专利名称：晶片压紧圈及制造方法
技术领域：
本发明涉及集成电路工艺领域，尤其是集成电路工艺中的一种晶片压 紧圈，该晶片压紧圈可以防止发生晶片黏附。本发明还设计一种晶片压紧 圈的制造方法。
背景技术：
在应用材料Endura 5500型机台上进行物理汽相沉积会导致铝黏附到 晶片边缘上。粘片往往会导致晶片位置的移动或者晶片的损坏。如图l所 示，当晶片10处于升降环20举起位置时，晶片升降环20将晶片10举到 升降环的爪子上，晶片升降环将压紧圈30举离防护罩，压紧圈30压在晶 片10的上方，如图2所示，加热器将晶片移动到制程位置，在晶片10和 压紧圈30之间有小的空隙。这种存在于晶片和压紧圈之间的空隙，由于晶 片和压紧圈的中心不能准确对应，压紧圈的内侧会刮到晶片的边缘。这样 当加热器将晶片移动到制程位置时会发生晶片移动从而造成粘片。如图3 到图5所示，已有技术中的压紧圈内径为200.7腿，压紧圈的小压块40的 宽为1.88ram，压块处遮檐50宽为1. 52mm，标记罩60位于遮檐50上，已 有技术中制造晶片压紧圈时通过铣削使晶片压紧圈的内径为200. 7ram。在上 述图1和图2的工艺过程中，已有压紧圈过小的内径容易造成晶片黏附的 发生。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种晶片压紧圈，它可以有效的压 住晶片，并且减小制程位置时晶片和晶片压紧圈之间黏附、刮擦的可能。 为此，本发明还要提供一种晶片压紧圈的制造方法，可以制造出能够防止 晶片黏附发生的晶片压紧圈。为解决上述技术问题，本发明晶片压紧圈所采用的技术方案是，其压块处遮檐宽为1. 52mm，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1. 88mm，压 紧圈的内径在202. l鹏至202. 3mm之间。本发明晶片压紧圈的制造方法是，铣削掉压紧圈小压块之间的部分， 使压紧圈的内径增加到202. lmm至202. 3mm之间。本发明通过增加晶片压紧圈的内径，不仅能使晶片压紧圈压紧晶片， 还能减小制程位置时晶片和晶片压紧圈之间刮擦的可能，防止晶片黏附。 本发明晶片压紧圈的制造方法通过铣削掉压紧圈小压块之间的部分增加晶 片压紧圈的内径，可以制造出内径为202. lmm至202.3mm的晶片压紧圈。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1为晶片处于升降环举起位置时晶片和压紧圈位置示意图；图2为加热器将晶片移动到制程位置时晶片和压紧圈位置示意图；图3为已有技术中压紧圈的截面示意图；图4为图3的A-A剖面图；图5为图3的B-B剖面图；图6本发明压紧圈的截面示意图7为图6的C-C剖面图； 图8为图6的D-D剖面图。
具体实施方式
如图6至图8所示，本发明晶片压紧圈，其压块处遮檐90宽为1. 52mm， 位于遮檐上并将其均分的小压块80的宽为1.88mm，压紧圈的内径在 202. Iran至202. 3mm之间。上述晶片压紧圈的制造方法为，铣削掉压紧圈小压块之间的部分，使 压紧圈的内径增加到202. lmm至202. 3ram之间。本发明的晶片压紧圈可以使晶片保持在一个正确的位置，减小制程位 置时晶片和晶片压紧圈之间刮擦的可能，防止发生晶片黏附。本发明的晶 片压紧圈制造方法可以制造上述内径为202. lmm至202. 3mm的晶片压紧圈。
权利要求
1、一种晶片压紧圈，其压块处遮檐宽为1.52mm，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1.88mm，其特征在于，压紧圈的内径在202.1mm至202.3mm之间。
2、 如权利要求1所述的晶片压紧圈，其特征在于，压紧圈的内径为 202. 2mm。
3、 一种制造权利要求1所述的晶片压紧圈的方法，其特征在于，铣削 掉压紧圈小压块之间的部分，使压紧圈的内径增加到202. lram至202. 3誦之间。
4、 如权利要求3所述的制造晶片压紧圈的方法，其特征在于，压紧圈 的内径为202. 2mm。
全文摘要
本发明公开了一种晶片压紧圈，其压块处遮檐宽为1.52mm，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1.88mm，压紧圈的内径在202.1mm至202.3mm之间。本发明还公开了制造上述内径为202.2mm的晶片压紧圈的制造方法，铣削掉压紧圈小压块之间的部分，使压紧圈的内径从200.7mm增加到202.2mm。本发明通过增加晶片压紧圈的内径，减小制程位置时晶片和晶片压紧圈之间刮擦的可能，防止发生晶片黏附。
文档编号H01L21/67GK101159245SQ20061011689
公开日2008年4月9日 申请日期2006年10月8日 优先权日2006年10月8日
发明者刘兆虎, 吴秉寰, 杨小军, 鲲 桂 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司