专利名称：一种发光二极管用芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种发光二极管用的芯片。
背景技术：
能源短缺是当今世界的热门话题，在照明行业中，发光二极管(LED)因为 它的高效、节能、环保、长寿命等多种优点，是取代能耗高，寿命短的传统照 明的首选，但因为现今的LED技术瓶颈，取代传统照明尚需克服一些与LED正 常工作有关的技术难题。最重要的就是LED的发光效率，发光效率主要是由LED 的芯片决定的。现有技术中的芯片其形状是正方形的，工作时的散热效果比较差，芯片的 工作寿命较短。芯片中金线的P结(阳极)和N结(阴极)是通过焊接连起来 的，其焊接面积一般在O. 120—0. 130nm2之间，电流在通过时此处时会过高的温 度，从而降低了LED的使用寿命。发明内容为了解决上述发光二极管用芯片存在的技术问题，本发明的目的是提供一 种发光效率高的发光二极管用芯片。为了实现上述的目的，本发明采用了以下的技术方案一种发光二极管用芯片，其特征在于所述芯片呈长方形，其长宽比例为1.12: 1;芯片中金线的P结和N结的焊接面积在O. 131—0. 145nm2之间。本发明的芯片长宽比例为1.12: 1，改变传统芯片长宽相等的形状，该芯片 能加速芯片在工作时的散热，保证芯片的工作寿命同光衰。P结和N结的焊接面 积在O. 131—0.145nm2之间，焊接面积更大，使得电流在通过时不致于产于过高的温度，保证LED的使用寿命。
具体实施方式
一种发光二极管用芯片，芯片呈长方形，其长宽比例为1.12: 1。芯片中金 线的P结和N结的焊接面积O. 131—0. 145nm2之间。使用上述芯片，在30ma的 情况下工作，本发明的芯片工作温度为70摄氏度，光通量为100—110 LM/W， 现有的普通芯片工作温度为120摄氏度，光通量为50—60 LM/W。
权利要求
1、一种发光二极管用芯片，其特征在于所述芯片呈长方形，其长宽比例为1.12∶1；芯片中金线的P结和N结的焊接面积在0.131-0.145nm2之间。
全文摘要
本发明涉及发光二极管领域。一种发光二极管用芯片，所述芯片呈长方形，其长宽比例为1.12∶1；芯片中金线的P结和N结的焊接面积在0.131-0.145nm<sup>2</sup>之间。本发明的一种发光二极管用芯片解决现有发光二极管用芯片存在的发光效率低的技术问题，该芯片能加速芯片在工作时的散热，保证芯片的工作寿命同光衰。
文档编号H01L33/00GK101320770SQ20071015685
公开日2008年12月10日 申请日期2007年11月21日 优先权日2007年11月21日
发明者王丽娜, 王元成 申请人:王元成