专利名称：薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)制 造方法及其栅极制造方法。
背景技术：
目前，液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)逐渐取 代应用在电脑的传统阴极射线管(Cathode Ray Tube, CRT )显示 器，而且，因为液晶显示器具有轻薄短小的特点，所以非常适 合在台式电脑、笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant, PDA )、手机、电视和多种办公自动化与视听设备中使 用。液晶面板是液晶显示器的 一 个主要元件，其 一 般包括 一 薄 膜晶体管基板、 一 彩色滤光片基板和夹在该薄膜晶体管基板与 该彩色滤光片基板之间的液晶层，其中该薄膜晶体管基板包括 由多个薄膜晶体管组成的薄膜晶体管阵列。
请参阅图1 ，是 一 种现有技术的薄膜晶体管的结构示意图。 该薄膜晶体管设置在一绝缘基板110上，其包括一位于该绝缘 基板IIO上的栅极120、 一位于该栅极120和该绝缘基板110上 的栅极绝缘层130、一位于该栅极绝缘层130上的半导体层140、 一位于该半导体层140和该栅极绝缘层130上的源极150与漏 极160。通常该栅极120与 一提供扫描信号的扫描线(图未示) 连接，为降低该扫描信号RC延迟(电阻与电容构成回路所产生 的对信号的延迟效果)，需要降低栅极120的电阻，因此业界通 常采用铜等低电阻材料制造薄膜晶体管的栅极120。
但是，当采用铜制造栅极120时，因为铜与绝缘基板110 间的附着力不佳，容易导致栅极120剥离绝缘基板110。另外， 因为薄膜晶体管散热性差，在长时间电信号操作下，其受周围
环境温度升高的影响，可能会解离出铜离子，铜离子在电压驱
动下会扩散到栅极绝缘层130，甚至进入半导体层140，产生铜 污染现象，从而导致薄膜晶体管特性改变，可靠性变差。
为解决上述问题，业界通常采用另外 一 种方法制造薄膜晶 体管的栅极20，图2是该制造方法的流程图，其包括以下步骤 在绝缘基板的表面依序沉积三层金属层和 一 光致抗蚀剂层 (SI);曝光并显影该光致抗蚀剂层(S2 );刻蚀该三层金属层 (S3);移除剩余光致抗蚀剂层(S4)。详述如下
步骤S1:请参阅图3,提供一绝缘基板210，在该绝缘基板 210的表面依序沉积一第一金属层220、 一第二金属层230、 一 第三金属层240和 一 光致抗蚀剂层250。该第 一金属层220的材 料是钛，其与绝缘基板210具有良好的附着能力。该第二金属 层230的材料是铜，其具有比较低的电阻。该第三金属层240 的材料是钛，其可以抗铜离子的扩散。
步骤S2:请参阅图4，提供一掩膜(图未示)，通过该掩膜 对该光致抗蚀剂层250进行曝光，并且显影曝光后的光致抗蚀 剂层250。
步骤S3:请参阅图5，以所剩余的光致抗蚀剂层250为屏 蔽，利用湿式刻蚀法刻蚀该第一金属层220、第二金属层230和 第三金属层240,进而形成栅极20。
步骤S4:请参阅图6，移除该剩余的光致抗蚀剂层250。 但是，因为铜是不容易刻蚀的金属，其刻蚀速率小于钛的 刻蚀速率，当刻蚀第 一金属层220、第二金属层230和第三金属 层240时，第二金属层230被刻蚀掉的金属少，会造成第二金 属层230外伸，后续在该栅极20上覆盖栅极绝缘层时，容易在 栅极20与栅极绝缘层之间产生孑L洞270 (如图7所示)，该孔洞 270容易导致栅极绝缘层的断裂，后续在栅极绝缘层上形成源极 与漏极时，也会导致源极或漏极的断裂，最终导致所形成的薄 膜晶体管失效，降低该薄膜晶体管栅极制造方法的可靠性。
发明内容
为了解决现有技术薄膜晶体管栅极制造方法可靠性比较差 的问题，有必要提供 一 种可靠性比较高的薄膜晶体管栅极制造 方法。
为了解决现有技术薄膜晶体管制造方法可靠性比较差的问 题，有必要提供 一 种可靠性比较高的薄膜晶体管制造方法。
一种薄膜晶体管栅极制造方法，其包括以下步骤提供一 绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐 增的至少两层光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩 余光致抗蚀剂层的宽度自上而下递减；依序沉积多层金属层在 光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面；移 除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的 多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增。
一种薄膜晶体管制造方法，其包括以下步骤提供 一 绝缘 基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的 至少两层光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余光 致抗蚀剂层的宽度自上而下递减；依序沉积多层金属层在光致 抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面；移除该 光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层 金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增；沉积一 栅极绝缘层在该绝缘基板上；沉积 一 半导体材料层，图案化该 半导体材料层，进而形成 一 半导体层；沉积 一 金属材料层，图 案化该金属材料层，进而形成 一 源极和 一 漏极；沉积 一 钝化层， 图案化该钝化层，进而形成 一 连接孔。
上述的薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法，是利用显 影速率不同的至少两层光致抗蚀剂层，使曝光显影后的剩余光 致抗蚀剂层宽度自上而下递减，在没有被剩余光致抗蚀剂层覆 盖的绝缘基板上形成由多层金属构成的栅极时，因宽度自上而 下递减的剩余光致抗蚀剂层的阻挡，该栅极的宽度自上而下递 增，从而可以避免在该栅极与栅极绝缘层间产生孔洞，减少孔
洞引起的栅极绝缘层、源极或漏极的断裂，进而减少薄膜晶体 管的失效，提高薄膜晶体管制造方法的可靠性。
图1是 一 种现有技术薄膜晶体管的结构示意图。
图2是另 一种现有技术薄膜晶体管栅极制造方法的流程图。
图3是图2所示薄膜晶体管栅极制造方法的沉积三层金属 层和 一 光致抗蚀剂层步骤的示意图。
图4是图2所示薄膜晶体管栅极制造方法的曝光并显影光 致抗蚀剂层步骤的示意图。
图5是图2所示薄膜晶体管栅极制造方法的刻蚀三层金属 层步骤的示意图。
图6是图2所示薄膜晶体管栅极制造方法的移除剩余光致 抗蚀剂层步骤的示意图。
图7是在图6所示的栅极上覆盖栅极绝缘层的示意图。
图8是本发明薄膜晶体管制造方法 一 较佳实施方式的流程图。
图9是图8所示薄膜晶体管制造方法的形成两层光致抗蚀 剂层步骤的示意图。
图IO是图8所示薄膜晶体管制造方法的曝光并显影光致抗 蚀剂层步骤的示意图。
图11是图8所示薄膜晶体管制造方法的沉积三层金属层步 骤的示意图。
图12是图8所示薄膜晶体管制造方法的移除光致抗蚀剂层 和光致抗蚀剂层上的三层金属层步骤的示意图。
图1 3是图8所示薄膜晶体管制造方法的沉积栅极绝缘层步 骤的示意图。
图14是图8所示薄膜晶体管制造方法的形成半导体层步骤 的示意图。
图1 5是图8所示薄膜晶体管制造方法的形成源极和漏极步
骤的示意图。
图1 6是图8所示薄膜晶体管制造方法的沉积钝化层并形成 连接孔步骤的示意图。
具体实施例方式
请参阅图8,是本发明薄膜晶体管制造方法一较佳实施方式 的流程图，其包括以下步骤在绝缘基板的表面形成显影速率 自上而下渐增的两层光致抗蚀剂层(S11 );曝光并显影该两层 光致抗蚀剂层(S12);在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层 覆盖的绝缘基板表面沉积三层金属层(S13);移除该光致抗蚀 剂层和沉积在该光致抗蚀剂层上的三层金属层，剩余三层金属 层即为栅极(S 14 );沉积 一 栅极绝缘层(S1 5 );形成 一 半导体 层(S16 );形成 一 源极和 一 漏极(S17 );沉积 一 钝化层并形成 一连接孔(S18)。具体步骤如下
步骤Sll:请参阅图9,提供一绝缘基板41，其可以是玻璃、 石英等透明材料。在该绝缘基板41表面依序形成第 一光致抗蚀 剂层420和第二光致抗蚀剂层422 。该第 一 光致抗蚀剂层420和 第二光致抗蚀剂层422都是正光致抗蚀剂，且第一光致抗蚀剂 层420的显影速率大于该第二光致抗蚀剂层422的显影速率； 该第一光致抗蚀剂层420和第二光致抗蚀剂层422是旋转涂布 形成的，该第 一 光致抗蚀剂层420和第二光致抗蚀剂层422的 厚度基本相同。
步骤S12:请参阅图10，通过一具有透光图案的掩膜(图 未示)对该第 一 光致抗蚀剂层420和第二光致抗蚀剂层422进 行曝光，使得与该掩膜透光图案对应的光致抗蚀剂层曝光，然 后在光致抗蚀剂层上涂布显影液，使曝光后的光致抗蚀剂层显 影。曝光部分的光致抗蚀剂层溶于显影液时，因为第一光致抗 蚀剂层420的显影速率大于第二光致抗蚀剂层422的显影速率， 第 一 光致抗蚀剂层420的曝光部分必然比第二光致抗蚀剂层422 的曝光部分显影要快，只需控制显影时间不致过长，剩余光致
抗蚀剂层很容易形成 一 宽度自上而下递减的结构，即剩余第一
光致抗蚀剂层420的宽度小于第二光致抗蚀剂层422的宽度。
步骤S 1 3 :请参阅图11,在该第二光致抗蚀剂层422和没 有被剩余光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板41表面依序沉积一第一 金属层430、 一第二金属层432和 一 第三金属层434。该第一金 属层430的材料可以是钛、铬、钨、钼、氮化钼、氮化钽或氮 化钛等其中的一种或多种的组合，其与绝缘基板41具有良好的 附着力。该第二金属层432的材料是铜，其为低电阻材料。该 第三金属层434的材料可以是钛、铬、钨、钼、氮化钼、氮化 钽或氮化钛等其中的一种或多种的组合，其可以抗铜离子的扩 散。第一金属层430与第三金属层434可以是同一材料，也可 以是不同的材料。该第 一金属层430、第二金属层432和第三金 属层434是通过物理气相沉积而形成，如溅镀、蒸镀或分子束 外延等。该第一金属层430、第二金属层432和第三金属层434 厚度之和是该第一光致抗蚀剂层420和第二光致抗蚀剂层422 厚度之和的三分之一。沉积绝缘基板41表面的三层金属层，因 宽度自上而下递减的光致抗蚀剂层的阻挡，并且因其厚度小于 该第一光致抗蚀剂层420的厚度，所以靠近光致抗蚀剂层的金 属层渐渐变薄，从而该三层金属层宽度自上而下递增，并且边 缘是 一 光滑斜面。
步骤S14:请参阅图12，将绝缘基板41投入剥离液中，该 剥离液是丙酮。因为第 一 光致抗蚀剂层420和第二光致抗蚀剂 层422容易溶于剥离液，而第一金属层430、第二金属层432和 第三金属层434不容易溶于剥离液，所以沉积于第二光致抗蚀 剂层422表面的第 一金属层430、第二金属层432和第三金属层 434随第 一 光致抗蚀剂层420和第二光致抗蚀剂层422的溶解而 剥落。取出该绝缘基板41并清洗、吹干，该绝缘基板4 1表面 剩余的第一金属层430、第二金属层432和第三金属层434即为 栅极43 ，该栅极43宽度自上而下递增并且边缘是 一 光滑斜面。 步骤S 1 5 :请参阅图13，在该绝缘基板41上沉积 一 覆盖该
栅极43的栅极绝缘层44 ，该栅极绝缘层44是通过化学气相沉 积形成的氮化硅结构。
步骤S16:请参阅图14，在该栅极绝缘层44的表面沉积一 半导体材料和一第三光致抗蚀剂层(图未示)，并通过一掩膜(图 未示)对该第三光致抗蚀剂层进行曝光，并且显影曝光后的第 三光致抗蚀剂层，然后以剩余第三光致抗蚀剂层为屏蔽，通过 湿刻蚀方法刻蚀该半导体材料，进而形成 一 半导体层465 ,该半 导体材料是通过化学气相沉积形成的非晶硅结构。
步骤S17:请参阅图15,在该半导体层45与栅极绝缘层44 上沉积一源/漏极金属材料层和一第四光致抗蚀剂层(图未示)， 该源/漏极金属材料层是通过化学气相沉积形成的钼结构，通过 一掩膜(图未示)对该第四光致抗蚀剂层曝光，并且显影曝光 后的第四光致抗蚀剂层，然后以剩余第四光致抗蚀剂层为屏蔽， 通过湿刻蚀方法刻蚀该源/漏极金属材料层，形成 一 源极46和一 漏极47。
步骤S18:请参阅图16,在该栅4及绝缘层44、源极46和漏 极47上沉积 一钝化层48和一 第五光致抗蚀剂层(图未示)，通 过一掩膜(图未示)对该第五光致抗蚀剂层曝光，并且显影曝 光后的第五光致抗蚀剂层，然后以剩余第五光致抗蚀剂层为屏 蔽，通过湿刻蚀方法刻蚀该钝化层48,形成一连接孔480,该 连接孔480处曝露出该漏极46 ,进而完成薄膜晶体管的制造。
上述薄膜晶体管制造方法，是利用显影速率不同的二层光 致抗蚀剂层，使曝光显影后的剩余光致抗蚀剂层宽度自上而下 递减，在没有被剩余光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板4 1上形成由 三层金属构成的栅极43时，因宽度自上而下递减的剩余光致抗 蚀剂层的阻挡，并且因该栅极43厚度小于第 一 光致抗蚀剂层420 的厚度，所形成的栅极43宽度自上而下渐增并且边缘是一光滑 斜面，从而可以避免在该栅极43与栅极绝缘层44之间产生孔 洞，减少孔洞引起的栅极绝缘层44、源极46或漏极47的断裂， 进而减少薄膜晶体管的失效，提高薄膜晶体管制造方法的可靠
性。
然而，本发明的薄膜晶体管制造方法并不限于以上实施方
式所述，例如在绝缘基板41上形成的光致抗蚀剂层可以是三 层，该三层光致抗蚀剂的显影速率自上而下渐增且都是负光致 抗蚀剂；所形成的多层金属层也可以是四层。
权利要求
1.一种薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在于包括以下步骤提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余光致抗蚀剂层宽度自上而下递减；依序在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面沉积多层金属层；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层的具 体步骤包括将绝缘基板投入一剥离液中，该剥离液是丙酮；待 光致抗蚀剂层溶于剥离液且该光致抗蚀剂层上的多层金属层随之 剥落后，将该绝缘基板取出清洗并吹干。
3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该光致抗蚀剂层是两层，并且是显影速率自上而下渐增的正 光致抗蚀剂。
4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该光致抗蚀剂层是三层，并且是显影速率自上而下渐增的负 光致抗蚀剂。
5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该至少两光致抗蚀剂层的各光致抗蚀剂层厚度基本相同。
6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该多层金属层总厚度是该至少两光致抗蚀剂层总厚度的三分 之一。
7. 如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在 于该多层金属层包括三层金属层，该三层金属层离绝缘基板最 近的金属层的材料是钛、铬、鵠、钼、氮化钼、氮化钽或氮化钛； 离绝缘基板最远的金属层的材料是钛、铬、鴒、钼、氮化钼、氮 化钽或氮化钛；中间金属层的材料是铜。
8. —种薄膜晶体管制造方法，其特征在于包括以下步骤 提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而 下渐增的至少两光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩 余光致抗蚀剂层宽度自上而下递减；依序在光致抗蚀剂层和没有 被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面沉积多层金属层；移除该光 致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属 层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增；在该绝缘基板 上沉积一栅极绝缘层；沉积一半导体材料层，图案化该半导体材 料层，进而形成一半导体层；沉积一金属材料层，图案化该金属 材料层，进而形成一源极和一漏极；沉积一钝化层，图案化该钝 化层，进而形成一连接孔。
9. 如权利要求8所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于 该光致抗蚀剂层是两层，并且是显影速率自上而下渐增的正光致 抗蚀剂。
10. 如权利要求8所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于 该光致抗蚀剂层是三层，并且是显影速率自上而下渐增的负光致 抗蚀剂。
全文摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法，该薄膜晶体管制造方法包括以下步骤提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两层光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余的光致抗蚀剂层的宽度自上而下递减；依序沉积多层金属层在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增；沉积一栅极绝缘层；形成一半导体层；形成一源极和一漏极；沉积一钝化层并形成一连接孔。该薄膜晶体管制造方法可以减少在栅极与栅极绝缘层间产生孔洞，提高制造薄膜晶体管的可靠性。
文档编号H01L21/28GK101192527SQ200610156920
公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月17日 优先权日2006年11月17日
发明者颜硕廷 申请人:群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司