专利名称：超小型电力变换装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及将电源IC芯片等固定在线圈基板上的超小型电力变换装置及其制造方法。
技术背景用于微电源的DC-DC变换器(DC-DC converter)等的现有的超小 型电力变换装置具有以倒装片接合(flip chip bonding)或者粘合材料 将电源IC芯片固定(安装)在线圈基板上后利用金线(接合线)进行 连线以模制树脂进行密封的构造。在图17中表示出以粘合材料接合的 现有的超小型电力变换装置的构造。此外，图17 (a)是主要部分的平 面图，图17 (b)是在图17 (a)的X-X线切断的主要部分的剖面图， 此外，在图17 (a)中还表示出磁通量65、 66。形成有第一、第二线圈导体54、 55和第一、第二外部电极57、 58 以及第一、第二连接导体56、 59的线圈基板200，在铁氧体(ferrite) 基板51中利用喷砂法(sand blast)开设出周围由铁氧体基板51包围 的第一、第二贯通孔52、 53后，为了在该第一、第二贯通孔52、 53 的侧面形成第一、第二连接导体56、 59和为了在铁氧体基板51的表 面背面形成第一、第二线圈导体54、 55和第一、第二外部电极57、 58 而进行镀Cu处理。这里，在铁氧体基板51的中央部分形成第一贯通 孔52，在铁氧体基板51的外周部分以周围由铁氧体基板51包围的方 式形成第二贯通孔53，在第二贯通孔53的周围形成第一、第二外部电 极，周围由铁氧体基板51包围。此外，在图中的标号中，60是电源IC 芯片，61是平头电极(pad electrode), 62是粘合材料，63是接合线 (bonding wire), 64是模制树脂。此外，如果根据专利文献l，则记载有将电源IC芯片倒装片接合 在线圈基板上的超小型电力变换装置，揭示出通过使构成平面型螺线 管线圈的线圈导体的长度相对磁性绝缘基板(铁氧体基板)的宽度在
预定值以上来提高电感的情形。专利文献l:日本特开2004-274004号专利公报在上述图17的构造中，如图17 (a)所示，因为在铁氧体基板51 的第二贯通孔53中形成的第二连接导体59和第一、第二外部电极57、 58的外侧的铁氧体基板51中都通过磁通量66 (通过内侧的磁通量为 65)，所以在第二连接导体59的上下发生与振荡频率同步的感应电动 势(噪声(noise))，发生微电源误动作的不合适情况。为了解决这种不合适情况，如图18所示的线圈基板300那样，因 为设置有在铁氧体基板71的侧面露出且贯通铁氧体基板71的隙缝状 的第二贯通孔73 (长贯通孔)而形成第一、第二外部电极77、 78，由 第一、第二外部电极77、 78和第二连接导体79截断通过其外侧的磁 通量，磁通量85通过内侧，所以在第二连接导体79中发生的感应电 动势变小，能够减少噪声。此外，图18 (a)是主要部分的平面图，图 18 (b)是在图18 (a)的X1-X1线切断的主要部分的剖面图，图18 (c)是在图18 (a)的X2-X2线切断的主要部分的剖面图。此外，图 中的80是电源IC芯片，81是平头电极，82是粘合材料，83是接合线。但是，在图18的构造中，在固定着电源IC芯片80—侧的铁氧体 基板71的表面上直到铁氧体基板71的外端部形成镀有金(Au)的第 一外部电极77，当利用模制树脂84进行密封时，将模制树脂84放置 在该第一外部电极77上，因为粘合性显著地低的模制树脂84和第一 外部电极77的接合部露出在外部，所以从第一外部电极77和模制树 脂84的外端部界面进入湿气而损害耐湿性。此外，在专利文献l中，因为如图18所示，直到铁氧体基板的端 部形成外部电极，所以与图18的情形同样耐湿性不好。发明内容本发明的目的在于解决上述问题，提供一种实现通过减少通过外 部电极和第二连接导体的外侧的磁通量降低噪声，而且不损害模制树 脂的固定性，在耐湿性方面卓越的超小型电力变换装置及其制造方法。为了实现上述目的，本发明的一种超小型电力变换装置，包括 具有线圈和外部电极的线圈基板、固定在该线圈基板的表面侧上的电
源IC芯片、以及覆盖上述线圈基板的表面侧和上述电源IC芯片的表 面侧的树脂(模制树脂)，其中，上述线圈基板具有磁性绝缘基板、在该磁性绝缘基板的表面背面 的中央部分形成的线圈导体、和在上述磁性绝缘基板的表面背面的周 边部分形成的外部电极，通过用第一连接导体连接在上述磁性绝缘基 板的表面背面上形成的上述线圈导体构成线圈，通过用第二连接导体 连接在上述磁性绝缘基板的表面背面上形成的上述外部电极，在上述 磁性绝缘基板的表面侧利用该磁性绝缘基板包围该第二连接导体，在 该磁性绝缘基板的背面侧露出上述第二连接导体的侧面。此外，上述磁性绝缘基板也可以是铁氧体基板。此外，也可以利用绝缘性粘合材料将上述线圈基板的表面侧和上述电源IC芯片的背面侧固定起来，利用接合线将在上述电源IC芯片的表面上形成的平头电极和在上述线圈基板的表面侧形成的外部电极 电连接起来。此外，可以经过柱状突起将在上述线圈基板的表面侧形成的外部电极和在上述电源IC芯片的背面侧形成的平头电极固定起来。此外，本发明的一种超小型电力变换装置的制造方法，是包括磁性绝缘基板、固定在该磁性绝缘基板的表面侧的电源IC芯片、以及覆 盖上述磁性绝缘基板的表面侧和上述电源IC芯片的表面侧的树脂的超小型电力变换装置的制造方法，其包括从所述磁性绝缘基板的表面侧向内部形成多个第一孔，在该第一 孔的周围，以夹着成为位置线的直线而成为相互线对称的位置上所形成的两个第二孔作为1组，沿所述直线形成多组所述第二孔的步骤；在上述磁性绝缘基板的背面侧，从投影上述第一孔的位置向内部 形成与上述第一孔连接的第三 L，在该第三孔周围，在包含投影上述l 组两个的第二孔的位置，形成与上述1组两个的第二孔连接的细长的 第四孔的步骤；在上述磁性绝缘基板的表面背面上形成连结不同的上述第一孔之 间和不同的上述第二孔的线圈导体，在上述第一孔和第三孔的侧壁中 形成连接在上述表面背面中形成的线圈导体的第一连接导体，在上述 磁性绝缘基板的表面侧，在从成为上述位置线的地方离开并且与该位
置线成为线对称的位置上，沿该位置线形成多组包含上述第二孔、由 上述磁性绝缘基板所包围、两个1组的表面侧的外部电极，在上述背 面侧，形成包含投影上述1组两个的第二孔的位置的至少一部分的背 面侧的外部电极(在投影上述第二孔的位置处形成，包含投影第二孔 得至少一部分)，在上述第二孔和第四孔的侧壁中形成与在上述表面背面中分别形成的各个外部电极连接的第二连接导体的步骤；在上述磁性绝缘基板的表面侧连接上述电源IC芯片的步骤；利用上述树脂覆盖上述磁性绝缘基板的表面侧和上述电源IC芯片 的表面侧的步骤；和沿着由构成上述组的表面侧的两个外部电极所夹之处的上述位置 线，切断上述磁性绝缘基板和上述树脂的步骤。此外，可以通过蒸涂或溅射等形成钛(TO膜(0.1pm)和在该钛 膜上形成铜(Cu)膜(lpm)，或者用无电解电镀等形成铜膜(lpm)， 在该籽晶层上用电解电镀等形成比上述铜膜厚的铜膜(35pm 65pm)， 制作上述外部电极。而且，为了防止腐蚀，可以在厚的铜膜上形成镍 (Ni)膜(2nm)，在该镍膜上形成金(Au)膜(lpm)。如果根据本发明，则能够形成在用模制树脂密封的表面侧的铁氧 体基板面中，形成用铁氧体基板包围四周的第二孔、在背面侧的铁氧 体基板面中露出侧面，形成达到该第二孔的第四孔(长孔)，与第二孔 合起来作为第二贯通孔，形成用铁氧体基板包围第二孔四周的第一外 部电极，在第四孔的四周形成第二外部电极，通过在第二贯通孔的侧 壁上形成将第一、第二外部电极电连接起来的第二连接导体，大幅度 地减少通过第一、第二外部电极和第二连接导体的外侧的磁通量，达 到降低噪声的目的，而且，通过将用模制树脂密封的面的端部作为铁 氧体基板面防止降低固定性，并且耐湿性方面卓越的超小型电力变换 装置。
图l是本发明的第一实施例的超小型电力变换装置的构成图，(a) 是表面侧的主要部分平面图，(b)是在(a)的X-X线切断的主要部分 剖面图。
图2是本发明的第一实施例的超小型电力变换装置的构成图，(a)是背面侧的主要部分平面图，(b)是在(a)的A-A线切断的主要部分剖面图。图3是表示图1的线圈基板的表面侧的磁通量的平面图。 图4是表示图1的线圈基板的背面侧的磁通量的平面图。 图5是表示在图1的线圈基板的第一、第二外部电极之间发生的感应电动势(感应电压)的图。图6是用在电源IC芯片10a的平头电极24上形成的柱状突起25与第一外部电极7连接的主要部分剖面图。图7是本发明的第二实施例的超小型电力变换装置的主要部分制造步骤图。图8是接着图7的本发明的第二实施例的超小型电力变换装置的 主要部分制造步骤图。图9是接着图8的本发明的第二实施例的超小型电力变换装置的 主要部分制造步骤10是在接着图9的本发明的第二实施例的超小型电力变换装置 的主要部分制造步骤图中线圈基板的表面侧的平面图。图11是在接着图9的本发明的第二实施例的超小型电力变换装置 的主要部分制造步骤图中线圈基板的背面侧的平面图。图12是在图10、图11的X-X线切断的主要部分剖面图。图13是图12的D部分放大图。图"是接着图10 图13的本发明的第二实施例的超小型电力变换装置的主要部分制造步骤图。图15是接着图14的本发明的第二实施例的超小型电力变换装置的主要部分制造步骤图。图16是接着图15的本发明的第二实施例的超小型电力变换装置的主要部分制造步骤图。图17是已有的超小型电力变换装置的构成图，(a)是主要部分平 面图，(b)是在(a)的X-X线切断的主要部分剖面图。图18是现有技术的其他超小型电力变换装置的构成图，(a)是主 要部分平面图，(b)是在(a)的X1-X1线切断的主要部分剖面图，(c) 是在(a)的X2-X2线切断的主要部分剖面图。
标号说明1铁氧体基板2第一贯通孔(through hole)3第二贯通孔4第一线圈(coil)导体5第二线圈导体6第一连接导体7第一外部电极8第二外部电极9第二连接导体10、 10a电源IC芯片(chip)11、 24 平头电极(衰减电极pad electrode)12 粘接材料(adhesive)13 接合线(bonding wire)14 模制树脂(molding resin) 21、 22 磁通量23 隙缝单元 25 柱状突起31 位置线(划线scribe line)32 第一孔33 区域34 第二孔35 第三孔36 第四孔37 电镀籽晶层(plating seed layer) 100线圈基板具体实施方式
通过下面的实施例对实施方式进行说明。实施例1图1、图2是本发明的第一实施例的超小型电力变换装置的构成
图，图1 (a)是表面侧的主要部分平面图，图1 (b)是在图1 (a)的 X-X线切断的主要部分剖面图，图2 (a)是背面侧的主要部分平面图， 图2 (b)是在图2 (a)的A-A线切断的主要部分剖面图。图l、图2 模式地表示构成超小型电力变换装置的线圈基板100，主要部分剖面图 的上部是表面侧，下部是背面侧。该线圈基板100由铁氧体基板1、第 一、第二线圈导体4、 5、第一连接导体6、第一、第二外部电极7、 8 和第二连接导体9构成。此外，图中的虚线还表示出电源IC芯片10 和模制树脂14。在铁氧体基板1的中央部分形成螺线管状的线圈，以包围该线圈 的方式在铁氧体基板1的外周部分形成有多个外部电极。线圈由铁氧 体基板1的表侧(以下，也记作表面侧)的第一线圈导体4和铁氧体 基板1的背侧(以下，也记作背面侧)的第二线圈导体5和连接这些 线圈导体4、5的在第一贯通孔2的侧壁上形成的第一连接导体6构成。 此外，外部电极以在铁氧体基板1的周边部分包围上述线圈的方式， 由在铁氧体基板1的表侧形成的第一外部电极7和在铁氧体基板1的 背侧形成的第二外部电极8构成。通过在第二贯通孔3的侧壁上形成 的第二连接导体9将这些第一、第二外部电极7、 8连接起来。这里使 用的铁氧体基板1的比导磁率(specific permeability)约为100。第一连接导体6，如图1 (a)和图2 (a)所示，周围由铁氧体基 板1包围，另一方面，第二连接导体9，如图2 (a)、图2 (b)和图l (b)所示，在铁氧体基板1的表侧被铁氧体基板1包围，但是在背侧 在铁氧体基板l的侧面露出。第二连接导体9，如图1 (b)和图2 (b) 所示，铁氧体基板1的厚度方向的大致上半部分在铁氧体基板1内形 成，下半部分在铁氧体基板1侧面露出。铁氧体基板1的比导磁率为 100，因为在侧面露出的第二连接导体9由铜形成，所以它的比导磁率 为l，而且侧面开出空间，空气的比导磁率为l。因为磁通量通过比导 磁率高、即磁阻小的铁氧体基板1，所以在铁氧体基板1的下半部分没 有通过第一外部电极7和第二连接导体9外侧的磁通量。因此，通过 铁氧体基板1的上半部分的第一外部电极7和第二连接导体9外侧的 磁通量，因为铁氧体基板1的厚度成为一半所以磁阻增大，磁通量变 得比图17的现有线圈基板200的情形少，能够达到减少噪声的目的。
在图l (b)中，经过粘合材料将电源IC芯片IO的背面固定在线圈基板100的表侧的形成第一线圈导体4的区域上，通过接合线13连 接表侧的平头电极11和第一外部电极7，并覆盖模制树脂14。这样，第一外部电极7形成在铁氧体基板1的内侧，在铁氧体基 板1的全部外周部分直接连接着铁氧体基板1的表面和模制树脂14。 因此，在铁氧体基板1的外周部分不会降低与模制树脂14的粘合性， 能够防止耐湿性的降低。图3、图4是表示线圈基板的磁通量的平面图，分别为图3是表示 在线圈基板的表侧的磁通量的平面图，图4是表示在线圈基板的背侧 的磁通量的平面图。如图3所示，在铁氧体基板1的上半部分中，存在通过第一外部 电极7的外侧的磁通量21和通过内侧的磁通量22。另一方面，如图4 所示，在铁氧体基板1的下半部分中，第二外部电极8的外侧，被第 二连接导体9和隙缝单元23遮断，没有磁通量21,只有通过内侧的磁 通量22。因此，通过第一外部电极7的外侧的磁通量21，与在已有的 线圈基板200中通过第一外部电极57的外侧的磁通量66比较，大致 减少一半。结果，在第一外部电极7和第二外部电极8之间(第二连 接导体9的两端)发生的感应电压(噪声)变小。图5是表示在图1的线圈基板的第一、第二外部电极之间发生的 感应电动势(感应电压)的图。a、 b、 c、 d是特定第一、第二外部电 极7、 8的位置的记号(位置记号)(请参照图4)。该图是当在线圈中流过50mA，在频率2.5MHz进行开关时，在表 面的第一外部电极7和背面的第二外部电极8之间发生的感应电压。 横轴是外部电极的位置记号，纵轴是感应电压。为了参考还表示出已 有线圈基板200的情形。本发明的线圈基板100，与已有线圈基板200 比较，能够使感应电压降低大约一半，使噪声减少一半。此外，在图1中，表示出通过接合线13将第一外部电极7和电源 IC芯片10的平头电极11连接起来的情形，但是如图6所示，也能够 将本发明应用于通过在电源IC芯片10a的平头电极24上形成的柱状 突起25与第一外部电极7连接的情形。但是，这时必须使电源IC芯 片10a与铁氧体基板1的大小一致，失去了对电源IC芯片10a的大小ii
的自由度，使电源IC芯片10a变得比必需的大，增加了制造成本。 此外，在本实施例中，直到铁氧体基板1的外周端形成背侧的第二外部电极8，但是也可以与表侧同样用铁氧体基板1包围外周部分。可是，这时也以第二外部电极8侧的第二连接导体9在铁氧体基板1的侧面露出的方式形成。此外，在该实施例中，将第一、第二外部电极7、 8配置在铁氧体基板l的外周部分的四方，但是也可以配置在X轴方向的外周部分(2列)。实施例2图7到图16是本发明的第二实施例的超小型电力变换装置的制造 方法，是以步骤顺序表示的主要部分制造步骤图。首先，为了在图7 (a)所示的外形是边长为100mm的正方形、板 厚为525pm的铁氧体基板1中形成外部电极和线圈形成用贯通孔，而 利用未图示的光致抗蚀剂对铁氧体基板1的表面和背面进行光刻，形 成图7 (b)那样的图案。因为这时的光致抗蚀剂需要能够耐得住喷砂 的强度，所以使用lOO)iim厚的干膜(dryfilm)。接着，如图7 (b)、 (c) 所示，通过喷砂，从铁氧体基板1的表面，开设出周围由铁氧体基板1 包围，用于形成第一连接导体6的多个第一孔32、和在包围该第一孔 32群的区域33的外侧将1对第二孔34作为1组的多组第二孔34，使 其深度达到铁氧体基板1的厚度的一半以上。该形成为对的第二孔34， 夹着以虚线表示的位置线(划线)31而呈线对称地配置。此外，图7 (a)是铁氧体基板1全体的平面图，图7 (b)是表示在图7 (a)的B 部分放大图中以虚线的位置线31包围的区域成为线圈基板100的地方 的平面图，图7 (c)是在图7 (b)的X-X线切断的主要部分剖面图。其次，如图8所示，从铁氧体基板1的背面，利用喷砂法分别开 设出周围由铁氧体基板1包围的多个第三孔35、和跨过形成为上述对 的上述两个第二孔34的呈细长隙缝状的第四孔36 (长孔)，使其深度 达到上述第一、第二孔32、 34的底部，从而形成第一、第二贯通孔2、 3 (在图8中没有画出第一贯通孔2)。若上述第四孔36的深度过深， 则在沿位置线31切断铁氧体基板1时，容易使切断面缺损，因此，优 选使第二贯通孔3不露出的铁氧体基板1的厚度(铁氧体基板当初的厚度一为了形成第四孔36用喷砂法挖出的深度)在200jum以上。此外， 图8 (a)是将图7 (b)的X-X线作为轴进行旋转，翻转图7 (b)的 平面图，图8 (b)是在图8 (a)的X-X线切断，使表面在上而背面在 下的剖面图。其次，如图9所示，在剥离未图示的光致抗蚀剂并洗净后，通过 蒸镀或者溅射在铁氧体基板1的表面和背面以及第一、第二贯通孔2、 3的侧面形成0.1nm的Ti (钛)膜，并在该Ti (钛)膜上形成lpm的 Cu(铜)膜，作为电镀籽晶层37。也可以利用无电解镀Cu处理形成lnm 的Cu膜作为该电镀籽晶层37。此外，图9是图8 (b)的C部分放大 图。下面，如图IO、图ll、图12和图13所示，为了形成第一、第二 线圈导体4、 5和第一、第二外部电极7、 8以及第一、第二连接导体6、 9，而利用未图示的干膜通过光刻进行图案形成。用于形成与第二连接 导体9连接的第一、第二外部电极7、 8的图案形成，是在表侧在第二 孔34周围的干膜中开口，在背侧在第四孔36周围的干膜中开口。此 后，通过电解电镀在电镀籽晶层37上形成35 65jum厚的Cu膜，为 了在该Cu膜的表面上防止厚的Cu膜的腐蚀，在厚的Cu膜上通过电 镀形成作为腐蚀防止膜的Ni膜(2pm)和Au膜(lpm)。因此，形成 了由电镀籽晶层37、厚的Cu膜和腐蚀防止膜构成的第一、第二线圈 导体4、 5和第一、第二外部电极7、 8以及第一、第二连接导体6、 9。 接着，在剥离干膜后，将第一、第二线圈导体4、 5和第一、第二外部 电极7、 8作为掩模利用药液蚀刻不要的电镀籽晶层37，在铁氧体基板 1上形成多个线圈基板100。此外，图10是铁氧体基板1的表侧的平 面图，图ll是铁氧体基板l的背侧的平面图，图12是在图10、图ll 的X-X线切断的剖面图，上侧是表侧，下侧是背侧。此外，图13是图 12的D部分放大图。下面，如图14所示，利用粘合材料12将电源IC芯片10固定在 各个线圈基板100上，利用接合线13连接第一外部电极7和平头电极 11。该粘合材料12是绝缘性粘合材料。但是，也可以是使用绝缘性保 护膜覆盖与电源IC芯片10的线圈基板100固定的面，在该面上覆盖 有与线圈基板100固定的粘接材料(不管是导电性还是绝缘性)的两
层绝缘性粘接材料等。或者，如图6所示，也可以将在电源IC芯片10a 的平头电极上形成的柱状突起25和第一外部电极7接合起来。 下面，如图15所示，利用模制树脂14进行密封。 下面，沿着位于形成为组的一对第二孔34之间不形成第一外部电 极7的中间线上的以图15虚线表示的位置线31 (切断线)切断模制树 脂14和铁氧体基板1。结果，在如图16(与图1、图2相同)所示的 铁氧体基板1的表侧周边部分成为铁氧体基板1，在铁氧体基板1的背 侧在其侧面露出第二连接导体9，形成搭载有电源IC芯片10的线圈基 板100。将未图示的电容等固定在搭载有该电源IC芯片10的线圈基板 100上形成超小型电力变换装置。在上述的制造方法中，铁氧体基板1也可以是圆形的。此外，也 可以通过激光加工形成贯通孔。这时上述干膜中需要的光刻使不要的 步骤简略化。
权利要求
1.一种超小型电力变换装置，其特征在于，包括具有线圈和外部电极的线圈基板、固定在该线圈基板的表面侧上的电源IC芯片、以及覆盖所述线圈基板的表面侧和所述电源IC芯片的表面侧的树脂，其中，所述线圈基板具有磁性绝缘基板、在该磁性绝缘基板的表面背面的中央部分形成的线圈导体、和在所述磁性绝缘基板的表面背面的周边部分形成的外部电极，通过用第一连接导体连接在所述磁性绝缘基板的表面背面上形成的所述线圈导体构成线圈，通过用第二连接导体连接在所述磁性绝缘基板的表面背面上形成的所述外部电极，在所述磁性绝缘基板的表面侧利用该磁性绝缘基板包围该第二连接导体，在该磁性绝缘基板的背面侧露出所述第二连接导体的侧面。
2. 根据权利要求l所述的超小型电力变换装置，其特征在于 所述磁性绝缘基板是铁氧体基板。
3. 如权利要求1或2所述的超小型电力变换装置，其特征在于 利用绝缘性粘合材料将所述线圈基板的表面侧和所述电源IC芯片的背面侧固定起来，通过接合线将在所述电源ic芯片的表面上形成的 平头电极和在所述线圈基板的表面侧形成的外部电极电连接起来。
4. 如权利要求1或2所述的超小型电力变换装置，其特征在于 经过柱状突起将在所述线圈基板的表面侧形成的外部电极和在所述电源IC芯片的背面侧形成的平头电极固定起来。
5. —种超小型电力变换装置的制造方法，其特征在于 是包括磁性绝缘基板、固定在该磁性绝缘基板的表面侧的电源IC芯片、以及覆盖所述磁性绝缘基板的表面侧和所述电源IC芯片的表面 侧的树脂的超小型电力变换装置的制造方法，其包括从所述磁性绝缘基板的表面侧向内部形成多个第一孔，在该第一 孔的周围，以夹着成为位置线的直线而成为相互线对称的位置上所形 成的两个第二孔作为1组，沿所述直线形成多组所述第二孔的步骤；在所述磁性绝缘基板的背面侧，从投影所述第一孔的位置向内部 形成与所述第一孔连接的第三孔，在该第三孔周围，在包含投影所述l 组两个的第二孔的位置，形成与所述1组两个的第二孔连接的细长的 第四孔的步骤；在所述磁性绝缘基板的表面背面上形成连结不同的所述第一孔之 间和不同的所述第二孔的线圈导体，在所述第一孔和第三孔的侧壁中 形成连接在所述表面背面中形成的线圈导体的第一连接导体，在所述 磁性绝缘基板的表面侧，在从成为所述位置线的地方离开并且与该位 置线成为线对称的位置上，沿该位置线形成多组包含所述第二孔、由 所述磁性绝缘基板所包围、两个1组的表面侧的外部电极，在所述背 面侧，形成包含投影所述1组两个的第二孔的位置的至少一部分的背 面侧的外部电极，在所述第二孔和第四孔的侧壁中形成与在所述表面 背面中分别形成的各个外部电极连接的第二连接导体的步骤；在所述磁性绝缘基板的表面侧连接所述电源IC芯片的步骤；利用所述树脂覆盖所述磁性绝缘基板的表面侧和所述电源IC芯片 的表面侧的步骤；和沿着由构成所述组的表面侧的两个外部电极所夹之处的所述位置 线，切断所述磁性绝缘基板和所述树脂的步骤。
6.如权利要求5所述的超小型电力变换装置的制造方法，其特征 在于通过作为籽晶层形成钛膜和在该钛膜上形成铜膜，或者只形成铜 膜，在该籽晶层上形成比所述铜膜厚的铜膜，制作所述外部电极。
全文摘要
本发明提供一种实现通过减少通过外部电极和第二连接导体外侧的磁通量来降低噪声，并且不损害模制树脂的固定性、在耐湿性方面卓越的超小型电力变换装置及其制造方法。通过线圈基板(100)的第二连接导体(9)在铁氧体基板1的端部的侧壁露出下半部分，由铁氧体基板(1)围住第一外部电极(7)的外周部，能够减少通过第二连接导体外侧的磁通量，提高模制树脂(14)的固定性，达到提高耐湿性的目的。
文档编号H01L25/04GK101110293SQ20071011254
公开日2008年1月23日 申请日期2007年6月20日 优先权日2006年6月20日
发明者横山岳, 臼井吉清 申请人:富士电机电子设备技术株式会社