专利名称：半导体激光器的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用于光盘系统或光通信等的半导体激光器，特别涉及脊形构造的分立及单块半导体激光器。
背景技术：
双沟道型脊形构造的半导体激光器具有如下结构采用等效折射率较小的沟道(沟)部夹持脊，并采用等效折射率较大的层夹持沟道部。
而且，现有的双沟道型脊形构造的半导体激光器采用10μm的宽度构成脊侧面的沟部，该沟部通过干法蚀刻和湿法腐蚀除去半导体膜而形成。
从具有上述结构的半导体激光器射出的激光的远场图样(farfield pattern)为椭圆形，活性层垂直方向的远场图样的扩展较大，而活性层水平方向的远场图样的扩展较小。
现有的双沟道型脊形构造的半导体激光器中，会发生水平方向的远场图样的强度中心和形状随着光输出的变化而变化，存在着不能得到稳定的成品率的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种半导体激光器，其射出水平方向的远场图样的强度不随光输出的变化而发生变化且形状稳定的激光。
本发明第1技术方案所述的发明涉及这样一种双沟道型脊形构造的半导体激光器，以等效折射率比上述脊小的沟道部夹持脊，并采用与上述沟道部相比等效折射率较大的层夹持上述沟道部而构成，其特征在于当上述沟道部的宽度满足以下条件时，
E＝Acos(ux)(x≤T/2)...(1)E＝Acos(uT/2)exp(-w(|x|-T/2))(x≥T/2)...(2)u2+w2＝(n12-n22)(2π/λ)2T2...(3)w＝u·tan(u)...(4)其中，E为电场A为规定的系数X为距离上述脊中心的距离T为上述脊的宽度n1为上述脊的等效折射率n2为上述沟道部的等效折射率λ为上述半导体激光器的振荡波长Wc为上述沟道部的宽度X＝T/2+Wc中的电场E2与由式(1)到式(4)计算出的X＝0时的电场E1之比E2/E1满足0.0001≤E2/E1≤0.01...(5)本发明第2技术特征所述的发明涉及一种采用等效折射率比上述脊小的沟道部夹持脊而构成的脊形构造的半导体激光器，其特征在于从上述脊的端部离开规定间距，在上述脊的两侧配置了吸收激光的激光吸收区域。
本发明第3技术特征所记载的发明涉及一种采用等效折射率比上述脊小的沟道部夹持脊，并采用等效折射率比上述沟道部大的层夹持上述沟道部而构成的双沟道型脊形构造的半导体激光器，其特征在于上述半导体激光器的振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm的范围内，上述双沟道型脊形构造的沟道部的宽度处于大于5μm而小于10μm的狭窄范围内。
本发明第4技术特征所记载的发明涉及一种采用等效折射率比上述脊小的沟道部夹持脊，并采用等效折射率比上述沟道部大的层夹持上述沟道部而构成的双沟道型脊形构造的半导体激光器，其特征在于上述半导体激光器的振荡波长处于大于等于701nm而小于等于900nm的范围内，上述双沟道型脊形构造的沟道部的宽度处于大于5μm而小于10μm的狭窄范围内。
本发明第5技术特征所记载的发明涉及一种采用等效折射率比上述脊小的沟道部央持脊，并采用等效折射率比上述沟道部大的层夹持上述沟道部而构成的双沟道型脊形构造的半导体激光器，其特征在于上述半导体激光器的振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm的范围内，上述双沟道型脊形构造的沟道部的宽度处于大于等于0.7μm而小于等于5.0μm的范围内。
根据本发明第1技术特征所述的发明，确定沟道部的宽度使式(5)成立。而且，在沟道部的外侧存在等效折射率比沟道部的等效折射率大的层。因此，在式(5)成立的状态下，由于分布在从沟道部向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
根据本发明第2技术特征所述的发明，激光吸收区域离开脊的端部规定间隔而配置。因此，由于分布在从沟道部向外侧的光被激光吸收区域吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随着光输出的变化而发生变化且形状稳定的激光。
根据本发明第3技术特征的发明，对于振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm的范围内的半导体激光器，由于分布在从沟道向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随着光输出的变化而发生变化且形状稳定的激光。
根据本发明第4技术特征所述的发明，对于振荡波长处于大于等于701nm而小于等于900nm的范围内的半导体激光器，由于分布在从沟道向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随着光输出的变化而发生变化且形状稳定的激光。
根据本发明第5技术特征所记载的发明，对于振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm的范围内的半导体激光器，由于分布在从沟道向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而发生变化且形状稳定的激光。
图1表示实施方式1所涉及的半导体激光器的结构的立体图。
图2表示实施方式1所涉及的半导体激光器的A-A线剖面图。
图3所示为实施方式1所涉及的半导体激光器的剖面的电场分布图。
图4所示为相对于实施方式1的半导体激光器的不同构造参数组，脊中央部的电场大小与沟端部的电场大小为规定比率之距离的图。
图5表示在实施方式1的半导体激光器中，水平方向的远场图样的计算结果的图。
图6表示在实施方式1的半导体激光器中，水平方向的远场图样的实测值的图。
图7表示在现有技术的半导体激光器中，水平方向的远场图样的实测值的图。
图8表示实施方式2所涉及的半导体激光器的结构的立体图。
图9表示实施方式3所涉及的半导体激光器的结构的立体图。
图10表示实施方式4所涉及的半导体激光器的结构的立体图。
图11表示实施方式8所涉及的半导体激光器的结构的立体图。
图12表示实施方式9所涉及的半导体激光器的结构的立体图。
图13表示实施方式10所涉及的半导体激光器的结构的立体图。
具体实施例方式
图1表示本实施方式所涉及的、振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm的范围内的半导体激光器13的结构的立体图。图2表示图1的A-A线剖面图。
本实施方式中的半导体激光器是一种夹持脊6而形成2个沟(沟道)部15的双沟道型脊形构造的半导体激光器。
在图1中，n型(n-)GaAs衬底1的上方形成n-AlGaInP下覆盖层2。在n-AlGaInP下覆盖层2上形成多重量子阱构造的活性层3(以下，称为MQW活性层)，其中，该多重量子阱构造的活性层3是将GaInP作为阱层、将AlGaInP作为阻挡层。
在活性层3上顺次形成p型(p-)AlGaInP第1上覆盖层4、蚀刻阻挡层5。在蚀刻阻挡层5上形成线状的脊6。并且，相隔形成于脊6两侧的2个沟部15，沿脊6形成线状的p-AlGaInP第2上覆盖层7。
然后，在脊6和p-AlGaInP第2上覆盖层7的上表面形成p-GaAs接触层8，在其上部形成绝缘膜9。在绝缘膜9上形成由金属薄膜和镀金层构成的p电极10。而且，脊6上的绝缘膜9被开口，p电极10和p-GaAs接触层8电连接。
在半导体激光器13的端面附近设置了窗区域11。并且，在n-GaAs衬底1的背面形成n电极12。此外，14表示激光。
在上述例子中，AlGaInP的组成准确地由(AlxGa1-x)0.5In0.5P来表示。而且，n-AlGaInP下覆盖层2的组成比X为0.5～0.7、p-AlGaInP第1上覆盖层4的组成比X为0.5～0.7、p-AlGaInP第2上覆盖层7的组成比X为0.5～0.7。
各层的厚度，n-AlGaInP下覆盖层2为1.5～4μm、p-AlGaInP第1上覆盖层4为0.1～1μm，p-AlGaInP第2上覆盖层7为0.5～2μm。而且，各层的载流子浓度，n-AlGaInP下覆盖层2的载流子浓度为0.3～2.0×1018cm-3、p-AlGaInP第1上覆盖层4的载流子浓度为0.3～2.0×1018cm-3、p-AlGaInP第2上覆盖层7的载流子浓度为0.3～2.0×1018cm-3。
其次，对本实施方式的半导体激光器的制造方法进行说明。首先，利用MOCVD法等结晶生长法顺次在n-GaAs衬底1上形成n-AlGaInP下覆盖层2、MQW活性层3、p-AlGaInP第1上覆盖层4、蚀刻阻挡层5、p-AlGaInP第2上覆盖层7、p-GaAs接触层8。
继而，在端面附近通过Zn扩散等使MQW活性层3无序化，从而形成窗区域11。接着，将抗蚀剂或绝缘膜作为掩膜通过干法蚀刻以及采用硫酸或盐酸系蚀刻液，对p-AlGaInP第2上覆盖层7进行选择性蚀刻，从而形成脊6和沟部15。这时，通过采用硫酸等适当的蚀刻液，自动地在蚀刻阻挡层5停止蚀刻。
继而，在整个表面形成氮化膜等绝缘膜9，通过光刻在脊6的上表面形成开口部，并形成金属薄膜和镀金层构成的p电极10。
图3是与图2对应的结构的概要图以及表示该结构的折射率分布和电场分布的图。图3上一级的图是图2所示结构的概要图。而且，下一级所示的图表示与上级的概要图相对应的折射率分布和电场分布。
这里，横轴X表示离开脊6中心的距离。而且，n1是脊6的等效折射率、n2是沟15的等效折射率。此外，T是脊6的宽度、Wc是沟部15的宽度。
当图3所示的折射率分布近似为没有损失的3层导波路时，基本模式的电场分布(E)一般由下述的式(1)和(2)给出(参考末松安晴编著的“半导体激光器和光集成电路”，欧姆社，3.2章，P54-55)。
E＝Acos(ux) (x≤T/2) ...(1)E＝Acos(uT/2)exp(-w(|x|-T/2)) (x≥T/2)...(2)这里，u和w是由下式(3)和(4)定义的值。
u2+w2＝(n12-n22)(2π/λ)2T2...(3)w＝u·tan(u) ...(4)此外，A为规定的系数，λ为激光的振荡波长。
本实施方式的半导体激光器中，设定构造参数，从而将近似为无损失的3层导波路应用于双沟道型脊形构造的半导体激光器时得到的、脊6中央的电场大小(E1)和距离脊6中心距离为T/2+Wc的沟部15端部的电场大小(E2)满足下式(5)0.0001≤E2/E1≤0.01...(5)图4表示式(5)所示范围的电场比率成立的对离开脊6中央的距离X进行计算的结果。当E2/E1满足式(5)时，可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。此外，图4中的Δn表示n1-n2的值。
另外，按照频带的不同满足式(5)的沟部15的宽度Wc，在振荡波长大于等于601nm而小于等于700nm的半导体激光器中，处于5μm＜Wc＜10μm的范围内比较合适，但处于4.3μm≤Wc ≤9.0μm的范围内更合适，如果处于4.7μm≤Wc≤8.0μm的范围内则更好。虽然在振荡波长大于等于701nm而小于等于900nm的半导体激光器中，处于5μm＜Wc＜10μm的范围内比较合适，但处于5.2μm≤Wc≤9.8μm的范围内更合适。而且，在振荡波长大于等于330nm而小于等于600nm的半导体激光器中，处于0.7μm≤Wc≤5.0μm的范围内比较合适，但处于1.7μm≤Wc≤5.0μm的范围内更合适，如果处于2.2μm≤Wc≤4.2μm的范围内则更好。
图5示出在振荡波长大于等于601nm而小于等于700nm、沟部15的宽度Wc为7μm的半导体激光器中，水平方向的远场图样(FFPX)的仿真的计算结果。再者，图6示出实际制作的半导体激光器的水平方向的远场图形的例子。图7示出在振荡波长大于等于601nm而小于等于700nm、沟部15的宽度Wc为10μm的现有技术的半导体激光器的远场图样的例子。
从图5到图7可知，通过在本实施方式所示的范围内设计沟部15的宽度，从而水平方向的远场图样的形状比现有技术有了明显的改进，并且远场图样的中心非常稳定。
如以上所说明的那样，设定本实施方式的半导体激光器的沟部15的宽度，使其满足式(5)。此外，如本实施方式的半导体激光器那样，在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，在沟部15的外侧存在等效折射率比沟部15的等效折射率大的层。
因此，在式(5)成立的状态下，由于分布在从沟部15向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随着光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
另外，由于分布在从沟部15向外侧的光的吸收量较少，故不会发生其他的激光特性变差。
还有，在本实施方式中，示出了振荡波长大于等于601nm而小于等于700nm范围内的半导体激光器，但是，其他振荡波长的半导体激光器的光分布亦可满足式(5)，再者，并未限定脊6和沟部15的形状，其可以为垂直形状或倾斜形状。
即使上述情形，由于分布在从沟部15向外侧的光被半导体吸收，亦可获得水平方向的远场图样的强度中心不随着光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
实施例2图8是本实施方式的半导体激光器的剖面的立体图。本实施方式的半导体激光器的振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm的范围内，与图1所示的半导体激光器不同，其为不具有双沟道的脊形构造的半导体激光器。与图1和图2所加的标记为相同标记之处表示相同或与其相当的部分。再有，在图8中，省略p电极10等与本实施方式的说明关系不紧密的结构。
本实施方式的半导体激光器相隔大于5μm而小于10μm的较小间隔d从脊6的端部配置作为激光吸收区域16的非晶硅层。
通过采用非晶硅吸收分布于激光吸收区域的光，从而伴随光输出变化的水平方向的放射光束的形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随光输出的变化而发生变化的元件。
实施方式3图9表示本实施方式的半导体激光器的剖面的立体图。本实施方式的半导体激光器的振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm的范围内，与图1所示的半导体激光器不同，其为不具有双沟道的脊形构造的半导体激光器。
在脊6的两侧，相隔大于5μm而小于10μm的较小间隔d配置了作为激光吸收区域16的质子(离子)注入区域。由于质子注入区域是非增益区域，故作为激光吸收区域工作。
因此，通过吸收分布在激光吸收区域的光，从而伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的元件。
实施方式4图10为本实施方式的半导体激光器的剖面的立体图。本实施方式的半导体激光器的振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm的范围内，与图1所示的半导体激光器不同，其为不具有双沟道的脊形构造的半导体激光器。
在本实施方式的半导体激光器中，通过Zn扩散将作为激光吸收区域16的大于等于1×1018cm-3的高浓度杂质区域，相隔大于5μm而小于10μm的间隔d配置在脊6的两侧。
借助于高浓度杂质区域的自由载流子来吸收分布在激光吸收区域的光，从而伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的元件。
实施方式5在本实施方式的半导体激光器中，在具有与实施方式2到4类似结构的、振荡波长大于等于701nm而小于等于900nm的半导体激光器中，从脊6的端部相隔大于5μm而小于10μm的间隔d配置激光吸收区域16。
通过按照上述那样配置激光吸收区域16，从而即使在振荡波长处于大于等于701nm而小于等于900nm范围内的半导体激光器中，亦可以使伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并且能够获得水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的半导体激光器。
实施方式6本实施方式的半导体激光器涉及一种具有与实施方式2至4相类似的结构、振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm范围内的半导体激光器，其中，从脊6的端部相隔大于等于0.7μm而小于等于5.0μm的间隔d配置激光吸收区域16。
此外，本实施方式的半导体激光器中，衬底1由n型GaN构成、下覆盖层2由n型AlGaN构成、活性层3由InGaN多重量子阱层构成、第1上覆盖层由p型AlxGa1-XN构成、第2上覆盖层由p型AlYGa1-YN构成、接触层由p型GaN构成。
通过按照上述那样配置激光吸收区域，从而即使在振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm范围内的半导体激光器中，亦可以使伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并且可获得水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的半导体激光器。
实施方式7本实施方式的半导体激光器涉及这样一种半导体激光器，在实施方式2～6所示的半导体激光器中，仅在窗区域11(参照图1)等的芯片端面部形成激光吸收区域16。
其结果，能够降低用于形成激光吸收区域16的成本。
实施方式8图11表示本实施方式的半导体激光器的剖面的立体图。振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm范围内，其为与图1相同的双沟道型脊形构造的半导体激光器的情形。
在图11中，与图1和图2标记相同之处表示相同或与其相当的部分。将作为激光吸收区域16的非晶硅层相隔大于5μm而小于10μm的较小间隔d配置在沟15的宽度Wc大于等于10μm的脊形构造的半导体激光器的脊6的两侧。
因而，通过吸收分布于激光吸收区域16的光，从而伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的半导体激光器。
实施方式9图12是本实施方式的半导体激光器的剖面的立体图。振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm范围内，其为与图1相同的双沟道型脊形构造的半导体激光器的情形。
作为激光吸收区域16的质子注入区域，相隔大于5μm而小于10μm的较小间隔d形成在沟15的宽度Wc大于等于10μm的脊形构造的半导体激光器的脊6的两侧。由于质子注入区域为非增益区域，故作为激光吸收区域16工作。
因而，通过吸收分布于激光吸收区域16的光，从而伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的元件。
实施方式10图13表示本实施方式的半导体激光器的剖面的立体图。本实施方式的半导体激光器，其振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm范围内，其为与图1相同的双沟道型脊形构造的半导体激光器的情形。
在本实施方式的半导体激光器中，通过Zn扩散将大于等于1×1018cm-3的作为激光吸收区域16的高浓度杂质区域，相隔大于5μm而小于10μm的间隔d配置在沟15的宽度Wc大于等于10μm的脊形构造的半导体激光器的脊6的两侧。
其结果，借助于Zn扩散区域的自由载流子来吸收分布在激光吸收区域16的光，从而伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的半导体激光器。
实施方式11本实施方式的半导体激光器涉及一种振荡波长处于大于等于701nm而小于等于900nm范围内且与实施方式8到10具有相似结构的半导体激光器，其中，从脊6的端部相隔大于5μm而小于10μm的较小间隔d配置了激光吸收区域16。
由于具有上述结构，从而伴随光输出变化的水平方向的放射光束形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随着光输出的变化而发生变化的元件。
实施方式12本实施方式的半导体激光器涉及一种振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm范围内且与实施方式8到10具有相似结构的半导体激光器，其中，从脊6的端部相隔大于等于0.7μm而小于等于5.0μm的间隔d配置了激光吸收区域16。
其结果，伴随光输出变化的水平方向的放射光束的形状稳定下来，并可制作出水平方向的光束中心不随着光输出变化而发生变化的半导体激光器。
实施方式13本实施方式的半导体激光器涉及实施方式8到12的半导体激光器，其中，仅在形成了窗区域11(参照图11)等的芯片端面部形成激光吸收区域16。
其结果，能够抑制制造成本。
权利要求
1.一种半导体激光器，其为以等效折射率比所述脊小的沟道部夹持脊，并以等效折射率比所述沟道部大的层夹持所述沟道部而构成的双沟道型脊形构造，其特征在于当所述沟道部的宽度满足下述条件时，E＝A cos(ux)(x≤T/2)…(1)E＝A cos(uT/2)exp(-w(|x|-T/2))(x≥T/2)…(2)u2+w2＝(n12-n22)(2π/λ)2T2…(3)w＝u tan(u)…(4)其中，E为电场A为规定的系数X为距离上述脊中心的距离T为上述脊的宽度n1为上述脊的等效折射率n2为上述沟道部的等效折射率λ为上述半导体激光器的振荡波长Wc为上述沟道部的宽度X＝T/2+Wc中的电场E2与由式(1)到式(4)计算出的X＝0时的电场E1之比E2/E1满足0.0001≤E2/E1≤0.01…(5)。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于所述振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm范围内，所述沟道部的宽度处于大于5μm而小于10μm的较窄范围内。
3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于所述振荡波长处于大于等于701nm而小于等于900nm范围内，所述沟道部的宽度处于大于5μm而小于10μm的较窄范围内。
4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于所述振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm范围内，所述沟道部的宽度处于大于等于0.7μm而小于等于5.0μm的范围内。
5.一种半导体激光器，其为以等效折射率比所述脊小的沟道部夹持脊而构成的脊形构造，其特征在于从所述脊的端部相隔规定间隔，将吸收激光的激光吸收区域配置在所述脊的两侧。
6.如权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于所述半导体激光器的振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm范围内，所述规定间隔大于等于5μm而小于等于10μm。
7.如权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于所述半导体激光器的振荡波长处于大于等于701nm而小于等于900nm的范围内，所述规定间隔大于等于5μm而小于等于10μm。
8.如权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于所述半导体激光器的振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm的范围内，所述规定间隔大于等于0.7μm而小于等于5.0μm。
9.如权利要求5至8中任意一项所述的半导体激光器，其为以等效折射率比所述沟道部大的层夹持所述沟道部而构成的双沟道型脊形构造，其特征在于所述沟道部的宽度大于等于10μm。
10.如权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于仅在芯片端面部形成所述激光吸收区域。
11.如权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于所述激光吸收区域是非晶硅层。
12.如权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于所述激光吸收区域通过离子注入而形成。
13.如权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于所述激光吸收区域通过Zn扩散而形成。
14.一种半导体激光器，其为以等效折射率比所述脊小的沟道部夹持脊，并以等效折射率比所述沟道部大的层夹持所述沟道部而构成的双沟道型脊形构造，其特征在于所述半导体激光器的振荡波长处于大于等于601nm而小于等于700nm的范围内，所述双沟道型脊形构造的沟道部的宽度处于大于5μm而小于10μm的狭窄范围内。
15.一种半导体激光器，其为以等效折射率比所述脊小的沟道部夹持脊，并以等效折射率比所述沟道部大的层夹持所述沟道部而构成的双沟道型脊形构造，其特征在于所述半导体激光器的振荡波长处于大于等于701nm而小于等于900nm范围内，所述双沟道型脊形构造的沟道部的宽度处于大于5μm而小于10μm的狭窄范围内。
16.一种半导体激光器，其为以等效折射率比所述脊小的沟道部夹持脊，并以等效折射率比所述沟道部大的层夹持所述沟道部而构成的双沟道型脊形构造，其特征在于所述半导体激光器的振荡波长处于大于等于330nm而小于等于600nm的范围内，所述双沟道型脊形构造的沟道部的宽度处于大于等于0.7μm而小于等于5.0μm的范围内。
全文摘要
提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
文档编号H01S5/22GK1783605SQ20051011947
公开日2006年6月7日 申请日期2005年11月11日 优先权日2004年11月11日
发明者山口勉, 西田武弘, 西口晴美, 多田仁史, 吉田保明 申请人:三菱电机株式会社