专利名称：具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体晶片的封装构造，特别是涉及一种可解决以往 导线架基底无外接脚式晶片封装构造中引脚外露切割面生锈问题，并具有 阵列接垫，能达到高密度的晶片封装，以及在封装制程中持续使用一刚性 导电模板进行电铸、粘晶、打线与封装步骤，可达到封装作业一贯性的无 10 外接脚式具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法。
背景技术：
在现有已知的封装技术中， 一种导线架基底晶片封装构造是为无外接 脚式。其是导线架中引脚的下表面对外表面接合，取代现有习知的导线架15 的外引脚，具有表面覆盖区(footprint)更小的优点。通常导线架的基础层 材料是包含有铜(Cu)，以利蚀刻成形。虽然具有导热佳、导电性佳与低制 造成本的优势，但铜本身容易在大气与高温环境中生锈，终会影响'晶片封 装构造的产品可靠性。请参阅图1及图2所示，图1是一种现有习知的无接脚式晶片封装构20 造的截面示意图，图2是现有习知的晶片封装构造的顶面透视图。现有习知 的无外接脚式晶片封装构造100,包含一具有引脚111的导线架、 一晶片 120、复数个焊线130以及一封胶体140。习知的导线架的引脚111的基础 层是为铜，并在封装前一体连接至该导线架的框条(图未绘出)。该导线架可 另具有一晶片承座112。该晶片120是粘固于该晶片承座112上。以打线形25 成的该些焊线130是电性连接该晶片120的复数个焊垫121至该些引脚lll 的上表面113。而该封胶体140是密封该晶片120与该些焊线130并固着该 些引脚111。该些引脚111的下表面114可外露于该封胶体140之外，并藉 由该导线架的框条导通，以在该些下表面114电镀上一电镀层115。当该封 胶体140与该电镀层115皆形成之后，方进行一单体化切割(singulation):h) 的步骤,如图1所示，该些引肚卩111会在该封胶体140的侧面形成露铜的引脚 外露表面116。该些外露表面116依现有制程无法被该电镀层115所覆盖保 护，故容易由该些外露表面116开始生锈，而影响产品的可靠性。此外，该 些引脚111的外露表面116亦会造成高频讯号的干扰，形成天线效应。再 丄-，者，如图2所示，由于该些引脚11]的每一外端皆须延伸至该封胶体14(1的 ,边.-;4些引购'的排列方式c、能是单排或是多措的交错排列而元法近 一步达到高密度的晶片封装。由此可见，上述现有的晶片封装构造及其制造方法在产品结构、制造 方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了 解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以 5 来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构 及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何 能创设一种新的具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法，实属当前重 要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有筌于上述现有的晶片封装构造及其制造方法存在的缺陷，本发明人 0 基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理 的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的具有阵列接垫的晶片封装 构造及其制造方法，能够改进一般现有的晶片封装构造及其制造方法，使其 更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于 创设出确具实用价值的本发明。15发明内容本发明的主要目的在于，克服现有的晶片封装构造及其制造方法存在 的缺陷，而提供一种新的具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法，所要 解决的技术问题是使其利用电铸形成的打线接垫，而具有防止电铸核心生 20 锈的功效以提升产品的可靠性，并能避免现有习知导线架的引脚的天线效 应。此外，打线接垫的阵列形成还能够达到高密度的晶片封装，从而更加适 于实用。本发明的次一目的在于，提供一种新的具有阵列接垫的晶片封装构造 及其制造方法，所要解决的技术问题是使其可以避免显露在封胶体底面的 25 下接合层被刮伤或磨损，并且兼具有增进的防锈功效，从而更加适于实用。 本发明的另一目的在于，克服现有的晶片封装构造的制造方法存在的 缺陷，而提供一种新的具有阵列接垫的晶片封装构造的制造方法，所要解 决的技术问题是使其在封装制程中持续使用一刚性导电模板进行电铸、粘 晶、打线与封装的步骤，不需要中途更换载具，而可以达到封装作业的一贯 30 性，非常适于产业应用。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种具有阵列接垫的晶片封装构造，其包含复数个打线接 垫，其是阵列形成在同一平面，每一打线接垫包含有一下接合层、 一电铸核 心与一上接合层，其中该电祷核心的材质是包含铜； 一晶片，其具有复数个 、 电极复数个焊线，其电性连接该些电极与该些打线接垫的上接合层；以及 一封胶休，其是结合传晶g与传些打线接,为一休并密封传些焊线.该些电
铸核心与该些上接合层，其中在该些打线接垫中仅有该些下接合层是显露 在该封胶体之外。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一 步实现。 前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其另包含有一晶片承座，以供固 5 着该晶片。前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其另包含有复数个承载接垫，以 供固着该晶片。前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其中所述的该些下接合层是选 自于镍-金层、镍-钇-金层、锡层与锡铅共晶层的其中之一。 10 前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其中所述的该些上接合层是选自于镍-金层、镍-4巴-金层与银层的其中之一。前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其中所述的该些下接合层是与 该封胶体的底面为共平面。本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本i5 发明提出的一种晶片封装构造的制造方法，其包括以下步骤提供一刚性 导电模板；形成一电铸遮罩于该导电模板上，并使其图案化；依该电铸遮 罩的开孔图案，电铸形成设有复数个打线接垫于该导电模板上，该些打线 接垫是阵列形成在同一平面，每一打线接垫包含有一下接合层、 一电铸核 心与一上接合层，其中该电铸核心的材质是包含铜；设置至少一晶片于该20 导电模板上；形成复数个焊线，其是电性连接该些电极与该些打线接垫的上 接合层；形成一封胶体于该导电模板上，该封胶体是结合该晶片与该些打 线接垫为一体并密封该些焊线、该些电铸核心与该些上接合层；以及在该 封胶体形成之后，剥离该导电模板，可使在该些打线接垫中仅有该些下接 合层是显露在该封胶体之外。25 本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的晶片封装构造的制造方法，其中所述的电铸步骤中，同时电铸形 成一晶片承座，以供粘固该晶片。本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依 据本发明提出的一种具有阵列接垫的晶片封装构造，其包含复数个接垫，其:") 是阵列形成在同一平面，每一接垫包含有一下接合层与一电铸核心，其中该 些电铸核心的材质是包含铜，且该些电铸核心的侧面是不被该下接合层所覆盖； 一晶片，其具有复数个电极，其是电性连接至该些接垫；以及一封胶 体，其是结合该晶片与该些接垫为一体并密封该些电铸核心的侧面，其中在 该些接垫中仅有该些下接合层是显露在该封胶体之外。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的真冇阵列接艰的晶片封装构造，g中所述的该些电极为凸块，该
晶片是以覆晶接合方式设置于该些接垫上。前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其中所述的该些接垫的数量是大于该些电极，而使部分的该些接垫为无电性传递的虛置垫(dummy pad)。 前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其中所述的该些接垫是为等尺5 寸并为棋盘排列。前述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其中所述的该些下接合层是与 该封胶体的底面为共平面。本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为了 达到上述目的，本发明提供了一种晶片封装构造，主要包含有复数个打线10 接垫、 一晶片、复数个焊线以及一封胶体。该些打线接垫是阵列形成在同 一平面，每一打线接垫包含有一下接合层、 一电铸核心与一上接合层，其中 该电铸核心的材质是包含铜。该晶片具有复数个电极。该些焊线是电性连 接该些电极与该些打线接垫的上接合层。该封胶体是结合该晶片与该些打 线接垫为一体并密封该些焊线、该些电铸核心与该些上接合层，其中在该15 些打线接垫中仅有该些下接合层是显露在该封胶体之外。此外，本发明另揭 示了 一种该晶片封装构造的制造方法。前述的晶片封装构造，其中另包含有一晶片承座，以供固着该晶片。前 述的晶片封装构造，另包含有复数个承载接垫，以供固着该晶片。前述的 晶片封装构造，其中该些承载接垫与该些打线接垫是为等尺寸并为棋盘排20 列。前述的晶片封装构造，其中该些下接合层的防锈性是较优于该些电铸核 心。前述的晶片封装构造，其中该些下接合层是选自于镍-金层、镍-4巴-金 层、锡层与锡铅共晶层的其中'之一。前述的晶片封装构造，其中该些上接 合层是选自于镍-金层、镍-4巴-金层与银层的其中之一。前述的晶片封装构25 借由上述技术方案，本发明具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法至少具有下列优点1、 本发明具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法，借由利用电铸 形成的打线接垫，使其电铸核心完全被封胶体所密封，并使其仅有打线接 垫的下接合层是显露于一封胶体之外，而具有防止电铸核心生锈的功效，并且可以提升产品的可靠性，还能够避免现有习知的导线架的引脚的天线效应，非常适于实用。此外，借由打线接垫的阵列形成，还能够达到高密度的 晶片封装，从而更加适于实用。2、 本发明具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法，可以避免显露在封胶体底面的下接合层被刮伤或磨损，并且兼具有增进的防锈功效，更加L 适于实用。3、 本发明的具冇阵列接垫的晶g封装构造的制造方法，在封装制程中
是持续使用一刚性导电模板进行电铸、粘晶、打线与封装的步骤，不需要中 途更换载具，而可以达到封装作业的一贯性，非常适于产业应用。综上所述，本发明是有关于 一种具有阵列接垫的晶片封装构造及其制 造方法。该晶片封装构造，主要包含复数个打线接垫、 一晶片、复数个焊5 线以及一封胶体。该些打线接垫的电铸核心的上下各形成有一上接合层与 一下接合层，其中该电铸核心的材质包含铜。该些焊线是电性连接该晶片 至该些打线接垫的上接合层。该封胶体是密封该些焊线、该些电铸核心与 该些上接合层，其中在该些打线接垫中仅有该些下接合层是显露在该封胶 体之外。本发明可解决以往导线架基底无外接脚式晶片封装构造中引脚外10 露切割面生锈的问题，并具有阵列接垫，能达到高密度的晶片封装。本发 明的制造方法在封装制程中持续使用一刚性导电模板进行电铸、粘晶、打 线与封装步骤,可达到封装作业的一贯性。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大的改进，在技术上 有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的晶片封装构造及15 其制造方法具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛 利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附20 图，详细说明如下。
图1是现有习知的无接脚式晶片封装构造的截面示意图。图2是现有习知的晶片封装构造的顶面透^;图。25 图3是依据本发明的第一具体实施例， 一种具有阵列4妄垫的晶片封装构造的截面示意图。图4是依据本发明的第一具体实施例，绘示该晶片封装构造的晶片与打 线接垫的顶面示意图。图5是依据本发明的第 一具体实施例，在该晶片封装构造的制程中所提 供的导电模板的顶面示意图。图6A至图6G是依据本发明的第一具体实施例，该晶片封装构造在制程 中的截面示意图。图7是依据本发明的第二具体实施例，另一种具有阵列接垫的晶片封装 构造的截面示意图。图8是依据本发明的第二具体实施例，该晶片封装构造的底面示意图。 图()是依据本发明的第三具休实施例，另一种具有阵列接垫的品片封装<formula>formula see original document page 9</formula>100 112 U4 116 121 140 210 212 220 222 230 241 260 271 310 312 320 330 350410411晶片封装构造 晶片承座 下表面引脚外露表面焊垫封胶体打线接垫电铸核心日一片曰曰背面 焊线 底面导电模板 开孔图案 打线接垫 电铸核心曰曰焊线承载接垫接垫下接合层25422 431412A:侧面 420 . 电极 底面111 113 115 120 130 200: 211 213 221 223 240 250 270 300 311 313 321 340 400引脚上表面电镀层曰片曰曰焊线晶片封装构造 下接合层 上接合层 主动面 电极 封胶体 晶片承座 电铸遮罩 晶片封装构造 下接合层 上接合层 电极 封胶体 晶片封装构造 410A:虚置垫 412:电铸核心 413:上接合层 421:表面 430:封胶体具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功30 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的具有阵列接垫的晶片 封装构造及其制造方法其具体实施方式
、结构、制造方法、步骤、特征及 其功效，详细说明如后。请参阅图3及图4所示，图3是依据本发明的第一具体实施例，一种具 有阵列接垫的晶片封装构造的截面示意图，图4是该晶片封装构造的晶片与 打线接垫的顶面示意图。在本发明的第一具体实施例中，该具有阵列接垫 的品g封装构造200.主要包含复数个打线接塾210、 一晶片220.复教个 焊线230以及一封胶体240,.如图4所示，上述的该些打线接垫210,是为阵列排列，可任意多排的 排列，其是由电铸技术形成(容后详述)。并且，如图3所示，该些打线接垫 210是形成在同一平面。每一打线接垫210包含有一下接合层211、 一电铸5核心212与一上接合层213，其中该电铸核心212，其材质是包含铜，其是一种导电性佳、导热性佳且易 于电镀的电属。该些电铸核心212的厚度大于对应下接合层211的厚度及 大于对应上接合层213的厚度。在本实施例中，该晶片封装构造200另包含有一晶片承座250，以供固着i() 该晶片220,该晶片承座250亦能以电铸方法形成，可同样具有一电铸核心 212与上、下接合层213、 211,—接地焊线可接合在该晶片承座250上。在 不同的实施例中，当该晶片承座250不需要打线焊接时，则该晶片承座250 可不需要该上接合层213。上述的晶片220，具有一主动面221、 一背面222及复数个电极223，该15 些电极223可形成于该晶片220的该主动面221上，该些电极223除了可 以如图3所示为焊垫形状，但亦可为凸块形状。该晶片220的该背面222 是可利用胶膜类、B阶胶体(B-stage adhesive )、液体胶(liquid compound) 等粘晶材料粘着于该晶片承座250。上述的打线形成的该些焊线230，是电性连接该晶片220的该些电极20223与该些打线接垫210的上接合层213，通常该些焊线230可为金线。上述的封胶体240，是结合该晶片220与该些打线接垫210为一体并密 封该些焊线230、该些电铸核心212与该些上接合层213。可利用压模、印 刷或点胶方式提供该封胶体240,通常该封胶体240是为绝缘材料，包舍无 机填充剂、固化剂与色料等等。25 其中，如图3所示，在该些打线接垫210中仅有该些下接合层211是显露在该封胶体240之外，该些电铸核心212不会有外露于该封胶体240的 部份，而可以避免氧化生锈。较佳地，该些下接合层211的外露表面是与 该封胶体240的底面241为共平面，以避免在产品搬运与使用过程该些下 接合层211被刮伤或磨损。并且具有该些下接合层211内嵌于该封胶体240加的型态，更可以避免该些下接合层211与该些电铸核心212的界面外露于 大气中，而可以增进防锈的功效。在本实施例中，该些下接合层211的防锈性能应较优于该些电铸核心 212。例如相对于铜质的电铸核心212，该些下接合层211的材质是可选自 于镍-金层、镍-把-金层、锡层与锡铅共晶层的其中之一，或其它可供表面:',「、接合的抗氣化金應.，而该些上接合层213的材质是可选自于镍-金层、镍-化-金展与银罢的卞t-中之一-或其它可供焊接的仓存,，因此，上述的晶片封装构造200具有以下的功效 一、具有防止电铸 ,核心212由側面产生生锈的功效，而可以提升产品可靠性；二、能够避免 现有习知导线架的引脚的天线效应；三、该些打线接垫210的阵列排列能 符合高密度的晶片封装。 s 请配合参阅图5、图6A 6G所示，图5是依据本发明的第一具体实施例，在该晶片封装构造的制程中所提供的导电模板的顶面示意图，图6A至 图6G是该晶片封装构造在制程中的截面示意图。现将本发明的晶片封装构 造的制造方法的第一具体实施例说明如下。该晶片封装构造200的制造方 法，包括以下步骤io 首先，如图5与图6A所示，提供一刚性导电模板260，其具有一平坦表面，用以定义上述形成该些打线接垫210的共平面。再形成一电铸遮罩 270于该导电模板260上，该电铸遮罩270是可由液态光阻与感光性干膜所 构成。如图6B所示，利用曝光显影的技术使得该电铸遮罩270图案化，而具有 15 开孔图案271。如图6C所示，依该电铸遮罩270的开孔图案271，并在该导电模板260 的导通下，能以电铸技术依序形成一下接合层211、 一电铸核心212与一上 接合层213在该开孔图案271内，以构成复数个的该些打线接垫210于该 导电模板260上，如此便能使该些打线接垫210阵列形成在同一平面。在本 20实施例中，并可同时形成该晶片承座250。如图6D所示在移除该电铸遮罩270。如图6E所示在移除该电铸遮 罩270之后，设置上述晶片220于该导电模板260的上方，在本实施例中， 该晶片220是粘固于该晶片承座250。如图6F所示，在不需要移除该导电模板260的条件下，接着，打线形 25成复数个焊线230,其是电性连接该些电极223与该些打线接垫210的上接 合层213。如图6G所示，之后，以半导体封装技术形成一封胶体240于该导电模 板260上，该封胶体240是结合该晶片220与该些打线接垫210为一体并 密封该些焊线230、该些电铸核心212与该些上接合层213，其中该些下接 加合层211仍是贴合于该导电模板260。最后在该封胶体240形成之后，剝离该导电模板260,可使在该些打线 接垫210中仅有该些下接合层211是显露在该封胶体240之外，而制得如 图3所示的晶片封装构造200。因此，在前述的制造方法中，该导电模板 260持续被使用在电铸、粘晶、打线与封装的步骤过程，不需要中途更换我 :r,具，而可以达到封装作业的一贯性。请参问图7及图8所示，II] 7是依据本发明的第二恭体实施例，另--种具有阵列接垫的晶片封装构造的截面示意图，图8是该晶片封装构造的底面 示意图。在本发明的具有阵列接垫的晶片封装构造的第二具体实施例中，揭示的另一种具有阵列接垫的晶片封装构造300，主要包含有与第一具体实施 例大致相同的复数个打线接垫310、 一晶片320、复数个焊线330以及一封5胶体340,并可另包含复数个承载接垫350，以供固着该晶片320。该些打线接垫310与该些承载接垫350，是由电铸技术形成，为阵列排 歹'j。较佳地，该些承载接垫350与该些打线接垫310是为等尺寸并为棋盘 排列，其不需要额外规划与界定晶片承座的位置与尺寸，而可以达到共用 公板，并兼具有分散承载晶片应力的功效。并且，如图7所示，该些打线接10垫310是形成在同一平面。其中，每一打线接垫310或/及承载接垫350是 包含有一下接合层311、 一电铸核心312与一上接合层313。 该晶片320，是具有复数个电极321。该打线形成的该些焊线330，是电性连接该晶片320的该些电极321与 该些打线接垫310的上接合层313。 15 该封胶体340，是结合该晶片320、该些打线接垫310与该些承载接垫350成为一体，并且密封该些焊线330、该些电铸核心312与该些上接合层313。
其中，如图7所示，在该些打线接垫310与该些承载接垫350中，仅有 该些下接合层311是显露在该封胶体340之外，该些电铸核心312不会有 20外露于该封胶体340的部份，而可以避免氧化生锈。请参阅9所示，是依据本发明的第三具体实施例，另一种具有阵列 接垫的晶片封装构造的截面示意图。本发明可进一步应用至非打线类型的 不同晶片封装构造，在第三具体实施例中揭示的另 一种具有阵列接垫的晶 片封装构造400，主要包含复数个接垫410、 一晶片420及一封胶体430。 25 该些接垫410，是阵列形成在同一平面，每一接垫410包含有一下接合层411与一电铸核心412，更可包含一上接合层413，使该电铸核心412位 于该下接合层411与该上接合层413之间。其中该些电铸核心412的材质是包含铜，具有导热佳与容易电铸形成 的优点。并且该些电铸核心412的侧面412A是不被该下接合层411与该上 30 接合层413所覆盖。该晶片420，是具有复数个电极422，通常是形成在该晶片420的同一表 面421上。该些电极422是电性连接至该些接垫410。在本实施例中，该些 电极422是为凸块，该晶片420是以覆晶接合的方式设置于该些接垫410 上。:「> 较佳地，该些接垫410的排列方式为共用型，例如该些接垫41G是为等尺寸并为棋盘排列,而依传晶片42 0的电极4 2 2數量不同变'f匕.传得该
些4妻垫410的数量能大于该些电才及422，而j吏部分的该些接垫410为无电性 传递的虚置垫410A (dummy pad)(如图9所示)。该封胶体430，是结合该晶片420与该些接垫410为一体并密封该些电 铸核心412的侧面412A，其中在该些接垫410中仅有该些下接合层411是 5 显露在该封胶体430之外，以避免该些电铸核心412的锈化。较佳地，该些 下接合层411是与该封胶体430的底面、431为共平面，以使该些下接合层 411内嵌于该封胶体430，使该些下接合层411免于被刮伤或磨损，更可以 避免该些下接合层411与该些电铸核心412的界面外露于大气中，而可以增 进防锈的功效。10 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实 施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以15 上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方 案的范围内。
权利要求
1、一种具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于其包含复数个打线接垫，其是阵列形成在同一平面，每一打线接垫包含有一下接合层、一电铸核心与一上接合层，其中该电铸核心的材质是包含铜；一晶片，其具有复数个电极；复数个焊线，其电性连接该些电极与该些打线接垫的上接合层；以及一封胶体，其是结合该晶片与该些打线接垫为一体并密封该些焊线、该些电铸核心与该些上接合层，其中在该些打线接垫中仅有该些下接合层是显露在该封胶体之外。
2、 根据权利要求1所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于 其另包含有一晶片承座，以供固着该晶片。
3、 根据权利要求1所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于 其另包含有复数个承载接垫，以供固着该晶片。
4、根据权利要求1所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于其中所述的该些下接合层是选自于镍-金层、镍-钇-金层、锡层与锡铅共晶层的其中之一。
5、 根据权利要求1所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于 其中所述的该些上接合层是选自于镍-金层、镍-把-金层与银层的其中之20 一。
6、 根据权利要求1所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于 其中所述的该些下接合层是与该封胶体的底面为共平面。
7 、 一种晶片封装构造的制造方法，其特征在于其包括以下步骤 提供一刚性导电模板； 25 形成一电铸遮罩于该导电模板上，并使其图案化；依该电铸遮罩的开孔图案，电铸形成设有复数个打线接垫于该导电模 板上，该些打线接垫是阵列形成在同一平面，每一打线接垫包含有一下接 合层、 一电铸核心与一上接合层，其中该电铸核心的材质是包含铜； 设置至少一晶片于该导电模板上； 加 形成复数个焊线，其是电性连接该些电极与该些打线接垫的上接合层；形成一封胶体于该导电模板上，该封胶体是结合该晶片与该些打线接 垫为一体并密封该些焊线、该些电铸核心与该些上接合层；以及在该封胶体形成之后，剥离该导电模板，可使在该些打线接垫中仅有该 些下接合层是显露在该封胶体之外。
8、根据权利要求7所述的晶片封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的电传步滩中，同时电传形成一晶片承座，以供帖固传晶H
9、 一种具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于其包含复数个接垫，其是阵列形成在同 一平面，每一接垫包含有 一下接合层与 一电铸核心，其中该些电铸核心的材质是包含铜，且该些电铸核心的侧面是不被该下接合层所覆盖； 5 —晶片，其具有复数个电极，其是电性连接至该些接垫；以及一封胶体，其是结合该晶片与该些接垫为 一体并密封该些电铸核心的 侧面，其中在该些接垫中仅有该些下接合层是显露在该封胶体之外。
10、 根据权利要求9所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在于 其中所述的该些电极是为凸块，该晶片是以覆晶接合方式设置于该些接垫i() 上。
11、 根据权利要求10所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特征在 于其中所述的该些接垫的数量是大于该些电极，而使部分的该些接垫为无 电性传递的虚置垫(dummy pad)。
12、 根据权利要求9或10所述的具有阵列接垫的晶片封装构造，其特 15 征在于其中所述的该些接垫是为等尺寸并为棋盘排列。
13、 根据权利要求9所述的具有阵列接垫的晶片封装构造,其特征在于 其中所述的该些下接合层是与该封胶体的底面为共平面。
全文摘要
本发明是有关于一种具有阵列接垫的晶片封装构造及其制造方法。该晶片封装构造，主要包含复数个打线接垫、一晶片、复数个焊线以及一封胶体。该些打线接垫的电铸核心的上下各形成有一上接合层与一下接合层，其中该电铸核心的材质包含铜。该些焊线是电性连接该晶片至该些打线接垫的上接合层。该封胶体是密封该些焊线、该些电铸核心与该些上接合层，其中在该些打线接垫中仅有该些下接合层是显露在该封胶体之外。本发明可以解决以往导线架基底无外接脚式晶片封装构造中引脚外露切割面生锈的问题，并具有阵列接垫，能达到高密度的晶片封装。本发明的制造方法在封装制程中持续使用一刚性导电模板进行电铸、粘晶、打线与封装步骤，可达到封装作业的一贯性。
文档编号H01L21/60GK101131980SQ200610111540
公开日2008年2月27日 申请日期2006年8月23日 优先权日2006年8月23日
发明者林鸿村 申请人:南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司