专利名称：电激发光显示器及其制造方法
技术领域：
本发明有关于一种显示器，特别是一种电激发光显示器及其制造方法。
背景技术：
平面显示器，例如有机发光显示器(organic light emitting display；OLED)及液晶显示器(liquid crystal display；LCD)，已广泛地应用于电脑及通讯领域。其中，有机发光显示器相较于传统的LCD显示器，除了更轻薄外，更具有自发光、低功率消耗、无视角限制及高反应速率等特性，为目前平面显示器的主流技术之一。
其中，有一种光共振型有机电激发光元件可提升所发出的光线的色纯度及亮度。光共振型有机电激发光元件将有机电激发光层的上下方以反射膜和半穿透膜予以夹住，以使有机电激发光层所发出的光线的特定波长成分产生共振。于此，反射层为能将有机电激发光层所发出的光线予以反射的电极，而半穿透膜为能够使有机电激发光层所发出的光线穿透致发光面侧，同时也能够将有机电激发光层所发出的光线予以反射至有机电激发光层侧。藉此，由于仅会将有机电激发光层所发出的光线的特定波长予以抽出，并将特定波长的光线从玻璃基板侧(或阴极侧)射出，因此能够提升所发出的光线的色纯度和亮度。相关技术可参见中国台湾专利公告号第I259022号和美国专利公开号第US 2004/0140757 A1号等专利。
在制作光共振型有机电激发光元件时，必须蒸镀一层金属干涉层，以和全反射的金属阴极形成共振腔效应。然而，在每个像素区域上，金属干涉层必需互相独立不短路，如此显示器才能正常工作。而如何制作适当的截断层结构，以有效地截断金属干涉层，仍是工程师们积极研发的目标之一。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明的主要目的在于提供一种电激发光显示器及其制造方法，藉以有效地截断金属干涉层。
为达上述目的，本发明所揭示的电激发光显示器，包括透明基板、驱动元件、透明电极、缓冲层、第一牺牲层、第二牺牲层、金属干涉层、电激发光层和共同电极。
透明基板具有发光区域和非发光区域，驱动元件位于非发光区域的上方，透明电极位于发光区域的上方，并连接至驱动元件。透明电极、缓冲层、第一牺牲层、第二牺牲层、金属干涉层、电激发光层和共同电极依序层叠于透明基板上方，而由于第一牺牲层上具有开口朝向发光区域的狭缝结构，因此于金属干涉层形成时，会因狭缝结构而截断。
其中，第一牺牲层的较佳厚度是大于金属干涉层的厚度。狭缝结构的开口与发光区域的边缘的较佳距离是小于等于5微米(μm)。而狭缝结构的较佳深度是大于等于500纳米(nm)。
本发明所揭示的电激发光显示器的制造方法，包括先提供形成有发光区域和非发光区域的透明基板；在透明基板的非发光区域的上方形成驱动元件；于透明基板的发光区域的上方形成与驱动元件电性相连的透明电极；在透明电极的边缘及驱动元件上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一牺牲层；在第一牺牲层上形成第二牺牲层；蚀刻第一牺牲层与第二牺牲层，以于第一牺牲层上形成沿着发光区域的边缘且开口朝向发光区域的狭缝结构；在第二牺牲层与透明电极上形成截断于狭缝结构的开口处的金属干涉层；再于金属干涉层上且于透明基板的发光区域的上方形成电激发光层；以及于电激发光层上形成共同电极。
其中，第一牺牲层与第二牺牲层可选用不同材质，以致使于使用相同蚀刻液下，第一牺牲层的蚀刻速度会大于第二牺牲层。亦或是使用2种蚀刻液来分别进行第一牺牲层与第二牺牲层的蚀刻。
有关本发明的特征与实质，兹配合附图作最佳实施例详细说明如下。
图1为根据本发明第一实施例的电激发光显示器的截面图；图2为根据本发明第二实施例的电激发光显示器的截面图；图3为根据本发明第三实施例的电激发光显示器的截面图；图4A一4I为根据本发明第一实施例的电激发光显示器的制造方法的流程图；以及图5为图4G的俯视图，其中图4G为图5中I-I剖线的截面图。
具体实施例方式
以下举出具体实施例以详细说明本发明的内容，并以附图作为辅助说明。说明中提及的符号参照附图符号。
请参照图1为根据本发明的电激发光显示器，包括透明基板110、驱动元件120、透明电极130、缓冲层140、第一牺牲层150、第二牺牲层160、金属干涉层170、电激发光层180和共同电极190。
透明基板110具有发光区域和非发光区域(图中未示)，驱动元件120位于非发光区域的上方，透明电极130位于发光区域的上方，并连接至驱动元件120。缓冲层140位于透明电极130的边缘及驱动元件120上。第一牺牲层150位于缓冲层140上，其包括有沿着发光区域边缘而设置的狭缝结构152。第二牺牲层160覆盖于第一牺牲层150上，且于发光区域边缘处，第二牺牲层160的边缘突出于第一牺牲层150，以致使此狭缝结构152的开口位于近发光区域之一侧。金属干涉层170位于第二牺牲层160与透明电极130上，且截断于狭缝结构152的开口处。电激发光层180是位于金属干涉层170上，且位于发光区域的上方。共同电极190是位于电激发光层180上。
换句话说，透明电极130、缓冲层140、第一牺牲层150、第二牺牲层160、金属干涉层170、电激发光层180和共同电极190依序层叠于透明基板100上方，而由于第一牺牲层150上具有开口朝向发光区域的狭缝结构152，因此于金属干涉层170形成时，会因狭缝结构152而截断。
其中，第一牺牲层160的较佳厚度大于金属干涉层170的厚度。狭缝结构152的开口与发光区域的边缘的较佳距离是小于等于5微米(μm)。而狭缝结构152的较佳深度是大于等于500纳米(nm)。
此外，在透明基板110与驱动元件120之间可设置有黑矩阵结构200，以增加元件对比及发光效率，如图2所示。
再者，可在透明基板110与透明电极130之间设置彩色滤光图案210，以选择发射出光的颜色，如图3所示。
于此，可利用下述的制造方法来形成根据本发明的电激发光显示器。
请参照图4A-4I，为根据本发明的电激发光显示器的制造方法的流程图。
首先，提供一透明基板110，其中于此透明基板上形成有发光区域和非发光区域(图中未示)，如图4A所示。
再在透明基板110的非发光区域的上方形成驱动元件120，如图4B所示。
再于透明基板110的发光区域的上方形成透明电极130，如图4C所示。其中透明电极130与驱动元件120电性相连。
接着，在透明电极130的边缘及驱动元件120上形成缓冲层140，如图4D所示。
然后，形成第一牺牲层150于缓冲层上，如图4E所示。
再在第一牺牲层150上形成第二牺牲层160，如图4F所示。
接着，蚀刻第一牺牲层150与第二牺牲层160，以于第一牺牲层150形成狭缝结构152，其中此狭缝结构152沿着发光区域111边缘而形成，并且此狭缝结构152的开口位于近发光区域111之一侧，如图4G、图5所示。换句话说，在蚀刻完成后，在发光区域111的边缘，第二牺牲层160的边缘会突出于第一牺牲层150，因而形成开口朝向发光区域111的狭缝结构152。
再在第二牺牲层160与透明电极130上形成金属干涉层170，其中此金属干涉层170会截断于狭缝结构152的开口处，如图4H所示。
接着，形成电激发光层180于金属干涉层170上且于透明基板110的发光区域的上方，如图4I所示。
最后再在电激发光层180上形成共同电极190，即可形成如图1所示的电激发光显示器。
其中，较佳是在缓冲层140上形成厚度大于金属干涉层170的厚度的第一牺牲层150。此外，所形成的狭缝结构152的开口与发光区域的边缘的较佳距离小于等于5微米(μm)。再者，所形成的狭缝结构152的较佳深度是大于等于500纳米(nm)。
于此，第一牺牲层与第二牺牲层可选用不同材质，以致使于使用相同蚀刻液下，第一牺牲层的蚀刻速度会大于第二牺牲层，如此一来，即可藉由蚀刻制程于第一牺牲层上形成开口朝向发光区域的狭缝结构。
此外，亦利用不同的蚀刻液来分别进行第一牺牲层与第二牺牲层的蚀刻制程，如此亦可于第一牺牲层上形成开口朝向发光区域的狭缝结构。换句话说，可利用第一蚀刻液及不同于第一蚀刻液的第二蚀刻液分别进行第一牺牲层与第二牺牲层的蚀刻制程。
此外，在形成驱动元件120之前，可先于透明基板110上形成黑矩阵结构200，随后再依序形成驱动元件120、透明电极130、缓冲层140、第一牺牲层150、第二牺牲层160、狭缝结构152、金属干涉层170、电激发光层180和共同电极190，即可形成如图2所示的电激发光显示器。
再者，在形成驱动元件120之前，亦可先于透明基板110上形成彩色滤光图案210，随后再依序形成驱动元件120、透明电极130、缓冲层140、第一牺牲层150、第二牺牲层160、狭缝结构152、金属干涉层170、电激发光层180和共同电极190，即可形成如图3所示的电激发光显示器。
虽然本发明的技术内容已经以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉本技术领域者，在不脱离本发明的精神所作些许的更动与润饰，皆应涵盖于本发明的范畴内，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种电激发光显示器，包括一透明基板，具有一发光区域和一非发光区域；一驱动元件，位于该非发光区域的上方；一透明电极，位于该发光区域的上方，连接至该驱动元件；一缓冲层，位于该透明电极的边缘及该驱动元件上；一第一牺牲层，位于该缓冲层上，包括一狭缝结构，沿着该发光区域边缘而设置；一第二牺牲层，覆盖于该第一牺牲层上，致使该狭缝结构的开口位于近该发光区域之一侧；一金属干涉层，位于该第二牺牲层与该透明电极上，且截断于该狭缝结构的开口处；一电激发光层，位于该金属干涉层上，且位于该发光区域的上方；以及一共同电极，位于该电激发光层上。
2.如权利要求1所述的电激发光显示器，其特征在于，该狭缝结构的开口与该发光区域的边缘的距离小于等于5微米。
3.如权利要求1所述的电激发光显示器，其特征在于，该第一牺牲层的厚度大于该金属干涉层的厚度。
4.如权利要求1所述的电激发光显示器，其特征在于，该狭缝结构的深度大于等于500奈米。
5.如权利要求1所述的电激发光显示器，其特征在于，还包括一黑矩阵结构，位于该透明基板与该驱动元件之间。
6.如权利要求1所述的电激发光显示器，其特征在于，还包括至少一个彩色滤光图案，位于该透明基板与该透明电极之间。
7.一种电激发光显示器的制造方法，包括提供一透明基板，其中该透明基板上形成有一发光区域和一非发光区域；形成一驱动元件于该透明基板的该非发光区域的上方；形成一透明电极于该透明基板的该发光区域的上方，其中该透明电极与该驱动元件电性相连；形成一缓冲层于该透明电极的边缘及该驱动元件上；形成一第一牺牲层于该缓冲层上；形成一第二牺牲层于该第一牺牲层上；蚀刻该第一牺牲层与该第二牺牲层，以沿着该发光区域边缘而形成一狭缝结构于该第一牺牲层上，且该狭缝结构的开口于近该发光区域之一侧；形成一金属干涉层于该第二牺牲层与该透明电极上，其中该金属干涉层截断于该狭缝结构的开口处；形成一电激发光层于该金属干涉层上且于该透明基板的该发光区域的上方；以及形成一共同电极于该电激发光层上。
8.如权利要求7所述的电激发光显示器的制造方法，其特征在于，该第一牺牲层的蚀刻速度大于该第二牺牲层的蚀刻速度。
9.如权利要求7所述的电激发光显示器的制造方法，其特征在于，该蚀刻该第一牺牲层与该第二牺牲层的步骤，包括以一第一蚀刻液蚀刻该第一牺牲层；以及以一第二蚀刻液蚀刻该第二牺牲层，其中该第一蚀刻液不同于该第二蚀刻液。
10.如权利要求7所述的电激发光显示器的制造方法，其特征在于，该蚀刻该第一牺牲层与该第二牺牲层的步骤，包括形成开口与该发光区域的边缘相距小于等于5微米的距离的该狭缝结构。
11.如权利要求7所述的电激发光显示器的制造方法，其特征在于，该形成一第一牺牲层于该缓冲层上的步骤，包括形成厚度大于该金属干涉层的厚度的该第一牺牲层于该缓冲层上。
12.如权利要求7所述的电激发光显示器的制造方法，其特征在于，在该蚀刻该第一牺牲层与该第二牺牲层的步骤中，形成深度大于等于500纳米的该狭缝结构。
13.如权利要求7所述的电激发光显示器的制造方法，其特征在于，还包括形成一黑矩阵结构于该透明基板与该驱动元件之间。
14.如权利要求7所述的电激发光显示器的制造方法，其特征在于，还包括形成至少一个彩色滤光图案于该透明基板与该透明电极之间。
全文摘要
一种电激发光显示器及其制造方法，其于缓冲层与金属干涉层之间设置第一牺牲层与第二牺牲层，利用于第一牺牲层上形成沿着发光区域的边缘且开口朝向发光区域的狭缝结构，以致使所形成的金属干涉层截断于狭缝结构的开口处。
文档编号H01L21/82GK1953201SQ20061014959
公开日2007年4月25日 申请日期2006年11月22日 优先权日2006年11月22日
发明者王耀常, 陈瑞兴, 李世昊 申请人:友达光电股份有限公司