专利名称：采用ocd量测芯片台阶高度的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，具体涉及量测台阶高度的方法。
背景技术：
台阶高度(Step height)是芯片基底和填充介质之间的高度差值。随着电 子设备的尺寸日益减小，台阶高度对于过程控制愈加重要。目前常用AFM(原子 力显微镜)测量台阶高度。AFM需要扫描许多线以不同亮暗颜色表示的状态。然 后分析STI(浅沟槽隔离)和单晶硅的颜色以获取台阶高度。如果台阶高度太小， 会导致颜色对比不明显，从而导致分析失败。所以AFM分析必须需要台阶高度 最够高。此外，AFM需要使用探针扫描芯片的界面形状(Topography),探针的 花费很高，而且AFM分析一个芯片大致需要30分钟，工作效率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量测台阶高度的方法，其可以有效节约成本并 提高量测成功率。
为实现上述目的，本发明提供一种采用OCD量测芯片台阶高度的方法，该 方法包括如下步骤a.从光谱线中获取填充介质的高度参数和芯片基底的高度 参数；b.计算填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数的差值以得到台阶高度。
所述的光谱线是OCD在芯片上照射反射光，根据反射光获取的一组光谱线。 填充介质是STI (浅沟槽隔离)。所述芯片基底是单晶硅。所述OCD是光学特征 尺寸测量。
与现有技术相比，本发明中采用OCD更为有效并且节约开支地量测台阶高 度。在同一时间测量两个不同介质，并输出高度的差值，而且不会对芯片表面 造成损伤。
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的
目的、具体结构特征和优点。其中，附图为 图1为本发明中需要量测芯片的结构示意图。
具体实施例方式
在本发明较佳实施例中，本发明采用0CD (光学特征尺寸测量)量测芯片的 台阶高度。OCD可以在需要量测的芯片上照射反射光，从反射光中获取一组光谱 线，该光语线内包含量测部分的信息。
图1是需要量测芯片的结构示意图。该芯片包括填充介质21和芯片基底22。 在本发明实施例中，芯片基底22是单晶硅，填充介质21是单晶硅中间的STI (浅沟槽隔离)。
首先通过OCD收到的光谱线中获取填充介质21的高度参数和芯片基底22 的高度参数，然后通过计算填充介质的高度参数和芯片基底22的高度参数的差 值以得到台阶高度d。
0CD量测相比AFM量测更为有效，其可以模拟量测物件的线宽，间隔以及沟 壑等参数。实验表明0CD只需要花费5分钟就可以分析3个芯片，有效提高了 工作效率，而且不用和芯片有物理接触。本发明提供的量测方法也可以适用于 65nm以下的半导体制程。在本发明其他实施例中，本发明的量测方法也可以适 用于芯片上两种不同介质的高度差值的量测。
权利要求
1、一种采用OCD量测芯片台阶高度的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤a.从光谱线中获取填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数；b.计算填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数的差值以得到台阶高度。
2、 如权利要求l所述的采用OCD量测芯片台阶高度的方法，其特征在于所述的光谱线是0CD在芯片上照射反射光，根据反射光获取的一组光谱线。
3、 如权利要求1所述的采用OCD量测芯片台阶高度的方法，其特征在于填充介质是STI (浅沟槽隔离)。
4、 如权利要求l所述的采用OCD量测芯片台阶高度的方法，其特征在于所述 芯片基底是单晶硅。
5、 如权利要求1所述的采用0CD量测芯片台阶高度的方法，其特征在于所述 0CD是光学特征尺寸测量。
全文摘要
本发明提供一种采用OCD(光学特征尺寸测量)量测芯片台阶高度的方法，该方法包括如下步骤a.从光谱线中获取填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数；b.计算填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数的差值以得到台阶高度。与现有技术相比，本发明中采用OCD更为有效并且节约开支地测试台阶。在同一时间测量两个不同介质，并输出高度的差值，而且不会对芯片表面造成损伤。
文档编号H01L21/66GK101202236SQ20061014739
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月15日 优先权日2006年12月15日
发明者张海洋, 杜珊珊, 马擎天, 怡 黄 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司