专利名称：可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构的制作方法
技术领域：
本实用新型是有关于一种控制结构，尤指一种可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，使该晶体管通过噪声抑制单元来降低高频电路中的噪声(SWITCHING NOISE)。
背前技术现有技术的晶体管结构如图5公知技术所示，其是于一芯片6上设置有二侧并排的导线架61，且该芯片6与导线架61之间是以黏着层62加以固接，并于该导线架61上以金线63与芯片6电性连接，之后再以一封胶体64封装于导线架61之间，藉以保护芯片6、金线63等内部的电子组件，且达成固定作用，进而提供电子产品折运用。
而由于目前高频电子产品于使用时均会产生电磁波及噪声(SWITCHING NOISE)的干扰，进而影响电子系统的稳定性，而常见的高频电路噪声包括有散弹噪声、闪烁噪声、突波噪声、热噪声、分配噪声...等，惟电磁干扰并不能完全以所使用的晶体管加以克服，尚必须搭配所使用的电子系统间的相互搭配设计，而高频电路噪声部份则可由晶体管端加以降低，因此，噪声的降低则取决于晶体管的结构，然而以上述现有技术的晶体管结构而言，并无任何可降低噪声的结构设计，故一般现有技术的晶体管结构并无法符合实际运用之所需。
发明内容
本实用新型之主要目的是在于，可藉由各导线架之间的噪声抑制单元，使该晶体管达到降低高频电路中的噪声(SWITCHING NOISE)效果。
本实用新型之另一目的是在于，通过封胶体的保护，将金属导线、噪声抑制单元与电极接点填充包覆之。
为达上述之目的，本实用新型是一种可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其包括含复数个电极接点的芯片；层叠于芯片上的金属层，各金属层与电极接点之间是以第一金属导线电性连接；又设置于各金属层上的导线架，各导线架与电极接点及各金属层之间是以第二、第三金属导线作电性连接；复数个噪声抑制单元，以电性连接于该导线架下方；以及至少一封胶体，可将金属层、导线架与导线间加以填充包覆封装。
所述的控制结构中该封胶体的材质为高分子热固性树酯(Thermosetting)。
该金属层为接地面。
该金属层为电源面。
该杂讯抑制单元为一电容。
该噪声抑制单元与该导线架之间是以焊锡作连。
相对的该金属层是延伸出一对凸缘，并将该杂讯抑制单元由焊锡固定于两凸缘之间。
该噪声抑制单元可直接与该金属层做电性连接。
本实用新型的有益效果是该控制结构包括一具有复数个电极接点的芯片；至少一层叠于该芯片上的金属层，各金属层与电极接点之间是以第一金属导线电性连接；又设置于各金属层上的导线架，各导线架与各电极接点及金属层之间是以第二金属导线电性连接；多数电性连接于各导线架间的噪声抑制单元；以及一封胶体将金属层、导线架与金属导线充填包覆并加以封装之。藉此，可使该晶体管利用噪声抑制单元来降低高频电路中的噪声。
图1，是本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构第一实施例俯视图。
图2，是本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构第二实施例俯视图。
图3，是本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构第三实施例俯视图。
图4，是本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构第四实施例俯视图。
图5，是现有技术。
组件标号对照(本实用新型部分)芯片1
电极接点11金属层2第一金属导线21第二金属导线22凸缘23缺口24导线架3第三金属导线32噪声抑制单元4封胶体5(习用部分)芯片6导线架61黏着层62金线63封胶体具体实施方式
以下由具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本实用新型之目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
请参阅图1所示，是为本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构第一实施例俯视图。如图所示本实用新型一种可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其是包含一芯片1、至少一金属层2、复数个导线架3、至少一噪声抑制单元4及一封胶体5所构成，可藉由噪声抑制单元4，使晶体管达到降低高频电路中的噪声(SWITCHING NOISE)。
上述所提的芯片1具有复数的电极接点11，各金属层2是叠于上述的芯片1上，且各金属层2与电极接点11之间是以第一金属导线21电性连接，藉以将各金属层2是可依所需定义为接地面或电源面。
各导线架3是设置于上述的各金属层2上，且各导线架3与各电极接点11及金属层2之间是以第二金属导线22电性连接。
各噪声抑制单元4是由焊锡电性连接于上述各导线架3下方，或与金属层2上方或下方，且各噪声抑制单元4是为一电容，以作为一去耦合电容或为一旁路电容，当各噪声抑制单元4设置时，是依所需将各金属层2定义为接地面或电源面，又复数个第三金属导线，将金属层2与导线架3进行电性连接。
请参阅图2，是为本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构第二实施例俯视图所示，相对的该金属层2是延伸出一对凸缘23，并将该噪声抑制单元4藉由焊锡固定于两凸缘23的底部，以降低该芯片1的噪声(SWITCHING NOISE)。该噪声抑制单元也可直接与该金属层做电性连接。
请参阅图3所示，是本实用新型第二实施例的使用状态俯视图，如图所示本实用新型的各噪声抑制单元4设置时，是依所需将各相邻的金属层2定义为接地面或电源面，之后将该噪声抑制单元4设置于二相邻金属层2之间，并以焊锡电性连接于各相邻的导线架3上，同样可达到降低高频电路中芯片1的噪声(SWITCHING NOISE)。
请参阅图4所示，是为本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构第四实施例俯视图。如图所示是依所需将二相邻的金属层2定义为接地面或电源面，且选定一侧金属层2，于该所选定的金属层2的端缘设置一缺口24，再将该噪声抑制单元4设置于该金属层2的缺口24中，并以焊锡电性连接于相对应的各导线架3下方，同样可达到降低高频电路中的芯片1噪声(SWITCHING NOISE)。
综上所述，本实用新型可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，可由各导线架间的噪声抑制单元，使该晶体管达到降低高频电路中的噪声(SWITCHING NOISE)，进而使本实用新型的产生能更进步、更实用、更符合使用者的所须，确已符合创作专利申请的要件，爰依法提出专利申请。
惟以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，当不能以此限定本实用新型实施的范围；故，凡依本实用新型申请专利范围及创作说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，都应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。
权利要求1.一种可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，其包括一芯片，该芯片具有复数个电极接点；复数个金属层，该金属层是以黏着于该芯片上，且该金属层与该电极接点之间是以一金属导线电性连接；复数个导线架，设置于该金属层上，且该导线架与该电极接点及该金属层之间是以该金属导线电性连接；至少一噪声抑制单元，该噪声抑制单元是电性连接于该导线架之间；以及一封胶体，将该金属层、该导线架与该金属导线填充包覆封装。
2.根据权利要求1所述的可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，该封胶体的材质为高分子热固性树酯(Thermosetting)。
3.根据权利要求1所述的可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，该金属层为接地面。
4.根据权利要求1所述的可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，该金属层为电源面。
5.根据权利要求1所述的可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，该杂讯抑制单元为一电容。
6.根据权利要求1所述的可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，该噪声抑制单元与该导线架之间是以焊锡作连。
7.根据权利要求1所述的可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，相对的该金属层是延伸出一对凸缘，并将该杂讯抑制单元由焊锡固定于两凸缘之间。
8.根据权利要求1所述的可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其特征在于，该噪声抑制单元可直接与该金属层做电性连接。
专利摘要本实用新型是一种可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构，其包括含一具有复数个电极接点的芯片；至少一层叠于该芯片上的金属层，各金属层与电极接点之间是以第一金属导线电性连接；又设置于各金属层上的导线架，各导线架与各电极接点及金属层之间是以第二金属导线电性连接；多数电性连接于各导线架间的噪声抑制单元；以及一封胶体将金属层、导线架与金属导线充填包覆并加以封装之。藉此，可使该晶体管利用噪声抑制单元来降低高频电路中的噪声(SWITCHING NOISE)。
文档编号H01L23/488GK2909530SQ200620007618
公开日2007年6月6日 申请日期2006年3月10日 优先权日2006年3月10日
发明者资重兴 申请人:资重兴