专利名称：晶片背面平坦化的方法及提高光刻工艺线宽一致性的方法
晶片背面平坦化的方法及提高光刻工艺线宽一致性的方法 技术领域 '
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶片背面(Wafer Backside )的平坦化方法及^^高光刻工艺线宽一致性的方法。
背景技术：
随着半导体集成电路制造工艺的日益进步，线宽越做越小，光刻工 艺的工艺窗口也越来越小，这给光刻工艺的维护带来了较大的困难，也 提高了对半导体晶片的平坦度的要求。
在半导体集成电路制造工艺中，半导体晶片是由单晶硅4t切割而成；
完成切割后，还需要进行抛光处理，以形成平坦度较高的半导体晶片(棵 片，Bare Wafer)。然后，通过光刻、刻蚀、沉积、离子注入、平坦化等 一系列的制造工艺，在半导体晶片上形成集成电路。其中，半导体晶片 质量对形成的集成电路的稳定性、可靠性等具有较大的影响，特别是对 光刻工艺，需要半导体晶片具有较高的平坦度。
在制造半导体晶片(棵片)时，正面的平坦度一般较好，能够满足 半导体器件制造工艺的需要。然而，有时在制造半导体晶片时会造成半 导体晶片背面平坦度较差的问题，这会影响半导体集成电路的制造工艺。
对于半导体晶片背面平坦度差的缺陷， 一方面会造成光刻工艺在整 个半导体晶片表面的线宽的一致性变差，使光刻工艺窗口减小；另一方 面，由于半导体晶片在传送中需要用机械手臂通过真空吸附半导体晶片 背面，若半导体晶片背面平坦度较差，机械手臂吸附力会下降或难以吸 附，会影响半导体晶片的传送，易产生掉片的问题。
目前，通过腐蚀液清洗、研磨等方法可以对半导体晶片背面平坦化 的方法有。在公开号为CN1577756A的中国专利申请文件中，公开了一种 晶片背面的研磨制程。该方法利用机械研磨的方法减小晶背的厚度。机 械研磨一般会减小晶背1微米或以上的厚度，而对于小于5000埃或甚至小 于几百埃的膜层，物理研磨无法控制研磨这么小的厚度。在腐蚀液清洗的方法中，将腐蚀液喷洒到半导体晶片背面的中央位 置，然^旋转该半导体晶片，使得腐蚀液铺满整个半导体晶片背面，腐 蚀液对半导体晶片背面进行腐蚀清洗，以此对半导体晶片背面进行平坦 化。通过腐蚀液腐蚀的方法虽然可以较为准确控制半导体晶片背面被腐 蚀去除的厚度，然而，由于腐蚀液同时对整个半导体晶片背面进行腐蚀， 不能对半导体晶片平坦度不满足要求的区域进行选择性平坦化。
发明内容
本发明提供一种半导体晶片背面的平坦化方法及提高光刻工艺线 宽一致性的方法，本发明可对半导体晶片平坦度不满足要求的区域进行 选择性平坦化。
本发明提供的一种晶片背面平坦化的方法，包括 提供半导体晶片；测量所述半导体晶片背面的平坦度；确定半导体 晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的平坦度满足要求 需要去除的厚度；根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足 要求区域部分厚度的材料。
可选的，通过曝光i殳备的水准测量传感器测量所述半导体晶片背面 平坦度。
可选的，通过曝光设备的水准测量传感器测量所述半导体晶片背面 平坦度的步骤如下
将所述半导体晶片置于曝光机的曝光支撑台上；
打开曝光设备的水准测量传感器，测量所述半导体晶片表面不同位 置相对于该曝光设备的成像透镜的聚焦平面的距离，获得半导体晶片背 面不同区域的平坦度。
可选的，将所述半导体晶片置于曝光支撑台上时，所述半导体晶片 正面朝向所述成像透镜或背面朝向所述成像透镜。
可选的，通过湿法刻蚀或干法刻蚀去除半导体晶片背面平坦度不满 足要求区域部分厚度的材料。
可选的，在去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度材料时，用光刻胶保护所述半导体晶片背面平坦度满足要求的区域。
可选的，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材 料的步骤如下
在所述半导体晶片背面旋涂光刻胶层；
用小于或等于光刻胶曝光能量阈值的不同能量对所述光刻胶层不 同区域进行选择性曝光，其中，曝光能量与平坦度成反比，对于半导体 晶片背面平坦度最大的区域，对该区域的光刻胶层曝光能量为该光刻胶
层的曝光能量阈值，对平坦度满足要求的区域，曝光能量为零；
完成曝光后，对所述光刻胶层显影，去除已曝光区域部分厚度或全 部厚度的光刻胶层；
对所述光刻胶层和半导体晶片背面执行刻蚀工艺，去除平坦度不满 足要求区域部分厚度的材料。
可选的，所述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。
可选的，所述刻蚀为湿法刻蚀，该湿法刻蚀的腐蚀液为氪氟酸溶液。 可选的，进一步包括去除所述光刻胶层。
可选的，进一步包括再次测量所述半导体晶片背面的平坦度，并 判断平坦度是否满足要求。
相应的，本发明还提供一种提高光刻工艺线宽一致性的方法，包括 提供半导体晶片；测量所述半导体晶片背面的平坦度；确定半导体 晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的平坦度满足要求 需要去除的厚度；根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足 要求区域部分厚度的材料；在所述半导体晶片正面形成光刻胶层，图形 化所述光刻胶层，形成光刻胶图案。
可选的，通过曝光设备的水准测量传感器测量所述半导体晶片背面 平坦度。
可选的，通过湿法刻蚀或干法刻蚀去除半导体晶片背面平坦度不满 足要求区域部分厚度的材料。可选的，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材
料的步骤如下
在所述半导体晶片背面旋涂光刻胶层；
用小于或等于光刻胶曝光能量阈值的不同能量对所述光刻胶层不 同区域进行选择性曝光，其中，曝光能量与平坦度成反比，对于半导体 晶片背面平坦度最大的区域，对该区域的光刻胶层曝光能量为该光刻胶 层的曝光能量阔值，对平坦度满足要求的区域，曝光能量为零；
完成曝光后，对所述光刻胶层显影，去除已曝光区域的部分厚度或 全部厚度的光刻胶层；
对所述光刻胶层和半导体晶片背面执行刻蚀工艺，去除平坦度不满 足要求区域部分厚度的材料。
可选的，所述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。
可选的，所述刻蚀为湿法刻蚀，该湿法刻蚀的腐蚀液为氬氟酸溶液。 与现有技术相比，上述技术方案中的其中 一个具有以下优点
通过测量半导体晶片背面平坦度，获得半导体晶片背面的平坦度， 然后根据所述的平坦度有选择性的对半导体晶片背面进行刻蚀，使所述 半导体晶片背面平坦度提高，满足半导体集成电路工艺的需要，所述的 方法中不会影响平坦度满足要求的区域；
上述技术方案中的其中一个具有如下优点根据获得的半导体晶片 背面不同区域的平坦度信息，用小于或等于光刻胶曝光能量阈值的不同 能量对光刻胶层进行选择性曝光，然后执行显影工艺，使平坦度最低区 域的光刻胶层被去除，其它区域形成厚度不同的光刻胶层，然后执行刻 蚀工艺，可以根据半导体晶片背面平坦度的不同，选择性的去除不同厚 度的材料，使半导体晶片背面平坦度满足要求。
图1为本发明的晶片背面平坦化的方法的实施例的流程图； 图2为半导体晶片的正^L图3具有水准测量传感器曝光设备的成像系统的示意图；图4为具有起伏背面的半导体晶片的剖面示意图5为在图4所示的半导体晶片背面形成光刻胶层后的剖面示意
图6为图5所示的光刻胶层曝光显影后的剖面示意图； 图7为对图6所示的半导体衬底执行刻蚀工艺后的剖面示意图； 图8为本发明的提供光刻工艺线宽一致性的方法实施例的流程图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
半导体集成电路的制造工艺是通过光刻、刻蚀、沉积、平坦化等一 系列的工艺在硅或其它半导体材料形成的半导体晶片上形成半导体器 件的过程。由于在光刻工艺中，对半导体晶片的平坦度要求较高，因而 需要提供具有较高平坦度的棵片，特别随着光刻工艺分辨率的不断提 高，聚焦深度(Depth Of Focus， DOF)越来越小，对平坦度的也提出 了更高的要求。半导体晶片表面具有高的平坦度，不仅可以在较小的聚 焦深度时提高工艺的稳定性，也可以提高对线宽、套准等光刻工艺参数 的控制能力，还可以提高光刻工艺中曝光视场(Field Size)的面积、提 高产量。因而提高半导体晶片表面的平坦度具有重要的意义。其中，所 述平坦度包括半导体晶片正面平坦度和背面平坦度。
本发明提供一种晶片背面平坦化的方法。图l为本发明的晶片背面 平坦化的方法的实施例的流程图。
如图1所示，步骤S100,提供半导体晶片。其中，所述半导体晶 片可以是棵片或具有中间产品的半导体晶片。
步骤S110，测量所述半导体晶片背面的平坦度。步骤S120，确定 半导体晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算该区域需要去除的厚
度。步骤S130，根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足 要求区域部分厚度的材料。
下面结合剖面图对所述的晶片背面平坦化方法的实施例进行详细 描述。如图2所述，提供半导体晶片10,所述半导体晶片IO为棵片。所
述半导体晶片io的材质可以是单晶硅、非晶硅、多晶硅中的一种。
由于在半导体晶片IO的制造过程中，可能会引起背面平坦度不满
足要求，在半导体集成电路制造前，可先测量该半导体晶片10背面平坦度。
在其中的一个实施例中，通过光刻工艺中的曝光设备的水准探测传
感器(Level Sensor， LS )的来测量所述半导体晶片10背面平坦度。 其主要原理如下
如图3所示，曝光设备的水准探测传感器包括两个激光光源14a和 14b，以及两个探测器18a和18b。分别位于所述曝光设备晶片支撑台 (Wafer Table) 12的两侧，成像透镜16位于所述晶片支撑台12的正上 方。在所述成像透镜12上方具有掩模板支撑台(图未示)；其中，所述 激光光源14a发出的光束投射在所述晶片支撑台12上，待所述晶片支 撑台12上放置有半导体晶片时，所述的光束投射在所述半导体晶片表 面后被反射至所述的探测器18a;激光光源14b发出的光束投射到成像 透镜16的底面后^^射后投射至所述纟果测器18b。
在所述的掩模板支撑台上放置掩模板，在晶片支撑台12上放置半 导体晶片，曝光光源发出的光经过准直之后投射到掩模板上，穿过掩模
板和成像透镜16后，投射在半导体晶片的光刻胶上，使光刻胶被感光， 便实现了掩模板上的版案向半导体晶片的光刻胶上的复制。在执行 所述复制之前，需要先通过所述的水准:探测传感器探测所述半导体晶片 待感光区域是否处于所述成像透镜16的聚焦位置，以及该待感光区域 的表面是否具有起伏等状况，以便于在曝光过程中进行补偿。
利用所述的水准探测传感器测量半导体晶片10的背面平坦度时， 将半导体晶片IO置于晶片支撑台12上，如图3所示，可以正面朝向所 述成像透镜16,也可以背面朝向所述成像透镜16;所述晶片支撑台12 表面具有真空孔，可吸附所述半导体晶片12。本实施例中以背面朝向所 述半导体晶片10为例进行说明。打开激光光源14a和14b,激光光源14a发出的光束I投射到所述 半导体晶片IO表面后被反射至所述探测器18a,激光光源14b发出的光 束II投射到成像透镜16的底面被反射后至所述:^笨测器18b,其中，激 光光源14a发出的光束为参考光束。两束反射光#1探测器18a和18b接 收后进行处理，判断光束I和II的距离差，以此获得半导体晶片10表 面被探测区域表面的起伏状况；移动所述晶片支撑台12,测量半导体晶 片10背面不同的区域，获得整个半导体晶片10背面的起伏状况 (Topography),并计算平坦度。
测量所述半导体晶片IO背面平坦度，并记录所述半导体晶片10背 面不同区域的起伏状况。例如，可以获得用不同的灰度级或颜色表示半 导体晶片IO背面的起伏状况的示意图。
完成测量后，判断半导体晶片10背面的平坦度是否满足要求，特 别是满足光刻工艺的要求，若整个半导体晶片IO背面所有区域均满足
要求，则进行正常工序。
若半导体晶片10背面有的区域平坦度不满足要求，根据获得的半 导体晶片10背面的起伏状况，确定不满足要求的区域，并计算若要该
区域的平坦度满足要求需要去除的厚度。
一般的，平坦度是否满足要求根据该半导体晶片上待制造的产品的 关键层(例如栅极)需要的光刻工艺决定，也就是说，如果半导体晶片 背面足够的平坦，而不会使待制造产品的关键层的光刻工艺造成影响 (例如，影响线宽分布，影响光刻工艺窗口等)，则认为平坦度满足要 求，若半导体晶片背面不平坦，会造成待制造产品的关键层光刻工艺线 宽分布变差、工艺窗口减小等问题，则认为平坦度不满足要求。
判断平坦度是否满足要求，可以由半导体晶片背面不同位置与该半 导体晶片背面最低点位置的高度差来判断，若所述的高度差大于阔值 (该阈值为刚好能够使待制造产品关键层的光刻工艺满足要求时的高
度差)，则平坦度不满足要求；若等于或小于所述的阈值，则平坦度满 足要求。若要使平坦度不满足要求的区域满足要求，仅需要去除平坦度 不满足要求的位置部分厚度的材料，使该位置与最低点的高度差达到阈值或小于阈值即可。
图4为半导体晶片IO剖面示意图，如图4所示，所述半导体晶片 10背面20具有起伏，其中，所述半导体晶片10背面区域22由于起伏 过大而不满足平坦度的要求，因而需要去除较高的部分，计算该区域需 要去除的厚度h,若去除区域22的h厚度后，该区域平坦度满足要求， 若所述半导体晶片IO背面其它区域也满足要求，则整个半导体晶片10 背面平坦度满足要求。
获得所述半导体晶片10背面平坦度不满足要求区域22以及该区域 需要去除的厚度h后，去除所述半导体晶片10背面区域22厚度为h的 材料，以使整个半导体晶片IO背面满足平坦度要求。
在其中的一个实施例中，通过湿法刻蚀去除半导体晶片背面平坦度 不满足要求区域部分材料。
由于已经定位出半导体晶片20不满足要求区域22,将腐蚀液喷头 移动至该区域22上方，向该区域22表面喷出腐蚀液，有针对性的对该 区域22进行腐蚀，去除厚度为h的材料。在对区域22执行湿法刻蚀时， 也可以用光刻胶或其它材料保护平坦度满足要求的其它区域。其中，若 半导体晶片IO材质为硅时，可以采用氢氟酸作为腐蚀液。
在另外的实施例中，采用干法刻蚀去除平坦度不满足要求区域的h 厚度的材料。其具体步骤如下
在所述半导体晶片10背面旋涂光刻胶层24;如图5所示，
根据所述半导体晶片10背面不同区域的平坦度信息，用小于或等 于光刻胶曝光能量阈值的不同能量对光刻胶层24进行选择性曝光，其 中，曝光能量与平坦度成反比，也就是说，平坦度越高，曝光的能量越 小，平坦度越低，曝光的能量越小，平坦度满足要求的区域曝光能量可 以为零，即不必对该区域执行曝光工艺，对于半导体晶片10背面平坦
度最大的区域，对该区域的光刻胶层24曝光能量为该光刻胶层24的曝 光能量阈值；其目的是为了使平坦度最小的区域被露出来或平坦度较小 的区域上的光刻胶层24减薄，以便于后续对该区域进行刻蚀，去除部分厚度的半导体晶片IO的材料。
完成曝光后，对所述光刻胶显影，去除已曝光区;是的部分厚度的光
刻胶或全部的光刻胶，如图6所示，区域22由于平坦度最低，因而用 较高的能量曝光，显影后，去除了全部的光刻胶层24,其它平坦度不满 足要求的区域由于曝光能量不足，只能去除部分厚度的光刻胶层24,形 成如图6的光刻胶层24a。
接着，对所述光刻胶层24a和半导体晶片IO背面执行等离子体刻 蚀，去除平坦度不满足要求区域部分的材料。由于平坦度不满足要求区 域光刻胶层已经被去除或部分去除，被完全去除的部分，等离子可直接 进行刻蚀，而光刻胶部分被去除的部分，待光刻胶;〖皮去除后在对半导体 晶片10背面执行刻蚀，使得平坦度不满足要求区域部分材料被去除， 且去除的厚度根据平坦度的大小而不同。
完成刻蚀后，去除所述光刻胶层24a,如图7所示。 所述的实施例中，首先测量半导体晶片10背面平坦度，获得背面 的平坦度信息，然后根据所述的平坦度信息有选择性的对半导体晶片10 背面进行刻蚀，使所述半导体晶片IO背面平坦度提高，满足半导体集 成电路制造工艺的需要，所述的方法中不会影响平坦度满足要求的区 域。
在执行刻蚀工艺后，还可以再次测量所述半导体晶片10背面的平 坦度，并判断平坦度是否满足要求，若不满足要求，可再次执行所述的 工艺，直至平坦度满足要求。
本发明还提供一种提高光刻工艺线宽一致性的方法，图8为本发明 的提供光刻工艺线宽 一致性的方法实施例的流程图。
如图8所示，步骤S200,提供半导体晶片.
步骤S210，测量所述半导体晶片背面的平坦度。
在其中的一个实施例中，可以通过曝光设备的水准测量传感器测量 所述半导体晶片背面平坦度。
步骤S220,确定半导体晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的平坦度满足要求需要去除的厚度。
步骤S230, 4艮据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足
要求区域部分厚度的材料。
通过湿法刻蚀干法刻蚀去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区 域部分材料。
在其中 一个实施例中，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域
部分材料的步骤如下在所述半导体晶片背面旋涂光刻胶层；
用小于或等于光刻胶曝光能量阈值的不同能量对所述光刻胶层不 同区域进行选择性曝光，其中，曝光能量与平坦度成反比，对于半导体 晶片背面平坦度最大的区域，对该区域的光刻胶层曝光能量为该光刻胶 层的曝光能量阈值，对平坦度满足要求的区域，曝光能量为零；
完成曝光后，对所述光刻胶层显影，去除已曝光区域的部分厚度或 全部厚度的光刻胶层；
对所述光刻胶层和半导体晶片背面执行刻蚀工艺，去除平坦度不满 足要求区域部分厚度的材料。所述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。若所述 刻蚀为湿法刻蚀，该湿法刻蚀的腐蚀液可以为氩氟酸溶液。
步骤S240,在所述半导体晶片正面形成光刻胶层，图形化所述光 刻胶层，形成光刻胶图案。
通过所述的方法可提高半导体晶片背面的平坦度，进而可提高在半 导体正面形成的光刻胶图案的线宽的一致性。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明， 任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能 的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的 范围为准。
权利要求
1、一种晶片背面平坦化的方法，其特征在于，包括提供半导体晶片；测量所述半导体晶片背面的平坦度；确定半导体晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的平坦度满足要求需要去除的厚度；根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材料。
2、 如权利要求1所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于通 过曝光设备的水准测量传感器测量所述半导体晶片背面平坦度。
3、 如权利要求2所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于，通 过曝光设备的水准测量传感器测量所述半导体晶片背面平坦度的步骤 ^口下将所述半导体晶片置于曝光^/L的曝光支撑台上；打开曝光设备的水准测量传感器，测量所述半导体晶片表面不同位 置相对于该曝光设备的成像透镜的聚焦平面的距离，获得半导体晶片背 面不同区域的平坦度。
4、 如权利要求3所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于将 所述半导体晶片置于曝光支撑台上时，所述半导体晶片正面朝向所述成 像透镜或背面朝向所述成像透镜。
5、 如权利要求1所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于通 过湿法刻蚀或干法刻蚀去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部 分厚度的材料。
6、 如权利要求5所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于在 去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度材料时，用光刻胶保护所述半导体晶片背面平坦度满足要求的区域。
7、 如权利要求1所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于，去 除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材料的步骤如下在所述半导体晶片背面旋涂光刻胶层；用小于或等于光刻胶曝光能量阈值的不同能量对所述光刻胶层不 同区域进行选择性曝光，其中，曝光能量与平坦度成反比，对于半导体 晶片背面平坦度最大的区域，对该区域的光刻胶层曝光能量为该光刻胶层的曝光能量阈值，对平坦度满足要求的区域，曝光能量为零；完成曝光后，对所述光刻胶层显影，去除已曝光区域部分厚度或全 部厚度的光刻胶层；对所述光刻胶层和半导体晶片背面执行刻蚀工艺，去除平坦度不满 足要求区域部分厚度的材料。
8、 如权利要求7所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于所 述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。
9、 如权利要求7所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于所 述刻蚀为湿法刻蚀，该湿法刻蚀的腐蚀液为氢氟酸溶液。
10、 如权利要去7所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于，进 一步包括去除所述光刻胶层。
11、 如权利要求1所述的晶片背面平坦化的方法，其特征在于进 一步包括再次测量所述半导体晶片背面的平坦度，并判断平坦度是否 满足要求。
12、 一种提高光刻工艺线宽一致性的方法，其特征在于，包括 提供半导体晶片；测量所述半导体晶片背面的平坦度；确定半导体晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的 平坦度满足要求需要去除的厚度；根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分 厚度的材料；在所述半导体晶片正面形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层，形成 光刻胶图案。
13、 如权利要求12所述的提高光刻工艺线宽一致性的方法，其特 征在于通过曝光设备的水准测量传感器测量所述半导体晶片背面平坦 度。
14、 如权利要求12所述的提高光刻工艺线宽一致性的方法，其特 征在于通过湿法刻蚀或干法刻蚀去除半导体晶片背面平坦度不满足要 求区域部分厚度的材料。
15、 如权利要求12所述的提高光刻工艺线宽一致性的方法，其特 征在于，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材料的 步骤如下在所述半导体晶片背面旋涂光刻胶层；用小于或等于光刻胶曝光能量阈值的不同能量对所述光刻胶层不 同区域进行选择性曝光，其中，曝光能量与平坦度成反比，对于半导体 晶片背面平坦度最大的区域，对该区域的光刻胶层曝光能量为该光刻胶 层的曝光能量阈值，对平坦度满足要求的区域，曝光能量为零；完成曝光后，对所述光刻胶层显影，去除已曝光区域的部分厚度或 全部厚度的光刻胶层；对所述光刻胶层和半导体晶片背面执行刻蚀工艺，去除平坦度不满 足要求区域部分厚度的材料。
16、 如权利要求15所述的提高光刻工艺线宽一致性的方法，其特 征在于所述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。
17、 如权利要求15所述的提高光刻工艺线宽一致性的方法，其特 征在于所述刻蚀为湿法刻蚀，该湿法刻蚀的腐蚀液为氢氟酸溶液。
全文摘要
晶片背面平坦化的方法，包括提供半导体晶片；测量所述半导体晶片背面的平坦度；确定半导体晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的平坦度满足要求需要去除的厚度；根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材料。本发明还提供一种提高光刻工艺线宽一致性的方法。本发明可对半导体晶片平坦度不满足要求的区域进行选择性平坦化。
文档编号H01L21/66GK101459096SQ20071009456
公开日2009年6月17日 申请日期2007年12月13日 优先权日2007年12月13日
发明者杨光宇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司