专利名称：表面发射和接收光子器件的制作方法
背景技术：
本发明要求2003年10月20日提交的美国临时申请第60/512,189号，以及2004年6月10日提交的美国临时申请第60/578,289号的优先权，这些申请的公开内容通过引用结合于此。
本发明一般涉及表面发射和接收光子器件，尤其涉及改进的表面发射光子器件以及用于制造它们的方法。
半导体激光器通常是经由通过有机金属化学汽相淀积(MOCVD)或分子束外延(MBE)在基片上生长适当分层的半导体材料以形成与基片表面平行的活性层来制造的。该材料然后用各种半导体处理工具来处理，以产生结合了活性层的激光光腔，且将金属触点附加到半导体材料。最后，通常通过在激光腔的各末端劈裂半导体材料以形成激光镜面，以确定激光光腔的边界或末端，以致当对触点施加偏置电压时，所产生的流过活性层的电流使得在垂直于电流的方向上从活性层的边界小平面中发射出光子。
现有技术也公开了用于通过蚀刻形成半导体激光器的镜面的方法，从而允许激光器能在同一基片上与其它光子器件单片集成。通过以大于光在光腔内传播的临界角的角度创建这些镜面以使在光腔内形成全内反射面也是已知的。
现有技术也描述了使用蚀刻方法在直线激光腔的每一端形成两个全内反射面，其中每一面以与活性层平面成45°角安置。在这些器件中，光腔中的光可在光腔的一端垂直向上地导向，导致一个面上的表面发射，而光腔的另一端处的面可成相反的角度，以将光垂直向下地向着激光器结构下方的诸如高反射率堆导向。
现有技术也描述了将蚀刻的45°面与劈裂面组合的器件。所得的器件不能在整片中测试，且由此遭受与劈裂面器件相同的缺点。此外，鉴于劈裂的需求，它们与单片集成不兼容。然而，IEEE Photonics Technology Letters(IEEE光子技术通讯)第7卷第836-838页中Chao等人试图通过提供中断的波导结构来克服这些缺点，但是所得的器件在激光腔的每一端都遭受散射。
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)在过去几年中变得普及；然而，VCSEL不允许多个器件平面内的单片集成，而仅允许光以垂直入射角离开其表面镜。这些现有的表面发射器件的一个共同方面是光子总是在垂直于活性层平面的方向上从光腔中发射。
发明概述依照本发明，提供了一种改进的表面发射半导体激光器，其中光在垂直于激光器活性层平面的方向上在光腔的发射器端发射，且其中，光在光腔相对一端的活性层平面内的反射区发射。这一排列便于监视激光器的操作，而不会不利地影响光输出。依照本发明的一种形式，在发射器端上提供了反射改变层或堆，而在本发明的另一种形式中，在激光腔内提供了滤光元件，允许基本上以单纵模的激光操作。此外，依照本发明，在与激光器相同的基片上提供了表面和平面内检测器，且安置了多个激光腔以使多个波长能在共同的位置处发射。
本发明的第一实施例针对一种改进的表面发射激光器，其中，用连续的多层在基片上制造拉长的腔形式的半导体激光器，包括平行于基片表面的活性层、上和下涂层、以及上接触层，它在第一，即发射器端具有第一45°成角面，而在第二，即反射端具有一个包括垂直面的反射区。该激光器可以包括在发射器端向外的脊形波导，而在本发明的一种形式中，第二端的反射区还可包括与该面相邻的分布式布拉格反射器(DBR)。该激光器件也可包括与DBR相邻的监视光电检测器，它响应于从反射区中的面发射的少量的光来监视激光的强度。MPD的背面较佳地被设计成具有近布儒斯特角，使得它基本上对在光腔和MPD器件中传播的光是不反射的。MPD可作为DBR的一个整体部分形成，以对第二端处的激光反射率作出贡献，或者可作为单独的元件形成。DBR可用反射率改变层或堆来替换。
上接触层可以是低带隙半导体材料，以允许形成欧姆触点，它较佳地在45°成角面区中结合了孔，以移去吸光层，并提高器件的效率。
在本发明的另一实施例中，发射器端的光腔的顶表面部分可以涂有电介质层或堆，以改变激光器输出处的反射率，其中该顶表面部分在45°成角面上延伸，并包括上述孔，其中该表面平行于活性层。
该激光器件还可在反射区结合多个滤光器以产生又一实施例，其中该器件基本上可用单纵模来工作。这些滤光器可经由通过半导体层蚀刻以在激光器的端面和第一实施例中提供的分布式布拉格反射器之间形成一串联的彼此隔开的滤光元件来形成。纵模或者可以由反射区中的激光器的端点面上的反射改变层或堆来产生。
依照本发明的另一实施例，一种光学检测器安置在激光器旁的基片上，并与激光器形成整体，因为它使用了基片上对激光器使用的相同的外延型结构。在这一情况下，在蚀刻激光腔期间蚀刻外延层，以制造占据与激光器相邻的基片表面的检测器区域。在检测器区域上沉积合适的电极，使得在其上撞击的光可被检测到。这允许在单个基片上并排地一起整体形成光发射器和光检测器。
在本发明的又一实施例中，光检测器是具有45°的成角面的整体平面内检测器，它位于激光器旁边，且与激光器使用的相同的外延型结构来制造的。该检测器被拉长，且一般平行于激光轴以节省基片上的空间。要检测的光撞击在成角面上的检测器表面上，且通过成角面的全内反射被导向到检测器的活性区。可通过控制其长度和宽度而使这一表面接收检测器变得极其快速。平行于活性层的超过45°成角面的表面可涂有电介质层或堆，以使它抗反射，从而能使检测器更好地工作。
为提供可选择波长的输出，依照本发明的另一实施例，可安置多个表面发射激光腔，使得其发射端彼此相邻地聚集，且这些腔向外延伸；例如，作为围绕中心轴的辐条。每一激光器件中的外延型结构可以略微不同，以使从每一个中发射出不同的波长。然后发射端的邻近性允许来自所有激光器的输出可被容易地结合进入一个接收介质，诸如光纤，且通过选择性地激活激光，可将选择的一个或多个波长传送到光纤中。
在又一实施例中，依照本发明的激光器可以以任意期望的角度安置在基片上，以将其组装密度最大化，因为使用了化学辅助离子束蚀刻(CAIBE)来形成该器件，且该过程进行均匀的蚀刻，而不取决于半导体材料的晶面。由此，例如，它们可对角地放置在矩形基片上。常规的劈裂不准许这一取向。
在本发明的另一实施例中，并非以垂直面形成激光器的反射端，而是期望以45°的角度蚀刻它，以在两端都产生垂直发射。这一第二成角平面上的表面也可在接触层中具有孔以防止吸收，且可结合反射改变层或堆。
附图简述当结合附图阅读以下较佳实施例的详细描述时，本领域的技术人员可以清楚本发明的前述和其它目的、特征和优点，附图中
图1是依照本发明的表面发射激光器的第一实施例的俯视立体图；图2是图1的激光器的侧视图；图3是图1的激光器的俯视图4是依照本发明的表面发射激光器的第二实施例的侧视图；图5是依照本发明的表面发射激光器的第三实施例的侧视图；图6是依照本发明的表面发射激光器的第四实施例的侧视图；图7是依照本发明的表面发射激光器的第五实施例的俯视立体图；图8是结合了表面发射激光器和区域检测器的本发明的第六实施例的俯视图；图9是图8的激光器和区域检测器的局部剖视侧视图；图10是结合了表面发射激光器和平面内检测器的本发明的第七实施例的顶视图；图11是图10的激光器和平面内检测器的局部剖视侧视图；图12是依照本发明结合了多个表面发射激光器的本发明的第八实施例的俯视立体图；图13是图12的多个激光器的表面发射区的放大视图；以及图14是为改进组装密度而安置的激光器的顶视图。
较佳实施例的详细描述现在转向本发明的更详细描述，在图1-3中图示出了在基片12上制造的表面发射半导体层10。尽管将按照脊形激光器来描述本发明，但可以理解，可利用此处所描述的本发明的特征来制造其它类型的激光器。
如制造固态脊形激光器中常规地，基片12可以例如由III-V类化合物或其合金形成，它可被适当地掺杂。基片包括顶表面14，其上如通过诸如有机金属化学汽相淀积(MOCVD)或分子束外延等外延沉积而沉积了一般在16处示出的一连串层，它们形成了包括活性区20的光腔18。诸如光腔18等水平腔半导体激光器结构通常包含上和下涂层区19和19′，它们是由诸如InP等比与活性区20相邻的活性区更低指标的半导体材料形成的，该活性区20可以用基于InAiGaAs的量子势阱和电池形成。InGaAsP的过渡层在涂层区18的顶表面上形成。
通过掩模和蚀刻处理，在腔18的第一(发射器)端24处形成成角面22，在该处理中，以与表面14成45°或接近45°的角向下和向内蚀刻面。该面是成角的，以使光腔中生成的光能够基本垂直于或接近垂直于活性区20的平面和表面14的方向上发射。发射器端面22主要是全内反射的，使得沿光腔18的纵轴传播的光在垂直于该轴的方向上反射，且由此在如图所示箭头26的方向上垂直向上行进。
在一般在28处示出的光腔的第二(反射)端，以与光腔的纵轴成90°的角度形成端面30，且因此基本垂直于激光器的活性区20。另外，在端28处形成分布式布拉格反射器(DBR)元件32和监视光电检测器(MPD)34，面30和元件32以及34是通过以已知的方式掩模和蚀刻来形成的。在发射器端24和反射端28之间衍生的脊36是通过掩模和蚀刻活性区20上的光腔18以形成脊形激光器10来形成的。在发射器端24，脊36如在边38和40处那样加宽或向外逐渐变细，以提供面22上的开放区域41，以允许束26通过光腔18的顶表面42形成而没有吸收。
MPD部分34的后部(从图1-3看是左端)被蚀刻以形成出口面44。垂直于面44的表面的线45对制造激光器10的材料，以布儒斯特角或接近布儒斯特角与光腔18的纵轴形成角度46(图3)，使得面44对腔18中生成的光具有零或近乎零的反射率。光腔18中生成且纵向传播的某些激光在面30处发射，穿过布拉格反射器32，且由监视激光器的工作的MPD 34接收。该光的一部分到达面44，但是由于其为零或近乎零的反射率在该面处耗散，这防止对激光器不需要的向回反射。
脊36的顶表面42上的顶部电接触层48通常是允许用施加于它的金属层来形成欧姆触点的低带隙半导体，诸如InGaAs。过渡层21通常是具有处于上涂层19的带隙与接触层48的带隙之间的带隙的半导体，且在某些情况下可具有可变的带隙。接触层和过渡层可吸收激光器中生成的光。例如，如果具有上述材料的光腔18生成波长为1310nm的激光，则InGaAs接触层48将在它从22处示出的45°全内反射面向上反射之后吸收该光。另外，如果InGaAsP过渡层21的带隙小于约0.95eV，这对应于1310nm的波长，则过渡层也将导致吸收。因此，移去任何吸收层对于激光器的有效且可靠的工作是重要的。依照本发明的第一实施例，如图1所示，这是通过提供孔来实现的。另一方面，如果激光波长是980nm且接触层是GaAs，则无需移去GaAs接触层，因为它在该波长处是透明的，但是如果激光波长是830nm，则需要移去GaAs接触层。通过图案形成和蚀刻处理在接触层48中形成孔52，其开口位于发射器端部分34处的脊的开放区域41处。该孔允许光如上所述地从激光腔中发射。注意，光束通常将为圆形或椭圆形。
第一电极被沉积在激光器和MPD的接触层48上，而第二电极54被沉积在基片的底表面56上，使得可对电极之间的脊36施加偏置电压来产生激光。也可对MPD施加零或负的偏置，以允许它基于撞击于其上的光生成电流。在光腔18中传播的激光将由面22反射，以在第一端24处垂直出射，如由箭头26所示，且一些光将在第二端28处通过面30在活性区20的平面中水平出射。通过面30出射的一些光将由DBR反射器32反向反射到光腔中，而一些将穿过反射器32去撞击MPD34的前表面58，在那里它将被检测到。穿过MPD的光将在MPD的后部被面44耗散，如由箭头60(图3)所示的。单片制造的MPD 34不限于监视激光器的工作，如通过在需要时通过测量其在这一构造中的强度，MPD也可用作极其快速的检测器以向驱动该激光器的电路提供反馈。
激光腔可通过使用反射率改变涂层来优化。在常规的劈裂面激光器中，一个面可具有高反射率涂层，而另一面可被加涂层至低反射率，例如分别为90％和10％的反射率，使得大多数激光从低反射率面形成。在短腔中，两种面都可具有高反射率，以减少腔回程损失，但是通常一个面具有比另一个更低的反射率，例如分别为99.9％和99.0％的额定反射率，以允许大多数激光从较低反射率面形成。在本发明的第二实施例中，如图4所示，激光器10是以上述方式制造的，其公共元件具有相同的参考标号。然而，在这一情况下，在脊36的第一端处的开放区域41上沉积了电介质层或堆70，使得它能改变所发射的光束26所经历的反射率。另外，如图5所示，光腔18的反射器端28的面30可结合光学层或堆72而非布拉格反射器32。在低于约5μm的非常短的光腔的两端使用非常高反射率的涂层可由于非常短的光腔的大纵模间隔而产生单模行为。可使用改变反射率来优化激光腔的性能。
替代使得激光腔18的后端面30成为垂直面，而是该面可以如图6所示的那样以45度的角度来蚀刻。在该图中，如上所述制造的激光腔80在两端被蚀刻，以提供成角面82和84。这一类型的激光器为分别在孔90和92上形成的对应的反射涂层86和88提供了水平表面。所示的结构可在后面84和前面82上同时发射垂直于基片的光，其中提供了孔以避免在接触层和过渡层中的吸收。
在许多应用中，单纵模激光器比多纵模激光器更合需要。一个这样的应用是数据通信，其中与多纵模激光器相比，用单纵模激光器可获得更长的通信到达范围。图7示出了本发明的一个实施例，其中在基片114的顶表面112上制造了单纵模表面发射半导体激光器100。如上文对于激光器10所述的，一连串层116形成了包括如上所述制造的活性区(未示出)的光腔118。通过以与表面112成45°角或接近45°角向下和向内掩模和蚀刻在第一端120处形成了成角面122。该面基本是全内反射的，使得光发射基本垂直或接近垂直的输出光束126。在光腔的第二端128，通过掩模和蚀刻，沿光腔118的光轴形成了多个滤光元件132、分布式布拉格反射器(DBR)元件134以及监视光电检测器(MPD)136。通过掩模和蚀刻过程从光腔118形成拉长的脊140。
在激光器的发射器端120，脊140被拉长或向外，如由侧壁142和144所示的，以形成开放区域145，以允许光束1256通过第一端的表面发射而没有吸收，如对于图1所描述的。在第二端128，蚀刻MPD部分136的后部，以形成出口面146，该出口面被设计成对激光材料形成布儒斯特角或接近布儒斯特角，以具有零或近乎零的反射率。在穿过滤光元件132和DBR元件134之后，光腔118中生成的一些激光由MPD 136接收，MPD 136然后提供对激光器工作的测量。到达面146的任何光由于其零或近乎零的反射率而被耗散，以防止不合激光器需要的反向反射。
在上述蚀刻步骤之后，在脊的顶表面上以及MPD上形成如上对于图1所描述的第一电接触层(未示出)，且在该层形成图案，以在开放区域145中的接触层中提供开口148。这一开口位于端部分120的面122上，以准许激光腔中生成的光如光束126那样以圆形或椭圆形发射。
第二电介质层(未示出)被沉积在基片的底表面上，使得可对脊施加偏置电压来产生激光，且可对MPD施加零或负偏置以允许它基于撞击于其上的光生成电流。光腔中如此产生的激光在第一端120处垂直出射，如由箭头126所指示的，且在第二端128处纵向出射，其中一些光通过面130传送，通过滤光器134，并通过DBR元件134，且在MPD的前端150上撞击，以由MPD检测并然后在MPD的后面146处耗散。
如同图1-3的器件的情况，图7的单纵模器件可具有以图4所示的方式沉积在脊的第一发射器端120处的电介质层(未示出)，使得它能改变发射器端的反射率。
尽管分别在图1和7的实施例中示出了单个DBR元件32和134，但是可以理解，也可使用多个DBR元件分别在第二端28和128处获得更高的反射率。DBR元件可采用图1中的元件32的形式，其中DBR在脊蚀刻器件不被形成图案，结果它没有获得脊构造；或者DBR元件可采用图5中的元件134的形式，其中该元件包括脊形状。此外，可以理解，DBR元件可用电介质反射率改变层或堆来替换。
在现代系统中，非常期望在单个基片或芯片上有并排的光发射器和光检测器。如果器件是用同一材料制造的，则具有这样的组合将是更合乎需要的。因此，在图8和9所示的本发明的实施例中，将表面发射或垂直发射激光器158(它可以是诸如图1的激光器10等激光器)与检测器160相组合，以在诸如图1的基片12等公共基片上同时提供光发射器和光检测器两者。为说明起见，表面发射激光器158类似于图1的激光器，且公共特征被赋予相同的标号，但是可以清楚，可使用表面发射器的变体。图9是沿图8的线9-9所取的横截面图，以示出检测器160的结构。为清楚起见，在图9中，示出检测器的高度小于激光器，但是这不是要求。
如图所示，区域检测器160与表面发射激光器158相邻地安置，且是从与沉积在基片上的同一层16制造的，以形成光腔。检测器在用于形成激光器的第二端28的掩模和蚀刻步骤期间在这些层中掩模和蚀刻，这些步骤包括形成垂直端面30(垂直于激光器的活性层)、分布式布拉格反射器(DBR)元件32、以及监视光电检测器(MPD)34。
该构造中所示的区域检测器160一般可以与接收检测区域166内的撞击光束164的顶表面162成直角，并使用激光器10中使用的相同的活性层20。顶电触点168被施加在检测器的顶表面162上，而保持检测器166的区域不与该触点接触。也向基片12的后部施加底触点170，并在顶和底触点168和170之间施加负或零偏置，以允许由检测器检测进入的光束164。
在图10和11示出的本发明的另一实施例中，表面发射激光器176(为说明起见类似于图1的激光器10)在基片178上与平面内检测器180组合。与图1-3的表面发射激光器10共同的特征被类似地赋予标号，图11是沿图10的线11-11所取的横截面图。为清楚起见，图11中示出检测器的高度小于激光器176的高度。
平面内检测器180与表面发射激光器176相邻地安置，且一般平行于该激光器。检测器180结合了拉长的主体部分182，其具有被示出为与激光器10的光腔18的轴平行的纵轴；然而，可以理解，这些轴不必是平行的。检测器主体是使用相同的掩模和蚀刻步骤在从其中形成激光腔的沉积层16中制造的。在检测器的第一(输入)端186形成反射输入面184，该面184在激光器10上形成面22期间以与基片178的表面成45°角或接近45°角蚀刻。主体部分182和后面188在用于形成激光器176的第二(反射器)端28、垂直端面30、分布式布拉格反射器(DBR)元件32和监视光电检测器(MPD)34的掩模和蚀刻步骤期间形成。尽管检测器后面188被示出为垂直于沉积材料的活性层20的平面，但是可以理解，该面可以用除直角之外的其它角度来蚀刻。
平面内检测器180包括用于在与激光器中使用的相同的活性层20处接收要检测的撞击光束202(图11)的顶表面区域200。顶电导触点204施加于检测器180的顶表面，其中在检测区域200中的触点中形成孔，使得不会阻挡撞击光。底电导触点208在检测器区域中施加于基片12的后部，且在顶和底触点之间施加负或零偏置。进入的光束202通过其在区域200中的顶表面进入检测器，并通过内反射面184反射来沿检测器活性层20的轴纵向定向，如由箭头210所示的，以供用已知的方式来检测。
区域166(图8)和200(图10)的反射率可通过在这些区域上沉积电介质层或堆以分别为进入的光束164和202提供抗反射表面来改变。这允许检测器对光的更有效的收集。
可以理解，诸如上述的多个激光器和/或检测器可以用阵列的形式在单个基片上制造，由此允许诸如平行光互连、波长选择性等应用。例如，可在同一芯片或基片上提供诸如图12和13中所示的阵列218等不同波长的多个激光器，并且可安置它们以将其输出定向到诸如光纤等单个输出介质中。由此，激光器阵列218可被配置成从具有图7中的100处所示的种类的四个激光器220、222、224和226的公共中心或轴219径向延伸，这些激光器以以下方式被安置在公共基片228上其各自的输出端230、232、234和236彼此非常邻近地且围绕中心轴240聚集，其中激光器的第二端从该轴向外径向延伸。来自激光器的输出光束在垂直于或接近垂直于基片228的表面且平行于轴240的方向上垂直向上发射。通过向四个激光器的每一个提供不同的带隙，每一激光器产生具有不同波长的输出光束，使得阵列218沿轴214产生所选择的波长或波长的组合的输出，这些输出然后可被定向到诸如光纤242等公共输出装置。尽管示出了四个激光器，但是可以理解，这是为了说明起见，且可使用其它数量的激光器。每一激光器的带隙可通过诸如无掺杂真空漫射或再生长等过程来选择，这些技术在本领域中是已知的。
四个激光器的输出端230、232、234和236的每一个包括成角面，且这些是在同一掩模步骤中，但用四个单独的蚀刻步骤形成的。每一蚀刻步骤中从45°角蚀刻的轻微偏斜可用于将四个光束轻微地偏离垂直方向引导，使得它们撞击在诸如光纤242等居中安置的物体上。四个激光器的后面、滤光元件和MPD是通过公共的掩模和蚀刻步骤形成的。最后，如上所述，通过掩模和蚀刻形成脊结构，且在顶和底表面上金属化该器件以提供电触点。
激光器的径向阵列218是可能的，因为在制造激光器期间使用的CAIBE过程提供了不取决于半导体晶体的结晶平面的均匀蚀刻。这允许在基片上以任何期望的构造来安置表面发射激光器，如图12中所示以及进一步在图14中示出的，其中半导体层250被对角地安置在矩形基片252上。例如使用劈裂来形成面的常规方法不允许这样的安置。
尽管按照较佳实施例示出了本发明，但是可以理解，可在不脱离所附权利要求书中所述的真实精神和范围的情况下作出变化和修改。
权利要求
1.一种表面发射光子器件，包括基片；安置在所述基片上的光学传输非中断波导介质；安置在所述介质上的、垂直于所述基片的至少第一蚀刻面；以及安置在所述介质上的、与所述基片成一角度的至少第二蚀刻面。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述介质是结合了用于生成激光的活性区的半导体材料。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第二面大约成45°的角度。
4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第二面是内反射的，且成一角度使所述活性区中所生成的光可在基本上垂直于所述基片的方向上发射。
5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，还包括所述介质上用于对所述发射光进行滤光的滤光器。
6.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一面是部分反射的，且所述器件还包括临近所述第一面且与所述介质轴向对齐的监视光电检测器。
7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，还包括安置在所述第一面和所述光电检测器之间的分布式布拉格反射器元件。
8.如权利要求6所述的器件，其特征在于，还包括安置在所述第一面和所述光电检测器之间的多个滤光器。
9.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括所述基片上的、且在所述介质中制造的表面区域检测器。
10.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括所述基片上的、且在所述介质中制造的平面内检测器。
11.如权利要求10所述的器件，其特征在于，所述检测器包括结合了用于使撞击到所述检测器的光偏转的成角面的入口端。
12.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述光学传输介质包括所述基片的顶表面上的、并提供基本上平行于所述顶表面的活性区的多个层。
13.如权利要求12所述的器件，其特征在于，还包括所述介质上的、并在所述基片上的电极，用于接收偏置电压以激活所述介质来产生激光输出光束。
14.如权利要求13所述的器件，其特征在于，所述介质是脊形激光器。
15.如权利要求12所述的器件，其特征在于，所述介质制作形成细长激光腔，所述激光腔在腔的第一端处具有所述第一面，且在腔的第二端处具有所述第二面。
16.如权利要求12所述的器件，其特征在于，所述介质制作形成多个细长激光腔，其每一个都具有位于第一端处的第一面以及位于第二端处的第二面，所述多个第二端聚集在一起以沿公共轴发射光。
17.一种光子器件，包括以第一波长发射的第一蚀刻面表面发射激光器；以及以第二波长发射的第二蚀刻面表面发射激光器。
18.如权利要求17所述的器件，其特征在于，所述第一激光器输出端与所述第二激光器输出端相邻。
19.一种表面接收检测器，包括基片；安置在所述基片上的光学传输非中断波导介质；安置在所述介质上的、垂直于所述基片的至少第一蚀刻面；以及安置在所述介质上的、与所述基片成一角度的至少第二蚀刻面。
20.一种半导体芯片，包括在所述半导体芯片上形成的蚀刻面表面发射激光器；以及与所述激光器单片集成为一体的监视光电检测器。
21.一种半导体光子器件，包括基片；所述基片上的半导体结构，所述半导体结构包括用于向所述半导体结构提供欧姆触点的接触层；包括在所述结构中的光学传输介质；以及与所述基片成一角度的、对于所述介质的至少一个蚀刻面；以及所述接触层从所述结构中移去，以在所述面的区域中提供一孔。
22.如权利要求21所述的器件，其特征在于，还包括所述接触层和所述半导体结构之间的过渡层。
23.如权利要求21所述的器件，其特征在于，所述至少一个蚀刻面将来自所述介质的光以一角度定向到所述基片并通过所述孔。
24.如权利要求23所述的器件，其特征在于，还包括与所述基片成一角度的、对于所述介质的第二蚀刻面，所述接触层从所述结构中移去以在所述第二面的区域中提供第二个孔。
25.一种半导体激光器，包括基片；所述基片上的半导体结构；蚀刻到所述结构中的第一和第二面；在所述第一和第二面之间的所述结构中形成的脊形波导；以及所述脊形波导在第二面上向外逐渐变细。
26.如权利要求25所述的激光器，其特征在于，所述第二面以45°或大约45°角蚀刻。
27.如权利要求26所述的激光器，其特征在于，还包括所述第二面上方的孔。
28.如权利要求27所述的激光器，其特征在于，还包括所述孔上的电介质层或堆。
29.如权利要求28所述的激光器，其特征在于，所述第一面以90°或大约90°蚀刻。
30.如权利要求29所述的激光器，其特征在于，还包括所述第一面上的电介质层或堆。
31.如权利要求30所述的激光器，其特征在于，还包括被安置以接收来自所述第一免的光并与所述脊轴向对齐的监视光电检测器。
32.如权利要求28所述的激光器，其特征在于，所述脊形波导还在第一面上向外逐渐变细。
33.如权利要求32所述的激光器，其特征在于，所述第一面以45°或大约45°蚀刻。
34.如权利要求33所述的激光器，其特征在于，还包括所述第一面上方的孔。
35.如权利要求34所述的激光器，其特征在于，还包括在所述第一面上方的所述孔上的电介质层或堆。
全文摘要
一种表面发射激光器(10)，其中光在一端从45°成角面(22)垂直地发射，该激光器包括具有从中水平地发射光的垂直面的第二端(28)，用于监视。
文档编号H01S5/00GK1871753SQ200480030790
公开日2006年11月29日 申请日期2004年10月5日 优先权日2003年10月20日
发明者A·A·贝法尔 申请人:宾奥普迪克斯股份有限公司