专利名称：Tft lcd像素结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)，尤其涉及薄膜晶体管显 示器的像素结构及其制造方法。
背景技术：
现在的TFT-LCD工厂里，对于阵列的制造多采用5mask工艺。其具体 处理过程是
首先，使用；兹控溅射方法，在玻璃阵列基板上制备一层厚度在IOOOA至 7000A的栅金属薄膜，栅金属材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼鴒合金、 铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合，用栅极掩膜版通过 曝光工艺和化学腐蚀工艺，在玻璃阵列基板的一定区域上将栅金属薄膜刻蚀 形成一定图案，该图案包括栅极扫描线、栅极。
而后，利用化学汽相沉积的方法在完成片册极扫描线和栅4及的图案的阵列 基板上淀积IOOOA到6000A的栅极绝缘层薄膜，作为栅极绝缘层。栅极绝缘 层的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，再利用化学气相
沉积的方法连续淀积ioooA到6000A的有源层薄膜和1000A到6000A的欧 姆接触层。用有源层掩膜版通过曝光技术和干法刻蚀技术对欧姆接触层和有 源层薄膜进行刻蚀，形成硅岛，此时栅金属和有源层薄膜之间的栅极绝缘层 起到了阻挡刻蚀的作用，硅岛位于栅极上。
然后，采用和制备栅金属薄膜类似的方法，在阵列基板上用磁控溅射方 法沉积一层类似于栅金属的厚度在ioooA到7000A金属薄膜，信号线金属层， 再通过源、漏极的掩膜版在栅金属薄膜上采用曝光技术和化学腐蚀技术刻蚀
形成信号线、源极和漏极；
随后，用和制备栅极绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个阵列基板
上采用化学汽相沉积方法沉积一层厚度在ioooA到6000A的钝化层，其材料 通常是氮化硅，再通过钝化层掩膜版，利用曝光技术在钝化层上刻蚀形成过 孔，过孔在漏极上。
最后，釆用磁控'减射方法淀积形成像素电极层，使用像素电极的掩膜版， 通过曝光刻蚀工艺，形成像素电极。像素电极通过漏极上的过孔与信号金属 层的漏极相连。常用的透明像素电极为IT0，厚度在ioo人至ioooA之间
综上所述，现有技术中一共需要沉积栅金属层、栅绝缘层、有源层、欧
姆接触层、信号线金属层、钝化层和像素电极层7层。需要做栅极Mask，有 源层Mask，信号层Mask，钝化层mask和像素电极层Mask共5次。
现有技术需要沉积7次薄膜，做5次mask(对5mask工艺而言).工艺繁 瑣，浪费材料。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的缺陷，提供一种TFT LCD像素结构 及其制造方法。本发明通过前后仅沉积了 5次薄膜，做了 4次mask，得到TFT LCD像素结构，从而简化工艺流程，提高材料的利用率，减少浪费。
为了实现上述目的，本发明提供一种TFT LCD像素结构，包括
一基板；
一栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极，形成在所述基板上，其中栅 扫描线或信号线在所述栅扫描线与信号线交叉的位置处断开；
一绝缘层，覆盖在所述栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极上方，并 在所述栅扫描线或信号线断开位置的两端形成栅扫描线或信号线的连接过 孔；在所述漏极上方的绝缘层上形成有漏极与像素电极连接的过孔；在所述 源极和漏极上形成有源漏极与欧姆接触层连接的过孔；
一有源层和欧姆接触层，依次形成在所述栅极上方的绝缘层上，且所述
欧姆接触层通过所述源漏极与欧姆接触层连接的过孔与所述源极和漏极连
接；
一像素电极，形成在所述栅扫描线和信号线交叉后定义的像素单元的绝 缘层上，并通过所述漏极与像素电极连接的过孔与漏极连接； 一欧姆4妄触层的保护层，形成在所述欧姆接触层上方； 一沟道，截断所述欧姆接触层；以及
一栅扫描线或信号线的连接线，通过所述栅扫描线或信号线的连接过孔 将断开的栅扫描线或信号线连接起来。
上述方案中，所述栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极的材料相同。 所述栅扫描线或信号线的连接线、欧姆接触层的保护层和像素电极的材料相 同。所述栅扫描线或信号线的连接线下方的绝缘层上保留有有源层和欧姆接 触层。所述柵扫描线、栅极、信号线、源极或漏极的材料为钼、铝、铝镍合 金、钼钨合金、铬或铜。所述绝缘层的材料为氧化物、氮化物或者氧氮化合 物。
为了实现上述目的，本发明同时提供一种TFT LCD像素结构的制造方法， 包括
步骤1，使用磁控賊射方法，在基板上制备一层金属薄膜，通过构图形 成栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极，其中所述栅扫描线或信号线在栅 扫描线与信号线交叉的位置处断开；
步骤2，利用化学气相沉积的方法在完成步骤1的基板上连续沉积的绝 缘层薄膜和有源层薄膜，构图形成栅扫描线或信号线连接过孔、源漏极与欧 姆接触层连接过孔和漏极与像素电极连接过孔，其中所述绝缘层起到阻挡刻 蚀的作用；接着，用干刻的方式将所述栅扫描线或信号线连接过孔、源漏极 与欧姆接触层连接过孔和漏极与像素电极连接过孔中棵露着的绝缘层刻蚀 掉，露出所述栅扫描线或信号线连接过孔、源漏极与欧姆接触层连接过孔和 漏极与像素电极连接过孔下方的栅扫描线或信号线、源极和漏极；
步骤3,用化学气相沉积的方法在完成步骤2的基板上沉积欧姆接触层 薄膜，构图形成欧姆接触层的硅岛，使所述欧姆接触层通过所述源漏极与欧 姆接触层连接过孔同所述源极和漏极连接；
步骤4，在完成步骤3的基板上沉积一层透明电极材料层，构图形成像 素电极、欧姆接触层的保护层，以及栅扫描线或信号线连接线，其中使所述 像素电极通过所述漏极与像素电极连接过孔与所述漏极连接起来；使所述栅 扫描线或信号线连接线通过所述栅扫描线或信号线连接过孔将断开的栅扫描 线与信号线连接起来；使所述欧姆接触层的保护层将所述欧姆接触层的中间 部分露出来，并用干刻的方法将暴露在外的欧姆4妄触层刻蚀掉。
上述方案中，所述步骤3中构图形成欧姆接触层的硅岛的同时，在所述 栅扫描线或信号线连接过孔之间构图形成连接线图形并露出栅扫描线或信号 线连接过孔，并在所述步骤4中使构图形成栅扫描线或信号线连接线位于所 述连接线图形的上方。所述步骤1构图形成栅扫描线、对册极、信号线、源极 和漏极的材料为钼、铝、铝镍合金、钼鴒合金、铬、或铜。所述步骤2中沉 积的绝缘层薄膜的材料为氧化物、氮化物或者氧氮化合物。
相对于现有技术需要沉积7次薄膜，做5次mask (对5mask工艺而言).工 艺繁瑣，浪费材料而言，本发明仅沉积了一次金属层和一次绝缘层，使用了 4次掩膜版，大大的减少了材料消耗，缩短工艺流程，P条低了 TFT的生产成 本。
图1是本发明TFT LCD像素结构具体实施例1的俯视图； 图2是图1中A-A，部位的截面图； 图3是图1中B-B，的部位的截面图4是本发明具体实施例1的制作方法中第一层金属层构图完成后的俯
视图5是图4中A-A，部位的截面图； 图6是图4中B-B，的部位的截面图7是本发明具体实施例1的制作方法中沉积绝缘层和有源层后构图完 成后的俯^L图8是图7中A-A，部位的截面图； 图9是图7中B-B，的部位的截面图10是本发明具体实施例1的制作方法中刻蚀掉过孔处绝缘层后的俯
视图11是图10中A-A，部位的截面图； 图12是图10中B-B，的部位的截面图13是本发明具体实施例1的制作方法中沉积欧姆接触层后构图完成 后的俯一见图14是图13中A-A，部位的截面图； 图15是图13中B-B'的部位的截面图16是本发明具体实施例1的制作方法中沉积透明电极层后构图完成 后的俯视图17是图16中A-A，部位的截面图18是图16中B-B，的部位的截面图19是本发明TFT LCD像素结构具体实施例2的俯视图20是图19中A-A，部位的截面图21是图19中B-B，的部位的截面图22是本发明具体实施例2的制作方法中第一层金属层构图完成后的 俯视图23是图22中A-A，部位的截面图； 图24是图22中B-B，的部位的截面图25是本发明具体实施例2的制作方法中沉积绝缘层和有源层后构图
完成后的俯^L图26是图25中A-A，部位的截面图； 图27是图25中B-B，的部位的截面图28是本发明具体实施例2的制作方法中刻蚀掉过孔处绝缘层后的俯
视图29是图28中A-A'部位的截面图； 图30是图28中B-B，的部位的截面图31是本发明具体实施例2的制作方法中沉积欧姆接触层后构图完成 后的俯视图32是图31中A-A，部位的截面图； 图33是图31中B-B，的部位的截面图34是本发明具体实施例2的制作方法中沉积透明电极层后构图完成 后的俯视图35是图34中A-A，部位的截面图； 图36是图34中B-B，的部位的截面图。
图中标识1、 信号线；2、栅扫描线；3、源极；4、漏极；5、栅极； 6、绝缘层；7、 栅扫描线连接过孔；71、信号线连接过孔；8、源漏极与欧 姆接触层连接的过孔；9、漏极与像素电极连接的过孔；10、欧姆接触层；11、 像素电极；12、栅扫描线连接线；121、信号线连接线；13、欧姆接触层的 保护层；14、有源层；15、沟道。
具体实施例方式
下面结合
和首选具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。 实施例1
图1是本发明TFT LCD像素结构具体实施例1的俯^L图；图2是图1中 A-A，部位的截面图；图3是图1中B-B，的部位的截面图。如图1、图2和图3
所示，本发明的像素结构包括基板，形成在基板上的栅扫描线2和信号线 1，栅扫描线2和信号线1处于同一层结构中，且栅扫描线2在与信号线1交 叉的位置处断开，在断开的栅扫描线2的两端形成有绝缘层6的栅扫描线连 接过孔7，断开的^)f扫描线2通过栅扫描线连接过孔7和^J扫描线连接线12 实现连接。栅扫描线2和信号线1交叉定义一个像素单元，每一像素单元包 括薄膜晶体管器件和像素电极11。其中薄膜晶体管器件包括栅极5 (为栅 扫描线2的分支)；源极3;漏极4 (与数据线3为一体)；绝缘层6，覆盖栅 极5、源极3和漏极4等金属层结构的上方起绝缘作用，且在源极3和漏极4 上方的绝缘层上形成有源漏极与欧姆接触层连接的过孔8,在漏极4上方的 绝缘层上形成有漏极与像素电极连接的过孔9;有源层14和欧姆接触层10， 依次形成在栅极5上的绝缘层6上，且欧姆接触层10通过源漏极与欧姆接触 层连接的过孔8与源漏极连接；沟道15，截断欧^f接触层10;欧姆接触层的 保护层13，覆盖在欧姆接触层IO之上。像素电极ll通过漏极与像素电极连 接的过孔9与漏极4进行连接。
上述栅扫描线连接线12、欧姆接触层的保护层13与像素电极11的材料 相同，且可进一步在栅扫描线连接线12的下方保留有有源层14和欧姆接触 层10，这样可加大栅扫描线连接线12与信号线1之间的距离，减少寄生电 容的产生；而且保留下面的有源层或和欧姆接触层，会使连接线的下面尽量 平坦，否则容易断线。作为替代方案，栅扫描线连接线12的下方也可不保留 有源层14和欧姆接触层10。
上述信号线l、源极3与漏极4、栅扫描线2和栅极5的材料可以为钼、 铝、铝镍合金、钼鴒合金、铬、或铜等金属。绝缘层材料通常是氮化硅，也 可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
上述TFT LCD阵列基板可以通过下面的方法制造完成。
首先，使用磁控溅射方法，在玻璃基板上制备一层厚度在IOOOA至7000A 的金属薄膜。该金属材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜
等金属。也可以使用上述几种材料薄膜的组合。用掩膜版通过曝光工艺和化
学腐蚀工艺，在玻璃基板的一定区域上形成栅扫描线2 (该栅扫描线2被信 号线l分割成一段一段的，后工序中会利用透明导电材料将其连接起来)、栅 极5、信号线l、源极3和漏极4的图案，完成制作后的一个像素区域的俯视 图如图4所示，其A-A，部位和B-B，部位的截面图分别如图5和图6所示。
然后，利用化学气相沉积的方法在阵列基板上连续淀积IOOOA到6000A 的绝缘层6薄膜和IOOOA到6000A的有源层14薄膜。绝缘层材料通常是氮化 硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用有源层的掩膜版进行曝光后对有源 层薄膜进行刻蚀，形成栅扫描线连接过孔7、源漏极与欧姆接触层连接过孔8 和漏极与像素电极连接过孔9。而金属层和有源层14之间的绝缘层6起到阻 挡刻蚀的作用。制作完成后的一个像素区域的俯视图如图7所示，其A-A' 部位和B-B'部位的截面图分别如图8和图9所示。
接下来，不使用掩膜版，用干刻的方式将棵露着的绝缘层刻蚀掉，他们 包括栅扫描线连接过孔7、源漏极与欧姆接触层连接过孔8和漏极与像素电 极连接过孔9位置处的绝缘层，这样这些位置的底层金属就暴露出来，供后 续工艺中连接使用。制作完成后的一个像素区域的俯视图如图10所示，其 A-A，部位和B-B，部位的截面图分别如图11和图12所示。
随后，用化学气相沉积的方法再沉积一层IOOOA到6000A的欧姆接触层 10，利用掩膜版形成欧姆接触层的硅岛。在源漏极与欧姆接触层连接的过孔 8处，欧姆接触层要通过源漏极与欧姆接触层连接的过孔8与底层金属连接； 而在栅扫描线连接过孔7处，欧姆接触层10 (如N+硅)不进入过孔，仅仅覆 盖过孔中间部分，起到保护过孔中间绝缘层和有源层的作用，并且由于绝缘 层上有有源层和欧姆接触层存在，后续形成栅扫描线连接线时能够增大栅扫 描线连接线和信号线之间的距离，减少二者之间的寄生电容。这一步骤中， 不被欧姆接触层覆盖的有源层也要被刻蚀掉。制作完成后的一个像素区域的 俯4见图如图13所示，其A-A，部位和B-B，部位的截面图分别如图14和图15所示。
完成上面步骤后，再沉积一层透明电极，常用的透明电极为IT0，厚度 在IOOA至IOOOA之间。使用透明电极的掩膜版，形成像素电极ll，通过漏 极与像素电极连接过孔9将像素电极11与漏极4连接起来；栅扫描线连接线 12，它通过栅扫描线连接过孔7将分段的栅扫描线连接起来；欧姆接触层的 保护层13，在欧姆接触层的硅岛上成两块独立的透明电极层，只把欧姆接触 层的硅岛的中间部分15露出来。制作完成后的一个像素区域的俯视图如图 16所示，其A-A，部位和B-B，部位的截面图分别如图17和图18所示。
最后，不使用掩膜版，用干刻的方法将暴露在外的欧姆接触层，即沟道 15处刻蚀掉，将其刻断，直至露出其下的有源层。制作完成后的像素区域的 俯视图如图l所示，其A-A，部《沐B-B，部位的截面图分别如图2和图3所示。
实施列2
图19是本发明TFTLCD像素结构具体实施例2的俯视图；图20是图19 中A-A，部位的截面图；图21是图19中B-B，的部位的截面图。如图19、图20 和图21所示，本发明的像素结构包括基板，形成在基板上的栅扫描线2和 信号线1，栅扫描线2和信号线1处于同一层结构中，且信号线1在与栅扫 描线2交叉的位置处断开，在断开的信号线1的两端形成有绝缘层6的信号 线连接过孔71，断开的信号线1通过信号线连接过孔71和信号线连接线121 实现连接。栅扫描线2和信号线1交叉定义一个像素单元，每一像素单元包 括薄膜晶体管器件和像素电极11。其中薄膜晶体管器件包括栅极5 (为栅 扫描线2的分支)；漏极4;源极3 (与数据线3为一体)；绝缘层6，覆盖栅 极5、源极3、漏极4等金属层结构的上方起绝缘作用，且在源极3和漏极4 上方的绝缘层上形成有源漏极与欧姆接触层连接的过孔8，在漏极4上方的 绝缘层上形成有漏极与像素电极连接的过孔9;有源层14和欧姆接触层10， 依次形成在栅极5上的绝缘层6上，且欧姆接触层10通过源漏极与欧姆接触 层连接的过孔8与源漏极连接；沟道15，截断欧姆接触层10;欧姆接触层的
保护层13，覆盖在欧姆接触层10之上。像素电极11通过漏极与像素电极连 接的过孔9与漏极4进行连接。
上述信号线连接线121、欧姆接触层的保护层13与像素电极11的材料 相同，且信号线连接线121的下方保留有源层14和欧姆接触层10,这样可 加大信号线连接线121与栅扫描线1之间的距离，减少寄生电容的产生，而 且保留下面的有源层或和欧姆接触层，会使连接线的下面尽量平坦，否则容 易断线。作为替代方案，信号线连接线121的下方也可不保留有有源层和欧 姆接触层10。
上述信号线l、源极3与漏极4、栅扫描线2和栅极5的材料可以为钼、 铝、铝镍合金、钼鴒合金、铬、或铜等金属。绝缘层材料通常是氮化硅，也 可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
上述TFT LCD阵列基板可以通过下面的方法制造完成。
首先，使用磁控溅射方法，在玻璃基板上制备一层厚度在1000A至7000A 的金属薄膜。该金属材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜 等金属。也可以使用上述几种材料薄膜的组合。用掩膜版通过曝光工艺和化 学腐蚀工艺，在玻璃基板的一定区域上形成栅极扫描线2、栅极5、信号线l (信号线1被栅极扫描线分割成一段一段的，后工序中会利用透明导电材料 将其连接起来)、源极3和漏极4的图案，完成制作后的一个像素区域的俯视 图如图22所示，其A-A， 4)M沐B-B，部位的截面图分别如图23和图24所示。
然后，利用化学气相沉积的方法在阵列基板上连续淀积1000A到6000A 的绝缘层6薄膜和IOOOA到6000A的有源层14薄膜。绝缘层材料通常是氮化 硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用有源层层的掩膜版进行曝光后对有 源层进行刻蚀，形成信号线连接过孔71、源漏极与欧姆接触层连接过孔8和 漏极与像素电极连接过孔9。而金属层和有源层14之间的绝缘层6起到阻挡 刻蚀的作用。制作完成后的一个像素区域的俯视图如图25所示，其A-A，部 位和B-B，部位的截面图分别如图26和图27所示。
接下来，不使用掩膜版，用干刻的方式将棵露着的绝缘层刻蚀掉，他们
包括信号线连接过孔71、源漏极与欧姆接触层连接过孔8和漏极与像素电极 连接过孔9位置处的绝缘层，这样这些位置的底层金属就暴露出来，供后续 工艺中连接使用。制作完成后的一个像素区域的俯视图如图28所示，其A-A' 部位和B-B'部位的截面图分别如图29和图30所示。
随后，用化学气相沉积的方法再沉积一层IOOOA到6000A的欧姆接触层， 利用掩膜版形成欧姆接触层的硅岛。在源漏极与欧姆接触层连接的过孔8处， 欧姆接触层要通过过孔与底层金属连接；而在信号线连接过孔71处，欧姆接 触层(如N+硅)不进入过孔，仅仅覆盖过孔中间部分，起到保护过孔中间绝 缘层和有源层的作用。制作完成后的一个像素区域的俯视图如图31所示，其 A-A'部位和B-B，部位的截面图分别如图32和图33所示。
完成上面步骤后，再沉积一层透明电极，常用的透明电极为ITO,厚度 在IOOA至IOOOA之间。使用透明电极的掩膜版，形成像素电极ll，通过漏 极与像素电极连接过孔9将像素电极11与漏极4连接起来；信号线连接线 121，它通过信号线连接过孔71将分段的信号线连接起来；欧姆接触层的保 护层13，在欧姆接触层的硅岛上成一块独立的透明电极层，只把欧姆接触层 的硅岛的中间部分15露出来。制作完成后的一个像素区域的俯视图如图34 所示，其A-A'部位和B-B'部位的截面图分别如图35和图36所示。
最后，不使用掩膜版，用干刻的方法将暴露在外的欧姆接触层，即沟道 15处，刻蚀掉，将其刻断，直至露出其下的有源层。制作完成后的像素区域 的俯视图如图19所示，其A-A，部位和B-B'部位的截面图分别如图20和图 21所示。
最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制， 尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当 理解，按照需要可使用不同材料和设备实现之，即可以对本发明的技术方案 进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
权利要求
1、一种TFT LCD像素结构，其特征在于，包括一基板；一栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极，形成在所述基板上，其中所述栅扫描线或信号线在栅扫描线与信号线交叉的位置处断开；一绝缘层，覆盖在所述栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极上方，并在所述断开位置的两端形成栅扫描线或信号线连接过孔；在所述漏极上方的绝缘层上形成有漏极与像素电极连接的过孔；在所述源极和漏极上形成有源漏极与欧姆接触层连接的过孔；一有源层和欧姆接触层，依次形成在所述栅极上方的绝缘层上，且所述欧姆接触层通过所述源漏极与欧姆接触层连接过孔与所述源极和漏极连接；一像素电极，形成在所述栅扫描线和信号线交叉后定义的像素单元的绝缘层上，并通过所述漏极与像素电极连接的过孔与漏极连接；一欧姆接触层的保护层，形成在所述欧姆接触层上方；一沟道，截断所述欧姆接触层；以及一栅扫描线或信号线的连接线，通过所述栅扫描线或信号线的连接过孔将断开的栅扫描线或信号线连接起来。
2、 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于所述栅扫描线、栅 极、信号线、源极和漏极的材料相同。
3、 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于所述栅扫描线或信 号线的连接线、欧姆接触层的保护层和像素电极的材料相同。
4、 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于所述栅扫描线或信号 线的连接线下方的绝缘层上保留有有源层和欧姆接触层。
5、 根据权利要求1至4任一所述的像素结构，其特征在于所述栅扫描 线、栅极、信号线、源极或漏极的材料为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬 或铜。
6、 根据权利要求1至4任一所述的像素结构，其特征在于所述绝缘层 的材料为氧化物、氮化物或者氧氮化合物。
7、 一种TFT LCD像素结构的制造方法，其特征在于，包括步骤1，使用磁控溅射方法，在基板上制备金属薄膜，通过构图形成栅 扫描线、栅极、信号线、源极和漏极，其中所述栅扫描线或信号线在栅扫描 线与信号线交叉的位置处断开；步骤2，利用化学气相沉积的方法在完成步骤1的基板上连续沉积的绝 缘层薄膜和有源层薄膜，构图形成栅扫描线或信号线连接过孔、源漏极与欧 姆接触层连接过孔和漏极与像素电极连接过孔，其中所述绝缘层起到阻挡刻 蚀的作用；接着，用干刻的方式将所述栅扫描线或信号线连接过孔、源漏极 与欧姆接触层连接过孔和漏极与像素电极连接过孔中棵露着的绝缘层刻蚀 掉，露出所述栅扫描线或信号线连接过孔、源漏极与欧姆接触层连接过孔和 漏极与像素电极连接过孔下方的栅扫描线或信号线、源极和漏极；步骤3，用化学气相沉积的方法在完成步骤2的基板上沉积欧姆接触层 薄膜，构图形成欧姆接触层的硅岛，使所述欧姆接触层通过所述源漏极与欧 姆接触层连接过孔同所述源极和漏极连接；步骤4，在完成步骤3的基板上沉积透明电极材料层，构图形成像素电 极、欧姆接触层的保护层，以及栅扫描线或信号线连接线，其中使所述像素 电极通过所述漏极与像素电极连接过孔与所述漏极连接起来；使所述栅扫描 线或信号线连接线通过所述栅扫描线或信号线连接过孔将断开的栅扫描线与 信号线连接起来；使所述欧姆接触层的保护层将所述欧姆接触层的中间部分 露出来，并用干刻的方法将暴露在外的欧姆接触层刻蚀掉。
8、 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于所述步骤3中构图形 成欧姆接触层的硅岛的同时，在所述栅扫描线或信号线连接过孔之间构图形 成连接线图形并露出栅扫描线或信号线连接过孔，并在所述步骤4中使构图 形成栅扫描线或信号线连接线位于所述连接线图形的上方。
9、 根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于所述步骤l构图 形成栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极的材料为钼、铝、铝镍合金、钼 鴒合金、铬、或铜。
10、 根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于所述步骤2中 沉积的绝缘层薄膜的材料为氧化物、氮化物或者氧氮化合物。
全文摘要
本发明公开了一种TFT LCD像素结构，包括基板；形成在基板上的栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极，其中栅扫描线或信号线在栅扫描线与信号线交叉的位置处断开；绝缘层，覆盖在栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极上方，并在栅扫描线或信号线断开位置的两端形成连接过孔，在源极和漏极上形成连接过孔；有源层和欧姆接触层，依次形成在栅极上方的绝缘层上，且通过连接过孔与源极和漏极连接；像素电极，其与漏极连接；欧姆接触层的保护层；沟道；以及栅扫描线或信号线的连接线，其通过连接过孔将断开的栅扫描线或信号线连接起来。本发明同时公开了一种TFT LCD像素结构的制造方法。本发明能简化工艺流程，提高材料的利用率，减少浪费。
文档编号H01L21/00GK101393364SQ200710122158
公开日2009年3月25日 申请日期2007年9月21日 优先权日2007年9月21日
发明者李欣欣, 武延兵, 王章涛, 高文宝 申请人:北京京东方光电科技有限公司