图案控制系统的制作方法

专利名称：图案控制系统的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种在半导体晶圆上制造集成电路(IC)图案或是晶粒的微影技术，且特别是有关于一种在晶圆微影曝光之前预先冷却晶圆，以避免位于晶圆光阻层上的电路图案产生热变形(Therma1 Distortion)的图案控制系统。
背景技术：
许多固态电子元件需要使用到设有集成电路的平板基材或是半导体晶圆。在集成电路的后段制程中，晶圆上有效的集成电路的数量或是良率对于半导体制程来说相当重要，而提高集成电路的良率是半导体制程的主要目的。当电路元件完成封装之后，开始测试晶圆上的电路元件，主要是将无效的晶粒做记号，并且切割有效的晶粒来销售。此外，IC制造商通常采用较为经济的晶圆尺寸来增加晶粒的良率。当单一晶圆上可能超过1000颗晶粒时，使用6至12时的晶圆。
习知技术中，使用各种不同的制程来制造晶圆上的集成电路。这些步骤包括在硅晶圆基材上沉积导电层。接着使用标准的微影制程技术形成光阻或是其他材质的罩幕，例如氧化钛或是氧化硅，以制造需要的金属内连线图案。然后对基材干蚀刻，以移除没有被罩幕覆盖的导电层，以于基材上蚀刻形成被罩幕覆盖的图案。接着使用反应式电浆法以及氯气，以移除或是剥除基材上的罩幕层，以曝露出导电内连线层的上表面。最后施加水以及氮气于晶圆基材上，以使基材冷却并且干燥之。
在半导体制程的微影步骤时，施加的光能量穿透光罩到达沉积于晶圆上的光阻材质，以定义出在后续制程即将被蚀刻的电路图案，以于晶圆上形成电路。罩板(Reticle)为具有电路图案的透明平板，用以形成晶圆光阻涂层中的电路图案，而罩板所包含的电路图案一次仅适用于晶圆上一部份的晶粒，例如4个晶粒，因此需要在整个晶圆的表面上以步进的方式重复形成罩板上的电路图案。相对地，另一类型的光罩(Mask)包括晶圆上所有晶粒的电路图案，故仅需要一次的曝光步骤即可将所有晶粒的电路图案转移至晶圆上。
由于电路特征图案会被转移至晶圆上，以定义晶圆上的电路图案，所以光罩图案的制程必须相当的精确。尤其是在次微米的微影制程中，光罩的品质对于制造高品质的电路图案来说，非常重要。假如在曝光制程之前无法侦测出存在于光罩的图案缺陷，以致于将这些缺陷复制在晶圆的光阻材质中，其中这些图案缺陷主要包括变形以及错置的图案。因此，一旦形成图案缺陷，需要对光罩进行大规模的自动化测试，以检测缺陷以及微粒。
罩板是用于步进机(Stepper)以及步进扫瞄(Step-and-scan)机中，其中步进机以及步进扫瞄机使用缩减透镜，以于电路图案化制程中缩减所需要达到的叠层准确度(Overlay Accuracy)。一般而言，步进的微缩比例为5∶1或是4∶1，而步进扫瞄机的微缩比例为4∶1。进行光罩对准时，位于步进机以及步进扫瞄机上的小范围的曝光尺寸可以提高误差控制的精确性。
步进机以及步进扫瞄机主要包括设置于预对准装置中的电脑控制的自动对准系统，用以辨识光罩上的对准标记。光罩架设在光罩台上，且利用夹持装置将晶圆固定于晶圆台座上。照明系统的光线透过光罩上的对准标记而投射至晶圆的表面上。然后，光侦测器侦测位于光罩上的对准标记以及晶圆上的标记。镭射红外线用于量测放置夹持装置的晶圆台座的位置。当取得晶圆台座的位置资料时，系统电脑的软体介面将位置资料传送给电机系统，以调整至需要的位移量，使晶圆与光罩可正确地对准。
步进机及步进扫瞄机的预对准装置及曝光室是追踪系统元件的一部分，其中该追踪系统用于将晶圆传送至微影制程中所使用的各个工作站。在预对准装置附近的追踪介面装置中，当许多晶圆依序传送至预对准装置进行曝光制程所需要的对准步骤之前，这些晶圆会被暂时放置于缓冲卡匣内。
光阻层的图案化制程是决定产品成功或是失败的重要因素之一，而且有许多因素可能导致光阻图案不稳定。举例来说，来自于追踪系统内的晶圆边缘曝光(Wafer Edge Exposure，WEE)灯管的热量一直是造成光阻图案不稳定的主要因素。此热量会提高存放于缓冲卡匣内的晶圆温度，大约提高1～2℃，并且使光阻图案扩张，而在将光罩图案转移至光阻层的曝光制程中，造成电路图案的扭曲变形。根据实验显示，在制程环境的温度为23.1℃、追踪介面装置的温度为25℃、追踪缓冲卡匣的温度为25.5℃以及步进扫瞄机的内部温度为23℃的情况下。利用通风方式来控制追踪介面装置的温度，以使其温度落在0.5℃的范围之内，然而由于是以空气作为通风的物质来帮助追踪介面装置的冷却，使得冷却的温度不够稳定，所以使用通风方式控制追踪介面装置的温度并不可行。
数个进一步的实验设计中，利用长宽比为30∶1的菱形图案，在晶圆上涂布形成一底部抗反射层(ARC)、中间的SEPR432光阻层以及顶部抗反射层(ARC)。在第一实验中，于晶圆曝光制程之前，将晶圆暂时存放于步进扫瞄机的追踪介面装置的缓冲卡匣内约1小时，在前面几个晶圆的投射(Shot)中，由光罩转移至晶圆的图案产生严重变形，在接着后续几个晶圆投射(Shot)的图案长度亦不相同，只有在最后几个晶圆投射(Shot)的图案才会与光罩上的图案相同。
在第二实验中，于晶圆曝光制程之前，晶圆暂时存放于缓冲卡匣外，显示出光罩图案与转移至晶圆的光阻层的图案相同。在第三实验中，将晶圆暂时存放预对准装置的缓冲卡匣缓内，并且以23℃的气体喷洒于晶圆表面。此实验结果中，光罩图案与转移至晶圆上的光阻图案两者相同，如同第二实验的结果。
因此，于晶圆进行曝光制程之前，步进机及步进扫瞄机的预对准装置需要使用图案控制系统来帮助晶圆冷却，以保持晶圆上的光阻层的电路图案的完整性。
由此可见，上述现有的图案控制系统在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决图案控制系统存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的图案控制系统，便成了当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的图案控制系统存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的图案控制系统，能够改进一般现有的图案控制系统，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容
本发明的一目的是提供一种新式的图案控制系统，以提高半导体晶圆上的电路图案的品质。
本发明的另一目的是提供一种新式的图案控制系统，以确保微影制程中由光罩转移至晶圆的电路图案的完整性。
本发明的再一目的是提供一种新式的图案控制系统，以避免微影制程中由光罩转移至晶圆的电路图案产生扭曲变形。
本发明的又一目的是提供一种新式的图案控制系统，以提高晶圆上元件的良率。
本发明的一目的是提供一种新式的图案控制系统，主要包括设置于步进机及步进扫瞄机的预对准装置以及与该预对准装置形成管路连接的冷却气体源，以于曝光制程进行之前，预先冷却晶圆。
本发明的另一目的是提供一种新式的图案控制系统，利用气体分送平板将冷却气体分送至晶圆的热接触位置，以于曝光制程进行之前，预先冷却晶圆。
本发明的再一目的是提供一种新式的图案控制系统，利用冷却流体冷却一晶圆承载盘，以于曝光之前，预先以晶圆承载盘承载并冷却晶圆。
本发明的又一目的是提供一种新式的图案控制方法，以于微影制程中提高晶圆上的电路图案的品质。
根据上述以及其他的目的，本发明提供一种图案控制系统，包含设置于步进机或步进扫瞄机的冷却模组或是设置于晶圆传送路径的冷却模组，以于晶圆进行微影曝光制程之前，预先冷却该晶圆。此种晶圆冷却方式可于后续的微影曝光制程中避免晶圆上的光阻层的电路图案产生热变形。在一实施例中，图案控制系统包含设置于步进机或步进扫瞄机的预对准装置内的冷却装置。而且预对准装置主要包括转动单元、感测元件以及冷却气体源，其中转动单元用以对晶圆进行微影制程所需的定位，感测元件用于感测晶圆的位置，而冷却气体源与预对准装置形成管路连接，以将氮气或是清洁空气的冷却气体导入至预对准装置中。先将暂存于缓冲卡匣内的晶圆取出，接着进行预先对准制程，其中缓冲卡匣设置于预对准装置附近的追踪介面装置中。同时将冷却气体载入该预对准装置，以对晶圆进行冷却。完成预先对准制程之后，将预对准装置内的冷却气体排出，并且进行晶圆的微影曝光制程。
在另一实施例中，图案控制系统包括设置于预对准装置的冷却模组，该预对准装置用于微影曝光制程之前先对晶圆进行对准步骤。冷却模组包含位于预对准装置的冷却承载盘，用以支撑进行预先对准步骤的晶圆。一冷却流体源与该冷却承载盘形成管路连接，在晶圆进行微影曝光之前，将来自冷却流体源的冷却流体分送至冷却承载盘，以利用传导方式来冷却晶圆。
本发明提供一种在微影制程中提高晶圆上电路图案的品质的方法，主要包含下列步骤提供一晶圆，接着使晶圆进行一微影制程的预先对准步骤。最后于微影制程的预先对准步骤中同时冷却该晶圆。
借由上述技术方案，本发明图案控制系统至少具有下列优点本发明的新式的图案控制系统，能够提高半导体晶圆上的电路图案的品质；确保微影制程中由光罩转移至晶圆的电路图案的完整性；避免微影制程中由光罩转移至晶圆的电路图案产生扭曲变形；提高晶圆上元件的良率。
综上所述，本发明特殊的图案控制系统，其能够提高半导体晶圆上的电路图案的品质；确保微影制程中由光罩转移至晶圆的电路图案的完整性；避免微影制程中由光罩转移至晶圆的电路图案产生扭曲变形；提高晶圆上元件的良率。其具有上述诸多的优点及实用价值，其在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的图案控制系统具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。


图1是依据本发明的一实施例的图案控制系统的透视图。
图2是依据本发明的第一实施例的图案控制系统的侧视图。
图3是依据本发明图2的图案控制系统的气体分送平板的剖视图，其中该气体分送平板用以分散冷却气体至晶圆上。
图4是依据本发明的第二实施例的图案控制系统的侧视图。
图5是依据本发明的第三实施例的图案控制系统的侧视图。
图6是依据本发明图5的图案控制系统的冷却承载盘的上视图。
8、8a冷却模组 10、50、60图案控制系统11预对准装置 12框架13内部单元 14基座16侧壁 18顶部20转动单元 22标记感测器24标记照明装置 26边缘感测器28晶圆定位夹持装置 30释放单元32释放平台 34冷却气体源36温度控制器 38、38a气体管路40、40a气体分送平板41主体42内部空间 43气体分送开口44排气帮浦 45排气导管46、46a晶圆48冷却气体51冷却模组 52冷却气体源56气体导管 57过滤器58、58a冷却流体源 61、61a冷却模组62分送导管 64循环导管66冷却承载盘 68冷却流体70、70a温度控制器具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的图案控制系统其具体实施方式
、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
本发明提供一种设置于步进机(stepper)或光微影扫瞄机(photolithography scanner)的图案控制系统，以冷却半导体晶圆，以避免在后来的微影制程中晶圆上光阻层的电路图案产生热变形。在第一实施例中，图案控制系统包括一冷却模组，是设置于步进机及光微影扫瞄机的预对准装置(Pre-alignment)中，扫瞄机例如可为ASML扫瞄机。冷却模组亦可设置于晶圆的传送路径的位置，该传送路径是指微影步骤进行之前的路径。预对准装置设有转动单元，转动单元设有定位夹持装置以及感测元件，以辅助晶圆在准备进行微影制程时的定位。每个冷却模组设有与预对准装置形成流体管路连接的冷却气体源，用以将氮气或是清洁空气(Clean DryAir，CDA)导入至预对准装置中。
使用图案控制系统时，先将晶圆暂时放置于预对准装置附近的追踪介面(track interface)装置的缓冲卡匣内。追踪介面装置的热源(晶圆边缘曝光灯管)容易提高暂时放在缓冲卡匣内晶圆的温度。将每个晶圆由缓冲卡匣传送至预对准装置，然后进行预先对准步骤。当晶圆进行微影制程所需的预先对准步骤后，同时将冷却气体导入预对准装置，以冷却晶圆。完成预先对准步骤之后，将预对准装置内的气体排出。然后进行微影曝光步骤，以使光罩图案转移至晶圆上的光阻层。
在另一实施例中，图案控制系统包含设置于预对准装置的冷却模组，其中该预对准装置于微影曝光之前用以依序地对准每片晶圆。预对准装置中的冷却模组包括冷却承载盘，以支撑已对准的晶圆。冷却流体源利用流体管路连接至冷却承载盘，其中冷却流体例如可为液体或是气体。在晶圆进行微影曝光之前，将来自冷却流体源的冷却流体分送至冷却承载盘，以利用传导方式来冷却晶圆。
本发明提出一种在微影制程时提高晶圆上的电路图案品质的方法。根据本发明的方法，对涂有光阻层的晶圆进行预先对准制程，并且进行冷却。在微影曝光之前，对晶圆的冷却步骤可避免或是减少光罩图案转移至晶圆时所造成的热变形。
首先参考第1-3图，其绘示依据本发明的一实施例的图案控制系统10。图案控制系统10设置于步进机或是扫瞄机的预对准装置11中，其中步进机或是扫瞄机例如可为ASML扫瞄机，预对准装置11具有狭长的框架12，框架12包括基座14、直立侧壁16以及顶部18。预对准装置11设置于封闭式追踪系统(图中未示)，其中该封闭式追踪系统的追踪介面装置(图中未示)邻接于该预对准装置11。因此，预对准装置11是利用框架12的直立侧壁16以及顶部18形成一密闭系统，以定义出与外部环境互相隔离的内部单元13。追踪介面装置用于储存缓冲卡匣(图中未示)，以放置载入至预对准装置11之前的晶圆(图中未示)。预对准装置11用于在晶圆曝光制程之前，用以逐一地对准每片晶圆，将于下文中详述。
如第1、2图所示，预对准装置11的内部单元13设有转动单元20。预对准装置11设有晶圆定位夹持装置28，以于晶圆46曝光微影之前，用以支撑晶圆46并且进行定位。内部单元13设有标记感测器22以及边缘感测器26，用以分别感测晶圆46的对准标记(图中未示)以及晶圆46的边缘位置。标记照明装置24设置于框架12上，以照亮晶圆46上的标记。释放单元30设置于内部单元13中，且与转动单元20间隔排列，其中释放单元30具有释放平台32，以于晶圆曝光之后，用以接收并支撑住晶圆46a。晶圆46a暂时放置于释放平台32上，一直放到从预对准装置11传送至下一个半导体制程的处理工作站之前。
图案控制系统10包括设置于预对准装置11的冷却模组8，每个冷却模组8设有冷却气体源34，该气体源34包含压缩的冷却气体48，例如氮气或是清洁空气(CDA)。冷却气体源34利用气体管路38连接至内部单元13。位于气体管路38的气体过滤器39用以滤除冷却气体48中的微粒。并且在冷却气体源34安装温度控制器36，以辅助控制冷却气体48的温度。
气体分送平板40(或是称为”Showerhead”)与气体导管38连接在一起。气体分送平板40直接设置于晶圆定位夹持装置28或是设置于内部单元13的适当位置。第二冷却模组8a包括利用气体导管38a连接至冷却气体源34的第二气体分送平板40a(如虚线所示)，亦可连接至其他个别的冷却气体源(图中未示)。第二气体分送平板40a设置于内部单元13中，或是设置于释放平台32的附近区域。如图3所示，气体分送平板40包括具有内部空间42的主体41，该内部空间42连接于气体导管38，主体41设有复数个气体分送开口43。连接于排气帮浦44的排气导管45从内部单元13向外延伸，以于预先对准步骤之后排除内部单元13内的冷却气体48，如下所述。
使用图案控制系统10时，将涂有光阻层的晶圆存放在追踪介面装置(图中未示)内部的缓冲卡匣(图中未示)中，其中追踪介面装置邻接于预对准装置11。晶圆边缘曝光(WEE)灯管的热量源(图中未示)设置于追踪介面装置。将每片晶圆46由缓冲卡匣传送至预对准装置11之前，此热量源容易增加暂时存放在缓冲卡匣内的晶圆的温度，大约是增加1～2℃。
利用机械手臂或是传送机构(图中未示)将追踪介面装置的缓冲卡匣中的每片晶圆46传送至内部单元13，使晶圆46放置于晶圆定位夹持装置28上，接着进行预先对准步骤。当标记感测器22感测到对准标记时，标记照明装置24照亮晶圆46上的对准标记(图中未示)。转动单元20启动晶圆定位夹持装置28，以转动晶圆46，直至晶圆46上的对准标记完成曝光制程所需要的定位状态。晶圆(46、46a)完成预对准及曝光之后，将其放置于释放单元30的释放平台32上，以等待由预对准装置11中取出。晶圆46的预先对准步骤约需要40～60秒。
根据本发明的实施例，在晶圆46的预先对准步骤中，同时对晶圆46进行冷却处理。所以先将氮气或是清洁空气(CDA)的冷却气体48加入到冷却气体源34中。利用温度控制器36将冷却气体48设定在需要的温度。当晶圆46传送至预对准装置11时的温度约达25℃，在实施例中，冷却气体48的温度设定在22.5～23℃，使晶圆46冷却至23℃。
冷却气体48从冷却气体源34输送出来之后，透过气体导管38以及气体分送平板40传送至内部单元13，使冷却气体48接触到晶圆46。如图3所示，气体分送平板40将冷却气体48直接以垂直方向导向晶圆46的表面。经过约40～60秒之后，冷却气体48可使晶圆46冷却至23℃。当晶圆46完成预先对准步骤之后，进行微影曝光的制程。于预先对准过程中晶圆的冷却处理，可避免光罩(图中未示)图案在曝光过程转移至晶圆上时造成电路图案的扭曲变形。当晶圆46完成预先对准及冷却步骤之后，利用启动帮浦44，经由排气导管45将内部单元13的冷却气体48排出。当晶圆46历经预先对准及冷却步骤时，同时对已经完成预先对准及冷却步骤并且放置在释放平台32的晶圆46a，利用来自冷却气体源34的冷却气体48进行冷却。接着利用冷却模组8a的导管38a以及气体分送平板40a使冷却气体48导向晶圆46a的表面。
接着参考图4，本发明的另一实施例的图案控制系统50。图案控制系统50包括具有冷却气体源52的冷却模组51，冷却气体源52的冷却气体48例如可为氮气或是清洁空气(CDA)。利用气体导管56使冷却气体源52连接至预对准装置11的内部单元13。气体导管56设有气体过滤器57，以滤除经过的冷却气体48的微粒。气体导管56亦可透过框架12的底部14、侧壁16或是顶部18伸入至内部单元13中，较佳实施例中，气体导管56在晶圆定位夹持装置28附近的区域伸入至内部单元13。设有气体导管56a的第二冷却模组51a连接至冷却气体源52或是连接至个别的冷却气体源(图中未示)，以使冷却气体48导入至释放平台32附近的内部单元13。冷却气体源52安装有温度控制器54，以控制冷却气体48的温度。图案控制系统50的操作方式与图2的图案控制系统相同，其差别在于图4的冷却气体48是以平行于晶圆表面的方向接触到晶圆46。
参考图5、6，本发明的另一实施例的图案控制系统60。图案控制系统60包括设有冷却流体源58的冷却模组61，其中冷却流体源58所供应的流体例如可为气体或是液体，如图6所示。冷却流体源58设有温度控制器70，用以控制冷却流体68的温度。在内部单元13中，转动单元20设有冷却承载盘66。如图6所示，冷却承载盘66透过分送导管62连接至冷却流体源58，且分送导管62以汇合方式连接至位于冷却承载盘66内部的循环导管64。
在图案控制系统60中，释放平台32包括设有循环导管64的第二冷却模组61a。在一实施例中，设有温度控制器70a的冷却流体源58a连接至释放平台32，以于晶圆46a传送出对准装置11的前进行冷却。另一实施例中，释放平台32连接至用来冷却承载盘66的冷却流体源58。
在操作图案控制系统60时，温度控制器70使冷却流体68的温度维持在22.5～23℃。进行夹持装置66上晶圆的对准步骤的过程中，冷却流体68由冷却流体源58，经过分送导管62、夹持装置66的循环导管64，最后经由分送导管62流回冷却流体源58。冷却流体利用传导方式降低夹持装置66的温度，而夹持装置66使晶圆46的温度降低至23℃。当预先对准步骤完成之后，循环导管64内的冷却流体68停止流动。因此当晶圆进行微影曝光的步骤时，可保持光罩图案转移至晶圆光阻层的完整性，以减少或是消除电路图案的扭曲变形的情形。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种图案控制系统，适用于微影曝光制程之前用以冷却晶圆，其特征在于该图案控制系统至少包含一晶圆传送路径装置，用以于微影制程中传送该晶圆；以及至少一冷却模组，用以沿着该晶圆传送路径装置来冷却该晶圆。
2.根据权利要求1所述的图案控制系统，其特征在于其中该冷却模组至少包含一冷却气体源，用以容纳一冷却气体；以及一气体导管，由该冷却气体源向外延伸，用以将该冷却气体引导与该晶圆形成接触。
3.根据权利要求2所述的图案控制系统，其特征在于其中该冷却气体源至少包含氮气或清洁的干空气。
4.根据权利要求2所述的图案控制系统，其特征在于其更包含一气体分送板，连接于该气体导管。
5.根据权利要求2所述的图案控制系统，其特征在于其更包含一温度控制器与该冷却气体源形成热接触，用以设定该冷却气体的温度值。
6.根据权利要求1所述的图案控制系统，其特征在于其中该冷却模组至少包含一冷却承载盘；以及一冷却流体源，与该冷却承载盘形成管路连接，藉以分送冷却流体循环于该冷却承载盘内。
7.根据权利要求6所述的图案控制系统，其特征在于其更包含一温度控制器与该冷却气体源形成热接触，用以设定该冷却气体的温度值。
8.一种图案控制系统，适用于在微影曝光制程之前用以冷却晶圆，其特征在于该图案控制系统至少包含一预对准装置，用以于该微影曝光制程之前对该晶圆进行预先对准；以及至少一冷却模组，设置于该预对准装置中，用以冷却该晶圆。
9.一种在微影制程中提高晶圆上电路图案的品质的方法，其特征在于其至少包含下列步骤提供一晶圆；使该晶圆进行一微影制程的预先对准步骤；以及于该微影制程的预先对准步骤中同时冷却该晶圆。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于其中冷却该晶圆的步骤中，至少包含下列步骤提供一冷却气体；以及将该冷却气体导向该晶圆。
全文摘要
本发明是有关于一种图案控制系统，是一种在微影曝光制程之前用以冷却晶圆的图案控制系统，主要包含晶圆传送路径装置以及冷却模组。晶圆传送路径装置用以于微影制程中传送晶圆，冷却模组用以沿着该晶圆传送路径装置来冷却晶圆。此种晶圆冷却方式可于后续的微影曝光制程中避免晶圆上的光阻层的电路图案产生热变形。
文档编号H01L21/027GK1783422SQ20051007715
公开日2006年6月7日 申请日期2005年6月14日 优先权日2004年11月30日
发明者郭养国 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司