专利名称：有源矩阵基板及其制造方法、电光装置以及电子机器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板、电光装置以及电子机器。
背景技术：
随着笔记本电脑、手机等便携式机器的普及，又薄又轻的液晶显示装置等得到广泛应用。这种液晶显示装置等，是在上基板和下基板之间夹持液晶层而形成的。
图17表示的是上述下基板(有源矩阵基板)的一个示例。如该图所示，下基板1具备以下部分构成玻璃基板2；在该玻璃基板2上相互交叉地布线的栅极扫描电极3和源极电极4；同样在玻璃基板2上布线的漏极电极5；与该漏极电极5连接的像素电极(ITO)6；介于栅极扫描电极3和源极电极4之间的绝缘层7；以及，由薄膜半导体构成的TFT(Thin FilmTransistor薄膜晶体管)8。
关于各金属布线在上述下基板1上的形成，例如，如专利第3261699号公报所示，采用的方法是，多次重复将干处理和光刻蚀刻组合起来的处理。
专利第3261699号公报在上述的有源矩阵基板中，液滴喷射法被用于形成漏极电极5等。也就是，在TFT30和像素电极6之间，通过借助液滴喷射装置涂布导电性材料并固化，来形成漏极电极5。
而形成TFT30的半导体膜，被实施了憎水处理，此外半导体膜和像素电极6之间还存在高低差(半导体膜处在高于像素电极6的位置)。因此带来的问题是，若在TFT30和像素电极6之间涂布导电性材料，涂布在半导体膜上的导电性材料会流到像素电极6一侧，导致半导体膜上形成的漏极电极5的膜厚变薄，造成导电性恶化。
本发明就是基于以上问题而提出的，其目的在于提供一种有源矩阵基板的制造方法，能够在半导体膜和像素电极之间喷出导电性材料来形成导电膜时，防止导电性材料从半导体膜上流出，确保导电膜有充分的膜厚。
发明内容
为了解决上述课题，本发明的有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板、电光装置以及电子机器，采用了以下手段。
第1发明是一种有源矩阵基板，基板上包括格子图形的布线；像素电极，配置在上述布线包围的区域中；开关元件，经过导电膜，与上述像素电极和上述布线电连接，具备辅助导电部，将上述像素电极与上述导电膜电连接。
根据本发明，由于无需将导电膜直接在像素电极上成膜，因此能够防止导电膜流出到像素电极一侧。
此外，上述辅助导电部，与上述布线形成在同一层，无需增加制造工序就能够形成辅助导电部。
此外，由于上述辅助导电部上的一部分具备围堰，能够将导电膜保持在规定位置，因此能够形成具有充分膜厚的导电膜。
第2发明是一种有源矩阵基板的制造方法，该有源矩阵基板在基板上包括格子图形的布线；像素电极，配置在上述布线包围的区域中；开关元件，经过导电膜，与上述像素电极和上述布线电连接，其在形成上述布线的同时，形成电连接上述像素电极和上述导电膜的辅助导电部。
根据本发明，由于无需将导电膜直接在像素电极上成膜，所以能够防止导电膜流出到像素电极一侧。
此外，由于在通过液滴喷射法形成所述导电膜之前，先在所述辅助导电部上的一部分上形成围堰，能够将导电膜保持在规定位置上，因此能够形成具有充分膜厚的导电膜。
第3发明是一种电光装置，其具备第1发明的有源矩阵基板、或者通过第2发明的制造方法得到的有源矩阵基板。根据本发明，能够提高电光装置的性能。
第4发明是一种电子机器，它具备第3发明的电光装置。根据本发明，能够提高电子机器的性能。
图1是有源矩阵基板的一部分的放大图。
图2是有源矩阵基板的等价电路图。
图3是表示制造有源矩阵基板的步骤的图。
图4是表示接着图3的步骤的图。
图5是液滴喷射装置的概略立体图。
图6是液滴喷头的截面图。
图7是表示接着图4的步骤的图。
图8是表示接着图7的步骤的图。
图9是表示接着图8的步骤的图。
图10是表示接着图9的步骤的图。
图11是表示接着图10的步骤的图。
图12是表示接着图11的步骤的图。
图13是表示接着图12的步骤的图。
图14是从对置基板一侧看到的液晶显示装置的平面图。
图15是液晶显示装置的截面图。
图16是表示电子机器具体例的图。
图17是表示现有有源矩阵基板的图。
图中P-基板，20-有源矩阵基板，30-TFT(开关元件)，32-活性层，33-接触层，44-漏极电极(导电膜)，45-像素电极，50-辅助导电部，61-围堰，62、63-开口部，100-液晶显示装置，600-手机主体(电子机器)，700-信息处理装置(电子机器)，800-手表主体(电子机器)具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板、电光装置以及电子机器的实施方式进行说明。
<有源矩阵基板>
图1是本发明的有源矩阵基板的一部分的放大图。
有源矩阵基板20上，包括格子状布线的栅极布线40和源极布线42。也就是说，多条栅极布线40在X方向上延伸形成，源极布线42在Y方向上延伸形成。
此外，栅极电极41与栅极布线40连接，TFT30被隔着绝缘层配置在栅极电极41上。另一方面，源极电极43与源极布线42连接，源极电极43的一端与TFT30(开关元件)连接。
而且，在栅极布线40和源极布线42包围的区域中，配置有像素电极45，经辅助导电部50和漏极电极44，与TFT30连接。
此外，电容线46在有源矩阵基板20上被与栅极布线40大致平行地布线。电容线46被在像素电极45和源极布线42的下层隔着绝缘层布线。
另外，栅极布线40、栅极电极41、源极布线42、电容线46、辅助导电部50形成在同一面上。
图2是有源矩阵基板20的等价电路图，表示用于液晶显示装置的情况。
在将有源矩阵基板20用于液晶显示装置100的情况下，在图像显示区域中矩阵状构成多个像素100a。在这些像素100a的每一个中，形成有像素开关用的TFT30，提供像素信号S1、S2、…、Sn的源极布线42，经源极电极43，与TFT30的源极电连接。提供给源极布线42的像素信号S1、S2、…、Sn，可按照此顺序线次序提供，也可对相邻接的多个源极布线42分组提供。
此外，栅极布线40经栅极电极41与TFT30的栅极电连接。而且，构成为，以规定的定时，将扫描信号G1、G2、…、Gm按照此顺序线次序地脉冲施加到栅极布线40上。
像素电极45，经漏极电极44与TFT30的漏极电连接。而且，通过令作为开关元件的TFT30仅在一定期间内处于导通状态，来将从源极布线42提供的像素信号S1、S2、…、Sn以规定的定时写到各像素中。这样，经过像素电极45写入液晶的规定电平的像素信号S1、S2、…、Sn，被在一定期间内保持在与如图15所示的对置基板120的对置电极121之间。
另外，为了防止被保持的像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，利用电容线46，与在像素电极45和对置电极121之间形成的液晶电容并联地附加蓄积电容48。例如，像素电极45的电压，被蓄积电容48保持比施加源极电压的时间长上百倍的时间。由此，从而电荷保持特性得到改善，可以实现高对比度的液晶显示装置100。
<有源矩阵基板的制造方法>
下面，参照附图，对有源矩阵基板20的制造方法进行说明。
有源矩阵基板20通过以下工序来制造，即，在基板P上形成格子图形布线的第1工序；形成叠层部35的第2工序；形成像素电极45等的第3工序。
以下，对各个工序进行详细说明。
(第1工序布线形成)图3、图4是作为第1工序的布线形成工序的说明图。另外，图3(b)、图4(b)，分别是沿图3(a)、图4(a)中的A-A’线的截面图。
作为形成栅极布线40和源极布线42等的格子图形布线的基板P，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料膜、金属板等各种材料。此外，在这各种材料的基板表面上，也包含作为基础层形成的半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等。
然后，首先如图3所示，在基板P上形成由绝缘性的有机树脂构成的围堰(bank)51。围堰用于将后述的布线用墨水配置在基板P的规定位置上。
具体讲，如图3(a)所示，在洗净的基板P上面，通过光刻法形成围堰51，该围堰51具有对应于格子图形布线的形成位置的多个开口部52、53、54、55、57。
作为围堰51的材料，例如使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。另外，为了在开口部52、53、54、55、57内良好地配置布线用墨水，在围堰51上实施了憎水性处理。作为憎水性处理，实施CF4等离子体处理等(使用具有氟成分的气体的离子体处理)。另外，也可以将憎水成分(氟基等)事先填充到围堰51材料自身当中，来代替CF4等离子体处理。
由围堰51形成的开口部52、53、54、55，与栅极布线40和源极布线42等的格子图形布线相对应。换言之，通过将布线用墨水配置到围堰51的开口部52、53、54、55，来形成栅极布线40和源极布线42等的格子图形布线。
具体讲，在X方向上延伸形成的开口部52、53，与栅极布线40、电容线46的形成位置相对应。而且，在对应于栅极布线40的形成位置的开口部52上，连接着对应于栅极电极41的形成位置的开口部54。另外，在Y方向上延伸形成的开口部55，与源极布线42的形成位置相对应。另外，Y方向上延伸的开口部55形成为，不与X方向上延伸的开口部52、53相交叉，而在交叉部56处分断。
此外，由围堰51形成的开口部57，与电连接后述的漏极电极44和像素电极45的辅助导电部50的形成位置相对应，。
接着，用后述的液滴喷射装置IJ，将含有导电性粒子的布线用墨水喷出·配置到开口部52、53、54、55、57内，在基板上形成由栅极布线40和源极布线42等构成的格子图形布线和辅助导电部50。
布线用墨水，由将导电性粒子分散到分散介质中的分散液、有机银化合物、将氧化银毫微粒分散到溶媒(分散介质)中的溶液构成。作为导电性粒子，例如金、银、铜、锡、铅等金属粒子，此外使用它们的氧化物以及导电性聚合物或超导体的粒子等。为了提高分散性，可以在这些导电性粒子的表面上涂布有机物等来使用。
导电性粒子的粒径优选为1nm以上0.1μm以下。如果大于0.1μm，就有可能阻塞后述的液滴喷头的喷嘴。此外，如果小于1nm，涂布剂对导电性粒子的体积比较大，得到的膜中有机物的比例就会过大。
作为分散介质，是能够将上述导电性粒子分散的物质，只要是不引起凝结的物质即可，不作特别限定。例如，除水之外，如甲醇、乙醇、丙醇丁醇等醇类，n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、杜烯、茚、二聚戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃类化合物，此外如乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二噁烷等醚类化合物，再有碳酸亚丙基酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从粒子分散性和分散液的稳定性、还有对液滴喷射法(喷墨法)的适用的方便性角度出发，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更为优选的分散介质，可以例如水、烃类化合物。
导电性粒子的分散液的表面张力，优选在例如0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内。如果在使用喷墨法喷出液体的时候，表面张力不到0.02N/m，由于墨水组成物的对应喷嘴面的浸润性增大，容易出现飞行弯曲，而如果超过0.07N/m的话，由于喷嘴顶端的弯液面的形状不稳定，从而难以实施喷出量、和喷出定时的控制。为了调整表面张力，可以在上述分散液中，微量添加氟系、硅树脂系、非离子系等的表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂的作用在于，能够提高液体对基板的浸润性，改良膜的水平性，防止膜产生细微的凹凸。根据需要，上述表面张力调节剂也可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
分散液的粘度，优选例如1mPa·s以上50mPa·s以下。在使用喷墨法将液体材料作为液滴喷射的时候，粘度小于1mpa·s的情况下喷嘴周边部容易因墨水的流出而被污染，此外在粘度大于50mPa·s的情况下喷嘴孔阻塞的频度会升高，液滴难以顺利喷出。
在布线用墨水喷出到基板P上之后，为了除去分散介质，根据需要，进行干燥处理·烧结处理。
干燥处理，可以通过由例如加热基板P的普通热板、电炉等实施的加热处理来进行。例如进行60分钟左右的180℃的加热。
烧结处理的处理温度，考虑分散介质的沸点(蒸汽压)、粒子的分散性和氧化性等的热行为、涂布剂的有无与量、基材的耐热温度等，来适当决定。例如，为了除去有机物构成的涂布剂，需要以约250℃来进行烧结。
通过这样的干燥·烧结处理，确保导电性粒子间的电接触，并变换为导电性膜。
另外，可在栅极布线40和源极布线42等的布线以及辅助导电部50上，形成金属保护膜47。金属保护膜47，是用于抑制由银和铜等构成的导电性膜的(电子)迁移现象等的薄膜。作为形成金属保护膜47的材料，优选鎳。另外，由鎳构成的金属保护膜47也用液滴喷射法来配置在基板P上。
通过以上工序，如图4所示，在基板P上形成由围堰51、格子图形布线以及辅助导电部50上构成的层。
而作为液滴喷射法的喷射技术，可以列举出带电控制方式、加压振动方式、电机转换方式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是用带电电极给材料付以电荷，用偏转电极控制材料的飞翔方向，使其从喷嘴中喷出。此外，加压振动方式，是对材料施加例如30kg/cm2左右的超高压，来将材料喷出到喷嘴顶端侧，在不施加控制电压的情况下，材料直着进入后从喷嘴喷出，当施加控制电压时，材料间产生静电斥力，材料飞散从而不会从喷嘴中喷出。此外，电机转换方式，利用压电元件以脉冲方式接受电信号而变形的性质，通过压电元件变形，借助挠性物质对储存材料的空间中施加压力，将材料从该空间中挤出并从喷嘴喷出。
此外，电热转换方式，通过设在储存材料的空间内的加热器，使材料迅速气化来产生气泡(bubble)，通过气泡的压力使空间内的材料喷出。静电吸引方式，将微小压力施加在储存材料的空间内，在喷嘴上形成材料的弯液面，在该状态下施加静电引力，然后导出材料。此外，除了上述方法之外，还可以使用利用由电场导致流体粘性变化的方式、和用放电火花吹飞的方式等的技术。液滴喷射法具有以下优点，即，在用料上浪费少，并且能够切实地将所希望的量的材料配置到所希望的位置。另外，由液滴喷射法喷出的液体材料(流动体)，其一滴的量例如为1～300毫微克。
作为在形成格子图形布线时使用的液滴喷射装置IJ，例如可以使用图5所示的液滴喷射装置IJ。
液滴喷射装置(喷墨装置)IJ，将液滴从液滴喷射头向基板P喷出(滴下)，包括液滴喷射头301、X方向驱动轴304、Y方向导向轴305、控制装置CONT、平台307、清洗机构308、基台309和加热器315。平台307，支撑用该液滴喷射装置IJ设置墨水(液体材料)的基板，包括将基板P固定在基准位置上的未图示的固定机构。
液滴喷射头301，是具备多个喷出喷嘴的多喷嘴型液滴喷射头，长边方向与Y轴方向一致。多个喷出喷嘴，在Y轴方向上以一定间隔并排设置在液滴喷射头301的下面。液滴喷射头301的喷出喷嘴，冲着支撑在平台307上的基板P，喷出含有上述导电性粒子的墨水。
X方向驱动电机302与X方向驱动轴304连接。X方向驱动电机302是步进电机等，若从控制装置CONT被供给X方向的驱动信号，转动X方向驱动轴304。若X方向驱动轴304转动，液滴喷射头301就在X轴方向上移动。
Y方向导向轴305，被固定为相对于基台309不动。平台307具备Y方向驱动电机303。Y方向驱动电机303是步进电机等，若从控制装置CONT被供给Y方向的驱动信号，则平台307在Y方向上移动。
控制装置CONT，将液滴的喷出控制用电压提供给液滴喷射头301。另外，将控制液滴喷射头301在X方向上移动的驱动脉冲信号提供给X方向驱动电机302，将控制平台307在Y方向上移动的驱动脉冲信号提供给Y方向驱动电机303。
清洗机构308，对液滴喷射头301进行清洗。清洗机构308中，具备未图示的Y方向驱动电机。通过该Y方向驱动电机的驱动，清洗机构沿Y方向导向轴305移动。清洗机构308的移动也通过控制装置CONT来控制。
加热器315，在这里是通过灯退火对基板P进行热处理的装置，对基板P上涂布的液体材料中包含的溶媒进行蒸发和干燥。该加热器315的电源的接通和断开，也由控制装置CONT来控制。
液滴喷射装置IJ，在液滴喷射头301和支撑着基板P的平台307相对扫描的同时，对基板P喷出液滴。这里，在以下说明中，设X方向为扫描方向，设与X方向垂直的Y方向为非扫描方向。
从而，液滴喷射头301的喷出喷嘴，以一定间隔并排设置在非扫描方向的Y方向上。另外，在图3中，虽然液滴喷射头301被相对基板P的行进方向呈直角地配置，但也可以调整液滴喷射头301的角度，并相对基板P的行进方向交叉。这样，通过调整液滴喷射头301的角度，就能够调节喷嘴间的间隙。此外，可令基板P与喷嘴面之间的距离也能任意调节。
图6是液滴喷射头301的截面图。
在液滴喷射头301上，与容纳液体材料(布线用墨水等)的液体室321相邻，设置有压电元件322。通过包括容纳液体材料的材料箱的液体材料供给系323，向液体室321供给液体材料。
压电元件322与驱动电路324连接。通过经该驱动电路324将电压施加给压电元件322，使压电元件322变形，从而液体室321变形，液体材料从喷嘴325喷出。
在这种情况下，通过改变施加电压的值，来控制压电元件322的偏差量。此外，通过改变施加电压的频率，来控制压电元件322的偏差速度。由于压电方式下的液滴喷射不对材料加热，因此具有不易对材料的构成造成影响的优点。
(第2工序叠层部形成)图7～图10是说明作为第2工序的叠层部形成工序的图。另外，图7(b)～图10(b)，分别是沿图7(a)～图10(a)中的A-A’线的截面图，图8(c)～图10(c)分别是沿图7(a)～图10(a)中的B-B’线的截面图。
在第2工序中，在由围堰51、格子图形布线和辅助导电部50构成的层上的规定位置上，形成由绝缘膜31和半导体膜(接触层33、活性层32)构成的叠层部35。
首先，利用等离子体CVD法，对基板P的整个面，进行绝缘膜31、活性层32、接触层33的连续成膜。具体讲，如图7所示，通过改变原料气体和等离子体条件，连续形成氮化硅膜作为绝缘膜31、无定形硅膜作为活性层32、n+型硅膜作为接触层33。
接着，如图8所示，利用光刻法，在规定位置上配置抗蚀膜58(58a～58c)。所谓规定位置，如图8(a)所示，在栅极布线40和源极布线42的交叉部56上、栅极电极41上、以及电容线46上。
另外，交叉部56上配置的抗蚀膜58a和电容线46上配置的抗蚀膜58b，互不接触地形成。此外，通过对栅极电极41上配置的抗蚀膜58c进行部分曝光，如图8(b)所示，形成沟59。
接着，对基板P的整个面进行蚀刻处理，除去接触层33和活性层32。再实施蚀刻处理，除去绝缘膜31。
这样，如图9所示，从配置抗蚀膜58(58a～58c)的规定位置以外的区域上，除去接触层33、活性层32、绝缘膜31。另一方面，配置抗蚀膜58的规定位置上，形成由绝缘膜31和半导体膜(接触层33、活性层32)构成的叠层部35。
另外，由于在栅极电极41上形成的叠层部35中，对抗蚀膜58c进行部分曝光来形成沟59，所以在蚀刻前通过再次显影将沟贯通。如图9(b)所示，对应沟59的接触层33被除去，形成分断为二部分的状态。由此，在栅极电极41上形成由活性层32和接触层33构成的开关元件TFT30。
然后，如图10所示，将氮化硅膜作为保护接触层33的保护膜60在基板P的整个面上成膜。
这样，完成叠层部35的形成。
(第3工序)图11～图13，是说明作为第3工序的像素电极45等的形成工序的图。另外，图1 1(b)～图13(b)分别是沿图11(a)～图13(a)中的A-A’线的截面图，图11(c)～图13(c)分别是沿图11(a)～图13(a)中的B-B’线的截面图。
在第3工序中，形成源极电极43、漏极电极44、连结布线49以及像素电极45。
源极电极43、漏极电极44、连结布线49和像素电极45，均可用例如ITO(IndiumTinOxide铟锡氧化物)等的透光性材料形成。此外，在形成这些电极等时，与第1工序同样，使用液滴喷射法。
首先，用光刻法形成围堰61，覆盖着栅极布线40和源极布线42等。也就是说，如图11所示，形成近似格子状的围堰61。此外，围堰61形成为覆盖辅助导电部50的一部分。
然后，在源极布线42和栅极布线40、以及源极布线42和电容线46的交叉部56上，形成开口部62。此外，开口部62如图11(b)所示，露出形成在栅极电极41上的叠层部35(TFT30)的一部分来形成。
再形成开口部63为露出叠层部35(TFT30)的一部分。从而，形成围堰61为在X方向上将叠层部35(TFT30)平分。
另外，开口部63形成为露出辅助导电部50的一部分。从而，形成围堰61为在X方向上将辅助导电部50平分。
另外，作为围堰61的材料，与围堰51同样，使用例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯树脂、三聚氰胺树脂等的高分子材料。此外，与围堰51同样，进行憎水性处理。
由围堰61所形成的开口部62，与连结分断了的源极布线42的连结布线49或者源极电极43的形成位置相对应。此外，由围堰61所形成的开口部63，与漏极电极44的形成位置相对应。再有，由围堰61所包围的区域，与像素电极45的形成位置相对应。
即，通过将透明导电性材料配置在围堰61的开口部62、63内和由围堰61所包围的区域中，形成连结分断了的源极布线42的连结布线49、源极电极43、漏极电极44、像素电极45。
另外，在开口部62、63上，也可配置透明导电性材料以外的导电性材料。
接下来，通过蚀刻处理，除去在基板P的整个面上成膜的保护膜60。从而，如图12所示，在没有配置围堰61的区域上成膜的保护层60被去除。另外，在格子图形的布线上形成的金属保护膜47也被去除。
接下来，通过上述的液滴喷射装置IJ，将透明导电材料喷出·配置在围堰61的开口部62、63内和由围堰61包围的区域中。透明导电材料，是将ITO的导电性粒子分散到分散介质中的分散液。
然后，在将透明导电性材料喷出到基板P上之后，为了除去分散介质，根据需要进行干燥处理、烧结处理。通过干燥·烧结处理，确保导电性粒子间的电接触，并变换为导电性膜。
这样，在基板P上，如图13所示，形成连结分断了的源极布线42的连结布线49、源极电极43、漏极电极44、像素电极45。
另外，虽然本实施方式中，对通过液滴喷射法配置透明导电性材料的方法进行了说明，但也可以通过进行CVD处理和蚀刻处理来配置。在这种情况下，不要围堰61。
经过以上工序，制造出有源矩阵基板20。
这样，由于将导电性材料配置在开口部63内形成漏极电极44，因此能够形成具有足够膜厚的漏极电极44。换言之，由于接触层33上具有憎水性，而且在接触层33与像素电极45之间存在高低差，因此如果没有由围堰61形成的开口部63，导电性材料会流出到像素电极45一侧，使漏极电极44的膜厚变薄。因而，通过形成由围堰61形成的开口部63，能够防止导电性材料的流出，能够形成具有足够膜厚的漏极电极44。
再有，由于预先形成为辅助导电部50在开口部63的底面露出，因此能够可靠确保漏极电极44与像素电极45的电连接。
由此，防止了漏极电极44的导电性低下，能够得到具备期望性能的有源矩阵基板20。
另外，在本实施方式中，虽然说明的是将源极布线42在交叉部56上分割的情况，但也可以将栅极布线40在交叉部56上分割。
此外，也不限于将源极布线42等的布线在交叉部56上分割。
此外，虽然说明了通过液滴喷射法形成栅极布线40、源极布线42、电容线46的情况，但也可以通过CVD法等形成。因此，辅助导电部50也可以通过CVD法等形成。
<电光装置>
下面，说明作为使用有源矩阵基板20的电光装置一例的液晶显示装置100。
图14是从对置基板一侧看到的液晶显示装置100的平面图，图15是沿图14的H-H’线的截面图。
另外，在使用以下说明的各图中，为了令各层和各部件在图面上形成可识别的大小，对各层和各部件的缩小比例并不相同。
在图14和图15中，液晶显示装置(电光装置)100，包括有源矩阵基板20的TFT阵列基板110与对置基板120，被作为光固化性密封材料的密封材料152而贴合，液晶150被封入·保持在由该密封材料152划分的区域内。密封材料152，在基板面内的区域中形成封闭的框状，且形成没有液晶注入口、没有被密封材料密封的痕迹的结构。
在密封材料152的形成区域的内侧区域中，形成由遮光性材料构成的周边遮挡部153。在密封材料152的外侧区域中，数据线驱动电路201和安装端子202沿TFT阵列基板110的一边形成，扫描线驱动电路204沿与这一边邻接的两边形成。在TFT阵列基板110的剩下的一边上，设置有多条布线205，用于连接设在图像显示区域的两侧的扫描线驱动电路204。此外，在对置基板120的角部的至少一处，配设有基板间导通材料206，用于令TFT阵列基板110和对置基板120之间电导通。
另外，也可以例如将安装了驱动用LSI的TAB(Tape AutomatedBonding带式自动焊接)基板和TFT阵列基板110的周边部上形成的端子群，通过异向性导电膜来电地和机械地进行连接，来代替在TFT阵列基板110上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204。
另外，在液晶显示装置100中，根据使用的液晶150的种类，即TN(Twisted Nematic扭转向列)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等的动作模式或常白模式/常黑模式的区别，以规定方向配置相位差板、偏光板等，这里省略图示。
此外，在将液晶显示装置100构成为用于彩色显示时，在对置基板120中、与TFT阵列基板110的后述各像素电极相对的区域中，将例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的彩色滤光器与其保护膜一起形成。
此外，作为使用了有源矩阵基板20的电光装置，例如，可以应用于有机EL(电激发光)显示装置。
有机EL显示装置，具有将包含萤光性的无机和有机化合物的薄膜夹在阴极和阳极间的结构，通过对上述薄膜注入电子和空穴(hole)激发，生成激子(exciton)，利用该激子再结合时放出的光(萤光·燐光)来进行发光。
然后，通过在具有TFT30的有源矩阵基板20上，将形成有机EL显示元件所使用的萤光性材料中，呈现红、绿和蓝色的各发光色的材料，即将发光层形成材料和形成空穴注入/电子输送层的材料作为墨水，并将其分别图形化，来制造出自发光全色有机EL显示装置。
再有，有源矩阵基板20，还可以应用于PDP(等离子体显示面板)、或表面传导型电子放出元件等中。表面传导型电子放出元件利用的是通过在基板上形成的小面积薄膜中平行于膜面流过电流，产生电子放出的现象。
<电子机器>
下面，就本发明的电子机器的具体例进行说明。
图16(a)，是表示手机的一个例子的立体图。图16(a)中，600表示手机主体，601表示具备上述实施方式的液晶显示装置100的显示部。
图16(b)，是表示文字处理机、个人电脑等便携式信息处理装置的一例的立体图。图16(b)中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入部，703表示信息处理主体，702表示具备上述实施方式的液晶显示装置100的显示部。
图16(c)，是表示手表型电子机器的一例的立体图。图16(c)中，800表示表的主体，801表示具备上述实施方式的液晶显示装置100的显示部。
这样，由于图16(a)～(c)所示的电子机器，具备上述实施方式的液晶显示装置100，因此获得了较高的品质和性能。
另外，虽然本实施方式的电子机器具备的是液晶显示装置100，但也可以是具备有机电激发光显示装置、等离子体型显示装置等其他的电光装置的电子机器。
此外，在电视或显示器等大型液晶面板中，也可以使用本实施方式。
以上，虽然参照附图对本发明的最佳实施方式例进行了说明，但无庸赘言，本发明并不限定于上述例子。在上述例子中表示的各构成部件的各种形状和组合等均为示例，可在不脱离本发明主旨的范围内，根据设计要求等进行种种变更。
权利要求
1.一种有源矩阵基板，基板上包括格子图形的布线；像素电极，配置在所述布线包围的区域中；以及，开关元件，通过导电膜电连接在所述像素电极和所述布线上，其特征在于，具备辅助导电部，将所述像素电极和所述导电膜电连接。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述辅助导电部，形成在与所述布线相同的层上。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，在所述辅助导电部上的一部分上，具有围堰。
4.一种有源矩阵基板的制造方法，该有源矩阵基板在基板上包括格子图形的布线；像素电极，配置在所述布线包围的区域中；开关元件，通过导电膜电连接在所述像素电极和所述布线上，其特征在于，在形成所述布线的同时，形成电连接所述像素电极和所述导电膜的辅助导电部。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在用液滴喷射法形成所述导电膜之前，先在所述辅助导电部上的一部分上形成围堰。
6.一种电光装置，其特征在于，具备权利要求1～3的任一项所述的有源矩阵基板、或者通过权利要求4或5所述的制造方法得到的有源矩阵基板。
7.一种电子机器，其特征在于，具备权利要求6所述的电光装置。
全文摘要
本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法，能够在半导体膜和像素电极之间喷出导电性材料形成导电膜时，防止导电性材料从半导体膜上流出，确保导电膜有充分的膜厚。有源矩阵基板(20)，在基板(P)上具备格子图形的布线(40、42)；像素电极(45)，配置在布线(40、42)包围的区域中；开关元件(30)，通过导电膜(44)，与像素电极45和布线(42)电连接。该有源矩阵基板(20)具备辅助导电部(50)，将像素电极(45)与导电膜(44)电连接。此外，在辅助导电部(50)上的一部分上还具备围堰(61)。
文档编号H01L21/82GK1741272SQ20051009263
公开日2006年3月1日 申请日期2005年8月19日 优先权日2004年8月27日
发明者野田洋一, 酒井真理, 傅田敦, 平井利充 申请人:精工爱普生株式会社