的集电极(C)和基极(B)短路实现的。
在图5中，采取齐纳击穿方式的微调是通过在二极管T两端引出的电极P11和P12之间以反向偏置方式流过大电流而进行的。这就使得PN结101的温度，即图中基极(B)-发射极(E)之间的温度上升，进而由于扩散不均匀、晶格缺陷、热扩散不均匀等原因，产生了称之为“热点”的局部温度升高的区域，电流即集中流过该区域。
一旦该区域的温度达到使载流子增加的本征温度，就产生结击穿，这种后续电流导致铝电极熔化，由此在阳极-阴极之间形成称之为“细丝”的短路路径。此种细丝T’的形成使电阻R被短路，达到将该电阻R排除在决定器件特性所需值之外的目的。作为一种结果，这就意味着可对必须达到上述绝对精度的器件特性进行微调。
此种齐纳击穿由于使用了晶体管和二极管作为微调器件，这就可利用半导体制造工艺而不必增加新的工艺，而且由于击穿装置较易构成，也可使之安装在常规的晶片测试器内，凡此种种都是齐纳击穿有用的优点。
另一方面，激光微调为微调器件是多晶硅布线还是铝布线而大致上分成两类。首先，以多晶硅作为微调器件的多晶硅激光微调是在激光光束照射下使该多晶硅熔化的方法。图6是说明多晶硅激光微调的原理图，具体而言，它示出了以多晶硅层作为微调器件的半导体集成电路的排布截面。
如图6所示，MOS晶体管通常由层叠式多层结构组成，系在硅衬底111上依次层叠作为层间绝缘膜的SiO2层112，作为栅极的多晶Si层118，作为层间绝缘膜的BPSG(硼磷硅玻璃)层113和SiO层114，作为保护膜的玻璃涂层117。多晶硅激光微调系利用上述多晶Si层118的一部分作为微调器件进行的。例如，作为一种具体的排布，多晶Si层118可如此进行布线，使得电阻被短路，而在微调后该电阻变为有效。
如图所示，多晶硅激光微调系在玻璃涂层117的一部分开一窗口130，并从这一窗口130向其下层的多晶Si层118照射激光光束进行的。因此，在多晶Si层118受激光照射部分的温度上升，并使该部分被熔化。亦即，使得与由该多晶Si层118组成的布线并联的电阻成为有效。
若采取这种方法，与多晶硅激光微调一样，芯片面积可以缩小，况且，由于是在布线工序进行加工，它具备与其下各层工艺无关的优点。
然而，如图5所示，为了在一个位置进行微调，上述齐纳击穿必须至少设置两个供击穿的电极，在微调位置众多的场合，就有导致芯片尺寸增加的问题。再有，晶体管和二极管的特性也因工艺而异，这就必须使每种工艺下的击穿条件实现最优化，具体而言，精确调节电流颇为重要，若条件稍许得不到满足，也会有细丝形成不了以及铝喷射等不利的问题产生。
因此，在使齐纳击穿成为可能的半导体集成电路中，也由于积极利用了原本不希望有的结击穿，就必须进行仔细的可靠性试验，从而造成兼顾易操作性和短路确切性的两难局面。
另外，上述多晶硅激光微调的适用范围基本上限制在CMOS和双极CMOS，DMOS等包含多晶硅工艺的MOS型半导体集成电路以内。亦即，对双极型半导体集成电路而言，为使多晶硅激光微调适用，必须在其制造工艺中新加多晶硅工艺。
再有，如图6所示，如增加位于多晶Si层118上层的硼磷硅玻璃层113和SiO层114等的厚度，就难以调节激光光束，也会出现多晶Si层118不能完全熔化，以及因激光强度过强导致穿透SiO2层并造成熔融多晶Si与硅衬底111短路的情形。还有，在多晶Si层118的上层，亦即直至图中的硼磷硅玻璃层113和SiO层114形成一个窗口130，使多晶Si层118暴露出来，由于噪声混入和腐蚀等问题，从可靠性方面看是不希望有的。
对于有多晶Si层118的半导体集成电路，可进一步考虑采用一种不用激光光束而用供给电流的方法来熔化具有微调器件功能的多晶硅，但由于多晶Si层118之上附着有其它层间绝缘膜，担心会发生因急剧加热而引起的裂痕之类的损伤。还有，因为附着有其它层间绝缘膜，与多晶Si层118暴露的情形相比，也有必须对熔化条件作严格设定等问题。
另外，上述铝激光微调由于有铝反射等问题，必须要调整熔化时间的条件，又因为熔化的位置暴露出来，还须采取措施以防止铝腐蚀等问题。再有，对于采用如此铝布线作为微调器件的半导体集成电路，只适合采用激光微调。这是因为铝布线尽管迂回曲折，其电阻也只有几欧姆左右，如要通电流使铝布线熔化，就必须流过安培量级的电流，这是不现实的。所以，例如在激光微调装置发生故障或处于被挤占状态等批量生产中出现工艺故障时，就有无法取代其它微调手段的问题。
发明内容
本发明是为解决上述问题而进行的，其目的是将作为微调器件的氮化钽(以下记作TaN)膜安装进去，可得到使电流微调和激光微调二者均成为可能的半导体集成电路。
为解决上述课题以达到目的，本发明中半导体集成电路的特点为，在该半导体集成电路内形成一层氮化钽膜作为金属布线层的阻挡层金属，并且包括微调电阻器，它是去除掉上述金属布线层的一部分后所形成的氮化钽膜的单层部分。
按照本发明，由于氮化钽膜具有金属布线层的阻挡层金属的功能，可去除掉附着于其上的金属布线层的一部分形成氮化钽膜单层，该氮化钽膜单层部分即可用作具有熔断丝功能的微调电阻器。
下面发明中半导体集成电路的特点为，前述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜的单层部分，与此同时，当该面受激光光束照射时，该微调电阻器即被烧断。
按照本发明，由于使氮化钽膜单层部分的一个面暴露出来，构成微调电阻器，可利用该微调电阻器作为微调器件，当该面受激光光束照射时，该微调电阻器即被烧断。
下面发明中半导体集成电路的特点为，包括从前述微调电阻器两端引出的电极，前述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜的单层部分，与此同时，当向前述电极通以电流时，该微调电阻器即被烧断。
按照本发明，由于使氮化钽膜单层部分的一个面暴露出来，构成微调电阻器，与此同时，设置从该微调电阻器两端引出的电极，当向上述电极通以电流时，被用作电流微调器件的该微调电阻器即被烧断。
下面发明中半导体集成电路的特点为，包括从前述微调电阻器两端引出的电极，前述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜的单层部分，与此同时，当该面受激光光束照射或向前述电极通以电流时，该微调电阻器即被烧断。
按照本发明，由于使氮化钽膜单层部分的一个面暴露出来，构成微调电阻器，与此同时，设置从该微调电阻器两端引出的电极。该微调电阻器可被用作激光微调器件，当上述一个面受激光照射时，该微调电阻器即被烧断；也可被用作电流微调器件，当向上述电极通以电流时，该微调电阻器即被烧断。
下面发明中半导体集成电路的特点为，包括向前述微调电阻器供给电流的晶体管，前述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜的单层部分，与此同时，使前述晶体管处于导通状态，该微调电阻器即被烧断。
按照本发明，由于将供给电流的晶体管连接到以一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分的形式而被提供的微调电阻器，当该晶体管处于导通状态时，则可使该微调电阻器烧断。
下面发明中半导体集成电路的特点为，包括向前述微调电阻器供给电流的晶体管，前述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜的单层部分，与此同时，当该面受激光光束照射或使前述晶体管处于导通状态时，该微调电阻器即被烧断。
按照本发明，由于将供给电流的晶体管连接到以一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分的形式而被提供的微调电阻器，该微调电阻器可被用作激光微调器件，当上述一个面受激光照射时，该微调电阻器即被烧断；也可被用作电流微调器件，当使该晶体管处于导通状态时，该微调电阻器即被烧断。
附图的简单说明[
图1]是为说明实施形态1中半导体集成电路的微调器件的原理图。
是为说明实施形态2中半导体集成电路的激光微调的原理图。
是为说明实施形态3中半导体集成电路的电流微调的原理图。
是示出实施形态4中半导体集成电路的电路构成实例图。
是为说明齐纳击穿的原理图。
是为说明多晶硅激光微调的原理图。
11，111硅衬底；12，112SiO2；13，113硼磷硅玻璃层；14，114SiO层；15TaN层；16金属布线层；17玻璃涂层；20，30，130窗口；118多晶Si层；A10运算放大器；P1，P2，P11，P12电极；Q1～Q4晶体管；R，R1～R5，R10，R20，RF电阻；Rtn1～Rtn4电阻器；T二极管；T’细丝。
发明的
具体实施例方式
以下，根据附图对本发明中半导体集成电路的实施形态作出详细说明。另外，本发明并不限于与本实施形态相关。
实施形态1.
首先，对实施形态1中的半导体集成电路作出说明。图1是为了说明实施形态1中半导体集成电路的微调器件的原理图，具体而言，该图示出了该半导体集成电路的排布截面。
在图1所示的半导体集成电路中，示出了MOS型和双极型共同的各层，它由层叠式多层结构组成，在硅衬底11上顺次层叠作为层间绝缘膜的SiO2层12，硼磷硅玻璃层13和SiO层14，TaN膜层15，铝之类的金属布线层16和作为保护膜的玻璃涂层17。
近年来在晶片工艺中的布线工艺方面，作为阻挡层金属，亦即被用于上层金属布线层16的金属，TaN膜层15往往被用作防扩散层，图1所示结构也属于该种情形。另外，作为金属布线层16，可使用在技术上已取得实效的上述铝以及最近为实现低电阻而采用的铜，此处并不特别加以限定。
如图所示，本实施形态的特点在于，在包括TaN膜层15的多层结构中，在金属布线层形成后采取刻蚀等工艺去除掉该金属布线层16的一部分而开设窗口20，使之暴露出TaN膜层15的一部分。由此，该暴露出来的TaN膜部分具有电阻器的功能，与多晶硅有同样的薄层电阻(表面电阻率约40Ω/□)。
此处，由TaN构成的电阻器，在10年间仅变化约0.05％，具有极其稳定的特点，与此同时，在它的尺寸为电阻器宽度40μm×电阻器长度115μm的场合(120Ω时)，若在其两端施加约2瓦的功率，从经验得知它就要烧毁断线。
因此，由该TaN单层构成的电阻器R10可有效地用作微调时的熔断丝。TaN层作成单层，此点尤为重要，在后述进行电流调节的场合均以该单层作为条件。
如上所述，按照实施形态1中的半导体集成电路，由于TaN膜具有金属布线层16的阻挡层金属的功能，可去除掉附着于其上的金属布线层16的一部分形成TaN膜单层，该TaN膜单层部分即可用作具有熔断丝功能的电阻器R10。尤其是，从TaN的已知特性方面看，该电阻器R10可采取供给电流或激光照射的手段而被充分烧断，微调方法的选择余地就可能扩大。
实施形态2.
下面对实施形态2中的半导体集成电路加以说明。实施形态2是说明将TaN膜单层用作微调器件场合的激光微调。图2是实施形态2的半导体集成电路中激光微调的原理图，具体而言，该图示出了半导体集成电路的排布截面。另外，在图2中对于与图1共同的部分均采取同一符号，其说明此处从略。
图2不同于图1之处是，在由TaN膜单层构成的电阻器R20的上部设置玻璃涂层17，去除掉该涂层的一部分，形成窗口30。另外，这种玻璃涂层17的去除可采取与形成键合电极开孔部分同样的工艺方法实现。因此，由TaN膜单层组成的电阻器R20有一部分呈现暴露状态，当对该部分从上面照射激光光束时，激光光束可无衰减地到达TaN单层膜。亦即，当初设定的激光光束能量可充分地给予电阻器R20，确实可使该电阻器烧断。
如上所述，按照实施形态2中的半导体集成电路，由于TaN膜具有金属布线层16的阻挡层金属的功能，可去除掉附着于其上的金属布线层16的一部分形成TaN膜单层，与此同时，也部分去除掉上层的玻璃涂层，当该TaN膜单层部分被用作微调器件时，对微调时的调节尽管无严格要求，但衰减很少而强度充分的激光光束可照射到TaN膜单层部分，可确实使之烧断。
还有，由于在底层硅衬底11和TaN膜单层15之间夹有数层层间绝缘膜，与以多晶硅作为微调器件进行激光微调的场合相比，其优点是降低了硅衬底被短路的可能性。
此外，由于呈暴露状态的仅仅是TaN膜单层部分的TaN膜部分，金属布线层16被玻璃涂层17覆盖的状态则原封未动，这就不必担心金属布线层16被腐蚀，可以提高半导体集成电路长期工作的可靠性。另外，如前所述，由于TaN本身极为稳定，即使呈暴露状态，也不必担心用于金属布线层16的金属本身受到腐蚀。
再有，TaN膜去除后可进行布线工艺，TaN膜下层的结构则不受限制，无论是MOS型还是双极型均可形成同样的TaN膜单层的微调器件。
实施形态3.
下面就实施形态3的半导体集成电路加以说明。实施形态3对实施形态2中半导体集成电路的TaN膜单层进行的电流微调加以说明。图3是为说明实施形态3中对半导体集成电路进行电流微调的原理图。
在图3(a)中，电阻器R是决定必须有绝对精度的器件特性的器件，例如设定运算放大器增益的电阻即其一例。与该电阻R并联的是具有微调器件功能的电阻器R20。再有，电阻器R20与作为图2所示结构的TaN膜单层部分所提供的电阻器是同一种器件。另外，图3(b)是相当于图3(a)粗线框50内部分的排布图。再有，图3(b)中的窗口30相当于图2所示的窗口30。
在图3中，电流微调是在电阻器R10两端引出的电极P1和P2之间流过大电流进行的。藉助于流过这样的大电流，电阻器R20，亦即TaN膜单层部分，因其温度上升而被烧断。
所以，与现有的齐纳击穿相比，有使之短路与使之断线的不同，但对实施形态3中的半导体集成电路而言，单纯烧断TaN膜单层部分的最小电流能够很好地得到控制，无须要求精确的电流调节。
在实施形态1中，TaN膜的尺寸为电阻器宽度40μm×电阻器长度115μm的场合(120Ω时)，如前所述，我们知道，若在电阻器两端施加约2瓦的功率，即可使该电阻器烧毁断线，但为了改变烧毁断线的点，电阻器的形状可能要作一些改变。
如上所述，按照实施形态3中的半导体集成电路，由于将实施形态2中的半导体集成电路的TaN膜单层部分用作电流微调的微调器件，如得知可使该TaN膜单层部分烧断的最小电流，就不必进行高精度的电流调节，而且不必检验已加工的待调节器件的可靠性。
另外，如实施形态中所说明的那样，为了去除TaN膜单层部分上部的玻璃涂层17，开设窗口30，也可避免因烧毁断线时急速加热而导致玻璃涂层17产生裂痕。
实施形态4.
下面就实施形态4的半导体集成电路加以说明。实施形态4的特点是，连接上有高电流驱动能力的晶体管，无须像实施形态3那样，在要进行电流微调的位置处设置电极P1和P2。图4示出了实施形态4中半导体集成电路的电路构成实例，具体而言，是微调运算放大器增益场合的实例。
图4所示的电路由运算放大器A10、为决定该运算放大器A10增益的第1电阻RF和第2电阻组构成。此处，第2电阻组由下述各组电阻并联而成由电阻器Rtn1和电阻R1构成的第1串联电阻、由电阻器Rtn2和电阻R2构成的第2串联电阻、由电阻器Rtn3和电阻R3构成的第3串联电阻、由电阻器Rtn4和电阻R4构成的第4串联电阻，以及电阻R5。此处，电阻器Rtn1～Rtn4像实施形态2中所示的电阻器R20那样，以TaN膜单层的形式提供。
亦即，在这种状态中，是根据第1～第4串联电阻和电阻R5所决定的合成电阻值，以及电阻RF的电阻值来决定运算放大器A10的增益。
此处，在第1串联电阻中，将高电流驱动能力的晶体管Q1的一端(图中为NPN晶体管的集电极端)连接到电阻器Rtn1和电阻R1的连接点。还有，该晶体管Q1的另一端(发射极端)接地。如图所示，其它的串联电阻也与第1串联电阻一样与晶体管Q2～Q4连接。
所以，例如在第1串联电阻中，当向晶体管Q1的控制端(图中为基极端)施加超过阈值电平的电压时，该晶体管Q1处于导通状态，有大的电流可流过电阻器Rtn1。亦即，藉助于使该晶体管Q1处于导通状态，即可使电阻器Rtn1烧断。其它第2～第4串联电阻也起同样作用。
此处，在制成的运算放大器A10不满足当初设计的增益特性时，为使其增益纠正到设计时的特性，亦即为改变上述合成电阻值，要使晶体管Q1～Q4导通以选择性去除掉电阻R1～R4。例如，若通过去除掉电阻R1使运算放大器呈现出目标特性，则使晶体管Q1导通，电阻器Rtn1即被烧断，从而电阻R1处于开路状态。
如上所述，对于实施形态4中的半导体集成电路而言，将高电流驱动能力的晶体管连接到以TaN膜单层部分的形式提供的电阻器上，使该晶体管处于导通状态，由此就有大电流流过该电阻器并使之烧断，从而无须像图3所示的那样，在微调位置近旁配置从电阻器两端引出的供微调之用的电极，即可灵活地对待芯片排布的限制。
还有，由于上述实施形态2中所述的激光微调和实施形态3及4中所示的电流微调均使用了由图2所示结构所提供的TaN膜单层，若增设供电流微调的可能要素，如图3和图4所示的电极和晶体管之类时，即可任意选择是进行激光微调，还是进行电流微调。亦即激光微调和电流微调可以并用，当采用电流微调仍残留有电阻未曾被微调，而要用激光微调来完成微调的场合，以及因激光微调装置产生故障或被挤占不能使用时，就要采用电流微调作为替代手段，在此种场合或与之相反的场合，二者并用就有优点，即可提高可靠性和批量生产能力。
发明的效果如上所述，本发明所达到的效果是，由于氮化钽膜具有金属布线层的阻挡层金属的功能，可去除掉附着于其上的金属布线层的一部分形成氮化钽膜单层，该氮化钽膜单层部分即可用作具有熔断丝功能的微调电阻器。
下面发明所达到的效果是，使氮化钽膜单层部分的一个面暴露出来而构成微调电阻器，由于该微调电阻器可用作激光微调器件，当以激光照射到上述的一个面时，可使该微调电阻器烧断，尽管对微调时的调节没有严格要求，当以衰减很少而强度充分的激光光束照射于氮化钽膜的单层部分时，确实能使该微调电阻器烧断。
下面发明所达到的效果是，使氮化钽膜单层部分的一个面暴露出来而构成微调电阻器，与此同时，设置从该微调电阻器两端引出的电极，由于该微调电阻器可用作电流微调器件，当向上述电极通以电流时，可使该微调电阻器烧断。只要得知可烧断该氮化钽膜单层部分的最小电流，就无须对电流进行高精度调节，与此同时，由于有一个面暴露出来，即可避免在氮化钽膜上叠有玻璃涂层等其它膜的场合因电流发热而产生裂痕的问题。
下面发明所达到的效果是，使氮化钽膜单层部分的一个面暴露出来而构成微调电阻器，与此同时，设置从该微调电阻器两端引出的电极，由于该微调电阻器可用作激光微调器件，当以激光照射到上述的一个面时，可使该微调电阻器烧断；该微调电阻器也可用作电流微调器件，当对上述电极施加电压时，可使该微调电阻器烧断。当采用电流微调仍残留有电阻未曾被微调，而要由激光微调来完成微调的场合，以及因激光微调装置产生故障或被挤占不能使用，而要采用电流微调作为替代手段的场合，二者并用就有优点，即可提高可靠性和批量生产能力。
下面发明所达到的效果是，将供给电流的晶体管连接到以一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分的形式所提供的微调电阻器，藉助于使该晶体管处于导通状态而使该微调电阻器烧断，所以不必在微调位置近旁配置从微调电阻器两端引出的电极，即可灵活地对待芯片排布的限制。
下面发明所达到的效果是，将供给电流的晶体管连接到以一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分的形式所提供的微调电阻器，由于该微调电阻器可用作激光微调器件，当以激光照射到上述的一个面时，可使该微调电阻器烧断；该微调电阻器也可用作电流微调器件，当使上述晶体管处于导通状态时，可使该微调电阻器烧断，所以不必在微调位置近旁配置电极，即可灵活地对待芯片排布的限制，与此同时，当采用电流微调仍残留有电阻未曾被微调，而要由激光微调来完成微调的场合，以及因激光微调装置产生故障或被挤占不能使用而要采用电流微调作为替代手段的场合，或与之相反的场合，二者并用就有优点，即可提高可靠性和批量生产能力。
权利要求
1.一种半导体集成电路，它形成有氮化钽膜，作金属布线层的阻挡层金属之用，其特征在于包括一种微调电阻器，它是去除掉一部分所述金属布线层而形成的氮化钽膜单层部分。
2.如权利要求1所述的一种半导体集成电路，其特点在于，所述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分，与此同时，当该面受激光光束照射时，所述微调电阻器即被烧断。
3.如权利要求1所述的一种半导体集成电路，其特点在于，包括从所述微调电阻器两端引出的电极，所述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分，与此同时，当向所述电极通以电流时，所述微调电阻器即被烧断。
4.如权利要求1所述的一种半导体集成电路，其特点在于，包括从所述微调电阻器两端引出的电极，所述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分，与此同时，当该面受激光光束照射或向所述电极通以电流时，所述微调电阻器即被烧断。
5.如权利要求1所述的一种半导体集成电路，其特点在于，包括向所述微调电阻器供给电流的晶体管，所述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分，与此同时，当使所述晶体管处于导通状态时，所述微调电阻器即被烧断。
6.如权利要求1所述的一种半导体集成电路，其特点在于，包括向所述微调电阻器供给电流的晶体管，所述微调电阻器是一个面暴露出来的氮化钽膜单层部分，与此同时，当该面受激光光束照射或使所述晶体管处于导通状态时，所述微调电阻器即被烧断。
全文摘要
一种半导体集成电路,安装TaN膜作为微调器件,可得到兼能进行电流微调和激光微调的半导体集成电路。去除掉附着于具有金属布线层16的阻挡层金属功能的TaN膜层15之上的金属布线层16的一部分而形成TaN膜单层,可利用该TaN膜单层部分作为具有熔断丝功能的微调电阻器R10。
文档编号H01L21/02GK1354520SQ01124650
公开日2002年6月19日 申请日期2001年7月27日 优先权日2000年11月22日
发明者水野干滋 申请人:三菱电机株式会社