专利名称：电气连接装置的制作方法
技术领域：
本实用新型是有关于一种电气连接装置，尤指一种可供插置一集成电路组件并是借由锡球焊接于一电路板上的一种电气连接装置的结构改良。
请参阅
图1与图2，为目前市面上可见的典型的可插拔集成电路组件及其电连接器与电路板的组合装置。传统上，为兼求可插拔以及良好电性连接的目的，一般的作法是在集成电路组件11(IC Package)上设置插针111(Pins)，并在电路板12(Circuit Board或称Main Board)上设置具有多个插孔131(Pin Holes)的电连接器13(Socket)以供插置该集成电路组件11。现有的集成电路组件11封装方式有导线架(Lead Frame)与球格阵列封装(Ball Grid Array简称BGA)两种。近年来，对于追求高效能(亦即高散热性)与高脚数的集成电路组件则常使用覆晶式球格阵列封装(FlipChipBGA Packaging)。其基本组成组件如图1所示通常包括一集成电路芯片112(IC Chip)以覆晶方式装置于一基板113(Substrate)的一侧表面上，基板113另一侧表面则设有若干锡球114(Solders)其是借由基板113的电路设计而电性耦合于芯片112，芯片112另侧的非作动面则粘贴有一散热组件115(Heat sink)。由于插针111并非刚性极高的对象，在插拔的过程中极易遭扭曲损坏，且亦不容易与锡球114稳固接合，因此，目前的技术均需要先将多个插针111模铸(Molding)固定在一中介板116(Interposer)上后，再将其焊接至锡球114。
至于，为了可供前述现有集成电路组件11的插针111所插置，且又必须兼顾拔取功能，现今所有现有的插针式电连接器13均包括有下列构件一具有多个插孔131的插座132焊接在电路板12上、一滑动板133以可线性滑移的方式装置覆盖在插座132顶面上、以及一扳动长杆134装置在插座132旁侧以供驱动该滑动板133进行微量滑移。插座132的各插孔131内均设有导电夹持件137且于插孔131底部形成有焊垫135，导电夹持件137下端延伸出插孔131底部而形成插针1371以供插入电路板12的若干贯穿孔121。于电路板12的贯穿孔121内设有导电层122以供和插针1371作电性连接，电路板12上表面以锡球屏蔽层124定义(Solder Mask Defined简称SMD)或亦可以非锡球屏蔽定义(NSMD)该贯穿孔121及其上的接触垫1221的位置、并借由焊料123、125来将插针1371连同电连接器13一起焊死固定在电路板12上。滑动板133上对应于插孔131的位置亦设有稍大的开孔(图中未示)，借由将下压该扳动长杆134使其以秆轴136为轴进行旋转直到与插座132成水平，可令滑动板133进行微量滑移并将集成电路组件11的插针111夹紧于插孔131中。当欲拔取集成电路组件11，则需将扳动长杆134转拉至与插座132成垂直九十度夹角，如此插针111将被松脱而可取离集成电路组件11。
请参阅图3与图4为另一种现有的可插拔集成电路组件及其电连接器与电路板的组合装置，由于此现有技术的集成电路组件11与电连接器13a的结构大部份均类同于前述图1所述的现有技术，所以将不在赘述其详细组成组件与结构且仅用虚线来表示其整体外观组成的示意。于图3所示的电连接器13a与前述实施例的最大差异，在于该电连接器13a的插座底部并非呈插针状结构而是使用若干锡球138，并将电连接器13a中的导电夹持件137a的下端直接弯折九十度而作为与锡球138结合的锡球垫139，且在电路板上12a不设置贯穿孔而改成设置锡球垫126。借由将电连接器13a的锡球139与电路板上12a的锡球垫126进行对应热焊的制程(俗称过锡炉或SolderReflow制程)，可将锡球138铬融并焊死固定在两锡球垫139、126之间。此种现有技术的缺点在于，无论是设在电连接器13a的导电夹持件137a下端的锡球垫139。或是设在电路板上12a的锡球垫126，均完全是单纯平面的结构，所以锡球138与锡球垫139、126仅为平面接触结合，不仅接触面积小电气特性相对较差、且结合的结构强度亦相对较差，可能导致产品不良率提高甚至锡球138剥落的情形，且在热焊制程中有可能因为锡球138溢料而导致短路与电性不稳的现象，同时，亦常造成电连接器13a与电路板上12a结合后的共平面性(Co-Planarity)不佳的状况。
本实用新型的第二目的是在于提供一种电气连接装置，借由在插座的插孔底端选择性地增设一接触环，以提高锡球与插座及导电夹持仲之间的接触面积。
本实用新型的第三目的是在于提供一种电气连接装置，借由在插座的插孔底端选择性地增设一接触环，且接触环至少有一部份是与导电夹持件下端的锡球垫部位于不同的水平高度，借由此水平高度落差的几何构形设计可以提高锡球与插座及导电夹持件之间的接触面积。
本实用新型的第四目的是在于提供一种电气连接装置，借由在插座的插孔底端增加设置一凸缘其可抵靠在导电夹持件下端锡球垫部的周缘，其不仅可在进行热焊制程时避免锡球材料自导电夹持件与插孔之间的缝隙因虹吸现象而上吸，且该凸缘更可抵住锡球以避免导电夹持件被锡球的上推力所推动而松脱或移位。
本发明提供一种电气连接装置，可供与一外界的插针式集成电路组件所具有的多个插针进行电性连接，该电气连接装置包括有一插座，于插座上设有多个插孔其位置是对应于该集成电路组件的多个插针；多个导电夹持件，分别容置于多个插孔内，各导电夹持件均分别包括有一延伸部，其是沿着插孔的延伸方向所延伸设置；一夹持部，位于延伸部的一端并与延伸部呈一预定夹角，该夹持部可供接受该插针的插入；及一锡球垫部，位于延伸部的另一端并与延伸部呈一预定夹角，位于锡球垫部较远离夹持部的侧的一底表面上并设有至少一几何构形，该几何构形可使锡球垫部的该底表面并非为单纯的全平面；以及，多个锡球，分别位于多个导电夹持件的锡球垫部。
所述的导电夹持件的夹持部是包括有朝同样方向延伸且相隔一适当间距的两夹持臂，并借由弯折该两夹持臂而使两夹持臂之间形成有一较大间距的容置口以及一较小间距的夹持端，该容置口可接受该插针插入，并且，该电气连接装置更包括有一滑动盖机构，以可滑动的方式设置于插座朝向集成电路组件的侧表面上、当外界的插针式集成电路组件插置于插座的插孔时，可借由该滑动盖机构进行有限度的滑动位移以将插针自容置口位置椎靠向夹持端进而将集成电路组件夹紧定位于插座上。
所述的电气连接装置更包括有一接触环，设置于插孔朝向锡球垫部的侧的末端周缘。
所述的接触环至少有一部份是与锡球垫部非位在同一水平面上。
所述的锡球垫部的底表面上所设的该几何构形是借由在该底表面上形成至少一凹凸部或是一开孔所构成。
所述的开孔至少有一部份是延伸至锡球垫部的底表面的外周缘而使开孔呈非封闭状态。
所述的锡球垫部的底表面上所设的该几何构形是借由在该底表面上形成至少一倾斜面所构成。
所述的于该延伸部的适当位置处是设有至少一凹凸状的卡爪结构，该卡爪结构可对插座的插孔内壁表面提供一抓持力以避免导电夹持件移位。
所述的锡球的锡成分所占的比例可介于60-75％、而同时铅成分所占的比例可介于25-40％。
所述的在导电夹持件的延伸部与锡球垫部相接的附近区域处，是施以适当的表面加工处理以降低该区域对锡球材料的吸附能力，且该表面加工处理可为下列方式之一于该区域附近处形成若干微细刮痕、使该区域的表面氧化、以及在该区域涂布防焊剂。
于本较佳实施例中，该集成电路组件11具有若干插针111(Pins)，其结构是与现有技术相同且非为本实用新型的技术特征，因此，以下将不赘述集成电路组件11的详细构成，且仅以虚线概略绘制其外观轮廓于各示意图中。
该电气连接装置30包括有一插座39(Socket)、一滑动盖机构35(SlideCover Mechanism)、多个导电夹持件34、多个锡球31(Solder)、以及多个接触环32(Contact Ring)。其中，该多个接触环32于本实用新型中是为可选择性地增加设置或亦可不设置的组件。并且，于插座与滑动盖机构上设有对应的多个插孔33(Pin-Hole)其位置是对应于该集成电路组件11的多个插针111，而可供将集成电路组件11插置结合于插座39的插孔33，且必要时可将集成电路组件11拔出取离。
多个导电夹持件34是分别容置于对应的多个插孔33内，各导电夹持件34均分别是为一体成型的单一组件，其是借由弯折一金属片所制成。于本实施例中，导电夹持件34的材质可为镍、金、铬、铜、铁、铝、钛、铅、锡、或其合金为较佳，且其表面亦可有不同金属材质的电镀处理。各导电夹持件34是分别包括有一延伸部341、一夹持部342、以及一锡球垫部343。延伸部341是沿着插孔33的延伸方向所延伸设置。且延伸部341的适当位置处是设有若干凹凸状的卡爪结构3412，该卡爪结构3412可对插座39的插孔33内壁面提供一抓持力以避免导电夹持件34自插孔33中脱落或移位。夹持部342位于延伸部34 1的一端(顶端)并与延伸部341呈一预定夹角(例如垂直夹角)，该夹持部342可供接受该插针111的插入。如图7所示，夹持部342是包括有朝同样方向延伸且相隔一适当间距的两夹持臂，并借由弯折该两夹持臂而使两夹持臂之间形成有一较大间距的容置口3421以及一较小间距的夹持端3422，该容置口3421之间距是大于插针111直径以接受该插针111所插入，而夹持端3422之间距可略小于插针111直径以提供一夹持定位的功能。锡球垫部343是位于延伸部341的另一端并与延伸部341呈一预定夹角(例如垂直夹角)，位于锡球垫部343较远离夹持部的侧的一底表面上并设有至少一2D(二维)或是3D(三维)的几何构形3431，该几何构形3431可使锡球垫部343的该底表面并非为单纯的全平面。于图5、图6、及图7所示的本较佳实施例中，该几何构形3431是为一贯穿锡球垫部的封闭状态的圆形中空开孔，当进行热焊制程(Solder Reflow；俗称过锡炉)前的上锡球制程时，该锡球垫部343的开孔(几何构形3431)将可有效提供一良好定位效果，使锡球31更容易定位。
滑动盖机构35是以可滑动的方式设置于插座39朝向集成电路组件11的侧表面上，当外界的插针式集成电路组件11插置于插座39的插孔33时，可借由该滑动盖机构35进行有限度的滑动位移以将插针111自容置口3421位置推靠向夹持端3422进而将集成电路组件11夹紧定位于插座39上。由于此所述的滑动盖机构35是可选择使用类同于图1所示现有技术的滑动板与扳动长秆的结构，且非为本实用新型所欲诉求的技术特征，故以下将不赘述滑动盖机构的详细构成。
锡球31是由包括例如铅(Pb)、锡(Sn)等或其它金属的合金所构成，借由将锡球31中所含的铅锡比例适当调整将可使其共融点温度(EutecticTemperature)改变至预定温度，以适应实际上的制程需求。或者，亦可借由在该锡球31中混入其它金属例如银(Ag)或锑(Sb)或其它金属等来改变其共融点温度。于一较佳实施例中，锡球31的锡成分所占的比例可介于60-75％、而同时铅成分所占的比例可介于25-40％为较佳，使本实用新型的锡球3 1中所含的锡铅比例可为介于60/40(Sn/Pb)至75/25(Sn/Pb)为较佳。相对于传统现有的锡球(Solder Ball)大多是使用63/37锡铅比例所具有的约为183℃左右的共融点温度(Eutectic Temperature)，本较佳实施例借由将锡球31中所含的锡铅比例更改为介于60/40至75/25将可使其共融点温度提高至介于约190℃-195℃之间。当然，于本实用新型的另一较佳实施例中，亦可借由在该锡球31中混入其它金属例如银(Ag)或锑(Sb)或其它金属来改变并适量提高其共融点温度。因此，本较佳实施例的具有较高共融点的锡球31在进行热焊(Reflow)制程时将成为一可控制的半熔融的半固体状态，而非如同现有技术使用63/37锡铅比的锡球，其将会在热焊(Reflow)制程时完全融化成液体状态。
接触环32是呈一中空环状结构其是设置于插孔33朝向锡球垫部343的侧(亦即底侧)末端的外周缘。于本较佳实施例中，插座39的底侧面是呈一平面状态而该接触环32则是额外附加在插座39底侧面上，相对地，该锡球垫部343则是齐平于插座39底侧面。于是，接触环32与锡球垫部343之间将产生一高低落差而非位于相同水平面上。
电路板40的一上表面是通过锡球31结合固定有该电器连接装置30并与其电性连接。于本较佳实施例中，该电路板40更包括有若干贯穿孔41(PlatedThrough Hole；PTH)，其位置是对应于该若干锡球31，贯穿孔41的顶侧形成有锡球垫42(Solder Pad)以供与插座39下的锡球31接合。各贯穿孔41内壁表面上是设有导电层43，于电路板40的上表面上布设有一非导电的屏蔽层44(其可为SMD或可为NSMD)，屏蔽层44是用于定义各贯穿孔41的位置，使各贯穿孔41的锡球垫42均未受屏蔽层44所覆盖且是暴露于电路板40外以供结合插座的锡球31。电路板40的底侧面可选择以额外焊料45设于贯穿孔41底端。
当本实用新型的电气连接装置与电路板40尚未进行热焊制程(SolderReflow俗称过锡炉)前，插座39与电路板40是为分离状态且锡球31是约略呈球体状。当进行热焊制程时，锡球31将成为半固态或液态的状态，使锡球31有一部份会因压力的故而灌入接触环32与锡球垫部343两者之间所形成的该高低落差处、以及灌入锡球垫部343的该开孔(几何构形3431)内。借此，不仅锡球31与接触环32及锡球垫部343之间的接触表面积有所增加、且更因锡球31灌伸入锡球垫部343的开孔内而造成嵌合效果，不仅电气特性提高、且结构强度亦相对增加、并进而使产品的生产良率得以改善。更何况，该开孔亦同时提供一逃料空间，使得在热焊制程中因为锡球31大小不均所多余的焊料可挤入升孔中，所以，借由本实用新型技术所制造出的电气连接装置30，其与电路板40之间的结合共平面度，将可较现有技术(指图3所示者)相对更佳。
并且，如图6所示，本实用新型借由在插座39的插孔33底端增加设置一朝向插孔33内水平突出的倾斜凸缘391。该凸缘391可抵靠在导电夹持件34下端锡球垫部343的外周缘，其不仅可在装置导电夹持件34时提供一抵靠定位作用外，更可在进行热焊制程时避免锡球31材料自导电夹持件34与插孔33之间的缝隙因虹吸现象而上吸，且热焊制程时该凸缘391更可抵住锡球31以避免导电夹持件34被锡球31的上推力所推动而松脱或移位。
另，本实用新型的较佳实施例中，亦可如图7所示般，而在导电夹持件34的延伸部341底部与锡球垫部343相接的附近区域3411处，包括其内侧表面或外侧表面，选择性地施以可降低对溢料进来的锡球31材料的吸附能力的表面加工处理，例如，在该区域3411附近处形成若干微细刮痕造成表面氧化、或是涂布有机防焊剂。或其它可降低锡球材料吸附能力的其它现有手段等，如此一来，便可避免因虹吸现象而导致过多的锡球材料被吸附在该区域3411附近处。此外，于本较佳实施例中，当进行热焊制程时部份锡球亦可流入电路板40的贯穿孔41上端的一部份，而使锡球31形成类似蕈状结构，且具有位于电路板40上表面的一蕈伞部、以及灌伸入贯穿孔41一部份的一蕈茎部(未编号)，该蕈茎部是接触于贯穿孔41内壁表面上的导电层43。相对于如图3所示的现有技术使用全平面锡球垫的现有电路板来说，本较佳实施例使用具有贯穿孔41的电路板40来与本实用新型的电气连接装置30进行热焊，同样可具有使锡球与电路板贯穿孔41之间的接触表面积增加与嵌合效果。然而，本实用新型的电气连接装置同样亦可适用于与前述图3所示的现有电路板(无贯穿孔)进行结合使用。
以下所述的本实用新型其它较佳实施例中，因大部份的组件是相同或类似于前述实施例，因此相同的组件将直接给予相同的名称及编号，且对于类似的组件则给予相同名称但在原编号后另增加一英文字母加以区别且不予赘述，合先叙明。
请参阅图8A至图8H是为本实用新型的导电夹持件34的锡球垫部的数种较佳实施例的下视示意图。除了如图7所示的导电夹持件34，其锡球垫部343及开孔(几何构形343 1)的下视示意图将如图8A般，呈现出一中央具有封闭状态的圆形开孔的方框形轮廓结构之外，该锡球垫部343及开孔的下视示意图亦可如图8B、8D、8F与8H所示般，其开孔可为十字槽状的开孔。并且，锡球垫部的外围轮廓亦可如图8E-8H所示般呈一圆形而非方框形。并且，该开孔的一部份亦可如图8B、8C、8F与8G所示般延伸出锡球垫部的外周缘而使开孔呈一开放状态而非封闭状态，此种开放状态的开孔可相对较便于成型制造。当然，本实用新型的锡球垫部上的开孔形状除了如图8A至图8H所示般的圆形与十字形开孔的外，其亦可以是多边形开孔、一或数个槽状开孔(可交叉或不交叉)，波浪状开孔、或是其它不规则形状的开孔。
请参阅图9是为本实用新型的接触环32的一较佳实施例。于本实施例中，接触环32是为一中空圆环状结构，其周缘设置有若干延伸321其可用以增加接触环32与插座39底面间的结合强度、或是作为与插座39底面电路(倘若有设置电路布局的话)耦合之用。
请参阅图10A至图10G，为本实用新型的导电夹持件34的锡球垫部343与接触环32的数种变化组合实施例。由于各变化例之间的改变不大，所以将仅针对不同点提出说明。
图10A所示实施例与图6实施例大致相同，唯一不同点在于图10A所示实施例中，该接触环32与锡球垫部343是位于相同水平面上且是凸出于插座39底面下方。
图10b所示实施例与图10A实施例的不同点在于，图10b所示实施例中，该插座39底面、接触环32与锡球垫部343均是位于相同水平面上(亦即呈齐平状态)。
图10C所示实施例与图6实施例的不同点在于，图10C所示实施例中，中空接触环32的内周缘直径小于插孔39直径。
图10D所示实施例与图10C实施例的不同点在于，图10D所示实施例中，接触环32是呈一中空碟盘状结构其具有一中央凹陷部份322，接触环32的中央凹陷部份322是贴靠在锡球垫部343，而接触环32的外周缘则贴靠在插座39底面。
图10E所示实施例与图10D实施例的不同点在于，图10E所示实施例中，接触环32是呈一碟盘状结构且并无中空孔的设置。借由该碟盘状的接触环32亦可提供与锡球31间的相对较大接触表面积(相对于图3的现有技术而言)。
图10F所示实施例与图6实施例的不同点在于，图10F所示实施例中，锡球垫部343并无开孔设置，然而锡球垫部343的水平位置是略缩入插孔39内。借由接触环32与锡球垫部343之间所形成的高低落差亦可提供与锡球31间的相对较大接触表面积(相对于图3的现有技术而言)。
图10G所示实施例与图10下实施例的不同点在于，图10G所示实施例中，接触环32是呈一中空碟盘状结构其具有一中央凹陷部份322，接触环32的中央凹陷部份322是贴靠在锡球垫部343，而接触环32的外周缘则贴靠在插座39底面。
当然，该设置于锡球垫部343的几何构形3431设计除了如前述的开孔各实施例之外，亦可以借由在锡球垫部343设置倾斜面或是凹凸部的方式来达到类似的几何构形3431效果。例如，图11A至图11C所示，为在锡球垫部343设置有倾斜面3432于开孔周缘的数个实施例。图12A与图12B则为在锡球垫部343设置凹凸部的数个实施例。
如图11A所示，其与图6的不同处在于图11A的锡球垫部343更设置有倾斜面3432于开孔(几何构形3431)周缘，且该倾斜面3432是朝向插孔内部(亦即插座39上方)倾斜。
图11B所示实施例与图11A实施例的不同点在于，图11B所示实施例中，该倾斜面3432是朝向插孔外部(亦即插座39下方)倾斜。
图11C所示实施例与图11B实施例的不同点在于，图11C所示实施例中，接触环32是呈一中空碟盘状结构而非纯平面结构。
如图12A所示，其与图6的不同处在于图12A所示实施例中，该锡球垫部343并无贯穿开孔的设置而是借由冲压方式设置至少一凹凸部3433以作为前述的几何构形3431，且该凹凸部3433是朝向插孔内部(亦即插座39上方)凹入。
较佳者，该凹凸部3433可为圆形、十字形、多边形、至少一槽状、环形、波浪状、或不规则形状。
如图12B所示，其与图12A的不同处在于图12B所示实施例中，该锡球垫部343的凹凸部3433并非朝向插孔内部凹入，相反地，该锡球垫部343的凹凸部是朝向插孔外(亦即插座39下方)凸出。
本实用新型的电气连接装置30除了适用于以锡球31来和电路板40进行热焊结合之外，亦可使用于插针式结构。例如图13A、13B及13C所示般，可在锡球垫部下方更向下延伸出一插针37以供插置入电路板40的贯穿孔41中、再以焊料45加以热焊固定。
当然，本实用新型所曾公开提及的包括(A)锡球垫部上可设置凹凸部、开孔、或倾斜面设计；(B)该凹凸部、开孔，或倾斜面可以是圆形、十字形、多边形、至少一槽状、环形、波浪状。或不规则形状；(C)接触环可为中空或非中空的环状或碟状接触环；(D)锡球垫部可内缩于插孔内或齐平于插座底面，且接触环可外凸于插孔外或齐平于插座底面；(E)锡球垫部与接触环可为齐平或有高低落差，等等的各种变化例。在参阅本实用新型的前述各变化实施例后当可轻易思及，而将前列(A)至(E)项中的各变化例任意加以组合应用，而达到本实用新型所称的类似功效。另外，本实用新型的电气连接装置除了如前述各实施例是与一具有贯穿孔的电路板进行热焊结合之外，其亦可适用于与不具有贯穿孔的现有电路板(例如图3所示的电路板)进行结合运用者。
以上所述是利用较佳实施例详细说明本实用新型，而非限制本实用新型的范围。例如，本实用新型的电路板虽是以四层板(具有四层电路布局)进行说明，然其亦可以是具有单层，双层或其它层数电路布局的电路板者，又如，本实用新型的实施例虽是以具锡球的锡球式插座与集成电路组件的结合为例进行说明，然而其亦可能是用来插置另一电路板。
权利要求1.一种电气连接装置，其特征在于包括有一插座，于插座上设有多个插孔，其位置是对应于集成电路组件的多个插针；多个导电夹持件，分别容置于多个插孔内，各导电夹持件均分别包括有一延伸部，其是沿着插孔的延伸方向所延伸设置；一夹持部，位于延伸部的一端并与延伸部呈一预定夹角；及一锡球垫部，位于延伸部的另一端并与延伸部呈一预定夹角，位于锡球垫部较远离夹持部一侧的一底表面上并设有至少一几何构形；以及，多个锡球，分别位于多个导电夹持件的锡球垫部。
2.如权利要求1所述的电气连接装置，其特征在于所述的导电夹持件的夹持部是包括有朝同样方向延伸且相隔一适当间距的两夹持臂，并借由弯折该两夹持臂而使两夹持臂之间形成有一较大间距的可接受该插针插入的容置口以及一较小间距的夹持端，并且，该电气连接装置更包括有一滑动盖机构，以可滑动的方式设置于插座朝向集成电路组件的侧表面上。
3.如权利要求1所述的电气连接装置，其特征在于所述的电气连接装置更包括有一接触环，设置于插孔朝向锡球垫部一侧的末端周缘。
4.如权利要求3所述的电气连接装置，其特征在于所述的接触环至少有一部份是与锡球垫部非位在同一水平面上。
5.如权利要求1所述的电气连接装置，其特征在于所述的锡球垫部的底表面上所设的该几何构形是由在该底表面上形成至少一凹凸部或是一开孔所构成。
6.如权利要求1所述的电气连接装置，其特征在于所述的开孔至少有一部份是延伸至锡球垫部的底表面的外周缘而使开孔呈非封闭状态。
7.如权利要求1所述的电气连接装置，其特征在于所述的锡球垫部的底表面上所设的该几何构形是由在该底表面上形成至少一倾斜面所构成。
8.如权利要求1所述的电气连接装置，其特征在于所述的于该延伸部的适当位置处是设有至少一凹凸状的卡爪结构。
9.如权利要求1所述的电气连接装置，其特征在于所述的在导电夹持件的延伸部与锡球垫部相接的附近区域处，是施以适当的表面加工处理。
专利摘要一种电气连接装置包括有一插座、多个导电夹持件及多个锡球，还可以包括一接触环。插座上设有多个插孔其可供一集成电路组件的多个插针所插入。导电夹持件置于插孔内且包括有一延伸部、一夹持部位于延伸部的顶端、以及一锡球垫部位于延伸部的底端以供结合锡球。于锡球垫部较远离夹持部的侧的一底表面上并设有例如开孔、凹凸部或倾斜面等的至少一2D或3D的几何构形，该几何构形可使锡球垫部的该底表面并非为单纯的全平面。借由该锡球垫部的几何构形并配合接触环的运用，可增加锡球垫部与接触环在和锡球热焊时的接触面积并造成类似嵌合效果，以提高电气特性、结构强度、与产品的生产良率及共平面性。
文档编号H01R4/02GK2526991SQ0220471
公开日2002年12月18日 申请日期2002年1月21日 优先权日2002年1月21日
发明者宫振越, 何昆耀 申请人:威盛电子股份有限公司