专利名称：具有减小了的邻近像素间光学干扰的图像传感器的制作方法
技术领域：
本发明系关于一种图像传感器，且更特定言之涉及关于一种通过由减低邻近像素间的光学干扰而改良光敏性之图像传感器。
背景技术：
互补金属氧化物半导体(CMOS)器件已广泛实施于各种装置中，诸如行动电话、个人计算机相机及电子装置。与已经用作典型图像传感器之电荷耦合器件(CCD)相比，CMOS图像传感器可易于驱动且允许其中众多信号处理电路整合于一芯片上之单芯片系统(SoC)。归因于SoC，可最小化CMOS图像传感器之模块。同样地，可采用通常已知之方法来实施CMOS器件，且因此可降低制造成本。
图1说明其中排列四个单元像素之图像传感器之简化俯视图。各自在中心处具有一光电二极管PD之四个单元像素UP以2×2配置排列。
图2说明经配置以展示像素区及周边区之公知CMOS图像传感器的横截面图。
场氧化物层(FOX)结构形成于基板SUB中，其中在该基板中已形成高度掺杂之P++型区(未图标)及p型外延层(未图标)。虽然未说明，但包括转移栅(transfer gate)之多个栅极形成于基板SUB上。举例而言，N型区(未图标)系通过由使用离子注入工艺而形成在与转移栅之一侧对准之基板SUB的深底部区中。P型区(未图标)形成于一与基板SUB之表面接触的区中。N型区及P型区组成光电二极管PD。虽然未说明，但高度掺杂之N+型杂质经离子注入以在与转移栅之另一侧对准之基板SUB下方的区中形成浮动扩散区。参考字母X表示其中形成单元像素之像素区。参考字母Y表示其中形成周边逻辑电路之周边区。
前金属介电层(pre-metal dielectric layer，PMD)形成于包括光电二极管PD及晶体管TR之以上所得结构上，且第一金属线M1形成于前金属介电层PMD上。第一金属间介电层IMD1、第二金属线M2、第二金属间介电层IMD2、第三金属线M3、第三金属间介电层IMD3及第四金属线M4相继地形成于第一金属线M1上。第一金属线M1及第二金属线M2用于将单元像素及逻辑电路与电力线或信号线相连接。同样地，第一金属线M1及第二金属线M2遮蔽光以防止其照射于除光电二极管PD之外的区中。虽然图2说明四个插入金属线M1至M4，但仍可实施四个以上插入金属线(例如，第五或第六金属线)。
钝化层PL形成于第四金属线M4上以保护底部结构。第一涂饰层(over coating layer)OCL 1及滤色器阵列CFA相继地形成于钝化层PL上。第一涂饰层OCL1系用以在形成滤色器阵列CFA时保证一工艺裕度。滤色器阵列CFA需表示每一单元像素之红色、绿色及蓝色(RGB)。虽然使用三原色(亦即，RGB)，但仍可使用与三原色互补之其它色彩，包括黄色Y、品红色Mg及青色Cy。钝化层PL通常以氮化物/氧化物之双重结构形成。
第二涂饰层OCL2形成于滤色器阵列CFA上以当在该第二涂饰层OCL2上形成微透镜ML时保证一工艺裕度。另一钝化层PSL形成于微透镜ML上以保护微透镜ML使其免受擦伤或损坏。微透镜ML将入射光射线聚焦于光电二极管PD中，该光电二极管PD对所聚焦之入射光射线积分(integrate)。
像素区X包括仅第一金属线M1及第二金属线M2，同时周边区Y包括仅第三金属线M3及第四金属线M4。因此，与参考字母A所说明的穿过微透镜ML的入射光射线相比，如参考字母B所说明之穿过邻近单元像素之微透镜的该光线亦被积分至光电二极管PD中。来自邻近单元像素之入射光的此非期望积分引起光学干扰。该光学干扰可导致图像特征之降级，诸如晶格图案感应或色彩失真。
发明内容
因此，本发明之一目标为提供一种图像传感器，其可减低通常由邻近像素间的光学干扰所引起之图像特征的降级。
根据本发明之一方面，提供一种划分成像素区及周边区之图像传感器，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区中的一基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中的该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中的基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线(dummy metal lines)，其形成于第M金属线上但形成为不与光电二极管相重叠；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
根据本发明之另一方面，提供一种划分成像素区及周边区之图像传感器，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区中的一基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之一基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其形成于第M金属线上以覆盖一未与光电二极管重叠之部分；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
根据本发明之又一方面，提供一种划分成像素区及周边区之图像传感器，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区之一基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之一基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其系通过由在该虚金属线与第M金属线之间具有一绝缘层而形成于第M金属线上，但形成为不与光电二极管相重叠；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
根据本发明之又一方面，提供一种划分成像素区及周边区之图像传感器，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区之一基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之一基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其形成为与第M金属线接触而不与该光电二极管相重叠，虚金属线用作通路接触部且包括金属；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
根据本发明之另一方面，提供一种划分成像素区及周边区之图像传感器，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区中之一基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之一基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层第一虚金属线，其形成于第M金属线上而不与光电二极管相重叠；至少一层第二虚金属线，其形成为接触该一层第一虚金属线；及微透镜，其形成于该一层第二虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
图1说明其中配置四个单元像素之公知图像传感器之简化俯视图；图2说明经配置以展示像素区及周边区之公知CMOS图像传感器的横截面；及图3说明根据本发明之第一实施例之用以展示像素区及周边区的CMOS图像传感器之横截面图；图4说明根据本发明之一实施例具有一结构的图像传感器的横截面图，在该结构中，于每一像素区中实施至少一层虚金属线；图5至图10说明各种例示性虚金属线形状及结构之俯视图；图11说明根据本发明之第一实施例之CMOS图像传感器的单元像素；图12说明根据本发明之第二实施例之CMOS图像传感器的单元像素；图13说明根据本发明之第三实施例之CMOS图像传感器的单元像素。
具体实施例方式
将参看随附图式详细描述根据本发明之例示性实施例的于邻近像素间具有减低光学干扰之图像传感器。
图3说明根据本发明的第一实施例经配置以展示像素区及周边区之CMOS图像传感器的横截面图。
场氧化物层(FOX)结构形成于基板SUB中，其中在该基板中已形成高度掺杂之P++型区(未图标)及p型外延层(未图标)。虽然未说明，但包括转移栅之多个栅极形成于基板SUB上。举例而言，N型区(未图标)是通过由使用离子注入工艺而形成于与转移栅之一侧对准之基板SUB的深底部区中。P型区(未图标)形成于与基板SUB之表面相接触的区中。N型区及P型区组成光电二极管PD。虽然未说明，但高度掺杂之N+型杂质经离子注入以在与转移栅之另一侧对准的基板SUB下方的区中形成浮动扩散区。参考字母X表示其中形成单元像素之像素区。参考字母Y表示其中形成周边逻辑电路之周边区。
前金属介电层PMD形成于包括光电二极管PD及晶体管TR之以上所得结构上，且第一金属线M1形成于前金属介电层PMD上。第一金属间介电层IMD1、第二金属线M2、第二金属间介电层IMD2、第三金属线M3、第三金属间介电层IMD3及第四金属线M4相继地形成于第一金属线M1上。第一金属线M1及第二金属线M2用于将单元像素及逻辑电路与电力线或信号线相连接。同样地，第一金属线M1及第二金属线M2遮蔽光以防止其照射于除光电二极管PD之外的区中。虽然图2说明四个插入金属线M1至M4，但仍可实施四个以上插入金属线(例如，第五或第六金属线)。
钝化层PL形成于第四金属线M4上以保护底部结构。第一涂饰层OCL1及滤色器阵列CFA相继地形成于钝化层PL上。第一涂饰层OCL1用以在形成滤色器阵列CFA时保证一工艺裕度。该滤色器阵列CFA需表示每一单元像素之红色、绿色及蓝色(RGB)。虽然使用三原色(亦即，RGB)，但仍可使用与三原色互补之其它色彩，包括黄色Y、品红色Mg及青色Cy。钝化层PL通常以氮化物/氧化物之双重结构形成。
第二涂饰层OCL2形成于滤色器阵列CFA上以当在第二涂饰层OCL2上形成微透镜ML时保证工艺裕度(process margin)。另一钝化层PSL形成于微透镜ML上以保护该微透镜ML使其免受擦伤或损坏。微透镜ML将入射光射线聚焦于光电二极管PD中，该光电二极管PD对经聚焦之入射光射线进行积分。
在典型图像传感器中，像素区X包括仅第一金属线M1及第二金属线M2，同时周边区Y包括仅第三金属线M3及第四金属线M4。然而，根据当前实施例，如图3中所说明，两层虚金属线DM1及DM2亦形成于像素区X中而不阻挡其中形成光电二极管PD之区。两层虚金属线DM1及DM2遮蔽来自邻近像素之入射光。
虽然在当前实施例中举例说明在其中形成第三金属线及第四金属线之相应区上形成两层虚金属线DM1及DM2，但仍可形成一层虚金属线。再者，形成两层虚金属线DM1及DM2可在形成第三金属线M3及第四金属线M4的同时进行，或独立于第三金属线M3及第四金属线M4之形成而形成。
图4说明根据本发明之实施例具有一结构之图像传感器的横截面图，在该结构中，于每一像素区中实施至少一层虚金属线。类似参考数字表示图3中所述之类似组件，且因此，将忽略其详细描述。
如参考字母A所示，穿过微透镜ML之入射光射线被整合至光电二极管PD中。相反地，如参考字母B所示，虚金属线DM阻挡来自邻近像素之入射光射线以防止其照射于光电二极管PD中。
可用各种形式及结构来形成虚金属线。图5至图10说明以各种形式及结构形成之虚金属线的俯视图。图5说明以正方形及对称结构形成之虚金属线的俯视图。每一单元像素UP在中心部分包括一光电二极管PD，且正方形虚金属线DM设置成使得虚金属线DM中每一个的中心点定位于邻近单元像素UP之四个角共同会合之点处。
图6说明以十字形及对称结构形成之虚金属线的俯视图。每一单元像素UP在中心部分包括一光电二极管PD，且十字形虚金属线DM设置成使得虚金属线DM中每一个的中心点定位于邻近单元像素UP之四个角通常会合之点处。
图7说明以菱形及对称结构形成之虚金属线的俯视图。每一单元像素UP在中心部分处包括一光电二极管PD，且菱形虚金属线DM设置成使得虚金属线DM中每一个的中心点位于邻近单元像素UP之四个角共同会合之点处。
图8说明以对称结构形成以覆盖除光电二极管区外之单元像素之所有区的虚金属线之俯视图。每一单元像素UP在中心部分处包括一光电二极管PD，且虚金属线DM置放于除光电二极管区PD之外的单元像素UP之整个区中。
图9说明以矩形及非对称结构形成之虚金属线的俯视图。每一单元像素UP在中心部分包括一光电二极管PD，且矩形虚金属线DM置放于邻近单元像素UP之四个角共同会合之部分中。
图10说明以特定形状及非对称结构形成之虚金属线的俯视图。每一单元像素UP在中心部分包括一光电二极管PD，且以特定形状形成之虚金属线DM置放于邻近单元像素UP之四个角共同会合之部分中。
虽然图5至图10说明虚金属线在一像素区中以一形状及结构形成，但虚金属线仍可在一像素区中以各种形状及结构形成。如上所述，对应于形成在周边区中之金属线的至少一虚金属线形成于该像素区中，且该虚金属线可减低光学干扰且允许增加随后金属线蚀刻工艺之工艺裕度。
图11说明根据本发明第一实施例之CMOS图像传感器之单元像素的横截面图。
场氧化物层(FOX)结构形成于基板SUB中，其中在该基板中已形成高度掺杂之P++型区(未图标)及p型外延层(未图标)。虽然未说明，但包括转移栅之多个栅极形成于基板SUB上。举例而言，N型区(未图标)是通过由使用离子注入工艺而形成于与转移栅之一侧对准之基板SUB的深底部区中。P型区(未图示)形成于与基板SUB之表面相接触的区中。N型区及P型区组成光电二极管PD。虽然未说明，但高度掺杂之N+型杂质经离子注入以在与转移栅之另一侧对准之基板SUB下方的区中形成浮动扩散区。
前金属介电层PMD形成于包括光电二极管PD及多个晶体管之以上所得结构上，且第一金属线M1形成于前金属介电层PMD上。第一金属间介电层IMDI形成于第一金属线M1上。第二金属线M2及第二金属间介电层IMD2相继地形成于第一金属间介电层IMD1上。虽然未示，但第三金属线M3形成于周边区中之第二金属间介电层IMD2上。第三金属间介电层IMD3形成于第三金属线(未图标)上。虽然未说明，但第四金属线形成于周边区中之第三金属间介电层IMD3上。
第一金属线M1及第二金属线M2将电力线或信号线与单元像素及与周边区中之逻辑电路相连接，且遮蔽光以防止其照射于除光电二极管PD之外的区中。虽然当前实施例展示四个插入金属线之实施，但还可实施四个以上插入金属线(例如，第五或第六金属线)。
钝化层PL形成于第四金属线(未图标)上以保护第四金属线下方之底部结构(未图标)。第一涂饰层OCL1形成于钝化层PL上以在随后滤色器阵列过程期间获得所要工艺裕度。在第一涂饰层OCL1上，形成滤色器阵列CFA以显示每一单元像素之RGB色彩。虽然通常使用为三原色之RGB色彩，但可使用与RGB色彩互补之色彩，包括黄色、品红色及青色。钝化层PL以氮化物/氧化物之双重结构形成。
第二涂饰层OCL2形成于滤色器阵列CFA上以保证随后微透镜过程之所要工艺裕度。微透镜ML形成于第二涂饰层OCL2上。另一钝化层PSL形成于微透镜ML上以保护微透镜ML使其免受擦伤或损坏。微透镜ML将入射光射线聚焦于光电二极管PD上。
第一金属线M1及第二金属线M2形成于像素阵列区中，且形成于第一金属线及第二金属线上之那些金属线(例如，第三金属线及第四金属线(未图标))形成于周边区中。如图11所说明，一层虚金属线DM如此形成通过由在该层虚金属线DM与相应的第二金属线M2之间分别地具有层间介电层ILD而接触该第二金属线M2。虚金属线DM亦经配置以不与光电二极管PD相重叠。因此，虚金属线DM可遮蔽来自邻近像素之入射光以防止其照射于光电二极管PD中。
在像素区中形成虚金属线DM及层间介电层ILD可与在周边区中形成包括第二金属线M2、层间介电层ILD及虚金属线DM之堆叠结构的电容器同时进行。第二金属线M2、层间介电层ILD及虚金属线DM之堆叠结构用作周边区中之电容器。然而，像素区中之层间介电层ILD用于使第二金属线M2与虚金属线DM彼此隔离。
如图11所说明，参考字母A表示穿过微透镜ML且聚焦于光电二极管PD上之入射光射线。相反地，参考字母B表示来自邻近像素之入射光射线。虚金属线DM阻挡入射光射线以防止其进入光电二极管PD中。
虚金属线DM可配置成各种类型。虚金属线DM可包括氮化钛(TiN)，且层间介电层ILD可包括基于氧化物的材料。虚金属线中每一者皆可形成为约1,500之厚度，且层间介电层ILD中每一者皆可形成为600之厚度，以致上述堆叠(亦即，虚金属线DM及层间介电层ILD)之总厚度变成约2,100。
图12说明根据本发明之第二实施例之CMOS图像传感器的单元像素之横截面图。类似参考数字表示图11中所述之类似组件，且将忽略其详细描述。
一层虚金属线DM形成为不与像素区中之光电二极管PD重叠，但直接接触相应的第二金属线M2。虚金属线DM遮蔽来自邻近像素之入射光，以防止其照射于光电二极管PD上。
虚金属线DM对应于周边区中之通路接触部，该通路接触部连接第二金属线M2与相应第三金属线M3。在像素区中形成虚金属线DM可与在周边区中形成通路接触部同时进行。亦即，周边区中之通路接触部用作原始预期目的，同时像素区中之通路接触部是通过由使第二金属线M2向上延伸而不接触第三金属线，来遮蔽来自邻近像素之入射光，以防止其照射于光电二极管PD上。再者，虚金属线DM(亦即，通路接触部)形成为约6000之厚度。
如图12中之参考字母A说明的，穿过微透镜ML之入射光射线聚焦于光电二极管PD上。相反地，如参考字母B说明的，来自邻近像素之入射光射线被虚金属线DM遮蔽。
图13说明根据本发明之第三实施例之CMOS图像传感器的单元像素之横截面图。图11及图12中所述之类似参考数字表示类似组件，且将忽略其详细描述。
在像素区中，第一虚金属线DM1及第二虚金属线DM2以两层形成于第二金属线M2上，但不与光电二极管PD相重叠。第一虚金属线DM1及第二虚金属线DM2遮蔽来自邻近像素之入射光以防止其照射于光电二极管PD上。
第一虚金属线DM1对应于周边区中之第三金属线，且第二虚金属线DM2对应于周边区中之通路接触部，该通路接触部连接第三金属线与相应第四金属线。在像素区中形成第一金属线DM1及第二金属线DM2可与在周边区中形成第三金属线及通路接触部同时地进行。
周边区中之第三金属线及通路接触部用作原始预期目的。相对照地，像素区中之第一虚金属线DM1及第二虚金属线DM2通过形成于第二金属线M2上而不接触第二金属线M2及第四金属线来遮蔽来自邻近像素之入射光以防止其照射于光电二极管PD上。
如图13中参考字母A说明的，穿过微透镜ML之入射光射线聚焦于光电二极管PD上。另一方面，如图13中之参考字母B说明的，来自邻近像素之入射光射线被第一虚金属线DM1及第二虚金属线DM2遮蔽。
以上图11至图13中所说明之虚金属线仅为例示性的。除此三个不同类型之外，虚金属线可以与此三个类型相组合而建构之各种结构来形成。举例而言，电容器类型虚金属线及对应于第三金属线之虚金属线形成于第二金属线上。这时，除对应于第三金属线之虚金属线之外，对应于通路接触部之虚金属线得以形成。
根据本发明之各种实施例，对应于形成在周边区中之金属线、通路接触部及电容器之至少一虚金属线形成于像素区中。因此，归因于虚金属线，可减低光学干扰。减低之光学干扰不允许图像特征降级，且因此，可增加图像传感器之良率。
虽然在CMOS图像传感器中形成至少一虚金属线在以上实施例中为例示性的，但虚金属线仍可形成于包括光整合单元(photo-integrationunit)及微透镜之任何图像传感器中。
本申请案含有与在2005年9月12日于韩国专利局申请之韩国专利申请案第KR 2005-0084564及KR 2005-0084565有关之主旨，该案之全部内容以引用的方式并入本文中。
虽然已参看某些较佳实施例描述了本发明，但熟习此项技术者将明显看出，可在不偏离如以下申请专利范围所界定之本发明之精神及范畴的情况下进行各种变化及修改。
主要组件符号说明CFA滤色器阵列DM1第一虚金属线DM2第二虚金属线Fox场氧化物层IMD1第一金属间介电层IMD2第二金属间介电层IMD3第三金属间介电层M1第一金属线M2第二金属线M3第三金属线M4第四金属线ML微透镜OCL1第一涂饰层OCL2第二涂饰层PD光电二极管PL钝化层PMD前金属介电层PSL钝化层SUB基板TR晶体管UP单元像素X像素区Y周边区
权利要求
1.一种图像传感器，其划分成像素区及周边区，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区中的基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中的该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中的基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其形成于该第M金属线上但形成为不与该光电二极管相重叠；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
2.如权利要求1之图像传感器，其中该虚金属线以至少一层至K个层而形成，其中K为(N-M)+1之值，其中该K个层形成为齐平于该N个金属线及齐平于形成在该N个金属线之间的通路接触部。
3.如权利要求2之图像传感器，其中形成该虚金属线与在该周边区中该第M金属线上形成金属线同时进行，该虚金属线与该金属线齐平。
4.如权利要求2之图像传感器，其中该光电二极管设置于每一单元像素的中心部分中，且该虚金属线中每一个对称设置，以使得该虚金属线中每一个的中心点位于其中邻近单元像素之四个角部分共同会合之点处。
5.如权利要求4之图像传感器，其中该虚金属线中的每一个以选自包括四边形、十字形及菱形的组的一种形状形成。
6.如权利要求2之图像传感器，其中该光电二极管设置于每一单元像素之中心部分中，且该虚金属线中每一个设置于其中邻近单元像素之四个角共同会合之部分中且以选自多边形及不规则形图形的组中的一种形状而形成。
7.一种图像传感器，其划分成像素区及周边区，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区中的基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其形成于该第M金属线上以覆盖未与该光电二极管重叠之部分；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
8.如权利要求7之图像传感器，其中该虚金属线以至少一层至K个层而形成，其中K为值(N-M)+1，其中该K个层形成为齐平于该N个金属线及齐平于形成在该N个金属线之间的通路接触部。
9.如权利要求8之图像传感器，其中形成该虚金属线与在该周边区中的该第M金属线上形成金属线同时进行，该虚金属线与该金属线齐平。
10.一种图像传感器，其划分成像素区及周边区，该图像传感器包含光电二极管，其形成于该像素区中之基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其通过由在该虚金属线与该第M金属线之间具有绝缘层而形成于该第M金属线上，但形成为不与该光电二极管相重叠；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
11.如权利要求10之图像传感器，其中形成该一层虚金属线和该绝缘层分别与在该周边区中形成电容器的电极及介电层同时进行。
12.如权利要求10之图像传感器，其中该一层虚金属线、该绝缘层及该第M金属线充当该周边区中的电容器。
13.一种图像传感器，其划分成像素区及周边区，该图像传感器包含光电二极管，其形成于该像素区中的基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其形成为与该第M金属线接触而不与该光电二极管相重叠，该虚金属线用作通路接触部且包括金属；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
14.如权利要求13之图像传感器，其中形成该虚金属线与在该周边区中形成通路接触部同时进行，该金属线与该通路接触部齐平。
15.一种图像传感器，其划分成像素区及周边区，该图像传感器包含光电二极管，其形成于该像素区中之基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层第一虚金属线，其形成于该第M金属线上而不与该光电二极管相重叠；至少一层第二虚金属线，其形成为与该一层第一虚金属线接触；及微透镜，其形成于该一层第二虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
16.如权利要求15之图像传感器，其中形成该第一虚金属线与在该周边区中形成金属线同时进行，该第一虚金属线与该金属线齐平；且形成该第二虚金属线与在该周边区中形成通路接触部同时进行，该第二虚金属线与该通路接触部齐平。
全文摘要
本发明提供一种于邻近像素间具有减低光学干扰的图像传感器。一种划分成像素区及周边区之图像传感器，该图像传感器包括光电二极管，其形成于该像素区中的基板中；第一至第M金属线，其形成于该像素区中之该基板上，其中M为大于约1之自然数；第一至第N金属线，其形成于该周边区中之一基板上，其中N为大于M之自然数；至少一层虚金属线，其形成于第M金属线上但形成为不与该光电二极管相重叠；及微透镜，其形成于该一层虚金属线上以与该光电二极管相重叠。
文档编号H01L23/52GK1933171SQ20061012755
公开日2007年3月21日 申请日期2006年9月12日 优先权日2005年9月12日
发明者李源镐, 赵东宪 申请人:美格纳半导体有限会社