专利名称：使用机械开关的存储器阵列、显示装置及它们的控制方法
技术领域：
本发明设计涉及一种使用机械开关的存储器阵列，以及控制该存储器阵列的方法，一种使用机械开关的显示器装置，以及控制该显示装置的方法，并且更特别的是，使用机械开关构成存储器阵列，和控制该存储器阵列的方法，使用机械开关构成显示装置，和控制该显示装置的方法。
背景技术：
迄今为止，根据莫尔定律半导体晶体管的集成程度大有提高，因而更多的帮助了半导体工业的发展。一般来讲，半导体晶体管被用来作为一种采用开关特性的开关装置和一种采用电流电压放大特性的放大装置。尤其是在数字集成电路中，半导体晶体管主要被用来作为开关设备。然而，半导体晶体管的缺点是必须在半导体基板上形成，因此，应当考虑半导体基板的体效应。尤其是，半导体晶体管存在由于自身内部源极泄漏所造成的不可避免的电荷泄漏的缺点。另外，半导体晶体管还有对外部有害环境敏感的缺点，例如对辐射造成的软误差(SE)。半导体晶体管的缺点还有由于其栅极氧化的退化造成的电气可靠性降低，以及集成程度的提高造成的短通道效应，例如临界泄漏和热电子喷射。
为了克服半导体晶体管作为开关装置常规的几个缺点，正在研究和开发使用新近的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)的机械开关。
图1是说明常规机械开关的概念性图。参照图1，常规的机械开关，在美国专利NO.6,534,839和W.H.Teh，et.al.，“Switching characteristics ofelectrostatically actuated miniaturized micromechanical metalliccatilevers”，J.Vac.Sci.Technol.，B.21，pp.2360-2367，2003，是一种包括栅极10，漏极30和源极20，源电极20包括锚定部分21和移动部分22的结构。机械开关的操作特征是源极20的移动部分22电接触漏极30，因此由于栅极10和源极20之间的电压差别源极20和漏极30的电导通会产生静电力，并且源极20和漏极30电切断就不会产生静电力。
特别的是，通过静电力操作机械开关是基于，其中非原则的是电极20的移动部分22朝向漏极30线性排列并且在与漏极30的电接触上和源极20和栅极10之间的电压差别成比例，但其中一个原则是源极20移动部分22与栅极10之间静电力大于源极20移动部分22弹性应变力超过一定电压(在下文中，简称为“吸附电压(Vpi)”)时，在两极之间就会产生不稳定状态(在下文中简称为“吸附状态”)，同时源极20的移动部分瞬间电接触漏极30。也就是说，吸附电压可以被定义为源极20和栅极10之间的压差，需要机械开关源极20和漏极30的电导通。当源极20的移动部分22在源极20的移动部分22和栅极10之间移动三分之一距离时产生吸附状态。吸附电压和金属氧化物半导体(MOS)晶体管(H.C.Nathanson，et.al.，“The resonant gate transistor”，IEEE Transactions onElectron Devices，Vol.ED-104，NO.3，pP.117-133，1967)的门限电压功能类似。
美国专利申请No.6,509,605公开了一种使用机械开关构成的存储器阵列，其工作电压低并且运行速度快，因此能耗低，读写时间短，并且因为是机械驱动，其电气可靠性也没有恶化，辐射敏感度很低。‘605存储器阵列作为下一代存储器阵列来取代常规存储器阵列正在被研究和开发。然而，该存储器阵列不能被控制，因为它的结构仅仅使用机械开关，所以它的缺点是必须和互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管结合构成。另外，该存储器阵列在结构和处理上如此复杂造成在尺寸上的制约，会降低集成的程度。
为了使用机械开关作为显示装置的选择晶体管的研究，例如一种液晶显示器(LCD)，在大面积集成上有更多的优势，并且可以更大的提高产品的产量，由于制造过程简单制造成本比常规MOS晶体管或薄膜晶体管(TFT)进步。然而，在美国专利’403中所公开的使用机械开关的显示装置，缺点是用于表示灰度的像素电压是不能变化的。
图2是说明使用MOS晶体管常规存储器阵列的电路图。参照图2，源电压或接地电压的输入电压应用于连接存储器单元90的选择MOS晶体管的位元线(B/L0)，并且门电压或更多的MOS晶体管应用于连接选择MOS晶体管的字元线(W/L0)。所以，位元线(B/L0)的应用电压通过源极60和漏极70的电导通传递到存储单元80，位元线的(B/L0)的应用电压被存储在存储单元80。低于门电压应用于不连接选择MOS晶体管的字元线(W/L1和W/L2)。因此，源极60和漏极70电互不连接，位元线的应用电压不会传递给存储单元80。控制使用MOS晶体管的存储器阵列的方法不同于控制使用机械开关的存储器阵列的方法。因此，正需要一种不同于控制使用MOS晶体管存储器阵列常规方法的，能够有效控制使用机械开关的存储器阵列的控制方法。
发明概要据此，本发明提供一种使用带凸起的机械开关构成的存储器阵列。
同时，本发明提供一种控制使用机械开关的存储器阵列的方法。
本发明还提供一种使用带凸起的机械开关构成的显示装置。
同时，本发明还提供一种控制使用机械开关的显示装置的方法。
一方面，提供一种使用机械开关的存储器阵列。所述存储器阵列包括多数字元线，和多数字元线彼此交叉的多数位元线，以及多数机械开关。布置在多数字元线和多数位元线交叉点的机械开关，包括连接每个字元线的栅极，从栅极隔开和电容相连的漏极，以及源极。所述源极包括，一个和栅极隔开连接每个位元线的锚定部分，一个从锚定部分伸出和栅极分开的移动部分，以及一个从移动部分伸出形成一个突出状的凸起。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，每个机械开关中，源极的凸起通过作用于栅极的电压和作用于源极的电压之间的压差和漏极电接触，作用于源极的电压传递到漏极。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，电容包括第一电极，第二电极，和在第一电极和第二电极之间形成的绝缘层。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，第一电极是在导电半导体基层或非导电半导体基层上形成的导电极。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，氧化硅或氮化硅组成绝缘层。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，第二电极由包含铜、碳纳米管、多晶硅之一的传导材料组成。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，每个机械开关的栅极，源极和漏极由包含铜、碳纳米管、多晶硅之一的传导材料组成。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，多数字元线和多数位元线由包含铜、碳纳米管、多晶硅之一的传导材料组成。
另一方面，提供一种控制使用机械开关存储器阵列的方法，其中所述存储器阵列包括多数字元线，和多数字元线彼此交叉的多数位元线，以及多数机械开关。布置在多数字元线和多数位元线交叉点的机械开关，包括连接每个字元线的栅极，从栅极隔开和电容相连的漏极，以及源极。所述源极包括，一个和栅极隔开连接每个位元线的锚定部分，一个从锚定部分伸出和栅极隔开的移动部分，以及一个从移动部分伸出形成一个突出状的凸起。所述方法包括的步骤有应用一个大于位元线最大电压(VB/L，max)之和的电压，和一个吸附电压或一个小于位元线最小电压(VB/L，min)和吸附电压之间压差的电压，到从多数字元线挑选的字元线；以及应用一个电压，其小于位元线最小电压(VB/L，min)和吸附电压和大于位元线最大电压(VB/L，max)与吸附电压之间压差的电压之和，到从多数字元线中未经挑选的字元线。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，吸附电压大于位元线最大电压(VB/L，max)与位元线最小电压(VB/L，min)之间的压差。
另一方面，提供一使用机械开关的显示装置。所述显示装置包括多数扫描线，和多数扫描线彼此交叉的多数数据线，以及多数机械开关。布置在多数字元线和多数位元线交叉点的机械开关，包括连接每个字元线的栅极，从栅极隔开和电容相连的漏极，以及源极。所述源极包括，一个和栅极隔开连接每个位元线的锚定部分，一个从锚定部分伸出的和栅极隔开的移动部分，以及一个从移动部分伸出形成一个突出状的凸起。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，每个机械开关中，源极的凸起通过作用于栅极的电压与作用于源极的电压之间的压差和漏极电接触，作用于源极的电压传递给漏极。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，每个机械开关的栅极，源极和漏极由包含铜、碳纳米管、多晶硅之一的传导材料组成。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，多数扫描线和多数数据线由包含铜、碳纳米管、多晶硅之一的传导材料组成。
再一方面，提供一种控制使用机械开关的显示装置的方法，其中显示装置包括多数扫描线，和多数扫描线彼此交叉的多数数据线，以及多数机械开关。布置在多数字元线和多数位元线交叉点的机械开关，包括连接每个字元线的栅极，从栅极隔开和电容相连的漏极，以及源极。所述源极包括，一个和栅极隔开连接每个位元线的锚定部分，一个从锚定部分伸出的和栅极隔开的移动部分，以及一个从移动部分伸出形成一个突出状的凸起。所述方法包括的步骤有应用一个大于数据线最大电压(VD/L，max)之和的电压，和一个吸附电压或一个小于数据线最小电压(VD/L，min)和吸附电压之间压差的电压，到从多数扫描线挑选出的扫描线；以及应用一个电压，其小于数据线最小电压(VD/L，min)和吸附电压和大于数据线最大电压(VD/L，max)与吸附电压之间压差的电压之和，到从多数扫描线中未经挑选的扫描线。
执行可能包括一项或多项以下特点。例如，吸附电压大于数据线最大电压(VD/L，max)与数据线最小电压(VD/L，min)之间的压差。
这里可以被理解为，上述的一般说明和以下详细说明都是示范和解释性的，都旨在进一步解释所要求的发明。
本发明将参考以下附图进行详细描述，其中具体数字编号对应具体部件。
图1是图示了常规机械开关的概念图；图2是图示了使用MOS晶体管的常规存储器阵列的电路图；图3是图示了根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的存储器阵列的电路图；以及图4是图示了根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的显示装置的电路图。
具体实施例本发明的首选实施例将根据附图以更详细的方式描述。
图3是图示了根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的存储器阵列的电路图。
根据图3所示，根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的存储器阵列包括多数字元线(W/L0，W/L1，W/L2)，多数位元线(B/L0，B/L1，B/L2)，以及多数机械开关。
多数位元线(B/L0，B/L1，B/L2)与多数字元线(W/L0，W/L1，W/L2)相互交叉。多数机械开关布置在多数字元线(W/L0，W/L1，W/L2)和多数位元线(B/L0，B/L1，B/L2)的交叉点上。每个机械开关包括一个与每个字元线(W/L0，W/L1，W/L2)相连接的栅极120，一个与栅极120隔开并与一个电容160连接的漏极140，以及一个源极150。源极150包括一个与栅极120隔开并与每个位元线(B/L0，B/L1，B/L2)相连的锚定部分151；一个从锚定部分151伸出并与栅极120隔开的移动部分152；和从移动部分152伸出并形成突出状的凸起153。
在每个机械开关中，源极150的凸起153通过作用在栅极120上的电压与作用在源极150上的电压之间的压差与漏极140接触，作用在源极150上的电压被传递给漏极140。换句话说，当作用在栅极120上的电压与作用在源极150上的电压之间的压差大于吸附电压(Vpi)时，会产生静电力，因此使源极150的凸起153与漏极140电接触，并将作用在源极150上的电压传递给漏极140。
在静电力的产生中，源极150的凸起153与漏极140接触因而作用在源极150上的电压可以通过漏极140传递给电容。在没有静电力产生的情况下，源极150的凸起153通过弹性力再次恢复到原始位置，不与漏极140接触。就这种结构而言，是一个典型的悬臂。同时，源极150的凸起153不仅能防止在机械开关制造过程中的粘贴(stiction)也能降低吸附电压(VPI)。
在每个机械开关中，栅极120，源极150和漏极140可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。多数字元线(W/L0，W/L1，W/L2)和多数位元线(B/L0，B/L1，B/L2)可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
电容160包括第一电极161，第二电极163，和在第一电极161和第二电极163之间形成绝缘层162。第一电极161可以通过传导半导体基板制造，或者通过在一个非传导基板上形成一个传导电极制造。其中第一电极通过传导半导体基板制造时，可以使用硅基。绝缘层162可以由二氧化硅或氮化硅构成。第二电极163可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
为了有效控制根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的存储器阵列中的存储单元，在①和③情况下，电压被应用于多数字元线(W/L0，W/L1，W/L2)。
①应用电压到所选字元线的情况|VW/L，selected(选择的)-VB/L|＞Vpi(VW/L，selected＞VB/L，max+Vpi或VW/L，selected＜VB/L，min-Vpi)
②应用电压到未经选择的字元线的情况|VW/L，unselected(未选择的)-VB/L|＜Vpi(VB/L，max-Vpi＜VW/L，unselected＜VB/L，min+Vpi)③吸附电压Vpi＞|VB/L，max-VB/L，min|大于位元线最大电压(VB/L，max)与吸附电压(Vpi)之和的电压(VW/L，selected＞VB/L，max+Vpi)或者小于位元线最小电压(VB/L，min)与吸附电压(Vpi)之间压差的电压(VW/L，selected＜VB/L，min-Vpi)被应用于从多数字元线(W/L0，W/L1，W/L2)中选出的字元线(W/L0)。小于位元线最小电压(VB/L，min)与吸附电压(Vpi)之和且大于位元线最大电压(VB/L，max)与吸附电压(Vpi)之间压差的电压(VB/L，max-Vpi＜VW/L，unselected＜VB/L，min+Vpi)应用于从多数字元线(W/L0，W/L1，W/L2)中未经挑选的字元线(W/L1，W/L2)。吸附电压(Vpi＞|VB/L，max-VB/L，min|)大于位元线最大电压(VB/L，max)与位元线最小电压(VB/L，min)之间的压差。位元线最大电压(VB/L，max)作为指示电容160中数据存储为高状态的电压参考。位元线最小电压(VB/L，min)作为指示电容160中数据存储为低状态的一个电压参考。
例如，如果存储单元170被选中，大于位元线最大电压(VB/L，max)与吸附电压(Vpi)之和的电压(VW/L，selected＞VB/L，max+Vpi)或者小于位元线最小电压(VB/L，min)与吸附电压(Vpi)之间压差的电压(VW/L，selected＜VB/L，min-Vpi)被应用于字元线(W/L0)。小于位元线最小电压(VB/L，min)与吸附电压Vpi之和且大于位元线最大电压(VB/L，max)与吸附电压Vpi之间压差的电压(VB/L，max-Vpi＜VW/L，unlected＜VB/L，min+Vpi)被应用于字元线(W/L1，W/L2)。位元线最大电压(VB/L，max)或者位元线最小电压(VB/L，min)被应用于位元线。
在和字元线(W/L0)连接的栅极120上的应用电压与和位元线(B/L0)连接的源极150上的应用电压的压差开始大于吸附电压的条件下。因此，会产生静电力，源极150上的凸起153与漏极140接触。通过这样做，位元线最大电压(VB/L，max)被应用于位元线(B/L0)或者位元线最小电压(VB/L，min)能够通过漏极140传递给电容160，并存储在电容160中。
图4是图示了根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的显示设备的电路图。
如图4所示，根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的显示装置，其包括多数扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)，多数数据线(D/L0，D/L1，D/L2)，以及多数机械开关。
多数数据线(D/L0，D/L1，D/L2)与多数扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)相互交叉。多数机械开关布置在多数扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)和多数数据线(D/L0，D/L1，D/L2)的交叉点上。每个机械开关包括一个与每个扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)相连的栅极220；一个与栅极220隔开并与一个像素260连接的漏极240，以及一个源极250。源极250包括一个与栅极220隔开并与每个数据线(D/L0，D/L1，D/L2)相连接锚定部分251；一个从锚定部分251伸出并与栅极220隔开的移动部分252；和从移动部分252伸出并形成突出状的凸起253。
在每个多数机械开关中，源极250的凸起253通过作用在栅极220上的电压与作用在源极250上的电压之间的压差与漏极240电接触，作用在源极250上的电压被传递给漏极240。换句话说，当作用在栅极220上的电压与作用在源极250上的电压之间的压差大于一个吸附电压(Vpi)时，会产生静电力，因此使源极250的凸起253与漏极240电接触，并传送作用在源极250上的电压给漏极240。
在静电力的产生中，源极250的凸起253与漏极240接触因而作用在源极250上的电压可以通过漏极240传递给像素260。在没有静电力产生的情况下，源极250的凸起253通过弹性力再次恢复到原始位置，不与漏极240接触。就这种结构而言，是一个典型的悬臂。同时，源极250的凸起253不仅能防止在机械开关制造过程中的粘贴也能降低吸附电压(Vpi)。
在每个多数机械开关中，栅极220，源极250和漏极240可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。多数扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)和多数数据线(D/L0，D/L1，D/L2)可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
为了有效控制根据本发明典型实施例中的一个使用机械开关的显示装置的像素单元，在①和③情况下，电压被应用于多数扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)。
①应用电压于所选扫描线的情况|VS/L，selected-VD/L|＞Vpi(VS/L，selected＞VD/L，max+Vpior VS/L，selected＜VD/L，min-Vpi)②应用电压于未选扫描线的情况|VS/L，unselected-VD/L|＜Vpi(VD/L，max-Vpi＜VS/L，unselected＜VD/L，min+Vpi)③吸附电压Vpi＞|VD/L，max-VD/L，min|大于数据线最大电压(VD/L，max)与吸附电压(Vpi)之和的电压(VS/L，selected＞VD/L，max+Vpi)或者小于数据线最小电压(VD/L，min)与吸附电压(Vpi)之间压差的电压(VS/L，selected＜VD/L，min-Vpi)被应用于从多数扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)中选出的扫描线(S/L0)。小于数据线最小电压(VD/L，min)与吸附电压(Vpi)之和且大于数据线最大电压(VD/L，max)与吸附电压(Vpi)之间压差的电压(VD/L，max-Vpi＜VS/L，selected＜VD/L，min+Vpi)应用于从多数扫描线(S/L0，S/L1，S/L2)中未经挑选的扫描线(S/L1，S/L2)。吸附电压(Vpi＞|VD/L，max-VD/L，min|)大于数据线最大电压(VD/L，max)与数据线最小电压(VD/L，min)之间的压差。数据线最大电压(VD/L，max)作为传送给像素260的最大数据电压参考。数据线最小电压(VD/L，min)作为传送给像素260的最小数据电压参考。
例如，如果像素单元270被选中，大于数据线最大电压(VD/L，max)与吸附电压(Vpi)之和的电压(VS/L，selected＞VD/L，max+Vpi)或者小于数据线最小电压(VD/L，min)与吸附电压(Vpi)之间压差的电压(VS/L，selected＜VD/L，min-Vpi)被应用于扫描线(S/L0)。小于数据线最小电压(VD/L，min)与吸附电压(Vpi)之和且大于数据线最大电压(VD/L，max)与吸附电压(Vpi)之间压差的电压(VD/L，max-Vpi＜VS/L，unselected＜VD/L，min+Vpi)应用于扫描线(S/L1，S/L2)。数据线最小电压(VD/L，min)或者数据线最大电压(VD/L，max)间的电压被应用于数据线。
在和扫描线(S/L0)连接的栅极220上的应用电压与和数据线(D/L0)连接的源极250上的应用电压的差值开始大于吸附电压(Vpi)的条件下。因此，会产生静电力，源极250上的突出253与漏极240接触。通过这样做，数据线最小电压(VD/L，min)被应用于数据线(D/L0)或者数据线最大电压(VD/L，max)能够通过漏极240传递给像素260，因此显示像素数据与数据线最小电压(VD/L，min)或数据线最大电压(VD/L，max)间的电压相关联。
如上所述，根据本发明典型实施例中的使用带凸起的机械开关的存储器阵列，其结构方便无需使用半导体晶体管。
同时，根据本发明典型实施例中的使用机械开关的存储器阵列可以提供军用或卫星永久机械存储器阵列，其操作电压低于常规闪存，因此降低能耗，其操作速度也变得更快，并且不会降低电气可靠性例如绝缘薄膜栅的击穿，以及对外部有害环境例如辐射恶劣敏感。
在任意基板上使用传导电极来代替半导体基板可以提供存储器阵列，其中集成的实现和基板的种类无关，多位元单元存储也可以集成，因为其可以很容易的将任何源电压传递给电容中的漏极。
在控制根据本发明典型实施例中的使用机械开关的存储器阵列的方法中，所选字元线的应用电压和未经选择字元线的应用电压是可控的，因而在存储器阵列中有效的选择存储单元。
根据本发明典型实施例中的使用机械开关的显示装置，可以使用带凸起的机械开关，因而显示装置构造容易，无需使用半导体晶体管。
在控制根据本发明典型实施例中的使用机械开关的显示装置的方法中，所选扫描线的应用电压和未经选择扫描线的应用电压是可控的，因而在像素单元中有效的显示数据电压。
本发明虽然进行了以上说明，显而易见本发明可以有多种实现方式。所述变化形式不应被视为脱离本发明的精神和范围，并且所有上述改变显而易见是本发明的某种方式，并且涵盖于所附权利要求的范围中。
权利要求
1.一种使用机械开关的存储器阵列，该存储器阵列包括多数字元线；多数分别与多数字元线交叉的位元线；以及多数机械开关，所述机械开关布置在多数字元线和多数位元线的交叉点上，包括一个连接每个字元线的栅极；一个与栅极隔开并与一个电容连接的漏极；一个源极，源极包括一个与栅极隔开并与每个位元线相连接的锚定部分；一个从锚定部分伸出并与栅极隔开的移动部分；一个从移动部分伸出并形成突出状的凸起。
2.根据权利要求1所述的存储器阵列，在每个机械开关中，源极的凸起通过作用在栅极上的电压与作用在源极上的电压之间的压差与漏极电接触，作用在源极上的电压被传送给漏极。
3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中电容包括一个第一电极，一个第二电极，和一个排列在第一电极和第二电极之间的绝缘层。
4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中第一电极是在一个传导半导体基板上或者一个不传导半导体基板上构成的传导电极。
5.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中的绝缘层由二氧化硅或氮化硅构成。
6.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中的第二电极可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中的机械开关的栅极，源极和漏极可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
8.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中的机械开关的多数字元线和多数位元线可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
9.一种使用机械开关控制存储器阵列的方法，其中存储器阵列包括多数字元线；多数分别与多数字元线交叉的位元线和多数机械开关，布置在多数字元线和多数位元线的交叉点上的多数机械开关，包括一个连接每个字元线的栅极；一个与栅极隔开并与一个电容连接的漏极；一个源极，所述源极包括一个与栅极隔开并与每个位元线相连接的锚定部分；一个从锚定部分伸出并与栅极隔开的移动部分；一个从移动部分伸出并形成突出状的凸起，该方法包括的步骤有应用一个大于最大位元线电压(VB/L，max)与吸附电压之和或者小于最小位元线电压(VB/L，min)与吸附电压之间压差的电压到一个从多数字元线中选出的字元线；并且应用一个小于最小位元线电压(VB/L，min)与吸附电压之和且大于最大位元线电压(VB/L，max)与吸附电压之间压差的电压到从多数字元线中未经选择的字元线。
10.根据权利要求9所述的方法，其中吸附电压大于最大位元线电压(VB/L，max)与最小位元线电压(VB/L，min)之间的压差。
11.一种使用机械开关的显示装置，该显示装置包括多数扫描线；多数分别与多数扫描线交叉的数据线；以及多数机械开关，所述多数机械开关布置在多数扫描线和多数数据线的交叉点上，包括一个连接每个扫描线的栅极；一个与栅极隔开并与一个像素连接的漏极；一个源极，所述源极包括一个与栅极隔开并与每个数据线相连接的锚定部分；一个从锚定部分伸出并与栅极隔开的移动部分；一个从移动部分伸出并形成突出状的凸起。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中的每个机械开关，源极的凸起通过作用在栅极上的电压与作用在源极上的电压之间的压差来与漏极电接触，作用在源极上的电压被传送给漏极。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中每个机械开关的栅极，源极和漏极可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中多数扫描线和多数数据线可以由包括铜，碳纳米管，多晶硅之一的传导材料构成。
15.一种使用机械开关控制显示装置的方法，其中显示装置包括多数扫描线；多数分别与多数扫描线交叉的数据线和多数机械开关，布置在多数扫描线和多数数据线的交叉点上的多数机械开关，包括一个连接每个扫描线的栅极；一个与栅极隔开并与一个像素连接的漏极；一个源极，所述源极包括一个与栅极隔开并与每个数据线相连接的锚定部分；一个从锚定部分伸出并与栅极隔开的移动部分；一个从移动部分伸出并形成突出状的凸起，所述方法包括步骤有应用一个大于最大数据线电压(VD/L，max)与吸附电压之和的电压或者小于最小数据线电压(VD/L，min)与吸附电压之间压差的电压到一个从多数扫描线中选出的扫描线；并且应用一个小于最小数据线电压(VD/L，min)与吸附电压之和且大于最大数据线电压(VD/L，max)与吸附电压之间压差的电压给从多数扫描线中未经选择的扫描线。
16.根据权利要求15所述的方法，其中吸附电压大于数据线的最大电压(VD/L，max)与数据线的最小电压(VD/L，min)的压差。
全文摘要
本发明提供了一种使用机械开关的存储器阵列，一种控制该存储器阵列的方法，一种使用机械开关的显示装置，一种控制该显示装置的方法。所述存储器阵列包括多数字元线，多数分别与多数字元线交叉的位元线和多数机械开关。所述机械开关包括一个栅极，一个漏极和一个源极。
文档编号H01L27/115GK1975929SQ200610138659
公开日2007年6月6日 申请日期2006年11月10日 优先权日2005年11月29日
发明者张原玮, 权五得, 李政彦, 尹浚宝 申请人:韩国科学技术院