专利名称：一种电力半导体器件管芯的烧结方法
技术领域：
本实用新型涉及电力半导体器件制造技术，特别是一种电力半导体器件管芯的烧结方法。
背景技术：
电力半导体器件管芯的生产中，为了支撑硅片、欧姆接触以及散热作用，需要将硅片烧结在衬底片(如钼片)上以制成管芯。已有的电力半导体器件管芯的烧结方法，通常采用抽真空法烧结，或者是在烧结炉石英管内通入氢气，以氢气作还原气氛进行烧结。抽真空法烧结一般需要较高的真空度，生产成本高、操作麻烦；而通氢法烧结，不仅安全性差、氢气成本高，而且还会产生水汽，影响管芯烧结质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种效果好、安全性强的电力半导体器件管芯的烧结方法。
本发明所述的一种电力半导体器件管芯的烧结方法，包括按常规将硅片、焊片和衬底片放在烧结舟上，推入烧结炉的石英管中进行烧结；特别是在烧结时，向烧结炉石英管中通一氧化碳气，以一氧化碳气作还原气氛。
所述一氧化碳气纯度可以为80％以上；所述通入烧结炉石英管内一氧化碳气体的气压为1.5-3个大气压；所述的衬底片可以为钼片。
本发明采用向烧结炉石英管内通入一氧化碳气，以一氧化碳气作还原气氛进行烧结，具有安全性好、成本低，管芯烧结成品率达95％以上等优点。
具体实施例方式
一种电力半导体器件管芯的烧结方法，包括按常规将硅片、焊片和衬底片放在烧结舟上，推入烧结炉的石英管中进行烧结；特别是烧结时向烧结炉石英管中通一氧化碳气，以一氧化碳气作还原气氛。
所述的一氧化碳气纯度应为80％以上，以利较好消除烧结时石英管中的氧气。通入烧结炉石英管内的一氧化碳气气压应在1.5-3个大气压之间，使得烧结炉石英管中能有较理想的还原气氛状态。衬底片可为钼片，焊片为银铅锡合金，或金锑合金焊片及其它材料的焊片。
本发明采用一氧化碳气作还原气氛烧结，成本较低，安全性强，在烧结过程中，一氧化碳燃烧所释放出的高热，还有利于节能。
此外，一氧化碳气燃烧后不会产生水汽，从而可避免合金材料被水汽氧化和发生其它有害的化学反应。本发明烧结的管芯其合金共熔充分，有利于形成良好的低电阻欧姆接触，能显著提高管芯烧结质量及成品率。管芯烧结的成品率高达95％以上。
权利要求
1.一种电力半导体器件管芯的烧结方法，包括按常规将硅片、焊片和衬底片放在烧结舟上，推入烧结炉的石英管中进行烧结；其特征是烧结时向烧结炉石英管中通一氧化碳气，以一氧化碳气作还原气氛。
2.根据权利要求1所述的一种电力半导体器件管芯的烧结方法，其特征是所述一氧化碳气纯度为80％以上。
3.根据权利要求1或2所述的一种电力半导体器件管芯的烧结方法，其特征是所述通入烧结炉石英管内一氧化碳气的气压为1.5-3个大气压。
4.根据权利要求1所述的一种电力半导体器件管芯的烧结方法，其特征是所述的衬底片为钼片。
全文摘要
本发明涉及一种电力半导体器件管芯的烧结方法，其包括按常规将硅片、焊接片和衬底片放在烧结舟上，推入烧结炉的石英管中进行烧结；特别是烧结时向烧结炉石英管内通一氧化碳气，以一氧化碳气作还原气氛。本发明具有安全性好、生产成本较低，管芯烧结成品率高等优点。
文档编号H01L21/324GK1832108SQ200610049648
公开日2006年9月13日 申请日期2006年3月1日 优先权日2006年3月1日
发明者田钰贞, 田小钰 申请人:田钰贞