功率型led封装底座的制作方法

文档序号:7235960阅读:214来源:国知局
专利名称:功率型led封装底座的制作方法
技术领域
本发明涉及功率型LED封装底座。
背景技术
LED因其绿色、环保等诸多优点,被认为是取代白炽灯、荧光灯等耗电大、 污染环境的传统照明光源的革命性固体光源。常规LED —般是支架式,采用环 氧树脂封装,功率较小,整体发光光通量不大,亮度高的也只能作为一些特殊 照明使用。随着LED芯片技术和封装技术的发展,顺应照明领域对高光通量LED 产品的需求,功率型LED逐步走入市场。这种功率型的LED—般是将发光芯片 放在底座上,上面填充低应力柔性硅胶以保护发光芯片。对于由PN结组成的发 光二极管,当正向电流从PN结流过时,PN结有发热损耗。对于功率发光二极管 来说,驱动电流一般都为几百毫安以上,PN结的电流密度非常大,所以PN结的 温升非常明显。由于结温的上升会使PN结发光复合的几率下降,发光二极管的 亮度就会下降,即发光效率降低。同时,由于热损耗引起的温升增高,发光二 极管亮度将不再继续随着电流成比例提高,即显示出热饱和现象。
目前,现有技术中底座一般为塑料材质的基板和金属材质的引出线组成的 基板式,或者由两根分离的金属电极组成的支架式。前者通过注塑或压膜形成, 后者则由后序加工中的环氧树脂包裹后固定成形。这样底座没有设计合理且专 门用于散热的结构,所能提供的散热能力及其有限,虽能适应mW级别的LED器 件的使用需要,但对于W级别功率型LED来说这样的底座不能完全胜任。因此 目前的功率型LED的封装底座存在散热慢、光效率低、易老化的缺点。
现有技术中,在封装过程中的反射处理,功率型LED通常是将功率型芯片装配在带反射腔的金属支架或基板上,也就是说在支架或者基板本体上设置有 反射腔的结构。支架式的反射腔一般是采取电镀方式提高反射效果,而基板式 的反射腔一般是采用抛光方式,有条件的还会进行电镀处理,但以上两种处理 方式受模具精度及工艺影响,在打磨处理后的反射腔有一定的反射效果,但并 不理想。目前国内制作基板式的反射腔,由于抛光精度不足或金属镀层的氧化, 反射效果较差,这样导致很多光线在射到反射区后被吸收,无法按预期的目标 反射至出光面,从而导致最终封装后的取光效率偏低。

发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种功率型LED封装底座,结构简单牢固, 散热快,取光效率高。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案该功率型LED封装底座 包括基板和引出线,所述引出线固定在基板上,所述引出线在所述基板的上部 向外形成凸起,所述引出线与基板之间还设有绝缘柱,所述基板为扁平的金属, 所述基板中央设有贯穿基板且与基板紧配连接的铜芯柱,所述铜芯柱在所述基 板上部向外形成凸起,所述凸起高度与引出线的凸起相等,所述基板边缘设有 固定孔,所述基板上部还设有贯通式且内壁光滑的封装管,所述封装管底部通 过焊接固定连接在基板上,在所述基板上部所述引出线的凸起和所述铜芯柱的 凸起都位于封装管内。
作为本发明的一种改进,所述铜芯柱在基板上部的凸起沿铜芯柱径向设有 延伸部分,所述延伸部分与引出线的凸起分离。这样的布局可以在基板上放置 更多的LED发光芯片,可以是同种类型的LED发光芯片,通过控制各个LED发 光芯片的通电来调节光亮程度;也可以是不同种类型的LED发光芯片,同样通 过控制各个LED发光芯片的通电来发出不同颜色的光,起到一个LED灯多种发光颜色的功能。
作为本发明的一种优选,所述封装管为内壁呈圆柱状的金属管。封装管的 作用是代替原有的反射面,把光线反射过程集中在一个的器件上,因为封装管 容易加工,所以可以将反射面做到更为理想的精度,得到很好的取光效率。而 采用直腔式金属管则还能起到加强底座硬度的作用,使底座结构更牢固,因为 基板和封装管都为金属,比以往的全塑料质地或者半塑料质地的底座就能承受 相当大的外力挤压;同时金属的热传递快,所以增加了底座的散热面积,具有 更强的散热能力。
作为本发明上述优选的一种改进,所述封装管的底部设有用于增加连接面 的凸缘。凸缘增加了焊接面积,封装管焊接在基板后就能加大连接的牢固程度, 因而底座可以适应更为严格的使用法方要求。
作为本发明的另一种优选,所述封装管为内壁呈碗状的金属化陶瓷管。金 属化陶瓷管烧结后表面光滑,再加上反射面具有一定的倾斜度,根据光线的反 射定律可知这样的结构可以改变光线的传播方向,导致有更多的光线向前射出, 增强了底座取光效率。
作为本发明上述优选的一种改进,所述内壁表面设有镍层或银层。相比金 属化陶瓷的玻璃化表面,金属层的反光效果更好,因为金属的反光率大,因此 采用这样结构的底座在同等条件下最终可以提供更亮的发光效果,不仅具有高 效节能的优点,而且将LED芯片工作时的热辐射反射在空气中,起到很好的散 热功能。金属化陶瓷也具有金属坚硬的特性,所以焊接后底座具有牢固的结构。
本发明采用上述技术方案,可以满足五瓦到十瓦功率型LED显示器的封装
配套要求,结合了系统的散热结构,底座拥了有基于散热型基板的多道散热通
道;同时拥有了更牢固的结构,扩大了使用范围;高效的取光效果,增加产品整体性能,达到节约能源的0的。


下面结合附图和具体实施方式
对本发明进一步具体说明。
图1为本发明功率型LED封装底座第一个实施例; 图2为图1的A-A图3为本发明功率型LED封装底座第二个实施例; 图4为图3的B-B图。
具体实施例方式
如图l、 2所示,功率型LED封装底座包括了基板2、引出线4和封装管1。 基板2是一块扁平的钢板,呈圆形,但也可以根据实际应用的需要设计成任何 样式。基板2的钢材质使得其可以进行导电、导热。在基板2的边缘开有多个 固定孔3,固定孔3—定程度上增加了基板2的散热面积,但主要的还是用来外 接散热器,以提高散热速度。引出线4也为金属材质,它通过玻璃材质的绝缘 柱7固定在基板2上,因而它与基板2之间是不导通,两者处于绝缘状态。作 为电极的引出线4两端都凸出在基板2表面,在基板2下部的一端较长,而在 基板2上部的另一端只是形成很短的凸起,从其横截面上看呈一个被纵向拉伸 的T字形。基板2上还安装有铜芯柱5,它是作为电极而紧配连接在基板2上。 铜芯柱5在基板2上部也设有凸起,而且凸起在沿铜芯柱5径向设有延伸部分, 如图1所示,该延伸部分与引出线4的凸起分离,如图2所示,两者在基板2 上部的凸起是同等高度的,这样就能将LED芯片安放在这凸起上。因为延伸部 分可以横折设置,形成例如十字形、梅花形、圆形、方形等形状,只要保证其 与引出线4之间是分离的就能实现电极的作用。封装管1底部焊接在基板2表 面,安装后引出线4和铜芯柱5在基板2上部的凸起都位于封装管1光滑的内部,如图2所示,封装管1为内壁呈圆柱状且底部设有凸缘6的金属管,凸缘6 用以增加焊接面积,从而增加牢固的程度。
上述结构中可以看出,相对现有的基板2,本发明将散热作为一个独立的功
能划归相应的结构形成一个系统,就是基板2结构上的改进,将基板2原来的 导电功能设置在引出线4和铜芯柱5上,从而对基板2的形状、结构、材质不 起约束。同时铜芯柱5不仅具有较好的导电性能而且导热能力也很强,所以散 热还可以通过铜芯柱5进行。由封装管1也为金属材质的原因,因此散热也能 通过此处进行。进而整个底座的散热可以通过三个途径进行,又因三者是连接 为整体的,所以三个途径是相互联系、连续进行。
反光过程中的控制由封装管1光滑的内壁来完成,从而增强底座的取光效 率。加工前作为一个独立的部件,封装管1的生产很容易,可以生产出适应各 种要求、精度的封装管l。如图3、 4所示,封装管1也可以是内壁呈碗状的金 属化陶瓷,其内壁倾斜,有聚光的效果,可以更多的将光反射出去。更进一歩 的改进可以在金属化陶瓷表面镀一层镍层或银层,以增加反光效果,LED芯片工 作时的热辐射反射在空气中,做到高效节能的目的。
权利要求
1、功率型LED封装底座,包括基板(2)和引出线(4),所述引出线(4)固定在基板(2)上,所述引出线(4)在所述基板(2)的上部向外形成凸起,其特征在于所述引出线(4)与基板(2)之间还设有绝缘柱(7),所述基板(2)为扁平的金属,所述基板(2)中央设有贯穿基板(2)且与基板(2)紧配连接的铜芯柱(5),所述铜芯柱(5)在所述基板(2)上部向外形成凸起,所述凸起高度与引出线(4)的凸起相等,所述基板(2)边缘设有固定孔(3),所述基板(2)上部还设有贯通式且内壁光滑的封装管(1),所述封装管(1)底部通过焊接固定连接在基板(2)上,在所述基板(2)上部所述引出线(4)的凸起和所述铜芯柱(5)的凸起都位于封装管(1)内。
2、 根据权利要求1所述功率型LED封装底座,其特征在于所述铜芯柱(5) 在基板(2)上部的凸起沿铜芯柱(5)径向设有延伸部分,所述延伸部分与引出线 (4)的凸起分离。
3、 根据权利要求1所述功率型LED封装底座,其特征在于所述封装管(l) 为内壁呈圆柱状的金属管。
4、 根据权利要求3所述功率型LED封装底座,其特征在于所述封装管(l) 的底部设有用于增加连接面的凸缘(6)。
5、 根据权利要求1所述功率型LED封装底座,其特征在于所述封装管(l) 为内壁呈碗状的金属化陶瓷管。
6、 根据权利要求5所述功率型LED封装底座,其特征在于所述内壁表面 设有镍层或银层。
全文摘要
本发明公开了一种功率型LED封装底座,该功率型LED封装底座包括基板、封装管和引出线。可以满足五瓦到十瓦功率型LED显示器的封装配套要求,结合了系统的散热结构,底座拥有了基于散热型基板的多道散热通道;同时拥有了更牢固的结构,扩大了使用范围;高效的取光效果,增加产品整体性能,达到节约能源的目的。
文档编号H01L23/02GK101295759SQ20071016445
公开日2008年10月29日 申请日期2007年11月30日 优先权日2007年11月30日
发明者曹宏国 申请人:曹宏国
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