专利名称：超导磁铁装置及磁共振摄像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具备将冷却超导线圈的冷媒中已气化的冷媒再液化的冷 冻机的超导磁铁装置及磁共振摄像装置。
技术背景磁共振摄像装置"以下称为MRI装置(MagneticResonance Imaging)"为 利用核磁共振现象得到显示被检体的物理、化学性质的图像的装置，其中，核 磁共振现象是在向放置在磁通量密度均匀的静磁场中的被检体(检查体)照射 高频脉沖时产生的。从这种MRI装置在广泛地应用于高新医疗中的同时较多地设置在医疗施 设中的观点看，进一 步提高性能化和减小体积的需求强烈。能够产生这种高性能化的需求之一的高强度静磁场的MRI装置在内部收 纳有冷媒(液态氦)，用于将循环恒定电流的超导线圏维持在比临界温度更低 的温度下。这种MRI装置为了抑制该冷媒的耗费，大多的装置具备用于将气 化后的冷々某冷却并再液化的冷冻机。作为这种冷冻机，可例举蓄冷式冷冻机(例 如，Gifford-McMahon冷冻机(GM冷冻机)等)。该蓄冷式冷冻机在极低的温度下使比热较大的蓄冷部件(例如HoCu2)进 行往复运动，通过绝热膨胀的效果来发挥冷却功能。这种蓄冷部件一般地在自 身磁化使得形成于MRI装置中的静磁场变形的同时，进一步由于进行往复运 动而对摄像区域的静磁场的均匀性带来周期性的变动，存在着会对摄像带来不 良影响的问题。作为针对这种问题的以往的解决对策，公开有以下的公知技术。即，公开了 一种配置有将》兹化的蓄冷部件所产生的石兹场变形加以解除的解除线圈，配合蓄冷部件的变位驱动的技术(例如参照专利文献1 )。或者，可考虑在蓄冷部件的周围配置遮蔽静磁场的部件来抑制该蓄冷部件磁化的方法。具体地，公开了一种将较薄的片状超导材料层叠，将其配置在该蓄冷部件的周围，发挥所期望的静磁场的遮蔽作用的技术(例如参照专利文献 2)。或者，公开了 一种以电的良导体围住蓄冷部件的周围以遮蔽由于蓄冷部件的往复运动产生的动磁场的结构(例如参照专利文献3 )。再者，公开了一种以BiPb(铋铅)系的超导材料围住冷冻机的周围来遮 蔽动磁场的构造(例如，专利文献4)。并且公开了一种在冷冻机的蓄冷部件 所在位置的外周部分巻绕超导线圈而构成闭环回路以遮蔽动磁场的构造(例 如，专利文献5)。还公开了一种在安装冷冻机的超导磁铁侧的构造物上配置 超导材料以遮蔽动》兹场的构造(例如，专利文献6)。专利文献1:日本特开平10-165388号公才艮专利文献2:日本特开平9-326513号公报专利文献3:日本特开2001-263844号公报专利文献4:日本特开平10-213357号公报专利文献5:日本特开2000-266417号公才艮专利文献6:日本特许第3122539号公报 发明内容可是，在专利文献l所公开的技术中，驱动的控制较复杂。并且，在专利 文献2所公开的技术中，随着超导磁铁装置的高磁场化，必要的遮蔽部件的厚 度会增加。或者，存在着因遮蔽部件自身产生的磁场，给静磁场的均匀性带来 不良影响等的问题。专利文献3至专利文献6所/>开的纟支术，成为专利文献1和专利文献2 中存在的上述问题的解决对策。即，专利文献3至专利文献6中记载的遮蔽动 磁场的技术的基本原理为，利用在所配置的遮蔽部件的内部感应的涡电流或感 应电流，消除伴随磁化的蓄冷部件的往复运动的磁场变动。通常，那种动^f兹场的遮蔽部件如果不围住对象物的全周，则不能发挥完全 的遮蔽效果。可是，在适用于超导磁铁装置上的冷冻机的场合，由于冷冻机自 身的构造或向超导磁铁装置安装方面的问题，存在着不能在上下方向上围住的 限制。此时，为了发挥所期望的动磁场的遮蔽性能，必要的遮蔽部件的尺寸由于需要充分确保涡电流或感应电流的路径，通常变大，特别是在冷冻机的轴方向 的尺寸上存在着装置大型化的倾向，存在着进一步使装置的设计自由度变小， 招致成本增大等问题。本发明是将解决上述技术问题作为课题而完成的，提供一种使超导线圈的 冷媒再液化的冷冻机尽管动作，静磁场的强度也不会变动，从而摄像高性能化， 并且实现小型化的超导;兹铁装置及> 兹共振摄像装置。为了解决前述的技术问题，本发明的超导磁铁装置或磁共振摄像装置的特 征为，冷冻机具有使冷媒液化的第一蓄冷部件和冷却辐射屏蔽件的第二蓄冷部 件的至少两级蓄冷部件，并且在所述第一蓄冷部件的往复运动的轴的轴周围设 有作为电的良导体的动磁场遮蔽部件，此外，所述冷冻机设置成使所述第一蓄 冷部件的往复运动的轴与由超导线圏产生的静磁场方向大致一致。最好所述动磁场遮蔽部件是形成为圓筒状的铝材、成型为圆筒状的超导材 料或螺线管状地巻绕的超导线材。更好地是，所述动磁场遮蔽部件设置于冷媒容器的外周面及辐射屏蔽件的 内周面之间。更好地是，也配置于所述冷媒容器的内周面一侧。通过如此构成，即^使构成冷冻^L的第一蓄冷部件#皮》兹化并往复运动而产生 动/f兹场，在前述^f兹场遮蔽部件上感应的涡电流其流动方向也限定于往复运动的 轴的轴周围。为此，因感应的涡电流不会集中在磁场遮蔽部件的上端部及下端部，即使 在轴方向上较短地构成磁场遮蔽部件的尺寸，也不会降低动磁场的遮蔽效果。 发明效果根据本发明，提供使超导线圏的冷媒再液化的冷冻机尽管动作，静磁场的 强度也不会变动，从而摄像高性能化，并且实现小型化的超导磁铁装置及磁共 振摄像装置。
图l (a)为涉及本发明的第一实施方式的磁共振摄像装置(垂直磁场型 MRI装置)的整体立体图，(b)为其X-Y的剖面图。图2为应用于涉及第一实施方式的磁共振摄像装置或超导磁铁装置中的 冷冻机的安装部位的放大图。图3 (a) - (c)为关于在应用于本实施方式中的动》兹场遮蔽部件上感应的 涡电流，作为实施例表示的说明图。图4 (a) - (c)为未应用本发明的场合的一例，是关于在动磁场遮蔽部件 上感应的涡电流，作为比较例表示的说明图。图5 (a)为涉及本发明的第二实施方式的磁共振摄像装置(水平磁场型 MRI装置)的整体立体图，(b)为其X-0剖面图。图6为应用于涉及第二实施方式的磁共振摄像装置或超导磁铁装置中的 冷冻机的安装部位的放大图。附图标记ll一垂直磁场型MRI装置(磁共振摄像装置)，12—水平磁场型MRI装置 (磁共振摄像装置)，20—冷冻机，21—第一蓄冷部件(蓄冷部件)，22—第二 蓄冷部件(蓄冷部件)，30—第一超导磁铁装置(超导磁铁装置)，31—第一主 线圈(超导线圈)，32—第一屏蔽线圈(超导线圈)，35—冷媒容器，36—辐射 屏蔽件，37—真空容器，40—第二超导磁铁装置(超导磁铁装置)，41一第二 主线圈(超导线圈)，42—第二屏蔽线圈(超导线圈)，61—第一动磁场遮蔽部 件(动磁场遮蔽部件)，62—第二动磁场遮蔽部件(动磁场遮蔽部件)，H—静 磁场，L一冷媒，P—运动轴(往复运动的轴)，R—摄像区域，Z—中心轴具体实施方式
(第一实施方式)以下，参照附图对涉及本发明的第一实施方式的磁共振摄像装置(以下 称为垂直磁场型MRI装置)进行说明。如图l (a)中整体立体图所示，垂直磁场型MRI装置11以朝向垂直方向的 中心轴Z作为回转对称轴，配置有第一超导磁铁装置30、倾斜磁场产生部52、 第二超导》兹铁装置40,此外还具备冷冻机20和支撑部位51。并且，垂直磁场型MRI装置11以第 一超导磁铁装置30与第二超导磁铁装置 40在上下方向成对的方式配置，在其间隙的中心形成静磁场的磁通量密度均匀 且朝向垂直方向的区域(摄像区域R)。并且，在该间隙中插入被检体(未图 示)，利用磁共振现象将摄像区域R中的被检体的断层图像拍摄。此外，垂直磁场型MRI装置11具备作为构成要素而未图示的将被检体插入摄像区域R中的床、朝向摄像区域R照射高频脉冲的RF (Radio Frequency)线 圈、接收来自摄像区域R的应答信号的接收线圈、控制这些构成要素的控制装 置、4艮据应答信号生成、显示被4全体的断层映像并进行解析的操作装置。倾斜^磁场产生部52、 52在图1 (b)中如图l (a)的X-Y断面图所示那样， 设置在真空容器37的中心轴Z所贯通的对置的面上形成的一对凹部中。并且， 倾斜磁场产生部52、 52在摄像区域R中对由超导磁铁装置30、 40形成的静磁场 H施加倾斜磁场，提供磁共振现象的位置信息。如图l (b)所示，第一超导磁铁装置30作为构成要素至少具备第一屏蔽 线圈32、第一主线圈31、冷媒容器35、辐射屏蔽件36、真空容器37。第二超导磁铁装置40作为构成要素至少具备第二主线圏41 、第二屏蔽线 圈42、冷媒容器35、辐射屏蔽件36、真空容器37。支撑部位51以使第一超导磁铁装置30和第二超导磁铁装置40共有中心轴 Z并镜面对称的方式将两者在上下方向上支撑。并且，支撑部位51的内部以将 第一超导磁铁装置30及第二超导磁铁装置40的冷媒容器35、辐射屏蔽件36及真 空容器37连通的方式构成。通过如此构成的超导,兹;铁装置30、 40,在由两者夹住的空间的中心轴Z周 边的摄像区域R中形成磁通量密度均匀的静磁场H (图中虛线示出磁力线)。第一主线圈31 (第二主线圈41 )为恒定电流循环而在摄像区域R中生成测 量用的静磁场H的超导线圈，在以中心轴Z为中心配置的线圏架33的周围巻绕 超导线材而形成。所谓超导线圈为通过填充在冷媒容器35中的冷媒L当冷却至比临界温度 更低温度时，从通常导电状态转移到超导状态、电阻为零、环状电流不衰减地 恒定地循环的线圈。第一屏蔽线圈32 (第二屏蔽线圏42)以与第一主线圈31 (第二主线圈41) 共有中心轴Z且直径加大的方式构成。并且，在第一屏蔽线圈32 (第二屏蔽线 圈42)中流动与第一主线圏31 (第二主线圈41)逆向的环状电流。这样，第一 屏蔽线圏32(第二屏蔽线圈42)为抵消向超导》兹铁装置30、 40的外部泄露的测 量用；兹场的线圈。辐射屏蔽件36设置在冷媒容器35的外周面及真空容器37的内周面之间，为遮蔽从真空容器37朝向冷媒容器35的热辐射的部件。真空容器37为，在保持真空状态的内部，保持冷媒容器35,防止传导及 对流所致的热侵入到冷媒容器35中的部件。冷媒容器35为收纳主线圏31、 41和屏蔽线圈32、 42 (超导线圈)及将该 超导线圈冷却至比临界温度更低温度的冷i某L的部件。冷媒容器35构成为一对圆环状(凸圆状)的容器在上下方向上大致对称 地配置，在支撑部位51的部分相互连通的构造。由此，冷媒容器35为使配置在 其内部的超导线圈冷却至比临界温度更低温度而成为超导状态的部件。冷冻机20为将在冷媒容器35的内部气化的冷媒L再液化的装置，如图所 示，第一蓄冷部件21 (参照图2)所往复运动的轴(运动轴P)配置在与静磁场 H的图l (b)中虚线所示的磁力线的朝向大致一致的位置上。在图l (b)中，例示了冷冻机20在磁力线的朝向为铅直向下的位置上， 使运动轴P (参照图2)与中心轴Z的朝向大致一致地配置的情况。但是并不限 定于这种形式，冷冻机20只要运动轴P的朝向与静磁场H的磁力线的朝向大致 一致，也可相对于中心轴Z倾斜地配置。冷冻机20如在图2中其侧视图在安装部位中放大所示，从大气侧插入设置 于真空容器37、辐射屏蔽件36、冷々某容器35上的开口中，第三凸缘部29固定在 真空容器37上。并且，隔开设置在真空容器37、辐射屏蔽件36、冷媒容器35上的开口的 间隙分别由波紋管63、 64密闭。由此，不会由于安装冷冻机20而破坏真空容器 37内的真空。并且，冷冻机20通过第二连结部件24使驱动电机65的回转运动变换为往 复运动。此外，与该第二连结部件24连结的第二蓄冷部件22与通过第一连结部 件23连结的第 一蓄冷部件21 —同往复运动。第 一蓄冷部件21在第 一缸体部25的内部，在大致冷^ 某容器35的外周面及 辐射屏蔽件36的内周面之间往复运动。即，第一蓄冷部件21以接近第二凸缘部 28的位置为上止点，以接近第一凸缘部27的位置为下止点而在第一缸体部25 的内部往复运动。并且，在第一缸体部25的内部，冷却位于下部的第一凸缘部27,使与其接触的气化的冷媒L再液化。构成第一蓄冷部件21的蓄冷材料要求在动作温度(气化的冷媒的液化温 度，如He为4K)附近比热较大来得到优良的冷却性能。具体地可举出将与以 Er (铒)或Ho (钬)等为主的稀土元素的金属间化合物等做成lmm以下的微 小球后填充的材料等。由此，通过第一蓄冷部件21往复运动，实现从例如80K (第二凸缘部28部分的温度)下降到大致2K (第一凸缘部27部分的温度)的 降温。第二蓄冷部件22在第二缸体部26的内部，在辐射屏蔽件36的外周面及真 空容器37的内周面之间往复运动。即，第二蓄冷部件22以接近第三凸缘部29 的位置为上止点，以接近第二凸缘部28的位置为下止点而在第二缸体部26的内 部往复运动。由此，通过第二蓄冷部件22往复运动，实现从例如室温(第三凸 缘部29部分的温度)下降到80K (第二凸缘部28部分的温度)的降温。构成第二蓄冷部件22的蓄冷材料可举出金属网状地层叠的铜及不锈钢等。并且，在第二缸体部26的内部利用绝热膨胀的效果，将位于下部的第二 凸缘部28冷却，并将与其^l妄触的辐射屏蔽件36冷却。由此，由于位于第一缸体部25上部的辐射屏蔽件36被冷却，伴随膨胀、 压缩的热的移动顺畅，第二凸缘部28的冷却性能得以提高。如图2所示，第一动磁场遮蔽部件61为配置在第一蓄冷部件21的运动轴P 的轴周围的电的良导体，配置在冷媒容器35的外周面及辐射屏蔽件36的内周面 之间。由此，通过将第一动》兹场遮蔽部件61设置在真空区域中，第一动磁场遮 蔽部件61成为热传导通路，抑制了冷冻机20的冷却能力的降低。第二动磁场遮蔽部件62为配置在第一蓄冷部件21的运动轴P的轴周围的 电的良导体，配置在冷々某容器35的内周面侧(冷Jf某侧)。该第二动磁场遮蔽部 件62为补足第一动磁场遮蔽部件61的功能的部件。动磁场遮蔽部件61、 62具体地可举出形成为圆筒状的铝材、形成为圆筒 状的超导材料或螺线管状地巻绕的超导线材。参照图3对应用本发明的实施例的第一动,兹场遮蔽部件61的功能进行说 明(适当参照图2)。此外，附图仅记载了图2中的第一蓄冷部件21和第一动磁场遮蔽部件61的部分。图3(a)示出了如图l、图2构成的情况，即第一蓄冷部件21的运动轴P的 朝向与蓄冷部件21的磁化的朝向(图中粗箭头)大致一致的情况。图3 (b)示出了在实施例中由于第一蓄冷部件21上下地往复运动而在第 一动》兹场遮蔽部件61中感应的涡电流(流线)。由此，在第一动^兹场遮蔽部件 61上感应的涡电流为轴P的绕轴方向。图3 (c)示出了在实施例中、第一蓄冷部件21的纵剖面中流动的涡电流的 电流密度cy的分布。感应的涡电流在绕轴方向上循环不是局部性地集中，此外 由于在隔开第一蓄冷部件21—定距离的部分中、感应的涡电流也较小，所以在 第一动》兹场遮蔽部件61的上端部及下端部中，电流密度a较小地分布。因此，在实施例中，可谓即使第一动磁场遮蔽部件61的尺寸在轴方向上 较短地构成，也不会降低动磁场的遮蔽效果。图4表示不应用本发明的情况下的第 一动磁场遮蔽部件61的功能的比较 例。即，示出了冷冻机20的运动轴P与静^磁场H方向不一致的情况。图4 (a)示出了蓄冷部件21的朝向(图中粗箭头)与第一蓄冷部件21的运 动轴P的朝向大致垂直相交的情况。在此，为了简单，仅讨论相对于运动轴P 倾斜的静^兹场H的垂直相交成分(图中粗箭头)。图4 (b)示出了比较例中由于第一蓄冷部件21上下地往复运动而在第一 动磁场遮蔽部件61中感应的涡电流(流线)。由此，在第一动^兹场遮蔽部件61 上感应的涡电流的3各径形成循环方向不同的四个环。图4 ( c)示出了在比较例中、在第 一蓄冷部件21的纵断面中流动的涡电流 的电流密度a的分布。在此，在第一动磁场遮蔽部件61的轴方向的长度不充分 的情况下，感应的涡电流由于没有充分的涡电流的流路因而在第 一动磁场遮蔽 部件61的上端部及下端部中局部性地集中，因此该部分中电流密度a较大地分 布。该a的分布由涡电流的流路的限制也造成，因而形成不希望的》兹场分布。因此，在实施例中，可谓若将第一动^f兹场遮蔽部件61的尺寸在轴方向上 较短地构成，则上端部及下端部中的电流密度o进一步增大，动磁场的遮蔽效 果降低。此外，虽然省略详细的说明，但对于第二动^f兹场遮蔽部件62的功能也可谓与第一动磁场遮蔽部件61相同，可知在第 一蓄冷部件21的运动轴P的朝向与 蓄冷部件21的磁化的朝向(图中箭头)大致一致的情况下，动磁场的遮蔽效果 最大。因此，如实施例那样，通过以静磁场H(参照图1 (b))的朝向与第一蓄 冷部件21的运动轴P的方向大致一致的方式设置冷冻;机20,能够使动磁场的遮 蔽性能最大化，因此能够抑制该方向上的超导》兹铁装置及^ 兹共振摄像装置的尺 寸，使装置小型化。 (第二实施方式)以下，参照图5对涉及本发明的第二实施方式的磁共振摄像装置(以下称 为水平磁场型MRI装置)进行说明。如图5(a)中整体立体图所示，水平磁场型MRI装置12以朝向水平方向的 中心轴Z为回转对称轴配置超导磁铁装置30,并且具备冷冻机20。该超导磁铁装置30具有以中心轴Z为回转对称轴的空洞(孔B)，在该孔B 的中心形成静磁场的磁通量密度均匀且朝向水平方向的区域(摄像区域R )。 并且，在该孔B中插入净皮检体(未图示)，利用磁共振现象将摄像区域R中的被 检体的断层图像拍摄。此外，水平磁场型MRI装置12具备作为构成要素而未图示的倾斜磁场产生 部、将被检体插入孔B中的床、朝向摄像区域R照射高频脉冲的RF (Radio Frequency)线圈、接收来自摄像区域R的应答信号的接收线圈、控制这些构成 要素的控制装置、从应答信号生成、显示被检体的断层映像并进行解析的操作 装置。此外，水平磁场型MRI装置12在X-e剖面看，具有图5 (b)所示的构造， 关于这些构成要素，对于前述部件注以与图l相同的符号并援用本说明书中的 相当部分的记载，省略对其说明。此外，就在摄像区域R中生成测量用的静磁场H的超导线圈而言，虽然为 了方便，如第一主线圏31及第二主线圈41那样区别表示在图中配置四个并位于 两端的线圈，但这些是相同的部件，数量也不限定。如图5 (a)所示冷冻机20以相对于与超导磁铁装置30的中心轴Z相交的垂直线，在该交点上构成的角度e为锐角的方式设置在从顶点偏离的位置上。由此，能够将水平磁场型MRI装置12的上部占有空间抑制到较小。再者，如图5(b)所示，冷冻机20以其运动轴P相对于超导磁铁装置30的中心轴Z构成锐角的方式倾斜地配置。由此，能够使运动轴P相对于静磁场H的方向大致一致。此外，图5所示的冷冻机20的配置位置是一例，只要运动轴P配置在相对于静磁场H的方向大致一致的位置上，就不限定配置的位置。此外，相当于冷冻机20的安装位置的超导磁铁装置30的部分虽然具有设置从圆周侧周面突起的空间而引导冷媒L的气化气体的构造，但也可能有不需要特别地设置这种空间的情况。图6为将应用在第二实施方式中的冷冻机20的侧面在安装部位放大示出的图。除了与静^ 兹场H的朝向相吻合地将冷冻机20相对于水平(中心轴Z)倾斜 地配置以外，第一动磁场遮蔽部件61也以与蓄冷部件21的运动轴P平行的方式 相对于中心轴Z倾斜地配置。通过将第一动》兹场遮蔽部件61如此地配置，在绕轴方向上循环地感应涡 电流，因此能够提高动磁场的遮蔽效果。另一方面，不必期望提高这种效果， 也可以将第一动^^场遮蔽部件61水平地配置。再者，在第二实施方式中，虽然示出了与静磁场H的朝向吻合地将冷冻机 20相对于中心轴Z倾斜地配置的例子，但也有求出静^f兹场H的朝向与中心轴Z 的朝向大致一致的位置，并在该位置上将冷冻机20的运动轴P与中心轴Z对齐 配置的方法。在以上的第一、第二实施方式的说明中，虽然示出了所配置的冷冻机20 在每一个MRI装置上各为1个的例子，但也有与要求的冷却能力相适合地设置 适当多个的情况。此外，作为冷冻机20的加冷部位的第一凸缘部27虽然以位于 冷媒气化的空间中的方式图示，但也可以接触冷媒的液面或浸没在其液体中的 方式配置。
权利要求
1.一种超导磁铁装置，具备恒定电流循环的超导线圈；收纳所述超导线圈及将该超导线圈冷却到比临界温度低的温度的冷媒的冷媒容器；将所述冷媒容器保持在真空状态下的真空容器；配置于所述冷媒容器的外周面及所述真空容器的内周面之间的辐射屏蔽件；以及在所述冷媒容器的内部使气化的所述冷媒再液化的冷冻机，其特征在于，所述冷冻机具有在所述冷媒容器的外周面及所述辐射屏蔽件的内周面之间往复运动并冷却气化的所述冷媒的第一蓄冷部件；以及与所述第一蓄冷部件连动而在所述辐射屏蔽件的外周面及所述真空容器的内周面之间往复运动并冷却所述辐射屏蔽件的第二蓄冷部件的至少两级蓄冷部件，在所述第一蓄冷部件的往复运动的轴的轴周围配置有作为电的良导体的动磁场遮蔽部件，所述冷冻机配置成使所述第一蓄冷部件的往复运动的轴与静磁场的方向大致一致。
2. 按照权利要求1所述的超导磁铁装置，其特征在于， 所述动^f兹场遮蔽部件是成型为圆筒状的铝材。
3. 按照权利要求1所述的超导,兹铁装置，其特征在于， 所述动/f兹场遮蔽部件是成型为圆筒状的超导材料。
4. 按照权利要求l所述的超导磁铁装置，其特征在于， 所述动磁场遮蔽部件是螺线管状地巻绕的超导线材。
5. 按照权利要求1 4任一所述的超导磁铁装置，其特征在于， 所述动磁场遮蔽部件配置于所述冷媒容器的外周面及所述辐射屏蔽件的内周面之间。
6. 按照权利要求1 4任一所述的超导磁铁装置，其特征在于， 所述动磁场遮蔽部件配置于所述冷媒容器的内周面一侧。
7. —种磁共振摄像装置，其特征在于，将由按照权利要求1 ~6任一所述的超导磁铁装置产生的所述静磁场的磁 通量密度均匀的区域作为摄像区域，对利用磁共振现象的被检体的图像加以摄 像。
全文摘要
提供一种不会因伴随使冷却超导线圈的冷媒中已气化的冷媒再液化的冷冻机的动作所产生的动磁场而影响摄像的超导磁铁装置及磁共振摄像装置，其特征在于，由收纳冷却产生静磁场的超导线圈的冷媒的冷媒容器(35)、将该冷媒容器保持在真空状态下的真空容器(37)、配置于冷媒容器的外周面及前述真空容器的内周面之间的辐射屏蔽件(36)构成，冷冻机(20)具有在冷媒容器的外周面及辐射屏蔽件的内周面之间往复运动的第一蓄冷部件(21)，在第一蓄冷部件的往复运动的轴(P)的轴周围配置有作为电的良导体的动磁场遮蔽部件(61、62)，冷冻机的第一蓄冷部件所往复运动的轴与前述静磁场方向大致一致。
文档编号H01F6/04GK101226809SQ200710192718
公开日2008年7月23日 申请日期2007年11月16日 优先权日2006年11月20日
发明者千叶知雄, 安藤龙弥, 山本勉, 阿部充志 申请人:株式会社日立制作所