专利名称：有机发光显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及平板显示器，更具体地说，涉及用于通过在形成像素分隔层之后但是在沉积有机层之前执行表面处理来改进像素电极中使用的氧化铟锡(ITO)的特性的有机发光二极管(OLED)显示器。本发明还涉及制造该OLED显示器的方法。
背景技术：
通常，主动式矩阵有机发光二极管显示器包括在基板上的多个像素，其中每个像素都包括至少一个开关薄膜晶体管、一个驱动薄膜晶体管、电容和OLED。OLED包括作为像素电极的下电极、上电极以及插入在较高和下电极之间的有机层。
在OLED中，下电极包括作为阳极电极的具有高的功函数的电极材料。因为ITO具有高的光透明度、高的导电率和高的红外线反射率，因此最常将ITO用于阳极电极。上电极包括作为阴极电极的具有低的功函数的电极材料。
在从外部向阳极电极施加预定偏压时，来自阳极电极的空穴和来自阴极电极的电子被注入进发光层。这样注入的电子和空穴然后重新结合，并发射预定颜色的光。
OLED中要求的两个最重要的因素是发光效率和长的寿命。从OLED的发光层发射的发光效率在很大程度上取决于阳极电极和被形成在阳极电极上的有机层之间的界面特性。发光效率还将影响装置的寿命。
已经使用了很多方法来改进OLED的发光效率。其中的一种方法包括增加下电极中使用的ITO层的功函数，以将更多载子注入到有机发光层中。
增加ITO层的功函数的一种方法包括进行表面处理。韩国专利公布2001-0057125公开了一种制造OLED的方法，在该方法中，使用SF6等离子体处理作为阳极电极的ITO层的表面，以改进阳极电极和有机层之间的界面特性。日本专利公布2000-133466公开了一种电荷注入发光二极管，该二极管通过使用氧离子或电子处理ITO层的表面制造而成，从而改进了阳极电极和有机层之间的界面特性。
制造OLED显示器的常规方法包括在基板上形成薄膜晶体管，然后形成被连接到薄膜晶体管上的OLED。形成OLED包括形成像素电极、形成具有露出像素电极的一部分的开口的像素分隔层、形成有机层以及形成作为阴极电极的上电极。
在常规方法中，像素分隔层是形成在基板上的绝缘层。然后采用照相平版印刷工艺蚀刻绝缘层来露出像素电极的一部分，从而形成开口。最后，把有机层沉积在开口内的像素电极上。
在玻璃基板的传送期间，在蚀刻处理像素分隔层后留在基板表面上的有机物或粒子(包括有机材料)被移动到开口内的像素电极的表面上。粒子的移动还可能发生在与用于沉积有机层的掩模对齐的操作期间。如果有机层被沉积到具有附到其表面上的粒子的像素电极上，这些附到像素电极上的粒子在装置驱动期间充当电阻并且电流被集中。结果，可能出现例如暗点的缺陷，并且可能出现包括(1)发光效率降低和(2)寿命缩短的问题。
发明内容
本发明提供一种用于通过执行表面处理工艺来除去有机残留物和粒子从而改进像素电极的表面特性的OLED显示器。该表面处理工艺发生在形成具有露出像素电极的一部分的开口的像素分隔层之后，沉积有机层之前。本发明还公开了一种制造该OLED显示器的方法。
本发明的一个实施例是一种形成平板显示器电极的方法。该方法包括在基板上形成电极材料；图形化该电极材料以形成电极图案；在该基板上形成具有沉积厚度的绝缘层；蚀刻该绝缘层，以露出该电极图案的一部分；在该绝缘层被从该沉积厚度蚀刻预定厚度的条件下，执行表面处理工艺，以改进该电极图案的表面特性。
在一个实施例中，该表面处理工艺可以包括使用Ar、O2和N2气体中的至少一种的等离子体处理工艺。可以在该绝缘层被从该沉积厚度蚀刻100-1000厚度，优选为200-800厚度的条件下，执行该表面处理工艺。
在一个实施例中，可以在流速为10-600标准立方厘米每分钟(sccm)、工艺压力为5-700mTorr和RF功率为50-600W下，使用O2、Ar和N2气体中的至少一种气体执行该表面处理工艺。
在一些实施例中，该电极图案为透明导电层并且该绝缘层为有机绝缘层。该绝缘层可以包括平整层或像素分隔层。进一步，可以采用照相平版印刷工艺蚀刻该绝缘层。
本发明的另一个实施例是一种制造OLED显示器的方法，包括在基板上形成下电极；在该下电极上形成具有开口并具有沉积厚度的绝缘层；在该绝缘层被从该沉积厚度蚀刻预定厚度的条件下，执行表面处理工艺；在该开口内的下电极上沉积有机层；在该基板上形成上电极。
可以通过沉积有机绝缘层并采用照相平版印刷工艺形成图案来形成该绝缘层，从而在其中形成开口。
本发明的另一个实施例是由该制造OLED显示器的方法制造的OLED显示器。该方法包括在基板上形成下电极；在该下电极上形成具有开口并具有沉积厚度的绝缘层；在该绝缘层被从该沉积厚度蚀刻预定厚度的条件下，执行表面处理工艺；在该开口内的下电极上沉积有机层；在该基板上形成上电极。
在一些实施例中，该OLED显示器可以进一步包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有半导体层以及形成在该基板上的栅极和源极/漏极电极，其中该源极/漏极电极中的一个被连接到该下电极上。
本发明的上述和其它特征以及优点将通过参照附图详细说明其示例性实施例变得更加明显，在附图中，贯穿全文，相似的标记表示类似的部件，附图是用来说明而非限制本发明，附图中图1为OLED显示器的截面图；图2A至2D为示出在OLED显示器中表面处理用作像素电极的ITO层的方法的截面图；图3A为示出OLED显示器中根据表面处理工艺条件的红颜色的电压和亮度之间关系的图；图3B为示出OLED显示器中根据表面处理工艺条件的红颜色的亮度和效率之间关系的图；图4A为示出OLED显示器中根据表面处理工艺条件的绿颜色的电压和亮度之间关系的图；和图4B为示出OLED显示器中根据表面处理工艺条件的绿颜色的亮度和效率之间关系的图。
具体实施例方式
图1为根据本发明的一个实施例的OLED显示器的截面图，示出了OLED装置和用于驱动OLED装置的薄膜晶体管。
缓冲层105被形成在基板100上，并且半导体层110被形成在缓冲层105上。基板100可以为玻璃基板、塑料基板或金属基板。半导体层110可以为多晶硅层。
半导体层110包括掺杂例如p-型杂质的预定导电类型的杂质的源极/漏极区域111和115，以及置于源极/漏极区域111和115之间且没有掺杂杂质的沟道区域117。
栅极绝缘层120被形成在半导体层110上。栅极绝缘层120可以包括单层或多层。进一步，栅极绝缘层120可以包括例如氮化物层或氧化物层的无机绝缘层，或者以例如聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚对亚苯基二甲基、PVP等的材料形成的有机绝缘层。
栅极125被形成在栅极绝缘层120上。层间绝缘层130被形成在栅极125和栅极绝缘层120上。层间绝缘层130可以包括单层、多层、无机绝缘层或有机绝缘层。
源极/漏极电极141和145被形成在层间绝缘层130上，分别在半导体层110上通过接触孔131和135与源极/漏极区域111和115连接。
保护层150被形成在源极/漏极电极141和145以及层间绝缘层130上。保护层150包括露出源极/漏极电极141和145中的一个的通孔155。在图1的实施例中，露出了漏极电极145。保护层150可以包括单层或多层。
保护层150还可以包括例如氧化物层或氮化物层的无机绝缘层，或例如BCB、丙烯酰基的有机化合物、氟代聚芳醚(fluoropolyarrylether)、氟树脂(cytop)、全氟环丁烷等的有机绝缘层。进一步，保护层150可以为包括有机绝缘层和无机绝缘层的堆。
阳极电极160作为下电极被形成在保护层150上，通过通孔155与薄膜晶体管的漏极电极145连接。因为根据此实施例的OLED显示器具有前侧发光结构，所以阳极电极160是反射电极。将参照图2进一步地说明阳极电极160。
具有0.6μm到1.2μm厚度的像素分隔层170被形成在阳极电极160和保护层150上。像素分隔层170包括例如聚酰亚胺基的有机层、丙烯酰基的有机层、BCB等的有机绝缘层。像素分隔层170还包括露出阳极电极160的一部分的开口175。
在本发明的一个实施例中，像素分隔层170具有从表面沉积的厚度减少大约100-1000的厚度。
有机层180被形成在开口175内的阳极电极160上，并且阴极电极190作为上电极被形成在有机层180上。阴极电极190包括透明电极。有机层180包括从包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层的组中选择的一个或多个有机层。
下面将参照图2A到图2D进一步地说明制造如上所述结构的根据本发明的OLED显示器的方法。在制造根据本发明的一个实施例的OLED显示器的方法中，形成作为像素电极的阳极电极之前的制造过程与制造典型OLED显示器的方法的过程相同。这里将省略典型制造方法的说明。因此，图2A到2D限于示出OLED显示器中的有机发光装置的剖视结构。
在图2A中，例如AlNd的具有高反射率的反射材料和例如ITO的透明导电材料被顺序地沉积在基板100上(或如图1中所示，在保护层150上)，并且被图形化，以形成包括反射层161和透明导电层165的阳极电极160。
在其他实施例中，阳极电极160包括由透明导电层165组成的透明电极，并且可以在基板100的对应于有机发光层的发光区域的区域中具有反射层161。
在图2B中，绝缘层171被形成在阳极电极160上。绝缘层171包括例如丙烯酰基的有机层、聚酰亚胺基的有机层、BCB等的有机绝缘层。
在图2C中，绝缘层171被采用照相平版印刷工艺图形化，以形成露出阳极电极160的一部分的开口175。
图2D示出在形成开口175后，表面处理工艺除去用作像素分隔层170的有机材料的残留物或粒子。于是，通过除去有机残留物和粒子，从绝缘层171形成像素分隔层170。
表面处理工艺是使用等离子体进行的，并且是在绝缘层171被蚀刻例如100-1000厚度的预定厚度的条件下进行的。蚀刻绝缘层171100-1000厚度的表面处理工艺条件如下使用O2、Ar和N2中的至少一种的混合物。气体流量可以在10-600sccm范围内，工艺压力可以在5-700mTorr范围内，并且RF功率可以在50-600W范围内。
在此实施例的OLED显示器中，在开口175被形成在像素分隔层170中后，在已经执行了除去有机残留物和粒子的表面处理工艺时，像素分隔层170具有从沉积厚度减少100-1000的厚度(图2D的虚线)。
表1示出在红颜色的表面处理工艺条件下的驱动电压和发光效率之间的关系。表1中的工艺条件是指执行表面处理工艺所处的条件。条件A表示像素分隔层被蚀刻小于100的厚度。条件B表示像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度。在条件B下，具体地，可以在像素分隔层被蚀刻800厚度时执行表面处理工艺。
表1
在表1中，在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻小于100的厚度来获得800Cd/m2时，需要6.1V驱动电压并且发光效率为4.15Cd/A。相反，在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度时，需要5.5V驱动电压并且发光效率为4.90Cd/A。
在一个实施例中，当在条件B(像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度)下执行等离子体表面处理工艺时，任何粒子或用作像素分隔层的有机材料的残留物已经被去除。这种去除改进了阳极电极的表面特性，并提高了红颜色的发光效率。
表2示出根据表面处理工艺条件的红颜色的亮度和发光效率之间的关系。在表2中，工艺条件是指执行表面处理工艺所处的条件。条件A表示像素分隔层被蚀刻小于100的厚度。条件B表示像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度。在条件B下，具体地，可以在像素分隔层被蚀刻800厚度时执行表面处理工艺。
表2
在表2中，在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻小于100的厚度时，在5.5V驱动电压下，亮度为472Cd/m2并且发光效率为4.22Cd/A。相反，在相同驱动电压下，在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度时，亮度为765Cd/m2并且发光效率为4.90Cd/A。
在本发明的一个实施例中，当在条件B(像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度)下执行等离子体表面处理工艺时，粒子或用作像素分隔层的有机材料的残留物被去除。这种去除改进了阳极电极的表面特性，并且提高了在相同驱动电压下的红颜色的亮度和发光效率。
图3A示出根据不同表面处理工艺条件的红颜色的驱动电压和亮度之间关系。在图3A中，把在条件A(像素分隔层被蚀刻小于100的厚度)下执行等离子体表面处理工艺的情况与在条件B(像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度)下执行等离子体表面处理工艺的情况相比较。当在相同驱动电压下把在条件B下执行的表面处理工艺与在条件A下执行的表面处理工艺比较时，观察到了优良的红颜色亮度特性。
图3B示出根据不同表面处理工艺条件的红颜色的发光效率和亮度之间的关系。将条件A(像素分隔层被蚀刻小于100的厚度)与条件B(像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度)相比较。在相同亮度下，在条件B下执行的表面处理工艺比条件A得到更高的红颜色的发光效率。
表3示出根据不同表面处理工艺条件的绿颜色的驱动电压和发光效率之间的关系。工艺条件是指执行表面处理工艺所处的条件。条件A表示像素分隔层被蚀刻小于100的厚度，条件B表示像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度。在条件B下，可以在像素分隔层被蚀刻800厚度时执行表面处理工艺。
表3
为获得800Cd/m2的亮度，在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻小于100的厚度时，需要5.4V驱动电压，发光效率为33.13Cd/A。相反，为获得相同亮度，在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度时，需要5.2V驱动电压，发光效率为35.17Cd/A。
在本发明的另一个实施例中，当在条件B(像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度)下执行等离子体表面处理工艺时，粒子或用作像素分隔层的有机材料的残留物被去除。这种去除改进了阳极电极的表面特性，并且提高了OLED的发光效率。
表4示出根据表面处理工艺条件的绿颜色的亮度和发光效率之间的关系。工艺条件是指执行表面处理工艺所处的条件。条件A表示像素分隔层被蚀刻小于100的厚度。条件B表示像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度。在条件B下，可以在像素分隔层被蚀刻800厚度的条件下执行表面处理工艺。
表4
在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻小于100的厚度时，在5.5V驱动电压下，亮度为875.9Cd/m2并且发光效率为33.11Cd/A。相反，在像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度时，亮度为1132Cd/m2并且发光效率为35.10Cd/A。
在本发明的一个实施例中，当在条件B(像素分隔层170被从沉积厚度蚀刻100-1000的厚度)下执行等离子体表面处理工艺时，粒子和用作像素分隔层的有机材料的残留物已经被去除。这种去除改进了阳极电极的表面特性，并且提高了在相同电压下的OLED的绿颜色的发光效率。
图4A示出根据不同表面处理工艺条件的绿颜色的驱动电压和亮度之间的关系。将条件A(像素分隔层被蚀刻小于100的厚度)与条件B(像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度)相比较。如图4A中所示，在相同驱动电压下，当与在条件A下获得的相同亮度比较时，当在条件B下执行表面处理工艺时获得了优良的绿颜色亮度特性。
图4B示出根据表面处理工艺条件的绿颜色的发光效率和亮度之间的关系。将在条件A(像素分隔层被蚀刻小于100的厚度)下执行等离子体表面处理工艺的情况与条件B(像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度)下执行等离子体表面处理工艺的情况相比较。如所示出的，当在条件B下执行表面处理工艺时，在相同亮度下获得了更高的绿颜色发光效率。
如表1到4所示，不管表面处理工艺，红颜色和绿颜色的颜色坐标几乎不变。
表5示出根据不同表面处理工艺条件的功函数。工艺条件是指执行表面处理工艺所处的条件。条件A表示像素分隔层被蚀刻小于100的厚度。条件B表示像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度。在条件B下，可以通过蚀刻像素分隔层200-800的厚度来执行表面处理工艺。条件C表示通过蚀刻像素分隔层大于1000的厚度来执行表面处理工艺。
表5
表5比较了当在条件A、B和C下的用于除去粒子和用作像素分隔层的有机材料的残留物的表面处理工艺时的功函数。在条件A下，像素分隔层被蚀刻小于100的厚度。在条件B下，像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度。在条件C下，像素分隔层被蚀刻大于1000的厚度。
如表5所示，在表面处理工艺期间，在像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度时的功函数高于在像素分隔层被蚀刻小于100的厚度时的功函数。在像素分隔层被蚀刻大于1000的厚度时，功函数也减小。
表6比较了根据不同表面处理工艺条件的缺陷率。工艺条件是指执行表面处理工艺所处的条件。条件A表示表面处理工艺蚀刻像素分隔层小于100的厚度。条件B表示表面处理工艺蚀刻像素分隔层100-1000的厚度。条件C表示通过蚀刻像素分隔层大于1000的厚度来执行表面处理工艺。在条件B下，可以通过蚀刻像素分隔层200-800厚度来执行表面处理工艺。这里，使用2.2英寸装置样品玻璃(370×400mm)执行缺陷数目的测试检测。
表6
表6进一步比较了当在条件A、B和C下执行用于除去用作像素分隔层的有机材料的残留物和粒子的表面处理工艺时产生的缺陷的数目。具体地，在条件A下，像素分隔层被蚀刻小于100的厚度。在条件B下，像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度。在条件C下，像素分隔层被蚀刻大于1000的厚度。
在表面处理工艺期间产生的缺陷的数目，在像素分隔层被蚀刻小于100的厚度时和在像素分隔层被蚀刻100-1000的厚度时，都小于10(＜10)。然而，在像素分隔层被蚀刻大于1000的厚度时，缺陷的数目大于50(＞50)，因而明显大于其它两种情况。
参照表1到6以及图3A、3B、4A和4B，当在像素分隔层被从沉积厚度蚀刻100-1000(优选地，200到800)的厚度的条件下执行表面处理工艺时，改进了阳极电极的表面特性，使亮度和发光效率最大化。进一步地，在缺陷率被最小化时，最大化了阳极电极的功函数。
尽管包括作为半导体层110的多晶硅层的多晶硅薄膜晶体管是用于驱动OLED的薄膜晶体管的示例性例子，但是本发明不局限于此。本发明中使用的其它晶体管可以包括包括由非晶硅组成的半导体层的非晶硅薄膜晶体管，或包括由例如并五苯、并四苯、蒽、萘、a-6-噻吩和/或二萘嵌苯的有机半导体材料组成的半导体层的有机薄膜晶体管。
在本发明的一个实施例中，OLED显示器被构造为薄膜晶体管被形成在基板上并且保护层被形成在基板上。薄膜晶体管和像素电极被通过保护层中的孔连接起来。进一步，可以以这样的方式执行表面处理工艺像素分隔层被形成为具有露出像素电极的一部分的开口，并且像素分隔层被蚀刻预定厚度。一个实施例还包括在OLED显示器中以这样的方式执行表面处理工艺像素分隔层被形成为具有露出像素电极的一部分的开口，并且像素分隔层被蚀刻预定厚度，其中OLED显示器具有各种剖视结构。
在本发明的另一个实施例中，像素分隔层被形成为露出像素电极的一部分，然后执行预处理工艺。本发明的另一个实施例的制造OLED显示器的方法中，露出像素电极的一部分的开口被形成在包括有机绝缘层的平整层或包括有机绝缘层的保护层中。
在本发明的另一个实施例中，OLED显示器包括前侧发光结构，其中像素分隔层被形成为具有露出像素电极的一部分的开口，然后在沉积有机层之前执行预处理工艺。OLED显示器还可以具有后侧发光结构或者两侧发光结构。在两侧发光结构中，包括露出像素电极的一部分的开口的绝缘层由有机绝缘层形成。
如上所述，表面处理工艺可以蚀刻像素分隔层预定厚度。根据一种制造本发明的一个实施例的OLED显示器的方法，像素分隔层可以包括露出像素电极的一部分的开口。表面处理工艺除去粒子或由于形成像素分隔层导致的有机残留物。这种去除改进了在随后工艺中沉积的有机层的特性，并延长了OLED的寿命。
尽管已经特别示出和参照其示例性实施例说明了本发明，本领域技术人员应该理解，在不背离由下面的权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其形式和细节作出各种改变。
权利要求
1.一种制造平板显示器电极的方法，包括在基板上形成电极材料；形成电极图案；在该基板上形成具有沉积厚度的绝缘层；蚀刻该绝缘层，以露出该电极图案的一部分；和执行表面处理工艺，其中从该沉积厚度蚀刻该绝缘层预定厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该表面处理工艺是使用Ar、O2和N2气体中的至少一种的等离子体处理工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其中该表面处理工艺通过从该沉积厚度蚀刻该绝缘层大约100-1000的厚度来执行。
4.根据权利要求3所述的方法，其中该表面处理工艺通过从该沉积厚度蚀刻该绝缘层大约200-800的厚度来执行。
5.根据权利要求3所述的方法，其中在流速为大约10-600sccm、工艺压力为大约5-700mTorr和RF功率为大约50-600W下，使用O2、Ar和N2气体中的至少一种气体执行该表面处理工艺。
6.根据权利要求1所述的方法，其中该电极图案为包括氧化铟锡ITO的透明导电层，该绝缘层为有机绝缘层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中该绝缘层包括平整层或像素分隔层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中采用照相平版印刷工艺蚀刻该绝缘层。
9.一种制造有机发光二极管OLED显示器的方法，包括在基板上形成下电极；在该下电极上形成具有开口并具有沉积厚度的绝缘层；执行表面处理工艺，其中从该沉积厚度蚀刻该绝缘层预定厚度；在该开口内的下电极上沉积有机层；和在该有机层上形成上电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中该表面处理工艺是使用Ar、O2和N2气体中的至少一种的等离子体处理工艺。
11.根据权利要求9所述的方法，其中该表面处理工艺通过从该沉积厚度蚀刻该绝缘层大约100-1000的厚度来执行。
12.根据权利要求11所述的方法，其中该表面处理工艺通过从该沉积厚度蚀刻该绝缘层大约200-800的厚度来执行。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在流速为大约10-600sccm、工艺压力为大约5-700mTorr和RF功率为大约50-600W下，使用O2、Ar和N2气体中的至少一种气体执行该表面处理工艺。
14.根据权利要求9所述的方法，其中该下电极为包括氧化铟锡ITO层的透明导电层，该绝缘层为有机绝缘层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中该绝缘层包括平整层或像素分隔层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中形成绝缘层进一步包括沉积有机绝缘层，采用照相平版印刷工艺图形化该有机绝缘层，以形成该开口。
17.一种根据权利要求9的制造方法制造的OLED显示器。
18.根据权利要求17所述的OLED显示器，进一步包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体层、形成在该基板上的栅极和源极/漏极电极，该源极/漏极电极中的一个被连接到该下电极。
19.一种平板显示器电极，包括基板上的电极材料，其中该电极材料的至少一部分被形成为图案；和在该基板上的包括沉积厚度的绝缘层，其中该绝缘层被蚀刻，以露出该电极图案的一部分，并且其中表面处理工艺被执行，以从该沉积厚度蚀刻该绝缘层预定厚度。
全文摘要
本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，其中通过在形成像素分隔层之后并且在沉积有机层之前执行表面处理工艺，改进了用作像素电极的氧化铟锡(ITO)层的表面特性。形成平板显示器电极的方法包括在基板上形成电极材料；图形化该电极材料，以形成电极图案；在该基板上形成具有沉积厚度的绝缘层；蚀刻该绝缘层，以露出该电极图案的一部分；在该绝缘层被从沉积厚度蚀刻预定厚度的条件下，执行表面处理工艺。
文档编号H01L51/50GK1828839SQ20061000337
公开日2006年9月6日 申请日期2006年2月7日 优先权日2005年2月7日
发明者金在中, 朴峻永, 李政烈, 闵卿旭 申请人:三星Sdi株式会社