专利名称：加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜式半导体封装构造，特别是涉及一种加强角落引脚 接合强度的薄膜式半导体封装构造。
背景技术：
薄膜式半导体封装构造是具有超薄与轻量的优点,例如巻带式承载封装(tape carrier package, TCP)与薄膜:覆晶封装(Chip-On-Film package, COF)。然 而其作为晶片载体的基板在热膨胀系数上仍与半导体材质的晶片有所不 同，导致在热循环试验或实际运算时会产生内应力，引脚在应力可能集中 处容易断裂或接合不良。请参阅
图1及图2所示， 一种现有习知薄膜式半导体封装构造100包 含一基板110、 一晶片120以及一封胶体130。该基板IIO是具有一可挠性 介电层111及复数个引脚112,该可挠性介电层111是具有一如装置孔的晶 片接合区113，这些引脚112是延伸至该晶片接合区113。该晶片120是具 有复数个凸块121，其是接合于这些引脚112。该封胶体130是形成于该晶 片接合区113,以密封这些凸块121。然而在实际封装产品中，位于两侧的 引脚112会遭受较大应力，为应力集中区域，导致与其接合的凸块121断 裂。由此可见，上述现有的薄膜式半导体封装构造在结构与使用上，显然 仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相 关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被 发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相 关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的加强角落引脚接合强 度的薄膜式半导体封装构造,实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界 极需改进的目标。有鉴于上述现有的薄膜式半导体封装构造存在的缺陷，本发明人基于 从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运 用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的加强角落引脚接合强度的薄 膜式半导体封装构造，能够改进一般现有的薄膜式半导体封装构造，使其 更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后,终 于创设出确具实用价值的本发明。发明内容本发明的主要目的在于，克服现有的薄膜式半导体封装构造存在的缺 陷，而提供一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，所要解 决的技术问题是使其达到增强角落引脚的接合度，以增进薄膜式半导体封 装构造的产品可靠性。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明， 一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造主要包含一 基板、 一晶片以及一封胶体。该基板是具有一可挠性介电层、复数个引脚 以及至少一虚引脚，该可挠性介电层是具有一晶片接合区，这些引脚与该 虛引脚是贴附于该可挠性介电层并延伸至该晶片接合区内，且该虛引脚是 位于该晶片接合区的角隅。该晶片是具有复数个凸块，其是接合于这些引 脚及这些虚引脚。该封胶体是形成于该晶片接合区，以密封这些凸块。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。在前述的薄膜式半导体封装构造中，该虚引脚为Y形引脚。 在前述的薄膜式半导体封装构造中，该虚引脚为回圈形引脚。 在前述的薄膜式半导体封装构造中，该虚引脚是位于这些引脚的两侧。 在前述的薄膜式半导体封装构造中，该晶片接合区为一装置孔。 在前述的薄膜式半导体封装构造中，该晶片接合区是由 一防焊层的一 开孔所界定。在前述的薄膜式半导体封装构造中，该虚引脚的宽度是不小于这些引脚。在前述的薄膜式半导体封装构造中，该晶片的这些凸块是包含有至少一 虚凸块，以供该虚引脚的接合。经由上述可知，本发明一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封 装构造，主要包含一基板、 一具有复数个凸块的晶片以及一密封这些凸块的 封胶体。该基板是具有一可挠性介电层,、复数个引脚以及至少一虚引脚，该 可挠性介电层是具有一晶片接合区，这些引脚与该虚引脚是贴附于该可挠 性介电层并延伸至该晶片接合区内且该虚引脚是位于该晶片接合区的角 隅。借由该虚引脚可达到增强角落引脚的接合度及避免引脚受到应力而断 裂。借由上述技术方案，本发明加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造至少具有下列优点:本发明一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体 封装构造,借由虚引脚位于可挠性介电层的应力集中处且接合至晶片，可以 分担原施加于两侧引脚角隅处的内应力，即使断裂仍不会影响电性功能，达 到增强角落引脚的接合度，以增进薄膜式半导体封装构造的产品可靠性。综上所述，本发明新颖的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，能增强角落引脚的接合度，增进薄膜式半导体封装构造的产品可靠 性。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆 有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果,且较 现有的薄膜式半导体封装构造具有增进的突出功效，从而更加适于实用,并 具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易'lt，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细"i兌明如下。附图说曰月图1:现有习知薄膜式半导体封装构造的截面示意图。 图2:现有习知薄膜式半导体封装构造的顶面示意图。 图3:依据本发明的第一具体实施例， 一种加强角落引脚接合强度的薄 膜式半导体封装构造的截面示意图。图4:依据本发明的第一具体实施例，该薄膜式半导体封装构造在封胶 前的顶面示意图。图5:依据本发明的第一具体实施例，该薄膜式半导体封装构造沿第4 图A-A线剖切的截面示意图。图6:依据本发明的第二具体实施例，另一种加强角落引脚接合强度的 薄膜式半导体封装构造在封胶前且透视其可挠性介电层的顶面示意图。图7:依据本发明的第三具体实施例，另一种加强角落引脚接合强度的 薄膜式半导体封装构造在封胶前的顶面示意图。100:薄膜式半导体封装构造110:基板111:可挠性介电层112:引脚113:晶片接合区120:晶片121:凸块130:封胶体200:薄膜式半导体封装构造210:基板211:可挠性介电层212:引脚213:虚引脚214:晶片接合区220:晶片221:凸块222:虚凸块230:封胶体310:基板311:防焊层312:引脚313:虚引脚314:晶片接合区320:晶片321:凸块322:虚凸块410:基板 ，411:可挠性介电层412:引脚 413:虚引脚414:曰，片接合区 420:晶片421:凸块 422:虚凸块具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以 下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的加强角落引脚接合强度的 薄膜式半导体封装构造其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明 如后。图3、图4及图5是有关于本发明的第一具体实施例所揭示的一种加强 角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造。请参阅图3及图4所示， 一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体 封装构造200主要包含一基板210、 一晶片220以及一封胶体230。该基板 210是具有一可挠性介电层211、复数个引脚212以及至少一虛引脚213，该 可挠性介电层211是具有一晶片接合区214，这些引脚212与该虚引脚213 是贴附于该可挠性介电层211,可直接贴附或利用一黏着层(图未绘出)达到 黏接，并延伸至该晶片接合区214内且该虚引脚213是位于该晶片接合区 214的角隅(如图4所示)。通常该可挠性介电层211的材质可选用聚亚酰胺 (polyimide， PI)、聚酯(polyester， PET)或其他材料。在本实施例中，该薄膜式 阜导体封装构造200为巻带式承载封装(tape carrier package, TCP)型态，该 晶片接合区214为一装置孔(图未绘出)，其是贯通该基板210。在不同实施 例中，该薄膜式半导体封装构造200亦可应用于薄膜覆晶封装(COF)。如图4及图5所示，该虚引脚213是排列于该可挠性介电层211的应 力可能集中处， 一般是位于这些引脚212的两侧，接近该晶片接合区214 的角隅。在本实施例中，该虚引脚213为直条状，其宽度是不小于这些引 脚212的宽度，其为额外附设且无电性功能的引脚。该晶片220是具有复数个凸块221,其是接合于这些引脚212及这些虚 引脚213。如图4及图5所示，该晶片220的这些凸块221是包含有至少一 虚凸块222,.以供该虚引脚213的接合。在本实施例中，该虛凸块222是位 于该晶片220的一主动面的角隅处。此外，该封胶体230是形成于该晶片 接合区214,以密封这些凸块221,并提供适当的封装保护以防止电性短路 与尘埃污染。因此，该虚引脚213与该虚凸块222的接合可作为内应力集中引起引 脚断裂前的译险机构，即使该虚引脚213产生断裂亦不会影响该薄膜式半 导体封装构造200的电性连接传输。借以增强角落引脚的接合度，提升薄膜式半导体封装构造200的产品可靠性。在本发明的第二具体实施例中，配合参阅图6所示，揭示另一种加强角 落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，主要包含一基板310、 一晶片320 以及一封胶体(图未绘出)。该基板310是具有一可挠性介电层、复数个引脚 312以及至少一虛引脚313,该可挠性介电层是具有一晶片接合区314,这些引 脚312与该虚引脚313是贴附于该可挠性介电层并延伸至该晶片接合区314 内且该虚引脚313是位于该晶片接合区314的角隅。在本实施例中，该半 导体封装构造为薄膜覆晶封装(Chip-On-Film package, COF)型态，该晶片接 合区314是由一防焊层311的一开孔所界定,而这些引脚312与该虚引脚313 延伸至该晶片接合区314内的部位仍贴附于可挠性介电层。该防焊层311 是形成于该基板310上且覆盖这些引脚312的一部份与该虚引脚313的一 部份，能防止在晶片接合区314外的这些引脚312外露被污染而短路。该 晶片320是具有复数个凸块321，其是接合于这些引脚312及这些虚引脚 313。该晶片320的这些凸块321是包含有复数个虚凸块322,以供该虚引 脚313的接合。较佳地，该虚引脚313为Y形引脚，其是配置于应力可能 集中处，并该虚引脚313于Y形分叉的两端各接合一虚凸块322,以增强 该虚引脚313抗应力防断裂的功效。在本发a月的第三具体实施例中，请配合参阅图7所示，揭示另一种加强 角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，主要包含一基板410、 一晶片 420以及一封胶体(图未绘出)。该基板410是具有一可挠性介电层411、复 数个引脚412以及至少一虚引脚413。该可挠性介电层411是具有一晶片接 合区414,其可为一贯通的装置孔。这些引脚412与该虚引脚413是贴附于 该可挠性介电层411并延伸至该晶片接合区414内且该虚引脚413是位于 该晶片接合区414的角隅。该晶片420是具有复数个凸块421，其是接合于 这些引脚412及这些虚引脚413。该晶片420的这些凸块421是包含有复数 个虚凸块422，以供该虚引脚413的接合。在本实施例中，该虛引脚413为 回圈形引脚，每一回圏形虚引脚413可以接合至少两个虚凸块422。另，该 封胶体是形成于该晶片接合区414，以密封这些凸块421。因此，该虚引脚 413的位置与接合关系可以分担该薄膜式半导体封装构造中施加于这些引 脚412的内应力，避免这些引脚412在两侧的应力集中处发生断裂，以提 升产品可靠性。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用 上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是 未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作 的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内
权利要求
1. 一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，其特征在于其包含一基板，其是具有一可挠性介电层、复数个引脚以及至少一虚引脚，该可挠性介电层是具有一晶片接合区，这些引脚与该虚引脚是贴附于该可挠性介电层并延伸至该晶片接合区内且该虚引脚是位于该晶片接合区的角隅；一晶片，其是具有复数个凸块，其是接合于这些引脚及这些虚引脚；以及一封胶体，其是形成于该晶片接合区，以密封这些凸块。
2、 根据权利要求1所述的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造，其特征在于其中所述的虚引脚为Y形引脚。
3、 根据权利要求1所述的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造，其特征在于其中所述的虚引脚为回圏形引脚。
4、 根据权利要求1所述的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造，其特征在于其中所述的虛引脚位于这些引脚的两侧。
5、 根据权利要求1所述的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造，其特征在于其中所述的晶片接合区为一装置孔。
6、-根据权利要求1所述的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造，其特征在于其中所述的晶片接合区是由一防焊层的一开孔所界定。
7、 根据权利要求1所述的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造，其特征在于其中所述的虛引脚的宽度是不小于这些引脚。
8、 根据权利要求1所述的加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装 构造，其特征在于其中所述的晶片的这些凸块是包含有至少一虛凸块，以 供该虚引脚的接合。
全文摘要
本发明是有关于一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，主要包含一基板、一具有复数个凸块的晶片以及一密封这些凸块的封胶体。该基板是具有一可挠性介电层、复数个引脚以及至少一虚引脚，该可挠性介电层是具有一晶片接合区，这些引脚与该虚引脚是贴附于该可挠性介电层并延伸至该晶片接合区内且该虚引脚是位于该晶片接合区的角隅。借由该虚引脚可达到增强角落引脚的接合度及避免引脚受到应力而断裂。
文档编号H01L23/31GK101231992SQ20071000264
公开日2008年7月30日 申请日期2007年1月24日 优先权日2007年1月24日
发明者沈弘哲, 沈更新 申请人:南茂科技股份有限公司