专利名称：根据故障检测执行度量调度的方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关于半导体加工，更详而言之，是有关于一种根据故障检测分析执行度量调度(metrology dispatching)的方法及装置。
背景技术：
加工工业中的技术爆炸已经导致许多新的及创新的加工方法。现今的加工工艺尤其是半导体加工程序要求很多重要加工工艺。这些加工工艺通常至关重要，因此，需要许多可微调的输入以维持适当的加工控制。
半导体装置的加工需要许多分立加工工艺以从半导体原料中生产出半导体封装件。从半导体材料的初期生长，半导体晶体切割成单独的晶片，加工阶段(蚀刻、参杂、植入等等)，到成品的封装及最后测试，所有的这些加工工艺是如此的互不相同及专业化，以至于这些加工工艺需要在不同的加工场所执行，该些加工场所包含不同的控制系统。
一般情况下，一套加工工艺在一组半导体晶片上执行，有时一组晶片指一批晶片。例如，由许多不同材料组成的处理层可形成于半导体晶片上。其后，使用现有的光微影技术(photolithography technology)于该处理层上形成图案化光阻层。接着，使用该图案化光阻层作为光罩，对该处理层进行蚀刻以在该处理层内形成多种特征或物体。该些特征可被用作例如晶体管的闸极电极。许多时候，沟槽隔离结构亦形成于该半导体晶片基材上以隔离半导体晶片上的导电区域。例如可使用的隔离结构为浅沟槽隔离(STI)结构。
在半导体加工设备内，加工工具与加工架构或加工模块网络通讯。一般而言，每一加工工具连接至设备界面。该设备界面连接至与加工网络连接的机器界面，藉以便于该加工工具与该加工架构闲的通讯。该机器界面一般为先进加工控制(advance process control，APC)系统的一部分。该APC系统启动控制脚本(script)，该控制脚本可为自动取回执行制程所需数据的软件程序。
图1是为典型的半导体晶片105。该半导体晶片105是包括多数个排列在格子150内的单独半导体芯片103。使用现有光微影技术方法及设备，图案化光阻层可形成于一个或多个欲图案化的处理层上。于该光微影工艺中，依据所使用的特定光罩，每次在单一或多个芯片103上典型的透过步进器执行曝光工艺。在底层或材料层上执行干式或湿式蚀刻过程中，该图案化光阻层可作为光罩，以将所期望的图案转移到该基础层上。该基础层或材料层可例如为多晶硅层、金属或绝缘材料层。该图案化光阻层包含多数特征，例如，线型特征或开口型特征，该些特征将被复制到该底部处理层上。
参阅图2，其是为先前技术流程的流程图。一般而言，加工系统处理多数批半导体晶片105(方块210)。该批半导体晶片被排列并通过加工流程。在该半导体晶片105的加工上，在该批排列等候度量分析的半导体晶片105中，该加工系统从半导体晶片105样品中获得度量数据，该半导体晶片样品系为该批排列等候度量分析的半导体晶片105其中之一(方块220)。在获取该半导体晶片105度量数据时，一般使用先进先出方法。换句话说，第一批次加工的半导体晶片被最先发送以进行度量分析。但是，由于该批半导体晶片一般在行列中等候度量分析，故须经过长延迟，该系统方可使该加工系统获取度量数据。其间，该些加工工具对该批半导体晶片105执行几道初始的加工工艺。依据该度量数据的获取，对该度量数据进行分析(方块230)。基于以上分析，该加工系统执行方法修正(方块240)。
现有方法中存在这样一个问题，亦即许多批半导体晶片105排列等待，因此，度量数据的分析发生在十分靠后的时间周期。其间，在作出相当数量故障存在于特别批次半导体晶片内的判断之前，多批半导体晶片继续经过其它加工工艺。此外，有缺陷的加工工具可继续运行直到一行列中的一批半导体晶片分析出来。许多时候，在显著延迟后才确定一批半导体晶片105或加工工具是否有缺点。因此，在误差被检测出及/或修正之前，有缺陷的加工工具可被允许继续运行，或一批有缺陷的半导体晶片继续被加工系统加工。这导致制程无效率及加工的半导体晶片105中相当多的缺陷存在。影响晶片产品的良率且成本昂贵。
本发明旨在克服或至少缩小上述现有技术所遇到的问题的影响。
发明内容
本发明的一局面在于提供一种动态调整一批工件度量路由的方法。该方法包括使用加工工具对一批工件执行加工工艺，对该加工工具执行工具状态分析，以及依据该工具状态分析，执行动态度量路由(metrology routing)调整程序。该动态度量调整程序还包括使该工具状态分析与该批工件相关联，以及依据该相关性调整度量路由。
本发明的另一局面在于提供一种动态调整一批工件度量路由的方法。该方法包括使用加工工具在一批工件上执行加工工艺，在该加工工具上执行工具健康状态(health)分析，以及执行关于成批工件加工的故障检验分析。该方法还包括依据该工具健康状态分析及故障检验分析使该工具健康状态评估与至少一批工件相关联，以及依据该相关性调整至少一批工件的度量路由。
本发明的另一局面在于提供一种动态调整一批工件度量路由的系统。该系统包括加工工具，是用以加工工件。该系统还包括与该加工工具有效连接的工艺控制器。该工艺控制器能对该加工工具执行工具状态分析，以及依据该工具状态分析执行动态度量路由调整程序。该动态度量调整程序还包括使该工具状态分析与该批工件相关联，以及依据该相关性调整一度量路由。
本发明的另一局面在于提供一种动态调整一批工件度量路由的设备，该设备包括处理控制器，是用以对加工工具执行工具状态分析以及依据该工具状态分析执行动态度量路由调整程序。该加工工具能处理一批工件。该动态度量路由调整程序还包括使该工具状态分析与该批工件相关联，以及依据该相关性调整度量路由。
本发明的又另一局面在于提供一种用指令编码的计算器可读程序存储装置以动态调整一批工件的度量路由。当该用指令编码的计算器可读程序存储装置当被计算器执行时执行一种方法。该方法包括使用加工工具对一批工件执行加工工艺，对该加工工具执行工具状态分析，以及依据该工具状态分析，执行动态度量路由调整程序。该动态度量调整程序还包括使该工具状态分析与该批工件相关联，以及依据该相关性调整度量路由。
参考前述说明并结合附图以了解本发明。在附图中相同的参考数字标示相同的组件，其中图1是为现有经过处理的半导体晶片的简化图；图2是为加工半导体晶片过程中的现有处理流程的简化流程图；图3是为本发明的一实施例的系统方块图；图4是为图3中本发明的一种实施例的工具状态数据获取单元的详细方块图；图5是为图3中本发明的一种实施例的度量调度单元的详细方块图；图6是为图3中本发明的一种实施例的所示的系统的详细方块图；图7是为与本发明实施例相一致的方法的流程图；图8是为图7所示的执行动态度量路由调整过程的方法的流程图。
具体实施例方式
本发明的实施例说明如下。为了清楚起见，在该说明书中并非说明实际实施例的所有特征。当然，在任何实际实施例开发中，众多的特定实施例结果必须达到开发者的特定目的，例如顺从系统相关的及商业相关的约束，该些约束将从一实施例变化到其它实施例。而且，这种开发强度将复杂及耗时，但是，仍然为可从中获益的本领域技术人员的例行工作。
在半导体加工中涉及许多分立加工工艺。许多时候，工件(例如，半导体晶片105，半导体装置等)逐步经过多个制程工具。本发明的实施例提供存取特定加工工具的工具健康状态，以及使其与一批晶片数据相关联。依据该相关性，可确定关于该批半导体晶片105度量分析的路由。
此外，可执行故障检验分析且工具健康状态分析与故障讯息相关联。该过程可用于提供介于该工具健康状态及特定晶片批(wafer lots)的相关性。依据该相关性调整确定晶片批的路由。例如，一批晶片在一行列中第十位置行列等候度量分析，依据故障检验数据与工具健康状态数据相关性，确定该批晶片可被重新安排其在行列中的位置。更进一步地，在一批半导体晶片105中的该些被分析的半导体晶片105的取样率可予以修改以执行更严格的度量分析。与工具健康状态违反相关的该特定批半导体晶片可用于执行更有效的度量路由，并触发警报给过程管理器。
请参考图3，其是为与本发明实施例相一致的系统300的方块图描述。该系统300中的工艺控制器310能控制关于加工工具610的多种操作。该系统300能获取与加工有关的数据，例如与加工的半导体晶片105有关的度量数据，工具状态数据等等。该系统300还包括度量工具650，是用以获取与该加工的半导体晶片105有关的度量数据。
该系统300还包括数据库单元340。该数据库单元340用于存储多数个数据类型，例如与加工有关的数据，与该系统300操作有关的数据(例如，该加工工具610的状况，该半导体晶片105的状况等等)。该数据库单元340可存储关于该加工工具610执行的多数个加工工艺运转的工具状态数据。该数据库单元340可包括数据库服务器342以存储工具状态数据及/或其它与处理半导体晶片105有关的加工数据至数据库存储单元345。
该系统300还包括工具状态数据获取单元320以获取工具状态数据。该工具状态数据获取单元320可包括与该加工工具610的操作有关的压力数据、温度数据、湿度数据、气流数据、各种电性数据等等。例如，蚀刻工具的工具状态数据可包括气流、室内压力、室内温度、电压、反射能量、背面氦压力、射频调谐参数等。工具状态数据可包括该加工工具外部的数据，例如周围环境温度，湿度，压力等。图4中详细描述该工具状态数据320，详细说明如后所述。
该系统300还包括故障检验及分类单元(FDC)330，其能执行与该半导体晶片105的加工有关的各类故障检验分析。该FDC单元330能提供关于加工半导体晶片105过程中故障的数据。被该FDC单元330执行的故障检验分析包括工具状态数据分析及/或度量数据分析。通过分析该度量工具数据，该FDC单元330可使特定的工具状态数据与该加工出的半导体晶片105上检验出的故障相关联。举例而言，特定故障，例如制成的半导体晶片105上发现的关键尺寸故障，可与特定的气流速率或有关于工具状态数据的温度数据相关联。该FDC单元330执行的故障检验还包括分析来自于集成在该加工工具610中的现场(insitu)传感器的数据。
该系统300还包括工具健康状态-晶片批相关性单元350，其能使该系统300检验到的该工具健康状态与特定晶片批/成批半导体晶片105相关联。当该工具状态数据获取单元320及/或该FDC单元330检验到关于加工工具610的特定故障时，可执行该工具健康状态的评估。依据该评估，该特定的加工工具610制成的成批的特定半导体晶片在该系统300内予以相互关联与追踪。依据该相关性，可执行分析以指示来自该特定批半导体晶片更多详细检查的度量数据以进行进一步的分析。例如，该晶片批与该特定工具健康状态违反相关联，可移动到等待度量分析的行列前面。依据所判断的工具健康状态门槛(threshold)值极限，该过程亦可作为不区分多数晶片批的次序。
此外，依据上述的相关性，该批晶片内许多将被分析的半导体晶片105的取样率可增加或降低。接着，度量调度单元360能重新安排路由架构以发送多数批半导体晶片至优先度量数据分析路由。其可包括重新发送特定批的半导体晶片离开该行列，以及将该特定批的半导体晶片向前移动至度量分析站(station)，该度量分析站包括多数度量工具650。其可允许更多有效的误差分析及执行更快的纠正动作以纠正确定工具健康状态违反或特定批的半导体晶片的特定故障。
该工具健康状态-晶片批相关性单元350亦能够记录该发现的故障类型/分类，并将其与特定晶片批相联系。而且，该工具健康状态-晶片批相关性单元350能提供数据给该FDC单元330；该数据可用于执行修正或更新嵌入该FDC单元330中的FDC模型。因此，若故障警报被触发，亦即，该工具健康状态-晶片批相关性单元350判定该相关性不导致该工具健康状态或该晶片批中任何类型的显著误差，该FDC单元330可利用一些数量的故障警报更新该FDC模型及/或产生新的容限度更高的模型。依据工具健康违反与特定晶片批的相关性数量，该工具健康状态-晶片批相关性单元350亦可触发多数特定警报。一旦超过工具健康状态违反的预定门槛值，可唤起(involced)该些特定警报给该系统300的相关警戒人员。
该工艺控制器310，该FDC单元330，该工具健康状态-晶片批相关性单元350，及/或该度量调度单元360可为软件，硬件或固件(firmware)单元，该些单元是为单独单元或被积集到与该系统300相关的计算器系统中。而且，图3中图标的该些方块所代表的各类组件可通过系统通讯线315相互通讯。该系统通讯线315可为计算器总线链接，专用硬件通讯链接，电话系统通讯链接，无线通讯链接，或其它可被该技术领域技术人员应用且于本揭露有益的通讯链接。
请参阅图4，是提供更详细的方块图用以描述图3所示的工具状态数据获取单元320。该工具状态数据数据获取单元320可包括不同类型的传感器，例如，压力传感器410、温度传感器420、湿度传感器430、气流速率传感器440、及电性传感器450等等。在一替换实施例中，该工具状态数据获取单元320可包括多数个现场(in situ)传感器，其是整合于该加工工具610内。该压力传感器410能检验该加工工具内压力。该温度传感器420能感知该加工工具不同部分的温度。该湿度传感器430能检验该加工工具不同部位或周围环境状况的相对湿度。该气流速率传感器440可包括多数流速传感器，其能检验半导体晶片105制程中所使用的多数制程气体的流速。例如，该气流速传感器440可包括多数传感器，其可检验例如气体NH3、SiH4 N2O及/或其它制程气体的流速。
在一实施例中，该电性传感器450能检验多数电性参数，例如提供给光微影过程中使用的照明灯的电流。该工具状态数据获取单元320亦可包括其它传感器，其能检验本技术领域技术人员现有的且对本揭露有用的多种加工变量。该工具状态数据获取单元320亦可包括工具状态传感器数据界面460。该工具状态传感器数据界面460可接收来自不同传感器的传感器数据并将该数据发送给该工艺控制器310，该些不同传感器位于该加工工具610及/或该工具状态数据获取单元320内或与该加工工具610及/或该工具状态数据获取单元320相关联。
请参阅图5，是为图3中所示的度量调度单元360的详细方块图。该度量调度单元360可接收来自该FDC单元330的故障数据，来自一个或多个度量工具650的数据及/或加工工艺数据，该些加工工艺数据涉及在行列中等待的多数批半导体晶片上要执行的加工工艺类型。该度量调度单元360接收的数据用于确定调度调整及/或其它被选取的相关步骤，例如修改在一批半导体晶片内被分析的半导体晶片的取样率等。该度量调度单元360可包括度量路由单元510，度量行列单元520，及度量取样率单元530。该度量行列单元520能对特定批半导体晶片在行列中的位置做出评估。依据该伴随该工具健康状态-晶片批相关性单元350做出的相关性的评估，该度量行列单元520可确定特定批半导体晶片的行列位置应该被改变。例如，一批半导体晶片，其位于行列中第十位置，可放置于该行列之前以便在该可疑的加工工具610执行进一步的加工工艺之前对该批半导体晶片做快速(expedited)分析，或在该批半导体晶片中的晶片105执行进一步的加工工艺之前对该批半导体晶片做快速分析。
依据该度量行列单元520的分析，该度量路由单元510可修改特定批半导体晶片的路由至某几个度量站以做快速度量分析。此外，该度量取样率单元530可修改该批半导体晶片内将被度量工具650分析的许多晶片105。例如，于特定制程中，若该取样率，其中，该半导体晶片105被检验出每5个半导体晶片105中有1个为次品，依据工具健康状态及晶片批相关性分析，该度量取样率单元530确定该批半导体晶片内每两个晶片105其中之一应被分析作为更严密的度量详细审查。相反，在相同的例子中，每10个晶片其中之一被分析以响应工具健康状态/晶片批数据分析，依据该度量调度单元执行的分析，并提供关于该多数批半导体晶片到特定度量分析路由的数据，以及提供关于度量取样率的数据。接着，该工艺控制器310可使用该些数据以发送几批半导体晶片至多数特定度量站以及应用最新的调整后取样率。因此，依据该工具健康状态-晶片批相关性单元350执行的分析，该度量调度单元360修改特定的多数批半导体晶片的路由。
请参考图6，是为本发明的一实施例中所示的该系统300的详细方块图。使用多数控制输入讯号或通过线路或网络623提供的加工参数在加工工具610a、610b上加工多数半导体晶片105。该些控制输入讯号，或路线623上的加工参数从计算器系统630通过机器界面615a、615b发送至该加工工具610a、610b。该第一、第二机器界面615a、615b通常位于该加工工具610a、610b外。在一替换实施例中，该第一、第二机器界面615a、615b位于该加工工具610a、610b内。该些半导体晶片105被提供给多数加工工具610及从该多数加工工具610传送。在一实施例中，该多数半导体晶片105以手动方式提供给该些加工工具610。在一替换实施例中，该多数半导体晶片105以自动方式(例如，该些半导体晶片105的机械化移动)提供给该些加工工具610。在一实施例中，多数半导体晶片105被成批传送给该些加工工具610。
在一实施例中，该计算器系统630在线路623上发送控制输入讯号或加工参数给该第一、第二机器界面615a、615b。该计算器系统630能控制加工操作。在一实施例中，该计算器系统630是为工艺控制器。该计算器系统630与计算器存储单元632链接，该计算器存储单元632包含多数软件程序及数据集。该计算器系统630可包含一个或多个处理器(未图标)，该些处理器能执行这里所需的运算。该计算器系统630使用制造模型640以在该线路623上产生控制输入讯号。在一实施例中，该制造模型640包含特定多数控制输入参数的加工处方(recipe)，该些控制输入参数通过该线路623发送至该加工工具610a、610b。
在一实施例中，该制造模型640定义工艺处方并执行特定制程的输入控制。该线路623上欲送给该加工工具A 610a的控制输入讯号(或控制输入参数)为该第一机器界面615a接收及处理，该线路623上欲送给该加工工具B 610a的控制输入讯号为该第二机器界面615b接收及处理。半导体制程中所使用的该加工工具是为步进器，蚀刻制程工具以及显影工具等等。
被该加工工具610a、610b加工的一个或多个半导体晶片105可送给度量工具650以获取度量数据。该度量工具650可为散射度量法数据获取工具，重叠故障度量工具，临界尺寸度量工具等等。在一实施例中，度量工具650检验一个或多个加工的半导体晶片105。该度量数据分析单元660收集、组织及分析来自该度量工具650的数据。该度量数据针对该半导体晶片105上形成的装置的物理或电性的变化。例如，获得的度量数据可为关于线宽度尺寸、沟槽深度、侧壁角度、厚度、电阻等等。度量数据可用于确定加工的半导体晶片上呈现的故障，其可用于量化该加工工具610的性能。
如上所述，该FDC单元330可提供故障检验数据，该故障检验数据可提供据关于特定加工工具610的故障数据及/或与某几批半导体晶片105相关的故障。该数据库单元340亦可存储加工数据及/或工具健康状态数据，该工具状态数据可被发送至该工具健康状态-晶片批相关性单元350。此外，该工具状态数据获取单元320提供关于加工工具610状态的数据予该工具健康状态-晶片批相关性单元350，该加工工具状态数据例如为压力、温度、湿度等。依据该工具健康状态-晶片批相关性单元350执行的分析，该度量调度单元360向计算器系统630提供路线数据及取样率数据。接着，该计算器系统630能执行该修改的路线及特定的多数批半导体晶片105执行的取样率。
请参阅图7，其是为与本发明一实施例相一致的方法的流程图。该系统300加工与特定批半导体晶片相关的半导体晶片105(方块710)。于半导体晶片105制程中，依据取样及预定路由安排获取度量数据(方块720)。换而言之，加工的多数批半导体晶片105被放置在包含行列的路由架构中且被发送至特定度量站以获取度量数据。预定取样率可用于取样一批半导体晶片内特定数量的半导体晶片以进行度量分析。
该系统300亦可利用上述的故障检验分析获取故障数据(方块730)。该故障数据可包括工具状态数据，该工具状态数据可指示确定故障或与特定加工工具610的工具健康状态相关的异常违反。故障数据可包括与加工工具特定操作相关的故障及/或与加工的半导体晶片105相关的故障。接着，该度量数据及该故障数据被用于执行分析以确定误差或工具健康状态违反是否存在(方块740)。
依据该度量数据分析及故障检验分析，该系统300可执行动态路由调整程序，该动态路由调整程序包括使确定工具健康状态违反与特定批半导体晶片相关(方块750)。图8中提供该动态度量路由调整单元的详细描述将伴随图式说明如下。依据执行该动态度量路由调整程序，提供该系统300关于修改的度量路由架构的数据及/或关于调整的取样率数据的数据。依据最新的度量路由调整，该系统300可继续加工该些半导体晶片105及/或执行度量数据分析(方块760)。换言之，该动态度量路由调整程序可用于确定不必要的路由调整或取样率调整。因此，可进行正常的加工流程。
反之，若依据该动态度量路由调整程序，确定执行度量路由调整及/或调整该批半导体晶片内所分析的半导体晶片的取样率，则执行新的路由架构及取样率以进行更严格的度量数据分析。依据该分析，可对正在无效操作的特定加工工具610作出评估。可替代的，可确定特定批半导体晶片有缺陷，该些半导体晶片必须重制或用其它方法处理。此外，该动态度量数据路由调整过程可用于确定该加工工具610及该批半导体晶片都不会处于缺陷执行的显著风险中，因此，触发故障或误差的容限级别减弱，故可获得较流畅的加工流程。
请参阅图8，是为图7所示的方块750所述的动态度量路由调整过程的详细流程图。该系统300可获取或接收故障数据，该故障数据可包括关于加工工具610，晶片105，工具健康状态等故障(方块810)。该系统300亦可获取及接收度量数据(方块820)及加工工艺数据，该加工工艺数据可指示特定批半导体晶片105上执行的加工工艺类型(方块830)。接着，该系统300使特定批半导体晶片105与特定工具状态/健康状态相关(方块840)。特定工具健康状态破坏可与特定批半导体晶片相关并被隔离至该特定批半导体晶片与该工具健康状态破坏之间的特定关系中。
然后，该系统300确定该相关性是否要求调整该度量行列，该调整包括将该批半导体晶元从该度量行列中移动至优先位置以进行更严格的度量分析(方块850)。该调度依据所发现的故障的严重性或该相关性的可行性，该相关性的可行性依据附加的度量数据分析。该系统300亦可修改该取样率，度量工具650以该取样率对一批半导体晶片内的特定的半导体晶片进行分析(方块860)。接着，该系统300实行该新的路由架构以发送特定批半导体晶片105用于附加度量分析(方块870)。此外，依据该故障强度及检验到的多数相关性故障，该系统可出发附加警报(方块880)。在图8中，该些步骤的完成充分地完成图7的方块750中所指示的该动态度量路由调整过程的方法。
使用本发明的实施例，依据该工具健康状态与确定晶片批的相关性，可实行更有效的度量路由安排。因此，在特定批半导体晶片上执行附加的或不必要的操作之前，可执行修改的度量路由以更有效地获得度量分析。该快速度量分析可导致特定的加工工具610被修改，特定批半导体晶片被以与原先安排不同的方法加工，及/或在该些半导体晶片105内或该些加工工具610内触发确定类型故障的特定的容限级别的修改。使用本发明的实施例，可产生更有效的工艺从而导致更有效的半导体晶片105的加工。当特定的加工工具610依据度量数据的快速获取而相互关联时，加工的半导体晶片105的良率增加。
本发明所教导的原理可应用于先进工艺控制(APC)架构中，例如KLA T encore，Inc提供的Catalyst系统。该Catalyst系统使用半导体设备及材料国际组织(Semiconductor Equipment and MaterialsInternational，SEMI)计算器积体加工(CIM)架构适应系统技术，且该Catalyst系统是基于该先进工艺控制架构。CIM(作为CIM架构领域体系机构的SEMI E81-0699-临时规范)及APC(作为CIM架构先进工艺控制组件的SEMI E93-0999-临时规范)规范可从SEMI公开适用。该APC架构是为较佳的平台，从该平台执行本发明所教示的控制策略。在一些实施例中，该APC架构是为工厂纫软件系统；因此，本发明所教示的控制策略可被应用于任何位于该工厂平台上的半导体加工工具。该APC架构亦允许远程存取及监控该过程的执行，更富有弹性，与局部驱动相比更节省成本。该APC架构允许混杂类型控制，这是因为在撰写该必须的软件编码期间，该APC架构提供显著弹性量。
在该APC架构上，本发明所教示的控制策略从调度可能需要许多软件组件。除了该APC架构内的组件之外，对该控制系统中包含的每一半导体加工工具撰写计算器脚本。当该半导体加工场所中该控制系统的半导体加工工具开始运作时，该半导体加工工具通常呼叫脚本以进入该工艺控制器，例如重叠控制器，所要求的动作。该该些脚本中通常定义及执行该控制方法。该些脚本的开发可包括控制系统的开发的显著部分。本发明所教示的原理可被其它类型加工架构应用。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如后述的权利要求书所列。
权利要求
1.一种方法，包括使用加工工具(610)对一批工件(105)执行加工程序；对该加工工具(610)执行工具状态分析；以及使该工具状态分析和该批工件(105)相关联以及依据该相关性调整度量路由。
2.如权利要求1所述的方法，其中，对该加工工具(610)执行该工具状态分析还包括获取工具状态数据。
3.如权利要求2所述的方法，其中，获取该工具状态数据还包括获取压力数据、温度数据、湿度数据及气流速率数据的至少一个，该些数据是关于在该工件上执行的加工程序。
4.如权利要求1所述的方法，其中，对该加工工具(610)执行该工具状态分析还包括执行关于该加工工具(610)的工具健康状态分析。
5.如权利要求1所述的方法，还包括执行关于该批工件加工的故障检测分析。
6.如权利要求1所述的方法，其中，执行该动态度量路由调整程序还包括修改该批工件在度量行列中的位置。
7.如权利要求1所述的方法，其中，执行该动态度量路由调整程序还包括修改关于由度量工具分析的一个数目的工件(105)的取样率。
8.如权利要求1所述的方法，其中，执行该动态度量路由调整程序还包括修改与该工具健康状态违反相关的故障容限级别。
9.一种用于动态调整一批工件(105)的度量调度的系统，包括加工工具(610)用以加工一批工件(105)；以及工艺控制器(310)操作性连接以对该加工工具(610)执行工具状态分析，以及依据该工具状态分析执行动态度量路由调整程序，该动态度量路由调整程序还包括使该工具状态分析与该批工件(105)相关联以及依据该相关性调整度量路由。
10.一种使用指令编码的计算器可读程序存储装置，当计算器执行该存储装置时，该装置执行一种方法，该方法包括使用加工工具(610)对一批工件(105)执行加工程序；对该加工工具(610)执行工具状态分析；以及依据该工具状态分析执行动态度量路由调整程序，该动态度量路由调整程序还包括使该工具状态分析与该批工件相关联以及依据该相关性调整度量路由。
全文摘要
一种动态调整一批工件(105)度量路由的方法及设备。该方法是包括使用加工工具(610)对一批工件(105)执行加工工艺，对该加工工具(610)执行一工具状态分析，以及依据该工具状态分析执行动态度量路由调整程序，该动态度量路由调整程序还包括使该工具状态分析与该批工件(105)相关联以及依据该相关性调整度量路由。
文档编号H01L21/66GK1816906SQ200480019230
公开日2006年8月9日 申请日期2004年6月2日 优先权日2003年7月7日
发明者N·M·詹金斯, T·L·杰克逊, H·E·卡斯尔, B·K·卡森 申请人:先进微装置公司