具有固溶体层的电阻式随机存取存储器及其制造方法

专利名称：具有固溶体层的电阻式随机存取存储器及其制造方法
技术领域：
示例实施例涉及一种具有固溶体层(solid solution layer)的电阻式随机存 耳又存卡者器(resistive random access memory, RRAM)及其制造方法。其它示 例实施例涉及一种RRAM，该RRAM具有在电极与阻抗层(resistive layer) 之间的过渡金属固溶体层，以稳定RRAM的电压变化和阻抗(resistance )变化。
背景技术：
通常，半导体存储器阵列结构包括存储器单元，所述存储器单元相互连 接。代表半导体存储器的动态随机存取存储器(DRAM)的每个传统的存储 器单元包括开关和电容器。DRAM表现出高的集成度和快的运算速度。如果 从DRAM去除电源，那么所有存储的数据被从DRAM中擦除。
闪存(flashmemory)代表能够在去除电源后保护存储的数据不被擦除的 非易失性存储器。闪存具有与易失性存储器不同的非易失性特性。与DRAM 相比，闪存的集成度较低且运算速度较慢。
已研究的非易失性存储器的示例包括磁性RAM (MRAM)、铁电RAM (FRAM)、相变RAM (PRAM)等。
MRAM和FRAM已成为近来研究的焦点。MRAM根据隧道结的极化方 向的变化来存储数据。FRAM利用铁电层的极化特性来存储数据。MRAM和 FRAM具有较高的集成度、较快的运算速度以及提高的数据保持特性。可以 以较低的功率来驱动MRAM和FRAM。
PRAM根据由特定材料的相变而导致的阻抗值的变化来存储数据。 PRAM包括电阻器和开关(晶体管)。如果将传统DRAM的制造方法用于制 造PRAM，那么难以执行蚀刻。蚀刻所需的额外的时间会降低PRAM产品的 产率并会增加其单位成本。这样，PRAM的竟争力会降低。
电阻式RAM ( RRAM )根据过渡金属氧化物的可变阻抗特性的变化(即， 随着电压而变化的阻抗值)来存储数据。
图1A是示出具有传统结构的利用传统阻抗变化材料(resistive transformation material)的传统RRAM的剖一见图的才匡图。
参照图1A，传统的RRAM包括顺序地形成的下电极11、阻抗层12和上 电极13。阻抗层12可由过渡金属氧化物形成。下电极11和上电极13可由 用于传统的半导体存储器器件的电极材料形成。
图IB是示出施加到下电极11和上电极13的电压V与流经阻抗层12的 电流I之间的关系的曲线图。如上所述，阻抗层12可由过渡金属氧化物形成。
参照图1B，为了测量流经阻抗层12的电流的变化，使电压V从OV逐 渐增大。当施加的电压在OV至大约1V时，流经阻抗层12的电流逐渐增大。 在电压V为大约1V时，流经阻抗层12的电流响应阻抗的增大而减小。流经 阻抗层12的电流响应继续增大的电压V而增大。阻抗层12的较高阻抗状态 是指复位状态(reset state),阻抗层12的较低阻抗状态是指置位状态(set state )。
在图IB中，置位状态变化为复位状态时施加的电压指的是复位电压RV。 复位电压在大约0.6V至1.2V的范围内。置位状态下阻抗SR的最高值可比置 位状态下阻抗SR的最低值大10倍或10倍以上。复位状态变化为置位状态 时施加的置位电压SV可在1.5V至4.6V的范围内。这样，置位电压SV会具 有较高的变化值。
如上所述，因为阻抗层12的阻抗电平(resistance level)不稳定，所以传 统RRAM的电压变化和阻抗变化较高。由于不稳定的置位电压和复位电压等， 导致传统RRAM的可靠性降低。

发明内容
示例实施例涉及一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM ) 及其制造方法。其它示例实施例涉及一种RRAM,该RRAM具有在电极与阻 抗层之间形成的过渡金属固溶体层，以稳定RRAM的电压变化和阻抗变化。
示例实施例还提供了 一种包括阻抗变化材料以稳定复位电流和置位电压 的电阻式随机存取存储器(RRAM)及其制造方法。
根据示例实施例，提供了一种具有过渡金属固溶体层的RRAM,其中， RRAM包括下电极、在下电极上的固溶体层、在固溶体层上的阻抗层以及在 阻抗层上的上电极。
阻抗层可由过渡金属氧化物形成。过渡金属氧化物可包括NiO、 TiO、 HfO、 ZrO、 ZnO、 WO、 CoO、 CuO、 NbO、 TiNiO、 LiNiO、 AIO、 InZnO、 VO、 SrZrO、 SrTiO、 CrO、 FeO、 TaO及它们的组合。阻抗层的过渡金属可 为Ni。
固溶体层可为过渡金属固溶体。固溶体层可包括A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合。通过将阻抗层的过渡金属固化(solidify) 到选自于由A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合组 成的组中的一种中，从而可形成固溶体层。
根据示例实施例，提供了 一种利用过渡金属固溶体来制造RRAM的方法， 所述方法包括形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成 阻抗层；在阻抗层上形成上电极。
可利用溅射在下电极上形成(或沉积)过渡金属合金靶，以形成固溶体 层。可利用共溅射在下电^l上形成(或沉积)过渡金属靶，以形成固溶体层。
在形成阻抗层的过程中，可以对处理室中的气体的压力进行控制，以形 成固溶体层。气体的压力可在O.lmTorr至3mTorr的范围内。


通过以下结合附图进行的详细的描述，将更清楚地理解示例实施例。图 1至图9表示在此描述的非限制性的示例实施例。
取存储器(RRAM)的剖视图的框图1B是示出电流相对于施加到图1A的传统的RRAM的电压的变化的 曲线图2A是示出根据示例实施例的具有过渡金属固溶体层的RRAM的剖视 图的框图2B是示出根据示例实施例的具有过渡金属固溶体层的RRAM的剖视 图的框图3是示出根据示例实施例的具有过渡金属固溶体层并形成在晶体管结 构上的RRAM的剖^见图的框图4是示出根据示例实施例的阻抗特性相对于NiO的氧分压的变化的曲
线图5是示出根据示例实施例的在制造包括过渡金属固溶体层的RRAM的 过程中通过调节气体的分压而形成的固溶体层的X射线衍射(XRD)数据的 曲线图6A和图6B分别是示出传统的RRAM和才艮据示例实施例的RRAM的 X射线光电能谱(XPS)的曲线图7A和图7B分别是示出传统的RRAM和根据示例实施例的RRAM的 电压的变化的曲线图8A和图8B分别是示出传统的RRAM和才艮据示例实施例的RRAM的 阻抗的变化的曲线性的曲线图
具体实施例方式
现在将参照附图更充分地描述各种示例实施例，在附图中示出了一些示 例实施例。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的厚度。
在此^^开了详细的示例性的实施例。然而，在此 >开的特定的结构细节 和功能细节仅是表示描述示例实施例的目的。然而，可以以许多可选择的形 式来实施本发明，且本发明不应该被理解为仅仅局限于在此提出的示例实施 例。
因此，虽然示例实施例能够为各种变化和可替换的形式，但是通过附图 中的示例的方式示出了示例实施例的实施例，且在此将详细地描述示例实施 例的实施例。然而，应该理解的是，并不意图将示例实施例局限于公开的具 体形式，而是相反地，示例实施例将覆盖落入本发明的范围内的所有的变化、 等价物和可替换物。在整个关于附图的描述中，相同的标号表示相同的元件。
将要理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件，
但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另 一个元件区分开来。例如，在不脱离示例实施例的范围的情况下，可将第一 元件称作第二元件，类似地，可将第二元件称作第一元件。如在这里使用的， 术语"和/或，，包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
应该理解的是，当元件被称作"连接到"或"结合到"另一元件时，该 元件可以直接连接到或直接结合到另一元件，或者也可以存在中间元件。相
反，当元件被称作"直接连接到"或"直接结合到"另一元件时，不存在中 间元件。应该以相同的方式来解释用于描述元件之间的关系的其它词语(例 如，"在…之间"与"直接在…之间"、"相邻"与"直接相邻"等)。
这里使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，而不意图限制示例实施 例。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括 复数形式。还应理解的是，当在这里使用术语"包含"和/或"包括"时，说 明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加 一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将要理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同 的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部 分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、 层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离 示例实施例的范围的情况下，可将下面讨论的第一元件、组件、区域、层或 部分称作第二元件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在这里可使用空间相对术语，如"在…之下"、"在…下 方"、"下面的"、"在…上方"、"上面的"等来描述在图中所示的一个元件或 特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了 在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在 附图中装置被翻转，则描述为"在"其它元件或特征"下方"或"之下"的 元件随后将被定位为"在"其它元件或特征"上方"。因而，例如，术语"在… 下方"可包括"在…上方"和"在…下方"两种方位。所述装置可被另外定
位(旋转90度或者在其它方位)，并对在这里使用的空间相对描述符做出相
应的解释。
在此参照作为理想实施例(和中间结构)的示意图的剖视图来描述示例 实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变 化。因此，示例实施例不应该-故理解为局限于在此示出的区域的具体形状， 而是可包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其 边缘可具有圆形或曲线的特征和/或梯度(例如，注入浓度的梯度)，而不是 从注入区域到非注入区域的急剧变化。同样，通过注入形成的埋区会导致在 埋区和通过其会发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在图中示 出的区域实际上是示意性的，它们的形状并没有必要示出装置的区域的实际
形状，也不限制范围。
还应注意的是，在一些可选的实施方式中，标注的功能/动作可不按图中 标注的顺序。例如，根据相关的功能性/动作，连续示出的两附图实际上可基 本同时执行，或某些时候以相反的顺序执行。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语) 具有与示例实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。
还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的 那些术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思， 而不将理想地或者过于正式地解释它们的意思。
为了更具体地描述示例实施例，将参照附图详细地描述不同的方面。然 而，本发明并不局限于所描述的示例实施例。
示例实施例涉及一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM ) 及其制造方法。其它示例实施例涉及一种RRAM,该RRAM包括在电极与阻 抗层之间的过渡金属固溶体层，以稳定RRAM的电压变化和阻抗变化。
图2A是示出根据示例实施例的具有过渡金属固溶体层的RRAM的剖视 图的才匡图。
参照图2A,固溶体层24形成在下电极21上。阻抗层22和上电极23 顺序地形成在固溶体层24上。下电极21和上电极23可由用于半导体器件的 电极材料(例如，Al、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti等)形成。 阻抗层22可由用于传统的RRAM的材料(例如，过渡金属氧化物)形成。 例如，阻抗层22可由从由NiO、 TiO、 HfO、 ZrO、 ZnO、 WO、 CoO、 CuO、 NbO、 TiNiO、 LiMO、 AIO、 InZnO、 VO、 SrZrO、 SrTiO、 CrO、 FeO、 TaO 及它们的组合组成的组中选择的至少一种形成。可在5nm至500nm的范围内 对阻抗层22的厚度进行选择性的调节。
根据示例实施例，RRAM包括在下电极21与阻抗层22之间的固溶体层 24。固溶体层24可由过渡金属固溶体形成。固溶体层24可由固溶体形成， 其中，通过将阻抗层22的过渡金属固化(solidify)到Al、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合中的至少一种中来形成所述固溶体。 如果阻抗层22由MO形成，那么固溶体层24可由化合物形成，其中，通过 将Ni固化到Al、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合 中的至少一种中来形成该化合物。固溶体层24可形成为具有5nm至40nm范
围内的厚度。
图2B是示出根据示例实施例的具有过渡金属固溶体层的RRAM的剖视 图的框图。
参照图2B,固溶体层24可形成在下电极21上。固溶体层24可具有波 结构(wave structure )，该波结构包括突出到阻抗层22中的区域A。区域A 可为电流通路，如果在下电极21与上电极23之间施加电压，则电流通过该 电流通路进行流动。参照图2A中的RRAM，如果将电压施加到下电极21和 上电极23,那么电流通路改变，且RRAM表现出稳定的阻抗特性。参照图 2B中的RRAM，区域A形成在固溶体层24中。这样，固溶体层24的一部 分具有与上电极23的距离减小的区域。形成电流通路，从而能够对RRAM 的阻抗特性进行更稳定的测量。
图2A的RRAM以连接到开关结构(例如，晶体管或二极管)的1S (开 关)-1R (阻抗)结构被驱动。
图3是示出根据示例实施例的包括过渡金属固溶体层的RRAM的1T(晶 体管)-IR(阻抗)结构的剖视图的框图，其中，所述RRAM连接到晶体管 结构。
参照图3,源极202和漏极203可形成在基底201中。栅极结构209可 形成在基底201上。栅极结构209与源极202和漏极203接触。栅极结构209 包括栅极绝缘层204和栅电极层205。层间绝缘层206可形成在基底201上。 层间绝缘层206可形成在(或覆盖)栅极结构。接触塞207可穿透层间绝缘 层206而形成在源极202或漏极203上。接触塞207电连接到包括过渡金属 固溶体层的RRAM的下电极21。根据示例实施例，RRAM可连接到具有p 型半导体层和n型半导体层的二极管结构。
现在将描述具有过渡金属固溶体层的RRAM的制造方法。根据示例实施 例，可通过溅射、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或类似的方法 来制造RRAM。
下电极21可由导电材料形成。下电极21可由过渡金属(例如，Al、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti等)形成。
固溶体层24可形成在下电极21上。固溶体层24可通过至少三种方法来形成。
在形成固溶体层24的第一种方法中，可在下电极21上形成固体合金。
如果利用反应溅射来形成固溶体层24，那么可'减射具有调节的组成比例的Pt
与Ni的合金靶，以在下电极21上形成固溶体层24。
在形成固溶体层24的第二种方法中，可利用单独的靶对用于形成固溶体 层24的材料进行共溅射，以在下电极21上形成固溶体层24。
在形成固溶体层24的第三种方法中，可在阻抗层22的形成过程中形成 固溶体层24。如果固溶体层24由Pt和Ni固体合金形成，那么下电极21可 由Pt形成，接下来沉积NiO,以形成阻抗层22。可在0.1毫托(mTorr)至3 毫托(mTorr)的范围内调节处理室中包括氧的气体的压力。在下电极21的 表面上存在的Pt可以与Ni反应，以在下电极21上形成固溶体层24。
如果在0.lmTorr至3mTorr的范围内调节处理室中包括氧的气体的压力， 那么氧的供应减少。Ni与Pt反应，以在下电极21的表面上形成固溶体层24。
可在固溶体层24上形成阻抗层22。可对氧的分压进行调节，以形成具 有过渡金属氧化物的阻抗层22。
氧的分压的变化的曲线图。
参照图4,如果氧的分压低(见区域A),那么显示出与Ni类似的金属 特性。如果氧的分压从2.5%逐渐上升到10% (见区域B)，那么NiO的阻抗 增加，并显示出存储开关特性。如果氧的分压增加到10%或大于10% (见区 域C)，那么Ni氧化物的阻抗逐渐降低，并显示出阈值开关特性。如果制造 薄膜，那么可利用溅射等在样品上沉积相同的过渡金属。可对供应到反应室 中的氧的量进行调节，以原位(in-situ)制造上述薄膜。过渡金属氧化物可表 现出与NiO类似的特性。
图5是示出根据示例实施例制造的RRAM的固溶体层的X射线衍射 (XRD)凝:据的曲线图。在形成阻抗层22的过程中，通过调节处理室中的压 力来形成图5中的固溶体层24。在直流(DC)和射频(RF)溅射过程中， 将处理室中的压力i殳置在1.5mTorr至5mTorr的范围内。
参照图5,如果将处理室中的压力设置为1.5mTorr以形成固溶体层24, 那么形成Pt/Ni固溶体层，并出现与Pt/Ni固溶体层有关的峰。如果将处理室 中的压力设置为5mTorr,那么不出现与Pt/Ni固溶体层有关的峰。
图6A是示出传统的RRAM的X射线光电能谱(XPS)分析的曲线图。 图6B是示出根据示例实施例形成的具有固溶体层的RRAM的XPS分析的曲线图。
参照图6A，在大约相同的信号电平出现NiO和Ni。
参照图6B，在比NiO的信号电平高的信号电平处观察到Ni。这样，Ni 可存在于阻抗层22之下，且Ni可被包含于固溶体层24中。
图7A是示出传统的RRAM的电压相对于操作循环(operation cycle )的 数目的变化的曲线图。图7B是示出根据示例实施例形成的具有固溶体层的 RRAM的电压相对于操作循环的数目的变化的曲线图。
参照图7A，置位电压和复位电压的变化会很大。置位电压的变化可大大 大于复位电压的变化。这样，制造RRAM所需的操作的数目会增大，从而降 低传统RRAM的可靠性。参照图7B，置位电压和复位电压的稳定性增加。
图8A是示出传统的RRAM的阻抗相对于操作循环的数目的变化的曲线 图。图8B是示出才艮据示例实施例形成的具有固溶体层的RRAM的阻抗相对 于操作循环的数目的变化的曲线图。
参照图8A和图8B，根据示例实施例的RRAM的阻抗的变化大大小于 传统的RRAM的阻抗的变化。
图9是示出根据示例实施例的RRAM的操作特性的曲线图。在图9中， 水平轴表示所施加的电压，垂直轴表示电流相对于所施加的电压的变化。
参照图9，如果电压从OV逐渐增大，那么电流与电压成比例地增大，如 曲线图的区域Gi中所示。如果施加大于电压Vi而小于电压V2的电压，那么 RRAM的阻抗增大，且电流减小，如曲线图的区域G2中所示。如果施加大于 电压Vi的电压V2 (V2〉VJ，那么阻抗降低，且电流增大，如曲线图的区域 Gj中所示。
如果响应比电压V！大的电压的强度来施加小于电压Vi的电压，那么 RRAM的电特性会受到影响。例如，如果将处于电压V!与电压V2之间的电 压施加到RRAM，并施加小于电压Vi的电压，那么观察到如图9的曲线图的 区域G2中所示的电流。如果将大于电压V2的电压V3施加到RRAM，并施加 小于电压Vi的电压，那么观察到如图9的曲线图的区域Gt中所示的电流。 这样，施加的大于电压V！的范围内的电压的强度影响RRAM的电特性。
根据示例实施例，过渡金属氧化物可用作被应用为具有阻抗梯度的多层 膜的RRAM。例如，为了记录数据，可将施加有V！与V2之间的电压的RRAM 的状态指定为"0",可将施加有大于V2的电压的RRAM的状态指定为"1"。
如果再现^:据，那么对RRAM施加小于V!的电压，以测量漏电流Id，从而 检查所存储的数据是处于"0"状态还是处于"1"状态。这样，可选择性地 指定"0"状态和T状态。
为了利用根据示例实施例的RRAM，取决于操作数目的增加的复位电压 V!和置位电压V2是恒定的，并且置位阻抗是恒定的。在如图7B和图8B中 所示的根据示例实施例的利用过渡金属固溶体的RRAM中，置位电压、复位 电压和阻抗是恒定的，从而生产更稳定的RRAM。
如上所述，在根据示例实施例的RRAM以及该RRAM的制造方法中， 可在操作RRAM的同时稳定置位电压、复位电压和阻抗。这样，可制造更可 靠的RRAM。在形成阻抗层的同时，利用另外的制造工艺可更容易地形成固 溶体层。利用该方法可对信息进行存储和再现。可以以较高的速度来操作根 据示例实施例的RRAM。
上述是对示例实施例进行的解释性描述，不应该被理解为限制示例实施 例。虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将易于理解的是， 在实质上不脱离本发明的新颖的教导和优点的情况下，可对示例实施例进行 许多修改。因此，意图将所有这些修改包括在本发明的如权利要求限定的范 围内。在权利要求中，功能性描述意图覆盖在此描述为执行描述之功能的结 构，不仅包括结构等价物也包括等价结构。因此，应该理解的是，上述是本 发明的解释性描述，不应该净皮理解为限于公开的具体实施例，对公开的实施
例以及其它实施例进行的修改意图被包括在权利要求的范围内。用权利要求 以及被包括在本发明中的权利要求的等价物来限定本发明。
权利要求
1、一种电阻式随机存取存储器，包括下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。
2、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，固溶体层由过渡 金属固溶体形成。
3、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，阻抗层由过渡金 属氧化物形成。
4、 如权利要求3所述的电阻式随机存取存储器，其中，过渡金属氧化物 包4舌/人由NiO、 TiO、 HfO、 ZrO、 ZnO、 WO、 CoO、 CuO、 NbO、 TiNiO、 LiNiO、 AIO、 InZnO、 VO、 SrZrO、 SrTiO、 CrO、 FeO、 TaO及它们的组合 组成的组中选4奪的至少 一种。
5、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，固溶体层包括从 由A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合组成的组中 选择的至少一种。
6、 如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，通过将阻抗层的 过渡金属固化到下电极上的过渡金属中来形成固溶体层。
7、 如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，下电极上的过渡 金属是从由A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合组 成的组中选冲奪的至少一种。
8、 如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中，阻抗层的过渡金 属为Ni。
9、 一种电阻式随机存取存储器的制造方法，包括 形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电^ l，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
10、 如权利要求9所述的方法，其中，形成固溶体层的方法包括利用原 子层沉积或者化学气相沉积。
11、 如权利要求9所述的方法，其中，形成固溶体层的方法包括通过共溅射在下电4及上沉积过渡金属耙。
12、 如权利要求9所述的方法，还包括在形成阻抗层的同时，对处理室 中的气体的压力进行控制。
13、 如权利要求12所述的方法，其中，气体的压力在O.lmTorr至3mTorr 的范围内。
14、 如权利要求12所述的方法，其中，形成阻抗层的步骤包括沉积过渡 金属，其中，过渡金属为Ni。
15、 如权利要求9所述的方法，其中，形成固溶体层的步骤包括通过賊 射在下电极上沉积过渡金属合金靶。
16、 如权利要求15所述的方法，其中，固溶体层包括从由A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合组成的组中选择的至少一种。
17、 如权利要求16所述的方法，其中，形成固溶体层的步骤包括将阻抗 层的过渡金属固化到下电极上的过渡金属合金靶中。
18、 如权利要求17所述的方法，其中，在下电极上的过渡金属合金靶是 从由A1、 Hf、 Zr、 Zn、 W、 Co、 Au、 Pt、 Ru、 Ir、 Ti及它们的组合组成的组 中选择的至少一种。
19、 如权利要求17所述的方法，其中，阻抗层的过渡金属为Ni。
全文摘要
本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
文档编号H01L45/00GK101183705SQ200710192709
公开日2008年5月21日 申请日期2007年11月16日 优先权日2006年11月16日
发明者安承彦, 徐顺爱, 朴泳洙, 李明宰, 郑兰株, 金东徹 申请人:三星电子株式会社