专利名称：分离栅浮栅尖端的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种嵌入式闪存工艺，尤其涉及一种分离栅浮栅尖端 的制造方法。
背景技术：
分离栅闪存通过浮栅尖端到控制栅之间的F-N隧道效应来实现 擦除， 一般来讲，浮栅尖端越尖，越容易擦除，从而反复擦除的次数
越多。目前的浮栅尖端的制造流程为
1. 在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层。
2. 浮栅淀积， 一般采用低压化学气相淀积一层多晶硅
3. 热氧化生长一层氧化物
4. 低压化学气相淀积一层氮化硅
5. 光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀
6. 热氧化生长一层氧化物。
7. 去掉氮化硅。
8. 以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。
依据上述流程生产的浮栅尖端比较钝，从而造成了闪存反复擦除 的次数较少，縮短了闪存的使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种分离栅浮栅尖端的制造
方法，它可以使浮栅尖端变得锐利，从而提高闪存反复擦写的次数， 进而延长了闪存的使用寿命。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种分离栅浮栅尖端的制 造方法，它包括以下步骤第一步，在硅衬底表面热氧化生长一层氧 化层；第二步，浮栅淀积；第三步，热氧化生长一层氧化物；第四步， 低压化学气相淀积一层氮化硅；第五步，光刻定义浮栅图形和氮化硅 刻蚀，第六步，多晶硅刻蚀；第七步，热氧化生长一层氧化物；第八 步，去掉氮化硅；第九步，以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。
所述第六步多晶硅刻蚀的刻蚀量为10-500埃。
因为本发明用在原来工艺基础上，增加了一步多晶硅刻蚀，可以 多刻蚀10-500埃，这样使尖端的角度由目前的大约50度减小到20 度以下，所以可以使浮栅尖端变得锐利，从而提高闪存反复擦写的次 数，进而延长了闪存的使用寿命。
具体实施例方式
本发明工艺流程可以采用如下
第一步，在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层；
第二步，浮栅淀积，可以采用低压化学气相淀积一层多晶硅；
第三步，热氧化生长一层氧化物；
第四步，低压化学气相淀积一层氮化硅；
第五步，光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀；
第六步，多晶硅刻蚀；
第七步，热氧化生长一层氧化物；
第八步，去掉氮化硅；
第九步，以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。
其中，第六步的多晶硅刻蚀的刻蚀量大概在10-500埃之间。比 如可以刻蚀200埃，刻蚀的工艺方法可以采用干法刻蚀，经过这样的 刻蚀，浮栅尖端的角度可以从原来的50度减小到20度。
权利要求
1、一种分离栅浮栅尖端的制造方法，第一步，在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层；第二步，浮栅淀积；第三步，热氧化生长一层氧化物；第四步，低压化学气相淀积一层氮化硅；第五步，光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀；其特征在于，它进一步包括第六步，多晶硅刻蚀；第七步，热氧化生长一层氧化物；第八步，去掉氮化硅；第九步，以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。
2、 如权利要求1所述的分离栅浮栅尖端的制造方法，其特征在 于，所述第六步多晶硅刻蚀的刻蚀量为10-500埃。
3、 如权利要求1所述的分离栅浮栅尖端的制造方法，其特征在 于，所述第六步多晶硅刻蚀采用千法刻蚀。
全文摘要
本发明公开了一种分离栅浮栅尖端的制造方法，它可以使浮栅尖端变得锐利，从而提高闪存反复擦写的次数，进而延长了闪存的使用寿命。它包括以下步骤第一步，在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层；第二步，浮栅淀积；第三步，热氧化生长一层氧化物；第四步，低压化学气相淀积一层氮化硅；第五步，光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀，第六步，多晶硅刻蚀；第七步，热氧化生长一层氧化物；第八步，去掉氮化硅；第九步，以氧化物为阻挡层，进行多晶硅刻蚀。所述第六步多晶硅刻蚀的刻蚀量为10-500埃。
文档编号H01L21/336GK101110357SQ200610029100
公开日2008年1月23日 申请日期2006年7月19日 优先权日2006年7月19日
发明者龚新军 申请人:上海华虹Nec电子有限公司