专利名称：：有机电致发光器件的制作方法
技术领域：
：有机电致发光器件
技术领域：
本发明属于光电材料应用科技领域，具体为含有低挥发性P型有机半导体掺杂体系材料的有机电致发光器件。技术背景自1987年美国柯达公司Tang研究小组Tang,C.W.等发表了薄膜多层有机电致发光器件(OrganicLight-emiUingDiodes,OLED，Tang,C.W.,VanSlyke,S.A.Appl.Phys.Lett.1987，51,913.)以来，有机平板显示成为继液晶显示之后的又一代市场化的显示产品。OLED具有自发光、反应时间快、视角广、成本低、制作工艺简单、分辨率佳、亮度高、低压直流驱动等特点，非常有希望成为21世纪人类理想的显示器件。研究发现，在OLED器件结构的传输材料层，适当地引入掺杂可以提高器件的导电性能、提供欧姆接触、有助于载流子的注入，从而大幅度地改善器件的性能。例如，提高器件的功率效率和降低驱动电压。J.Huang等报道了一个使用了n型和p型掺杂的空穴和电子传输层的OLED器件，在2.9V时，就可以达到1000cd/m2的亮度(Huang,J.，Pfeiffer,M.,Werner,A.，Blockwitz,J.，Leo，K.，Liu，S.,A卯l.Phys.Lett.2002，80，139.)。在掺杂体系中，活泼碱金属锂或铯由于良好的电子给出能力而被用作n型掺杂材料，它们可通过化合物的分解等途径获得。用于p型掺杂的材料有F4TCNQ(2，3,5，6-四氟7,7,8，8-四氰基醌二曱烷)、氧化剂SbC15、氧化剂FeCl3、氧化剂12等。现存的掺杂材料，一方面由于较小的原子或分子半径而易于迁移扩散到其他的有机层，导致器件的功能不稳定和效率降低；另一方面，分子型的F4TCNQ等，由于其较高的挥发性，不但会造成蒸镀系统的交叉污染，还会引起器件的热不稳定和降低器件制备的可重复性(Drechsel，J.，Pfeiffer,M.，Zhou,X.,Nollau,A"Leo,L，Synth.Metal.2002,127，201;Wellmann，P.，Hofmann，M.，Zeika，0.,Werner,A.，Birnstock，J.，Meerheim，R"He,G"Walzer，L,Pfeiffer,M.，Leo,K.,JournaloftheSID，2005，13(5)，393;Chang,C.-C.，Hsieh,M.T.,Chen,J._F.,Hwang,S.-W.，Ma，J.-W.,Chen,C.H.,SID06Digest,20061106.)。F4TCNQ是迄今为止，最为人们广泛使用的p型掺杂材料。但是，它的高挥发性不但会造成蒸镀系统的交叉污染，还会引起器件的热不稳定和降低器件制备的可重复性，此类器件的功能稳定性也因此受到挑战；另外，由于它的电子能级的局限(分子中的最低空置轨道LUMO，为5.24eV),使它只能同少部分空穴传输材料形成有效的掺杂体系(主体材料的分子中的最高占据轨道HOMO要小于5.24eV)。基于上述存在的问题，德国的NovaLED公司申请了一个取代F4TCNQ材料的专利，用于有机掺杂半导体中(Kuehl，0.;Hart醒n，H.;Zeika，0.;Pfeiffer，M.;Zheng,Y.，2005,US6908783Bl)，其中真正可用于OLED的p型掺杂体系没有明确的阐述和实施例。来自上述研究人员的一篇SID文章，报到了长寿命的掺杂OLED器件，其中使用了一个新的p型掺杂材料(NDP2)和与之相匹配的主体材料(HT1)，但是他们没有给出材料的结构(Wellmann，P.;Hofmann,M.;Zeika，0.;Werner,A.;Birnstock，J.;Meerheim，R.;He,G.;Walzer，K.;Pfeiffer,M.;Leo,K.;JournaloftheSID，2005，13(5),393)。本发明将4十对0LED体系，揭示一类实用新型的有机p型掺杂体系，其中的掺杂材料无人使用过。通过充足的实施例，可以证明本体系的可行性、稳定性以及引入了本体系的OLED器件的优良性能。
发明内容本发明的目的在于开发一种新的含有低挥发性p型有才几半导体掺杂体系材料的有机电致发光器件。本发明提供了一种有机电致发光器件，其中包括由下至上依次设置的基片层，阳极，空穴注入层或空穴传输层，发光层，电子注入层或电子传输层以及阴极。其中空穴注入层或空穴传输层为掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层。在掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层上方最好设有緩冲层。所述的掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层中掺杂有一种含双氟取代的7，7,8，8-四氰基醌二曱烷衍生物掺杂材料。所述掺杂材料为化合物1、化合物2,具有如下的特征结构化合物1化合物2其中，R为哈密特常数(cjp)大于O.3的吸电子原子或基团(R#F)，ap的值可以在常用的物理化学手册中查到(例如，Lyman，W.J.;Reehl，W.F.;Rosenblatt,D.H.,"Handbookofchemicalpropertyestimationmethods:environmentalbehavioroforganiccompounds"，NewYork:McGraw-Hill,cl982.)。其中包括CF3，CN，N02，口5等。当化合物1中的R为CN时，掺杂材料命名为F2-HCNQ;当化合物1中的R*CN时，以及化合物2都称为F2-HCNQ的衍生物。F2-HCNG所述的掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层中，主体材料的最高占据轨道的能级在4.9eV与6.5eV之间，由于不同的测量手段，所引起的能级误差在正负0.3范围之内。其中包括2-TNATA，NPB,V0PC，ZnPC，TDATA，TPD等。基片层是器件的支撑层，可以为石英片、玻璃片、金属片或薄膜、塑料膜。阳极置于基片层之上，一般地，由功函数较高的金属(金、银、铝、镍等)、金属氧化物(氧化铟、氧化锡等)、碳黑、导电聚合物等制得。阴极是由较低功函数的金属或金属合金构成，例如镁、铝、银、铟金属或他们的合金。阴极和阳极一般的厚度为5-1000nm,其制作可以为真空蒸镀或'践射；如果材料是很细的颗粒，如金属、碳黑、金属氧化物、导电聚合物等，电极可通过溶液的旋涂获得；另外，电化学沉积也可以制得相应的电4及。更进一步，阴极和阳极可以有多层结构，例如，阴极可以由0.1-1nm的氟化锂和IO-IOOnm的铝构成。基于自发光的要求，至少要有一个电极是透明的，有60%以上的透过率。发光层可以是主体材料发光，也可以是发光材料掺杂于主体材料中；可以是单发光层，也可以为多发光层；其中的发光材料即可以是荧光也可以是磷光。同样地，电子注入层和电子传输层可以是单层，也可以为多层，其每层的組成即可以是单一材料也可以是混合材料。特别地，电子注入层和传输材料要有良好的传输电子能力，有较大的电子亲和能，例如，4,7-二苯基1，10-菲咯啉和8-羟基会啉铝。本发明的关键部分在于含低挥发性P型掺杂材料的空穴注入层或空穴传输层及其緩冲层，厚度分别为5-M0nm、2-20nm。在有机电致发光器件中，掺杂了F2-HCNQ及其衍生物的有机p型半导体体系，可以作为阳极载流子的空穴注入层和空穴传输层，不但能保证有机材料与电极的良好欧姆接触，有利于空穴的注入，还可以提高空穴的传输效率，降低器件的驱动电压，使器件的效率得到提高。更进一步，由于F2-HCNQ及其衍生物的强大的吸电子特性，在OLED器件中，F2-HCNQ及其衍生物可以直接掺杂在HOMO较大的空穴传输材料中，省去空穴注入层，简化了器件结构。F2-HCNQ及其衍生物对主体材料的掺杂方法可以为单独分立源的真空蒸镀，共混后在同一个源中的真空蒸镀，共混后的旋涂、印刷等。F2-HCNQ及其衍生物对主体材料的掺杂浓度在20%和0.01°/。之间。总之，本发明揭示了一类很强的电子受体有机分子，即3，6-二氟-2，5，7,7，8，8-六氰基醌二曱烷(F2-HCNQ)及其衍生物，在有机电致发光器件中作为很好的P型掺杂材料，能够与大部分的空穴传输材料形成p型掺杂体系。利用F2-HCNQ的掺杂体系，不但可以得到良好的导电性能和提供较好的欧姆接触，而且由于材料较好的热稳定性使得应用此材料的器件有良好的功能稳定性和长时间的寿命。更重要的，由于此类材料较低的挥发性，在利用它们采取真空蒸镀的方式制作掺杂有机电致发光器件时，可重复性高、由于材料的蒸气压高而导致的真空室交叉污染问题可以有效地避免。另一方面，由于这类分子的更好的吸电子性，主体材料的选择范围也相应地拓宽。图1.含低挥发性P型掺杂材料的有机电致发光器件结构图2.F2-HCNQ与F4TCNQ的循环伏安特性图3.F2-HCNQ与F4TCNQ的热失重分才斤图4.F2-HCNQ与F4TCNQ的真空蒸发速率和温度的关系图5.使用F2-HCNQ掺杂的2-TNATA空穴器件的电流电压曲线图6.高温退火后，F2-HCNQ/2-TNATA空穴器件的电流电压曲线，嵌入图为F4TCNQ/2-TNATA空穴器件的情况。具体实施方式为了更好地理解本发明专利的内容，下面通过具体的实例和图例来进一步说明本发明的技术方案，但这些实施实例并不限制本发明，在发明本质范围内的其它应用以及变化和修饰也同样包括在本发明中。图1.展示了掺杂的有机电致发光器件的结构100。其中101层代表基片层，102层代表阳极，103层代表掺杂的空穴注入层或者掺杂的空穴传输层，104层代表防止掺杂材料向有机层扩散的緩沖层，105层代表发光层，106层代表电子注入层和电子传输层，107层代表阴极。基片层101是器件100的支撑层，可以为石英片、玻璃片、金属片或薄膜、塑料膜。阳极102置于基片层101之上，一般地，由功函数较高的金属(金、银、铝、镍等)、金属氧化物(氧化铟、氧化锡等)、碳黑、导电聚合物等制得。阴极107是由较低功函数的金属或金属合金构成，例如镁、铝、银、铟金属或他们的合金。阴极107和阳极102—般的厚度为5-1000nm，其制作可以为真空蒸镀或'践射；如果材料是很细的颗粒，如金属、碳黑、金属氧化物、导电聚合物等，电极可通过溶液的旋涂获得；另外，电化学沉积也可以制得相应的电极。更进一步，阴极和阳极可以有多层结构，例如，阴极107可以由0.1-1nm的氟化锂和10-100nm的铝构成。基于自发光的要求，至少要有一个电极是透明的，有60%以上的透过率。发光层105可以是主体材料发光，也可以是发光材料摻杂于主体材料中；可以是单发光层，也可以为多发光层；其中的发光材料即可以是荧光也可以是磷光。同样地，电子注入层和电子传输层106可以是单层，也可以为多层，其每层的组成即可以是单一材料也可以是混合材料。特别地，电子注入层和传输材料要有良好的传输电子能力，有较大的电子亲和能，例如，4，7-二笨基1，10-菲咯啉和8-羟基唾啉铝。103和104层是本发明的关键部分含低挥发性P型掺杂材料的空穴注入层或空穴传输层及其緩冲层，厚度分别为5-400nm、2-20nm。在有机电致发光器件中，掺杂了F2-HCNQ及其衍生物的有机p型半导体体系，可以作为阳极载流子的空穴注入层和空穴传输层，不但能保证有机材料与电极的良好欧姆接触，有利于空穴的注入，还可以提高空穴的传输效率，降低器件的驱动电压，使器件的效率得到提高。更进一步，由于F2-HCNQ及其衍生物的强大的吸电子特性，在0LED器件中，F2-HCNQ及其衍生物可以直接掺杂在HOMO较大的空穴传输材料中，省去空穴注入层，简化了器件结构。图1器件100的103层中，掺杂材料为化合物1、化合物2,具有如下的特征结构化合物i化合物2其中，R为哈密特常数(cj。)大于0.3的吸电子原子或基团(R*F),ap的值可以在常用的物理化学手册中查到(例如，Lyman，W.J.;Reehl，W.F.;Rosenblatt,D.H.，"Handbookofchemicalpropertyestimationmethods:environmentalbehavioroforganiccompounds"，NewYork:McGraw-Hill，c1982.)。其中包括CF3,CN，NO"CA等。当化合物l中的R为CN时，掺杂材料命名为F2-HCNQ;当化合物l中的R*CN时，以及化合物2都称为F2-HCNQ的衍生物。F2-HCNQ图1器件100的103层中，与掺杂材料匹配的主体材料为空穴注入或传输材料，其特征在于电子的最高占据轨道的能级在4.9eV与6.5eV之间，由于不同的测量手段，所引起的能级误差在正负0.3范围之内。其中包括2-TNATA,NPB,V0PC，ZnPC,TDATA，TPD等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>緩冲层104置于掺杂的空穴注入层或空穴传输层之上，一般厚度为2-20nm。虽然掺杂的空穴注入层和空穴传输层103可以提供欧姆接触、提高导电性能，但是，掺杂材料的扩散有机会通过激基复合物的形成或者其他荧光淬灭的方式降j氐发光的岁文率(Pfeiffer，M.;Leo,K.;Zhou，X.;Huang，J.S.;Hofmann，M.;Werner,A.;Blochwitz-Nimoth,J.;OrganicElectronics,2003,4,89)。因此，器件100中有防止该物理过程发生的緩冲层104。一般地，l(M层是由空穴传输材料构成，并同时满足以下的条件l)HOMO不小于103层中的主体材料的HOMO;2)L丽O不大于105层中与之邻近的主体材料的LUMO。实施例1、F2-HCNQ的合成在30毫升的225°C的二苯醚中，快速加入341.8毫克的2，5-二氰基-3，6-二氟基-1,4-二(叔丁基二氰基甲烷基)苯。混合溶液在225°C下，搅拌1分钟，快速冷却到40°C，并用30ml乙醚稀释。用10ml10%的KHC03萃取三次，合并水相，并过滤。滤液中加入15g的KC1,搅拌数分钟后，得到近乎黑色的钾盐沉淀。过滤后，依次用10%、5%的KC1和无水乙醚淋洗。干燥后的黑色粉末溶于30ml的水中，过滤后得红色溶液。将1.5gAgN03溶于30ml水中，再加入上述的红色溶液，黑色沉淀立刻产生。过滤、水洗，曱醇和无水乙醚淋洗后，空气中干燥，得银盐。将所得的银盐加入20ml无水乙腈，并将140mg碘的90ml无水乙腈溶液加入，经搅拌后，过滤。将溶液中的溶剂减压除去，所得的黑棕色固体在1xl(T5Torr下升华，得50mg棕黄色产品。熔点，309°C(分解)；高分辨质语MS:m/z290.0159(M_，理论值290.0158,误差0.3448ppm);元素分析计算值(C14F2N6)，C:57.95%,H:0，N:28,96%;实验值，C:57.39%,N:28.55%,H:0.564%;傅立叶变换红外光谱(KBr，cnf1):2202，1630(宽峰)，1462，1335,919;紫外可见光吸收(CH2C12,入/logs):402nm/4.23。实施例2、F2-HCNQ与F4TCNQ的循环伏安试验比较以0.1MTBAP(Tetrabutylam隨iumperchlorate)作为辅助电解质的乙腈溶液分别配制0.001M的F2-HCNQ和F4TCNQ待测溶液。在以Ag/AgCl为参比电极、Pt为辅助电极、纤维玻璃碳为工作电极的电化学工作站上，以0.1V/s的扫瞄速率测试待测液的还原电位，结果见图2。形成p型掺杂体系的必要条件是主体材料分子的最高占据电子轨道(HOMO)与掺杂分子的最低空置轨道(L函0)能级相近，换言之，还原电位大的化合物，可以匹配较多的主体材料。图2显示，在相同的条件下，F2-HCNQ的还原电位是0.87V,大于F4TCNQ的的还原电位0.26V。配合材料的光吸收能隙，可以推算出F2-HCNQ的LUMO为5.59eV,F4HCNQ的LUMO为5.33eV。因此，F2-HCNQ更易于接受电子，有更大的LUMO,将F2-HCNQ做为掺杂材料可拓宽主体材料的选择范围。实施例3、F2-HCNQ与F4TCNQ的热分解温度试验比较分别取约5mg的F2-HCNQ和F4TCNQ材料，在氮气的氛围下，以20°C/min的速率分析它们的重量变化情况，结果显示于图3。F2-HCNQ失去5°/的重量时，温度为372.2°C,而F4TCNQ的5%的失重温度为256.8。C，远远低于F2-曙;由此可见，F2-HCNQ比F4TCNQ有更好的热稳定性。实施例4、F2-HCNQ与F4TCNQ的真空蒸发速率与温度关系的比较将约30mg的F2-HCNQ和F4TCNQ分别加载于真空镀膜机的蒸发位，抽真空至lx10—6乇。逐步升温，测试材料的蒸发速率与温度关系，结果显示于图4。当F2-HCNQ的蒸发速率由0.01增至0.05A/sec时，蒸发温度由187升高至212°C，而相应的F4TCNQ的蒸发温度是由131升高至154X，由此可见，F2-HCNQ的挥发性是低于F4TCNQ的，它有较好的蒸发控制性和低污染性。因此，采取真空蒸镀的方式制作掺杂有机半导体膜时，使用F2-HCNQ可重复性高、由于材料的蒸气压高而导致的真空室交叉污染问题可以有效地避免；而且器件的功能有良好的稳定性。实施例5这个实例展示了F2-HCNQ作为掺杂材料而制备的空穴传输器件。将ITO玻璃相继地在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空干燥2小时(105T)，再将ITO玻璃做25分钟的紫外/臭氧处理，传送到真空室内制备有机膜和金属电极。本实验包括两个器件，结构分别为ITO/2-TNATA(60nm)/Au(器件一)和ITO/2-TNATA:2%F2-HCNQ(60mn)/Au(器件二)。其中，ITO是方块电阻为10-20Q的透明电极，2-TNATA是4，4，，4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨合)三苯胺，为空穴传输半导体。由图5可以看出，掺杂了F2-HCNQ的器件二有良好的空穴注入和导电性，其电流密度比器件一的高出二个数量级。实施例6这个实例展示了F2-HCNQ作为掺杂材料，而制备的空穴传输器件的高温耐热性能。将ITO玻璃相继地在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空干燥2小时(105°C),再将ITO玻璃做25分钟的紫外/臭氧处理，传送到真空室内制备有机膜和金属电极。本实验包括三个器件，结构相同，为ITO/2-TMTA:2%F2-HCNQ(60nm)/Au(器件三、器件四和器件五)，其中ITO是方块电阻为10-20Q的透明电极，2-TMTA是4，4，，4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨合)三苯胺，为空穴传输半导体。器件三制备后立即测量，而器件四和器件五要在高真空下(1xl(T乇)分别在65°C和85。C下加热1小时，经冷却后再进行测量。由图6可以看出，经过高温退火的器件四和器件五，与器件三相比，电流电压曲线没有分别，反映了F2-HCNQ材料的良好的耐高温性，保证了器件在高温下功能的稳定。实施例7这个实例展示了F4TCNQ作为掺杂材料，而制备的空穴传输器件的高温耐热性能。将ITO玻璃相继地在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空千燥2小时(105°C),再将ITO玻璃做25分钟的紫外/臭氧处理，传送到真空室内制备有机膜和金属电极。本实验包括三个器件，结构相同，为ITO/2-TNATA:2%F4TCNQ(60nm)/Au(器件六、器件七和器件八)，其中ITO是方块电阻为10-20Q的透明电极，2-TNATA是4，4，，4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨合)三苯胺，为空穴传输半导体。器件六制备后立即测量，而器件七和器件/v要在高真空下(1x10-6乇)分别在65。C和85。C下加热1小时，经冷却后再进行测量。由图5的内嵌图中，可以看出，经过高温退火的器件七与器件六相比，电流密度严重P争低。反映了F4TCNQ掺杂的材料体系在高温下，性能不稳定，容易失去空穴传输的功能。实施例8这个实例展示了F2-HCNQ作为掺杂材料，2-TNATA作为主体材料而制备的电致发光器件。将ITO玻璃相继地在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空干燥2小时(105°C)，再将ITO玻璃做25分钟的紫夕卜/臭氧处理，传送到真空室内制备有机膜和金属电极。本实验的器件结构为ITO/2-TNATA:2%F2—HCNQ(60nm)/NPB(10nm)/Alq(60nm)/LiF(0.8nm)/Al(60nm)(器件九)。其中IT0是方块电阻10-20Q的透明电极，NPB为N，N'-二苯基-N，N'-(1-萘基)4，4，-联苯二胺；Alq为8-羟基会啉铝，2-TNATA是4，4，，4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨合)三苯胺。此器件的开起电压为2.6V;亮度为IOOcd/A时，驱动电压为3.8V;20mA/cm2时，驱动电压为5.5V,电流效率为5.15cd/A,功率效率为2.94lm/W。实施例9这个实例展示了省去空穴注入层，F2-HCNQ作为掺杂材料，NPB作为主体材料而制备的电致发光器件。将ITO玻璃相继地在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空干燥2小时(105°C)，再将ITO玻璃做25分钟的紫外/臭氧处理，传送到真空室内制备有机膜和金属电极。本实验的器件结构为ITO/NPB:2%F2-HCNQ(60nm)/NPB(10nm)/Alq(60nm)/LiF(0.8nm)/Al(60nm)(器件十)。其中，其中ITO是方块电阻10-20Q的透明电极，NPB为N，N'-二苯基-N，N'-(1-萘基)4,4，-联苯二胺；Alq为8-羟基喹啉铝。此器件的开起电压为2.5V;亮度为100cd/A时，驱动电压为3.6V;20mA/cm2时，驱动电压为4.7V,电流效率为3.57cd/A,功率效率为2.38lm/W。实施例10这个实例展示了省去空穴注入层，F2-HCNQ作为掺杂材料，NPB作为主体材料而制备的电致发光器件。将ITO玻璃相继地在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空干燥2小时(105°C),再将ITO玻璃做25分钟的紫外/臭氧处理，传送到真空室内制备有机膜和金属电极。本实验的器件结构为ITO/NPB:2%F2-HCNQ(60nm)/NPB(10nm)/Alq(40nm)/BPhen:4%Cs2C03(20咖)/LiF(0.8nm)/Al(60nm)(器件十一)。其中，其中IT0是方块电阻10-20Q的透明电极，NPB为N,N'-二苯基-N，N'-(1-萘基)4,4，-联苯二胺;Alq为8-羟基喹啉铝；BPhen为4，7-二苯基1,10-菲咯啉。此器件的开起电压为2.5V;亮度为100cd/A时，驱动电压为3.2V;20mA/cm2时，驱动电压为4.1V，电流效率为3.92cd/A，功率效率为2.95lm/W。实施例11这个实例展示了省去空穴注入层，F2-HCNQ作为掺杂材料，NPB作为主体材料，而制备的电致发光器件。将ITO玻璃相继地在清洗剂和去离子水中以超声波清洗30分钟。然后真空千燥2小时(105°C)，再将ITO玻璃做25分钟的紫外/臭氧处理，传送到真空室内制备有机膜和金属电极。本实验的器件结构为ITO/NPB:2%F2-HCNQ(60mn)/NPB(10nm)/Alq(40nm)/Alq:4%Cs2C03(20nm)/LiF(0.8nm)/Al(100nm)(器件十二)。其中，其中IT0是方块电阻10-20Q的透明电极，NPB为N，N'-二苯基-N，N'-(l-萘基)4，4，-联苯二胺；Alq为8-羟基喹啉铝；BPhen为4，7-二苯基1,10-菲咯啉。此器件的开起电压为2,5V;亮度为100cd/A时，驱动电压为3.7V;20mA/cm2时，驱动电压为5.1V,电流效率为3.82cd/A,功率效率为2.36lm/W。上述器件的性能总结:<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>权利要求1.一种有机电致发光器件，其中包括由下至上依次设置的基片层(101)，阳极(102)，空穴注入层或空穴传输层(103)，发光层(105)，电子注入层或电子传输层(106)以及阴极(107)，其特征在于空穴注入层或空穴传输层(103)为掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于在掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层上方设有緩冲层(104)。3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于所述的掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层中掺杂有一种含双氟取代的7，7，8，8-四氰基醌二曱烷4汙生物掺杂材料。4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于掺杂材料为F2-HCNQ或F2-HCNQ的衍生物。5.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于所述的掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层中的主体材料，其电子的最高占据轨道的能级在4.9eV与6.5eV之间。6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于所述的主体材料为2-TNATA，NPB，VOPC,ZnPC,TDATA或TPD。7.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于基片层(101)是器件(100)的支撑层；阳极(102)置于基片层(101)之上，由功函数较高的金属、金属氧化物、碳黑、导电聚合物制得；阴极(107)是由较低功函数的金属或金属合金构成。8.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层厚度为5-400nm。专利摘要本实用新型属于光电材料应用科技领域，具体为一种有机电致发光器件，其中包括由下至上依次设置的基片层(101)，阳极(102)，空穴注入层或空穴传输层(103)，发光层(105)，电子注入层或电子传输层(106)以及阴极(107)，其特征在于空穴注入层或空穴传输层(103)为掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层。所述空穴注入层或空穴传输层掺杂有一种掺杂材料此类材料的掺杂不但可以改善和提高有机半导体的导电性能和提供较好的欧姆接触，而且由于此类材料低挥发性的特点，在利用它们采取真空蒸镀的方式制作掺杂有机电致发光器件时，可重复性高、由于材料的蒸气压高而导致的真空室交叉污染问题可以有效地避免。文档编号H01L51/50GK201084751SQ20072015201公开日2008年7月9日申请日期2007年6月21日优先权日2007年6月21日发明者密保秀,谢国伟,陈金鑫,高志强申请人:香港浸会大学