专利名称：一种优化分离栅器件高温化学气相淀积氧化物厚度的方法
技术领域：
本发明涉及一种嵌入式闪存工艺，特别涉及一种优化分离栅器件高温 化学气相淀积氧化物厚度的方法。
技术背景目前的分离栅闪存器件(示意图参见图l)中，控制栅与衬底之间的氧化 层厚度和控制栅与浮栅之间的氧化层厚度有不同的要求。控制栅与衬底之 间的氧化物需要承受高压，因此要求厚一些；控制栅与浮栅之间的氧化物 是存储单元擦写隧道电子经过的地方，因此越薄越容易擦除，从而反复擦 除的次数越多。但在目前的工艺中，同一个厚度被选择来满足两者共同的要求，比如40埃热氧加180埃HTO(高温化学气相淀积氧化物)，因此工艺窗 口很窄，通常只有10埃量级。 发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种优化分离栅器件高温化学气相淀 积氧化物厚度的方法，以分别优化两处氧化物厚度以满足反复擦写和高压 的要求。为解决上述技术问题，本发明方法包括步骤一、在控制栅与衬底之 间生成满足高压要求的浮栅；步骤二、在控制栅与衬底之间涂上一层防护 层；步骤三、然后用各向异性的方法去除浮栅上以及控制栅和浮栅之间的 防护层；步骤四、最后用湿法或干法刻蚀浮栅。本发明由于分别优化控制栅与浮栅和控制栅与衬底之间氧化物厚度，
在满足控制栅和衬底之间高压要求的前提下，反复擦写的次数从目前低于100K提高到大于300K，工艺窗口从10埃提高到3 0 A。
图1是分离栅闪存器件的示意图；图2是本发明的一个具体实施例的示意图；图3是本发明方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明。 本发明方法包括四个步骤，如图3所示，即步骤一、在控制栅与衬 底之间生成满足高压要求的浮栅，步骤二、在控制栅与衬底之间涂上一层 防护层，步骤三、然后用各向异性的方法光刻所述浮栅上以及控制栅和浮 栅之间的胶，步骤四、最后用湿法或干法减少浮栅厚度。如图2所示，是本发明的一个具体实施例的示意图，首先在长一层能 满足控制栅与衬底之间高压要求的HT0(比如200埃)之后，在控制栅与衬 底之间涂上一层防护层，比如先在硅片上涂上一层平坦化的光刻胶，然后 用各向异性的方法把浮栅上以及控制栅和浮栅之间的光刻胶，然后用湿法 或干法去掉一层HTO (比如4 0埃)以满足反复强调擦写的要求。在本发明的另一个具体实施例中，在浮栅形成之后，涂上一层l 5 0 0埃平坦化的胶，用干法刻掉l 1 0 0埃胶，然后用2 0 0: 1稀HF酸 去掉40埃HT0。根据实施例得出上述各参数的优化范围为1、高温化学气相淀积氧化 物厚度从50埃到1000埃；2、平坦花BARC层(调节光反射层)的厚度从100埃到2000埃；3、氧化物刻蚀IO埃到500埃。
采用本发明方法，在满足控制栅和衬底之间高压要求的前提下，反复 擦写的次数从目前低于100K提高到大于300K，工艺窗口从10埃提高到 3 0埃。
综上所述，本发明方法提出了一种分别优化分离栅器件两处氧化物厚 度，可以以满足反复擦写和高压的要求。
权利要求
1、 一种优化分离栅器件高温化学气相淀积氧化物厚度的方法，其特征 在于，包括步骤一、在控制栅与衬底之间生成满足高压要求的浮栅； 步骤二、在所述控制栅与衬底之间涂上一层防护层；步骤三、然后用各向 异性的方法去除所述浮栅上以及控制栅和浮栅之间的防护层；步骤四、最 后用湿法或干法刻蚀所述浮栅。
2、 根据权利要求l所述的优化分离栅器件高温化学气相淀积氧化物厚 度的方法，其特征在于，所述浮栅为高温化学气相淀积氧化物，厚度从50 埃到1000埃；所述防护层为平坦化BARC，厚度从100埃到2000埃；所述步骤 四刻蚀厚度为10埃到500埃。
全文摘要
本发明公开了一种优化分离栅器件高温化学气相淀积氧化物厚度的方法，包括步骤一、在控制栅与衬底之间生成满足高压要求的浮栅；步骤二、在控制栅与衬底之间涂上一层防护层；步骤三、然后用各向异性的方法去除浮栅上以及控制栅和浮栅之间的防护层；步骤四、最后用湿法或干法刻蚀浮栅。本发明可以分别优化两处氧化物厚度以满足反复擦写和高压的要求。
文档编号H01L21/336GK101123187SQ20061002999
公开日2008年2月13日 申请日期2006年8月11日 优先权日2006年8月11日
发明者龚新军 申请人:上海华虹Nec电子有限公司