专利名称：用于为电子电路制作复制保护的方法以及相应元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于为电子电路，尤其是集成电路，制作复制保护的方法，并且涉及一种具有复制保护的电子元件。
由于正在进行的技术开发，电子电路，尤其是集成电路，的复杂性变得越来越高。这导致产品被剽窃，剽窃者为了分析集成电路而打开集成电路的壳体，并且违背制造者意愿地滥用结果，尤其是复制集成电路。
此问题特别是关系到制造者对保持秘密具有高度兴趣的电子电路，如用于对加密信号解密的电路，尤其是用于付费电视和塑料芯片卡。
尽管芯片一般封装在壳体等内，但这些壳体可通过适当的方式除去，从而不能提供充分的保护以免被误用或复制。
从而，本发明的一个目的是提供一种能为电子电路产生有效而且安全的复制保护的方法。
本发明的另一目的是提供一种具有有效复制保护的电子元件。
仅通过权利要求1和25的主题，本发明的目的以令人吃惊的简单方式实现。本发明的进一步配置形成从属权利要求的主题。
根据本发明制作电子电路复制保护的方法，提供基片，所述基片在第一侧上具有半导体结构。此基片例如为其上印刷有电路的硅晶片，该硅晶片还未被分割为芯片。
电子电路优选包括开关电路、集成电路和/或传感器。
进而，提供用于涂敷基片的材料，并且，所述基片被涂敷一个或多个复制保护层。一个或多个复制保护层具有以下功能，具体为防止各个半导体结构和/或总体电路被窥探、误用和复制。所述复制保护具体保护具有半导体结构的电路，因为这些电路特别需要保密，其中，所述半导体结构包括电子解密部件。从而，本发明的一个重要应用领域是防止解码器的未被授权者对产品的剽窃和解密，所述解码器用于付费广播，尤其是付费电视，或用于芯片卡上与保密有关的电路。
提供复制保护涂层一方面具有提供非常有效复制保护或防止被分析或窥探的优点，另一方面具有易于施加到基片或晶片上的优点。
进而，涂敷在整个涂敷区域上提供均匀的保护，这使得甚至可以防止窥探电路各部分。
具体地，涂敷也可合成为用于制作电路的方法中的一个子步骤。如果在任何情况下都涂敷诸如钝化或稳定层的涂层，此优点就具有特别积极的效果。在此情况下，一个或多个复制保护层以及一个或多个进一步的涂层如钝化或稳定涂层可在相同的设备具体为真空室中实现，优选在涂敷操作之间不从设备移走基片，从而，可以避免昂贵和耗时的转换操作。
当制作复制保护涂层可区域地施加到尚未被分割晶片上的半导体产品时，这在工艺经济方面是特别有利的，从而，大量的芯片可在单一工作步骤中设置复制保护。在使用所谓晶片级封装(WLP)对芯片以晶片级进行封装的情况下，这是特别有利的。在此情况下，具体地，如果以同时执行壳体和/或稳定化功能的方式，即以形成壳体整体部分的方式，形成防止被窥探的层或复制保护层，那么，根据本发明的方法一方面就可用于WLP以外，或者在另一方面，甚至可取代WLP的至少子步骤。
至少在区域中，优选半导体结构被一个或多个复制保护层覆盖，从而，不除去一个或多个复制保护层，就不可接入半导体结构。
优选一个或多个复制保护层以蚀刻工艺同样侵蚀基片的方式与基片匹配，其中，蚀刻工艺溶解一个或多个复制保护层，所述侵蚀方式为半导体结构至少部分或全部被溶解、侵蚀和/或毁坏，并且/或者，在除去一个或多个复制保护层之后，逻辑电路不能再造，最终，窥探或复制被蚀刻掉一个或多个复制保护层的电路的企图注定要失败。化学或湿式蚀刻以及干式或等离子体蚀刻是适用于一个或多个复制保护层的蚀刻工艺。
从而，不损坏基片或晶片上存在的半导体结构而有选择性地除去保护层是不可能的，或者至少是困难得多。因而，所述结构不易成为非法复制的对象。
优选至少一个复制保护层包含硅。在蚀刻特性方面，这非常匹配于具有基于硅的半导体层的基片。
一个或多个复制保护层优选用作至少在区域中是连续的层，并且具体为固定地、完全地和/或区域地接合到基片和/或结合到后者，从而，除蚀刻之外的侵袭也被抵制。优选地，基片中至少布置半导体结构的那些区域被一个或多个复制保护层完全覆盖和/或气密封装。
本发明人惊讶地发现玻璃是用于复制保护层的合适材料。从而，具体地，玻璃层施加到基片上。优选硅酸盐玻璃，如硼硅玻璃，特别是具有少量铝氧化物和/或碱金属氧化物的硅酸盐玻璃。在测试中，由Schott制造的蒸发涂敷玻璃8329已被证实是特别适合的。
优选通过蒸发涂敷而施加复制保护层，即，具体为玻璃。蒸发涂敷有利地使得非常牢固地结合到基片上，而不需要例如粘附剂。
在此方面，也可参考同一申请人的以下专利申请DE 202 05 830.1，2002年4月15日提交；DE 102 22 964.3，2002年5月23日提交；DE 102 22 609.1，2002年5月23日提交；DE 102 22 958.9，2002年5月23日提交；DE 102 52 787.3，2002年11月13日提交；DE 103 01 559.0，2002年1月16日提交，这些专利申请所公布的内容在本文特别地引作参考。
以下工艺参数对于施加连续的玻璃层作为复制保护层是有利的基片的表面粗糙度＜50μm在蒸发过程中的BIAS温度 ≈100℃
在蒸发过程中的压力10-4mbar对于通过蒸发涂敷淀积或施加复制保护层，通过等离子辅助淀积(PIAD)来执行是有利的。在此情况下，离子束被另外引导到将被涂敷的基片上。通过等离子体源，例如通过适当气体的离子化，可以产生离子束。等离子体另外对所述层起到稠化作用，并且从基片表面除去松散附着的粒子。这导致特别稠密、低缺陷的淀积层。
复制保护层或者是透明的，这对于光电子元件是有利的，或者复制保护层是模糊的、不透明的、阴暗的、彩色的、浑浊的、暗淡的或具有相似的视觉阻碍特性。
作为晶片和保护层主要成分的硅基本上只可通过相同的蚀刻化学物除去，这实际上排除选择性蚀刻的可能性。即使在使用干式蚀刻工艺时，硅基片或晶片与硅玻璃的材料组合也被保护，以免被选择性蚀刻，因为只能基于半导体层或玻璃层的元素而获得有关蚀刻停止的信息。只有一旦获得此信息，即，一旦半导体层被损坏，蚀刻工艺才能被停止。
然而，通过使用合适适配的蒸发涂敷玻璃，玻璃也可用于除硅之外的基片，包括有机和无机半导体。
优选基片的表面粗糙度最大为50μm、10μm或5μm，并且/或者，优选基片的热膨胀系数和复制保护层的材料具体为蒸发涂敷玻璃相一致。
根据优选实施例，复制保护层包括至少二元系统，优选包括多元系统。至少二元系统可理解为指代表至少两种化合物合成的材料。
对于复制保护层，热蒸发和电子束蒸发已证实是特别有效的蒸发涂敷工艺。有利地实现至少0.01μm/min、0.1μm/min、1μm/min、2μm/min和/或高达10μm/min、8μm/min、6μm/min或4μm/min的高蒸发涂敷率。这成倍地超过已知的溅射率，并且这使得本发明工艺的使用明显有益于复制保护的制作。这允许厚度从0.01μm到1000μm，优选从10μm到100μm，的层迅速有效地施加到基片上。包括迄今应用的单成分系统(通常为SiO2)的溅射层只具有几纳米每分钟的溅射率。
优选在低于300℃，具体低于150℃并特别优选在100℃区域内的偏置温度下，在基片上涂敷复制保护层。背景压力从10-3mbar到10-7mbar，具体为在10-5mbar的区域内，已证实对于在基片上涂敷复制保护层是合适的，尤其是对于通过蒸发涂敷来施加玻璃层是合适的。
根据本发明的优选改进，施加至少一个另外的层，如玻璃、陶瓷、金属或塑料层，具体作为光学和X射线光学保护层和/或防止电容性和电感性窥探的保护层，此保护层对于电磁波具体为对于X射线基本是不渗透的，或者，此保护层包括电容性和/或电感性屏蔽。此层可覆盖全部区域，或者，在最有利的情况下，此层覆盖基片中要被保护区域的局部区域。然而，保护层也可以这样的方式施加，使得信号仍然被非接触式引入或发射，具体为电感性或电容性引入或发射。
根据优选实施例，在保护层序列中包含电路发挥作用所需的至少一些无源元件和/或互连，从而，当除去保护层时，电路逻辑不再能被理解或至少更难以理解。
根据本发明的优选改进，在基片的第二侧上施加至少一个另外的层，如玻璃或塑料层，具体作为钝化层和/或机械加强层，其中，第二侧是第一侧的相反侧。在第二侧上施加具有钝化功能的玻璃层与机械加强塑料层的组合是特别有利的。
根据优选实施例，根据本发明的方法与包装半导体元件的方法相结合，在所述工艺中，使基片变薄；在基片的第一侧上制作具有连接结构区域的蚀刻凹坑；借助塑料平版印刷术在基片的第二侧上施加塑料层，连接结构区域保持敞开，其中，第二侧是第一侧的相反侧；通过在第二侧上涂敷具体为溅射导电层而制作触点；施加球栅阵列；并且/或者，基片最终被分割成各个芯片。如果希望的话，在分割操作之前再次除去第二侧上的塑料层，并且/或者用导电材料填充蚀刻凹坑。
根据又一优选实施例，通过蒸发涂敷0.01μm-50μm厚的玻璃层而覆盖基片的第二侧，具体通过研磨或蚀刻而暴露位于玻璃层下方的连接结构区域，其中，第二侧是第一侧的相反侧。
根据优选改进，在基片的第二侧上通过平版印刷术在连接结构区域中设置局部施加的塑料层，接着，通过蒸发涂敷在整个表面上施加0.01μm-50μm厚的玻璃层，其中，第二侧是第一侧的相反侧；此玻璃层的厚度不超过塑料层的厚度。随后，通过卸下技术分离上面的塑料层以及施加到塑料层上的玻璃层，可以暴露连接结构。
根据另一实施例，基片包括在基片第一侧上涂敷结构化覆盖层的连接结构，所述涂敷具体为塑料平版印刷术。随后，执行复制保护层涂敷。接着，使复制保护层变薄，例如研磨或蚀刻复制保护层，至少直到暴露覆盖层为止。然后，为了暴露连接结构，优选再次除去覆盖层。这允许基片上那些布置半导体结构的区域被复制保护层有选择性地保护，而布置连接结构的区域保持清洁，从而它们可被接触连接。接着，例如为球栅阵列形式的抬升连接触点优选应用已知的倒装片技术，被施加到基片第一侧的连接结构上以接触连接并被导电连接到连接结构。
本发明还涉及到以下德国专利申请所公布的发明DE-102 22 964.3-33，申请日期2002年5月23日；DE-102 22 609.1-33，申请日期2002年5月23日；以及德国实用新型申请202 05 830.1，申请日期2002年4月15日。
从而，在本文的主题中，这三个申请的内容在此全部引作参考。
在下文中，基于优选的典型实施例并结合附图来详细解释本发明。
附图简述
图1a示出具有玻璃层的一部分晶片的横截面，其中，所述玻璃层通过蒸发涂敷而施加到顶侧上，图1b示出的与图1a相同，但通过蒸发涂敷在下侧上施加另外的玻璃层，图1c示出的与图1a相同，但进一步施加金属、陶瓷、玻璃或塑料的连续保护层并通过蒸发涂敷在顶侧上施加最终玻璃层，
图1d示出的与图1a相同，但进一步施加金属、陶瓷、玻璃或塑料的断续保护层并通过蒸发涂敷在顶侧上施加最终玻璃层，图1e示出的与图1a相同，但进一步施加金属或陶瓷的断续保护层(互连、无源元件)并通过蒸发涂敷在顶侧上施加最终玻璃层，图2示出具有玻璃和塑料层的晶片部分，图3示出晶片上连接的制作，图4示出的与图3相同，但在晶片下侧上具有塑料钝化层，图5示出在晶片下侧上涂敷蒸发涂敷玻璃，图6示出在图5所示晶片上施加球栅阵列，图7a示出在晶片上施加球栅阵列的另一种方式，图7b示出的与图7a相同，但在晶片下侧上具有塑料层，图8示出晶片下侧的封装，图8a示出晶片下侧的另一封装，图9示出在图8或图8a所示晶片上施加球栅阵列，图10示出蒸发布置的概图，图11示出在顶侧上具有塑料层和连续玻璃层的晶片部分的横截面，图11a示出在顶侧上具有塑料层和结构化玻璃层的晶片部分的横截面，图12示出图11晶片部分在玻璃层被研磨掉和/或塑料层通过卸下技术而除去之后的情形，图13示出图12晶片部分在施加球栅阵列之后的情形，图14示出复制保护层的另一实施例的示意横截面图，其中，复制保护层具有蚀刻特性不同的区域，图15示出TOF-SIMS测量的结果，以及图16示意性地描绘具有用于密闭性测试的孔掩模的晶片。
发明详述图10示出基片1相对于蒸发涂敷玻璃源20的布置。后者包括电子束发生器21、偏束器装置22以及被电子束24撞击的玻璃靶23。在电子束撞击玻璃靶的位置上，玻璃被蒸发，并且沉淀在基片1的第一侧1a上。为了允许靶23的玻璃尽可能均匀地蒸发，玻璃靶被旋转，并使电子束24扫描移动。
参照图1a和1b，更详细地描述可能的基片1。作为基片1的硅晶片包括具有半导体结构的区域2和具有连接结构的区域3，连接结构在此形成为例如铝的结合垫。硅晶片为基片提供小于5μm的表面粗糙度。基片的顶侧1a在下侧1b的相反侧上。已在顶侧1a上淀积玻璃层4，作为复制保护层；此层优选从Schott制造的8329类型蒸发涂敷玻璃获得。此类型的玻璃基本上可因电子束24的作用而蒸发，所述工作在剩余压力为10-4mbar的真空环境中执行，并且蒸发过程的BIAS温度为100℃。在这些条件下，制作稠密的、连续的玻璃层4，并且，此层不能透过气体和液体，包括水，但能透射光，这在电光元件的情况下是重要的。
晶片的下侧1b可用于进一步的处理步骤，包括湿式、干式和等离子体蚀刻和/或清洗。
图1b示出与图1a相同的基片1，但通过蒸发涂敷在下侧1b上施加了另外的玻璃层14。
图1c示出与图1a相同的基片1，但施加另外的连续的保护层4a并通过蒸发涂敷在顶侧上进一步施加最终玻璃层4，其中，保护层4a包括金属、陶瓷、玻璃或塑料。
图1d示出与图1a相同的基片1，但基片1具有另外的保护层4b，保护层4b只是部分连续的或者是不连续的并包括金属、陶瓷、玻璃或塑料。保护层4b覆盖基片的重要区域，更具体地是具有半导体结构的区域2。具有连接结构的区域3未被覆盖。已经通过蒸发涂敷在保护层4b的顶侧上进一步施加最终的玻璃层4。
图1e示出与图1a相同的基片1，但基片1具有另外的、不连续的保护层4c，保护层4c包括金属或陶瓷。保护层4c另外包括互连和/或无源元件，如电阻器、电容器、变阻器、线圈等。已经通过蒸发涂敷在保护层4c的顶侧上进一步施加最终的玻璃层4。
图2示出基片1的多层覆盖层，在此典型实施例中，所述多层覆盖层包括在下侧1b上的玻璃层14和塑料层5。玻璃层14的厚度在0.01-50μm的范围内，这对于封装或气密封是足够的，然而，塑料层5更厚，以便对晶片赋予更大的稳定性，其中，晶片是用于后续处理步骤的工件。
可替换地或另外地，还可以以相同方式在玻璃层4的顶侧上施加塑料层，从而，在那里施加相应的多层覆盖层。
图3示出晶片的进一步处理。使晶片在下侧变薄，制作蚀刻凹坑6，延伸到作为蚀刻停止的连接结构区域3。晶片下侧1b用塑料平版印刷术设置，让包含连接结构3的区域暴露。接着，在下侧上例如通过喷涂或溅射而制作线接触7，结果是在蚀刻凹坑6的区域中制作导电层7。随后，从晶片下侧1b除去用于平版印刷的塑料。然后，在导电层7上施加球栅阵列8，并沿着平面9分割晶片。结果是形成多个电子元件，所述电子元件的半导体结构2安全地嵌入到复制保护层4和基片1之间，并被气密封。
图4示出对图3所示实施例的修改。执行与上述相同的工艺步骤，但不从晶片的下侧1b除去塑料，所述塑料层覆盖下侧，作为钝化和保护层10。
图5示出通过蒸发涂敷在基片的下侧1b上施加玻璃层11而不是塑料层10的实施例。与图3所示实施例一样，从晶片下侧1b除去用于平版印刷的塑料，通过蒸发涂敷在晶片的整个下侧1b上覆盖玻璃，产生0.01-50μm厚的玻璃层11。
如11b所示，此玻璃层还覆盖线接触7向外突出的部分。对于将被施加的球栅阵列8，通过研磨和/或蚀刻而暴露这些区域11b。接着，如图6所示，施加球栅阵列，接着，晶片被分割，以形成各个元件，如9所示。在每一种情况下通过玻璃层4或11，在顶部和底部上分别机械保护敏感的半导体结构2。玻璃层4同时代表复制保护层。
在本发明的进一步实施例中，晶片在分离面9上分割，其中，分离面9不穿过连接结构区域。这具有还可确保元件横向钝化保护的优点。图7a示出只影响覆盖层4和基片1的材料的分割实例。首先，程序与上述典型实施例中的一样，即，使晶片从下侧变薄，并且，制作蚀刻凹坑6，延伸到连接结构区域3的下侧。在晶片下侧1b上执行平版印刷操作，使结合垫区域保持暴露。在蚀刻凹坑6的区域中制作线接触7，还用导电材料12填充蚀刻凹坑。用于此目的适当工艺是通过电镀Ni(P)而增厚。在从晶片下侧除去塑料之后，施加球栅阵列8。接着，晶片沿着平面9分割。结果是获得具有气密封装的半导体结构2的电子元件。
可替换地，还可以不除去塑料层10，从而，后者在下侧1b上原位置上保留作为保护层，如图7b所示。
图8、8a和9示出在下侧上制作玻璃层11的典型实施例。程序与图5结合图7示出的实施例相似，即，制作填充的连接结构区域，并且晶片的整个下侧1b被涂敷玻璃层11。接着，如图8所示，通过研磨或蚀刻，或者如图8a所示，通过借助卸下技术分离塑料层15，在蚀刻凹坑6的区域中除去玻璃层11，以便随后施加球栅阵列，如图9所示，其中，塑料层15已事先通过平版印刷术施加在蚀刻凹坑区域中。在沿平面9分离之后，获得具有封装半导体结构的元件。
用于层4和/或11的玻璃系统代表至少二元系统。优选多元系统。
Schott生产的8329类型蒸发涂敷玻璃已证明是特别合适的，并且具有以下成分，以重量百分比表示成分 重量百分比SiO275-85B2O310-15Na2O1-5Li2O0.1-1K2O 0.1-1A2O30.1-1电阻为大约1010Ω/cm(100℃时)，折射率为大约1.470，介电常数ε为大约4.7(25℃，1MHz)，tanδ为大约45×10-4(25℃，1MHz)。
为了获得各成分的特性，对于顶侧和下侧上的玻璃层，使用不同玻璃成分的玻璃可能是有利的。也可以通过蒸发涂敷在基片上接连施加多种具有不同特性的玻璃，所述特性例如为折射率、密度、弹性模量、努氏硬度、介电常数、tanδ。
作为电子束蒸发的替代方案，也可以使用其它方式来转移沉淀为玻璃的材料。蒸发材料例如可在通过电子碰撞加热进行加热的坩埚里。此种类型的电子碰撞加热基于热离子排流，所述热离子排流被加速运动到坩埚，以便撞击将以预定动能蒸发的材料。这些工艺还允许不对基片施加过度热负载而制作玻璃层，其中，玻璃沉淀在基片上。
图11、11a和12示出本发明的另一实施例。在此实施例中，在基片1的下侧1b上已施加玻璃层14和塑料层5。
首先参照图11，基片1的顶侧1a上的连接结构区域3通过塑料平版印刷术用结构化塑料层或覆盖层15有选择性地覆盖。包括半导体结构的区域2保持暴露。接着，通过蒸发涂敷在基片顶侧上施加玻璃复制保护层4。随后，复制保护层至少被研磨或蚀刻到低于塑料层15的水平。然后，从顶侧1a有选择性地除去塑料层15。
在图11a中示出进一步的构造选项，其中，与图11中一样，通过塑料平版印刷术在基片顶侧上局部覆盖塑料。在随后的玻璃蒸发涂敷操作过程中，由蒸发涂敷施加的玻璃的层厚不超过塑料层的层厚。接着，在后续的工艺步骤中，通过卸下技术分离基片顶侧上局部覆盖的塑料层和玻璃层。
如图12所示，与图11或图11a相似的处理制作其中半导体结构2用玻璃涂敷而连接区域3暴露的晶片。
现在参照图13，图13示出倒装片技术的具体实施例，所有栅极阵列18施加到晶片顶侧的连接区域3上。
最后，分割晶片，以制作气密封的电路，从而获得具有复制保护的芯片。
图14示出复制保护层4，复制保护层4在横向上包括多个部分，至少有两个具有不同蚀刻阻力的部分。在此实例中，复制保护层包括第一材料的第一部分4a和横向相邻的第二材料的第二部分4b，其中，第一和第二材料具有不同的蚀刻速率。例如，第一材料包括SiO2，第二材料包括Schott生产的蒸发涂敷玻璃8329或G018-189。
进而，第一和第二部分4a、4b具有不同的厚度。而且，在复制保护层4的一侧上布置金属层30。另外，金属层30位于复制保护层4和另外的复制保护层4′之间。
结果，如果发生蚀刻侵袭，即使证实在保留第二部分4b下方的半导体结构的部分2b的同时除去第二部分4b是可以的，但半导体结构的至少一部分，如位于第一部分4a下方的部分2a，被有利地毁坏。
以下描述提供对由玻璃8329制成的复制保护层执行的各种测试的结果。
图15示出TOF-SIMS测量的结果，其中，描绘的计数率是溅射时间的函数。所述测量表征复制保护层中元素浓度的分布。确定小于1％层厚的复制保护层的厚度一致性。
进而如下所述，对由玻璃8329制成的复制保护层执行密闭性测试。
硅晶片设置有蚀刻停止掩模。如图16所示，晶片97划分为九个穿孔区域98(1cm×1cm)。在所述区域内的各个孔间距随着行而改变，如下所示第一行孔间距1mm第二行孔间距0.5mm第三行孔间距0.2mm。
所有正方形孔具有15μm的边长。
在晶片的未结构化的背面已经涂敷玻璃8329的8μm(样本A)或18μm(样本B)层之后，接着对晶片进行干式蚀刻，直到穿孔区中的玻璃。在透射光显微镜下，容易观察蚀刻的成功。
对于所有18个测量区，氦泄漏测试揭示小于10-8mbar l/sec的泄漏率。
在各个测量区的测量过程中，尽管晶片有明显的膨胀，但玻璃层的高强度还是令人惊异。即使在200℃条件作用之后，玻璃结构也没有变化。
进而，根据DIN/ISO对复制保护层执行阻力测量。结果在表1中给出。
表1
本领域中技术人员清楚本发明不局限于所述典型实施例，并且在不偏离本发明的范围的情况下，可结合各个典型实施例的特征。
权利要求
1.一种用于为电子电路制作复制保护的方法，包括以下步骤提供基片(1)，至少在基片(1)的第一侧(1a)上具有半导体结构(2)；提供用于涂敷基片(1)的材料(23)；用复制保护层(4)涂敷基片(1)。
2.如权利要求1所述的方法，其中，半导体结构(2)至少在区域中被复制保护层(4)覆盖，复制保护层(4)以蚀刻工艺同样侵蚀基片(1)的方式与基片(1)匹配，其中，蚀刻工艺溶解复制保护层(4)，所述侵蚀方式为半导体结构(2)至少部分被毁坏。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，基片(1)包括硅的半导体层，并且复制保护层(4)包含硅。
4.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，施加连续层作为复制保护层(4)。
5.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，复制保护层(4)包括玻璃，尤其是硅酸盐玻璃。
6.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，复制保护层(4)包括具有少量铝氧化物和碱金属氧化物的硼硅玻璃。
7.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，通过蒸发涂敷而施加复制保护层(4)。
8.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，复制保护层(4)包括至少二元系统。
9.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，复制保护层(4)包括对电磁波的屏蔽。
10.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，通过由热蒸发或电子束蒸发引起的蒸发涂敷而施加复制保护层(4)。
11.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，复制保护层(4)以0.01-1000μm的厚度施加到基片上。
12.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，在低于300℃的偏置温度下用复制保护层(4)涂敷基片(1)。
13.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，在10-3mbar-10-7mbar的压力下用复制保护层(4)涂敷基片(1)。
14.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，玻璃层(14)施加到基片(1)的第二侧(1b)上，第二侧(1b)在第一侧(1a)的相反侧上。
15.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，塑料层(5)施加到基片(1)的第二侧(1b)上，第二侧(1b)在第一侧(1a)的相反侧上。
16.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，使基片(1)变薄；在基片(1)的第一侧(1a)制作具有连接结构区域(3)作为蚀刻停止的蚀刻凹坑(6)；通过塑料平版印刷术，塑料层(10)施加到基片(1)的第二侧(1b)上，连接结构区域(3)保持敞开，其中，第二侧(1b)在第一侧(1a)的相反侧上；通过涂敷导电层而在第二侧(1b)上制作触点(7)；施加球栅阵列(8)；以及，把基片(1)分割为各个芯片。
17.如权利要求16所述的方法，其中，再次除去第二侧(1b)上的塑料层(10)。
18.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，用0.01μm-550μm厚的玻璃层(11)蒸发涂敷基片(1)的第二侧(1b)，其中，第二侧(1b)在第一侧(1a)的相反侧上，并且，通过研磨或蚀刻而暴露位于玻璃层(11)下方的连接结构区域(7)。
19.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，用导电材料填充蚀刻凹坑(6)。
20.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，基片(1)包括在涂敷复制保护层(4)之前用结构化覆盖层(15)涂敷的连接结构；使复制保护层(4)变薄，至少直到暴露覆盖层(15)为止；并且，除去覆盖层(15)，以便暴露连接结构(3)。
21.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，通过卸下技术除去至少部分覆盖层(15)和至少部分复制保护层(4)。
22.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，球栅阵列(18)施加到基片(1)在连接结构(3)上的第一侧(1a)。
23.如前面任一项权利要求所述的方法，其中，半导体结构(2)包括电子解密部件。
24.一种可由前面任一项权利要求所述工艺制作的电子元件。
25.具有复制保护的电子元件，包括基片(1)上的电子电路以及复制保护层(4)，其中，在基片(1)的第一侧(1a)上具有半导体结构(2)。
26.如权利要求24或25所述的电子元件，其中，复制保护层(4)包含第一材料，半导体结构(2)至少在区域中被复制保护层(4)覆盖，复制保护层(4)固定地接合到基片(1)，并且，以蚀刻工艺同样侵蚀基片的方式而确定第一材料，其中，蚀刻工艺溶解复制保护层，所述侵蚀方式为毁坏电子电路。
27.如权利要求24-26中任一项所述的电子元件，其中，基片(1)包括硅的半导体层，并且复制保护层(4)包含硅。
28.如权利要求24-27中任一项所述的电子元件，其中，复制保护层(4)包括连续层。
29.如权利要求24-28中任一项所述的电子元件，其中，复制保护层(4)包括玻璃，尤其是硅酸盐玻璃。
30.如权利要求24-29中任一项所述的电子元件，其中，复制保护层(4)包括具有少量铝氧化物和碱金属氧化物的硼硅玻璃。
31.如权利要求24-30中任一项所述的电子元件，其中，通过蒸发涂敷而施加复制保护层(4)。
32.如权利要求24-31中任一项所述的电子元件，其中，复制保护层(4)包括二元系统。
33.如权利要求24-32中任一项所述的电子元件，其中，复制保护层(4)包括对电磁波的屏蔽。
34.如权利要求24-33中任一项所述的电子元件，其中，通过由热蒸发或电子束蒸发引起的蒸发涂敷而施加复制保护层(4)。
35.如权利要求24-34中任一项所述的电子元件，其中，复制保护层(4)的厚度为0.01-1000μm。
36.如权利要求24-35中任一项所述的电子元件，其中，基片(1)具有连接结构(3)，在基片(1)的第二侧(1b)上布置升高的连接结构(8)，其中，第二侧(1b)在第一侧(1a)的相反侧上，连接触点(8)电连接到连接结构(3)。
37.如权利要求36所述的电子元件，其中，在连接触点(8)之间，基片(1)的第二侧(1b)用塑料(10)涂敷，并且，连接触点(8)以它们可接触连接的方式保持暴露。
38.如权利要求36或37所述的电子元件，其中，在连接触点(8)之间，基片(1)的第二侧(1b)用玻璃(11)涂敷，并且，连接触点(8)保持暴露，从而，它们可接触连接。
39.如权利要求24-38中任一项所述的电子元件，其中，基片(1)具有连接结构，在基片(1)的第一侧(1a)上布置升高的连接触点(18)，连接触点(18)电连接到连接结构(3)。
40.如权利要求24-39中任一项所述的电子元件，其中，在基片(1)的第一侧(1a)上的复制保护层(4)在连接触点(3，18)之间延伸，连接触点(3，18)保持暴露，从而，它们可接触连接。
41.如权利要求24-40中任一项所述的电子元件，其中，电子电路包括解密部件。
42.如权利要求24-41中任一项所述的电子元件，其中，复制保护层(4)包括具有不同蚀刻特性具体为包括具有不同蚀刻速率的材料的第一部分(4a)和第二部分(4b)。
43.一种用于对加密信号进行解密的解密装置，该装置具体用于付费广播，并包括如权利要求24-42中任一项所述的元件。
44.一种设计为执行如权利要求1-23中任一项所述工艺的设备。
45.在电子电路上使用涂层，以防止通过蚀刻掉涂层而暴露该电路，所述涂层可具体通过如权利要求1-23中任一项所述的方法而制作，和/或所述涂层是如权利要求24-42中任一项所述电子元件的一部分。
全文摘要
本发明涉及一种用于为集成电路制作复制保护的方法。本发明的目的是提供一种有效和可靠的复制保护，以便防止集成电路的未授权复制。为此，本发明提供的方法包括以下步骤提供基片(1)，至少在基片(1)的第一侧(1a)上具有半导体结构(2)；提供用于涂敷基片(1)的材料；以及，用复制保护层(4)涂敷基片(1)。已经证实通过汽相淀积硅酸盐玻璃而制作复制保护层(4)是有利的，使得除去复制保护层的蚀刻方法也对基片(1)起作用，从而至少部分地毁坏半导体结构(2)。
文档编号H01L23/02GK1647276SQ03808569
公开日2005年7月27日 申请日期2003年4月15日 优先权日2002年4月15日
发明者迪特里希·蒙德, 于尔根·莱布 申请人:肖特股份公司