专利名称：电阻器、尤其是smd电阻器以及相关制造方法
技术领域：
本发明涉及根据对应权利要求的一种电阻器、尤其是SMD电阻器，以 及相应制造方法。
背景技术：
图4显示常规SMD (表面贴装器件)电阻器l的示例性实施例，其已 由申请人市场化且以相似形式在例如德国专利43 39 551 CI中已有描述。已 知SMD电阻器1包括可由例如铜制成的平面金属基底2。在制造过程中电 气绝缘粘合层3被施加到基底2上侧，此后用于将电阻膜粘合到基底2上 侧。电阻膜此后通过蚀刻处理被结构化，使得在基底2上侧形成曲折阻抗 通路(resistance path) 4。此后电阻器1由与阻抗通路4电气绝缘的保护漆 5覆盖。完成之前，在基底2中制成横向切口 6，所述切口将基底2划分为 两个单独的支承元件2.1、 2.2从而防止在两支承元件2.1、 2.2之间电流的 直接流动。因此支承元件2.1 、2.2此处形成SMD电阻器1的电气连接部件， 它们可如附图中箭头所示意性指示地被焊接到焊盘7、 8上。
已知SMD电阻器1的缺点是其下方支承元件2.1、 2.2与粘合在顶部形 成阻抗通路4的电阻膜的复杂电气连接。为此首先必须实现传导表面以在 粘合层3外边缘上准备可承载电流的电镀触点(化学通孔电镀)，在此之前 在多级电镀处理中施加将可靠传导全部电流的一层铜。但是，该触点为通 过SMD电阻器的电流通路的一部分，因此也对SMD电阻器1的电阻具有 影响，在电阻小于25mQ的低阻抗的情况下这意味着须对单独的各SMD电 阻器1调整电阻，此时不可能对具有多个电阻器的坯体电阻进行调节。
已知SMD电阻器1另一缺点源自基底2中的切口 6，因为为了机械稳 定SMD电阻器1 ，切口 6被填充焊接处理过程中将膨胀并导致SMD电阻器l弯曲的漆或环氧树脂， 一旦焊料固化则所述弯曲则实质上被固定，至 少在成品元件中残留可见缺陷。尤其在使用须更高悍接温度的无铅焊料时
出现该问题。此外，在切口6中需要一定体积的漆，以便尽管存在切口6 可机械地稳定SMD电阻器1，这也意味着基底2相对较厚。实际上，基底 2因此必须具有至少0.5mm的厚度，这对SMD电阻器1小型化造成限制。 无论基底2厚度如何，SMD电阻器1的机械承载能力由于切口 6引入机械 弱化而受到限制。
SMD电阻器1的另一缺点是其高电镀成本，该成本占全部生产成本的 大约25%。这些高电镀成本源自于两支承元件2.1、 2.2到阻抗通路4的侧 向触点必须承载全电流，使得对电镀铜层的密度和有效横截面的要求相对 较高。此外，在低阻抗电阻值时铜对电气特性的影响不可完全忽略。
最后支承元件2.1、 2.2作为连接部件不符合常用焊盘的标准尺寸，而 是长度相当大。但是，两支承元件2.1、 2.2的任何縮短以及由此切口6的 加宽将导致进一步的机械和热弱化，因此是不可行的。
图5显示另一类型已知SMD电阻器9，该电阻器已由申请人市场化且 其相似类型也在欧洲专利0 929 083 Bl中描述。SMD电阻器9包括平面的 薄铝基底IO，该类型的基底10没有切口并因此无机械弱化。由粘合层ll 粘合到平面基底10下侧的是通过蚀刻处理被结构化并形成曲折阻抗通路的 电阻膜12。薄片状铜触点13被施加到SMD电阻器9的狭窄端侧的下侧， 并形成具有薄片状连接部件14、 15的电气触点。最终，该类型的SMD电 阻器9在上侧和下侧具有保护漆涂层16、 17。
该类型SMD电阻器9的优点首先是基底10没有机械弱化，使得可避 免随之产生的上述问题。
但是，SMD电阻器9缺点是连接部件14、 15且因此也是焊点位于SMD 电阻器9下侧，在该处焊点并不敞开可供目视检查。但是，因为焊点此外 经导电基底10产生有害的电气分路，在SMD电阻器9情况下将焊点侧向 附连并无可能。SMD电阻器9另一缺点是阳极氧化铝的基底10相对较硬，这意味着 通过锯开将SMD电阻器9分离时，锯条的寿命降低。此外，由于铝相对于 铜其熔点低，从铝坯体锯出单个SMD电阻器9导致锯出的SMD电阻器9 存在有害的锯出毛边。
最终，将保护漆6施加到SMD电阻器9及SMD电阻器9的铭文上侧 导致基于材料的制造问题。
SMD电阻器的另一常规类型最终包括其上侧承载结构化电阻膜的平面 陶瓷基底，所述电阻膜同样形成曲折阻抗通路。SMD电阻器的电气触点此 处由通常经电镀强化的高传导性可焊接的金属层(例如镍铬合金)的焊料 帽实现，所述焊料帽为U形横截面并由帽形包围SMD电阻器的相对的狭窄 边缘。焊料帽此处侧向可接近，使得当侧向焊接时产生侧向可见的焊点， 这便于对焊接连接的目视检査。
但是，该类型的缺点是基底由陶瓷构成，并因此相对于铜(比较图4) 或铝(比较图5)具有相对较低的导热率及低热膨胀系数，难以适用于通常 的电路板。此外，此处电阻膜位于基底上侧，这对于前述总电阻具有有害 影响。
类似电阻器为公开于例如美国专利2004/0252009 Al和德国专利30 27 122 Al的非金属支承元件。
最后，德国专利196 46 441A1公开一种电阻器，但其中连接部件仅与 下侧附连，使得无需对焊接连接目视检査是可能的。
发明内容
由根据图5的已知SMD电阻器9，本发明目的因此在于通过便于焊点 的目视检査以消除SMD电阻器9的缺点。
该目的由如相应权利要求记载的根据本发明的电阻器和根据本发明的 制造方法实现。
本发明包括侧向暴露地将连接部件布置在电阻器上的总的技术教导， 使得连接部件可由焊料以可见方式浸湿，以允许对各焊接连接目视检查。根据本发明的电阻器优选地体现为SMD电阻器并允许常规表面贴装。 但是，本发明不限于SMD电阻器，原则上也包括例如由焊针提供常规触点 的其他类型电阻器。
根据本发明的电阻器还包括因其金属材料成分而具有良好导热率和适 当热膨胀系数的平面金属支承元件，这对于根据本发明的电阻器的运行是 有利的。
此外根据本发明的电阻器具有由电阻材料组成的平面电阻元件，所述 电阻元件位于平面支承元件的下侧。
本发明中术语"平面电阻元件或支承元件"将以通常术语解释并非限 定为平面的数学或几何定义。但是，该特征优选地意味着支承元件或电阻 元件的侧向范围大体大于支承元件或电阻元件的厚度。此外，该特征也优 选地包括在所有情况下支承元件或电阻元件的上侧和下侧均相互平行延伸 的概念。尽管支承元件和电阻元件的弯曲或拱形形状也是可能的，支承元 件和电阻元件优选为平面。
此外，根据本发明的电阻器包括至少两个单独的金属连接部件，该至 少两个单独的金属连接部件形成电阻元件的电气触点并部分位于支承元件 的下侧。但是，与如背景技术部分所述根据图5已知SMD电阻器不同，连 接部件不完全位于下侧，而是至少部分地在电阻器的侧部暴露，使得当焊 接时形成便于目视检查的侧向可见焊点。
金属连接部件优选地分别在电阻器上侧向向上延伸到金属支承元件， 在此金属连接部件触及支承元件并且与所述支承元件形成电气及热接触。 例如，连接部件可分别具有U形横截面，且均以帽形在相反边缘围住电阻 器，在接触区域的侧向金属涂层也是可能的。
但在根据本发明的电阻器中，金属支承元件仅用作基底和热导体，在 根据本发明的电阻器中支承元件将不用作电导体，以避免经金属支承元件 的不希望的分路。在根据本发明的电阻器中的金属支承元件因此优选地具 有将支承元件分为相互电气绝缘的至少两个部分、并防止两个连接部分之 间经支承元件的电流流动的切口。所述切口其最简单的形式可具体为与根
9据图4已知SMD电阻器同样的方式，但其中电阻膜位于基底的上侧。但支 承元件中的切口优选地至少部分地倾斜，例如为V形、W形或曲折形状延 伸。支承元件中的切口的这种设计形状有利地导致电阻器比横向切口情况 下具有更高的机械稳定性。
根据本发明的电阻器中的连接部件的尺寸还优选为适合于标准焊盘， 使得根据本发明的电阻器与根据图4已知SMD电阻器不同，其中连接部件 具有大体更大的侧向范围。在根据本发明的电阻器中连接部件因此优选地 具有侧向范围小于两个连接部件之间距离的30%、 20%或15%。在根据本 发明的电阻器极小型化的情况下，连接部件相对于连接部件之间距离的尺 寸选择另一方面导致过小的连接部件。lmm、 0.5mm或0.1mm的限制可被 定义为连接部件侧向范围的最大值。例如，薄片状连接部件可具有从O.l至 0.3mm (0402型)、0.15至0.40mm (0603型)、0.25至0.75mm (1206型) 或0.35至0.85mm (2512型)的宽度范围。
根据本发明的电阻器电阻材料优选地由例如铜锰镍合金等的铜锰合金 组成。例如，合金CuMnl2Ni、 CuMn7Sn或CuMn3可用作电阻材料。在本 发明范围内替代地也可能使用镍铬合金，尤其是镍铬铝合金作为电阻材料。 这种可能的合金的各实例为NiCr20AlSilMnFe、 NiCr6015、 NiCr8020及 NiCr3020。此外，电阻元件也可由例如CuNil5或CuNilO等铜镍合金组成。 但是在可使用的电阻材料中，本发明不限于上述各实例，原则上使用其它 电阻材料也是可行的。
此外应提及根据本发明的电阻器优选地具有较高小型化程度。例如， 根据本发明的电阻器厚度可小于2mm、 lmm、 0.5mm或甚至0.3mm。根据 本发明的电阻器长度可小于10mm、 5mm、 2mm或甚至小于lmm。根据本 发明的电阻器宽度另一方面优选地小于5mm、 2mm或甚至小于lmm。
因此，在根据本发明的电阻器中支承元件优选地具有从0.05至0.3mm 的厚度范围。
此外应提及电阻器在其外侧与常规SMD电阻器相似地优选地涂覆有 抗高温绝热层(下文中通常称为阻焊物)。根据本发明的电阻器中的阻焊物因此优选地被施加到支承元件的上侧和电阻元件的下侧。
此外应提及连接部件优选地由高传导材料组成，以获得可能的最小连 接电阻。根据本发明的电阻器中支承元件和/或连接部件此外优选地由高导 热率材料组成，例如以实现从电阻元件有效散热。为此，连接部件和/或支 承元件可由例如铜或铜合金组成。
单独连接部件优选为帽形，并且可为例如U形横截面。在具有U形横 截面的这种帽形连接部件中，连接部件的上支腿在顶部围住支承元件，而U 形连接部件的下支腿在底部围住电阻元件。在这种帽形连接部件中，帽形 连接部件优选地用于小仅在顶部和底部也在侧向围住支承元件和/或电阻元 件。这是可能的，如果在根据本发明的制造过程中仅当电阻器与坯体分离 时施加帽形连接部件，因为仅仅在此后分离的电阻器的侧向切割面被暴露。
此外应提及，甚至在根据本发明的电阻器中粘合层优选地位于平面电 阻元件与平面支承元件之间。 一个方面，粘合层将平面电阻元件固定到支 承元件的下侧。另一方面，粘合层是电气绝缘的，且因此防止经金属支承 元件的不希望的电气分路。
根据本发明的电阻器中平面电阻元件此外优选地通过蚀刻处理或以其 它方式(例如激光加工)被结构化，使得电阻元件具有简单矩形或曲折阻
抗通路，与背景技术部分所述的已知SMD电阻器的情况相同。
根据本发明的电阻器有利地允许毫欧范围的低电阻，其中电阻可小于 500mQ、 200mQ、 50mQ、 30mQ、 20mQ、 10mQ、 5mQ或甚至小于lmQ。
此外还应提及根据本发明的电阻器中电阻元件优选地提供完全的外部 电气绝缘，除了对连接部件之外。
但是，本发明不仅包括上述根据本发明的电阻器也包括相应制造方法， 其中连接部件被附连到电阻器，使得连接部件被侧向暴露、并可以可见方 式由焊料浸湿，以允许对各焊点目视检査。
在根据本发明的制造方法中上述金属支承元件中的切口可通过例如蚀 刻处理或激光加工制成。
这也适用于电阻元件的结构化以形成可同样通过蚀刻处理或激光加工制成的曲折阻抗通路。
此外应提及根据本发明的制造方法电阻器可通过锯开、冲压或激光切 割与坯体分离。在由铜制造支承元件时，由于铜大体上比背景技术部分所
述的根据图5已知的SMD电阻器中使用的阳极化处理铝更软，本发明有利 地可使所使用的锯条具有更长的使用寿命。
此外本发明有利地可对具有尚未分离的多个电阻器的坯体实现电阻调 节，使得电阻器分离之后此外无需电阻调节。
本发明其它有利的改进由从属权利要求限定、或参考以下各图连同本 发明优选示例性实施例的描述在以下更详细说明，其中 图1显示根据本发明的SMD电阻器的透视图； 图2A至图2G显示制造根据本发明的SMD电阻器的不同阶段； 图3以流程图显示根据本发明的制造方法； 图4显示背景技术部分描述的已知SMD电阻器的透视图；和 图5显示同样在背景技术部分描述的SMD电阻器的透视图。
具体实施例方式
图1剖视图显示根据本发明的SMD电阻器18，例如可以是0604型。 这意味着SMD电阻器18沿X方向具有0.06英寸(1.524mm)的长度且沿 Z方向具有0.04英寸(1.016mm)的宽度。此外，SMD电阻器18可在Y 方向具有为例如0.4mm的厚度。
SMD电阻器18具有由铜制成的平面支承元件19、通过粘合层20被粘 附地结合到支承元件19的下侧的铜锰镍合金(CixMnl2Ni)的电阻膜21。 一方面，粘合层20在平面支承元件19的下侧使得电阻膜21固着。另一方 面，粘合层20是电气绝缘的且因此使导电支承元件19与电阻膜21绝缘。
此外，SMD电阻器18具有在任一侧的帽形连接部件22、 23，两个连 接部件22、 23在顶部、侧部和底部包围支承元件19和电阻膜21。两连接
12部件22、 23因此与电阻膜21电气结合，使得在装配状态电流可流经两个 连接部件22、 23和电阻膜21。
在平面支承元件19中具有将支承元件19分为两个部分19.1、 19.2的 大体V形切口24，，所述两个部分19.1、 19.2通过切口24相互电气隔离。 电阻膜21与平面支承元件19之间的粘合层20因此与切口 24共同防止经 支承元件19的有害电气分路。因此支承元件19此处仅用作机械基底并消 散热量，但是不传导电流。
最终，也应提及阻焊物25被施加在支承元件19的上侧且在两连接部 件22、 23之间延伸。此外，阻焊物26也被施加在电阻膜21的下侧并在两 连接部件22、 23之间延伸。在SMD电阻器18中，电阻膜21因此完全外 部绝缘，除了对连接部件22、 23外。
以下参考图2A至图2G以及图3的流程图描述根据本发明的制造方法， 图2A至图2G显示根据本发明的SMD电阻器18的不同中间状态。
在根据本发明的制造方法第一步骤S1中，如图所示2A所示，铜箔形 式的支承元件19被首先制备。
在进一步的步骤S2中，电阻膜21此后被粘附地结合到支承元件19的 下侧，如图2B可见，所述结合可通过粘合层20实现。
在下一步骤S3中，接着在支承元件19中制成切口 24，以防止经导电 支承元件19的任何后续电气分路。切口 24可通过例如蚀刻处理或激光加 工制造。所述步骤S3导致根据图2C的中间阶段。
在步骤S4中，阻焊物此后以本领域已知的方式被施加到支承元件19 上侧。
在进一步的步骤S5中，接着蚀刻结构被引入电阻膜21中，它接着随
后形成曲折阻抗通路。
如图2D可见，在步骤S6中阻焊物26此后被施加到电阻膜21的下侧。 在下一步骤S7与S8中，随后在SMD电阻器18沿X方向的相对边缘
层状暴露支承元件19，以使连接部件22、 23可此后与支承元件19热接触。
图2E中的剖视图显示在层状暴露支承元件之后的状态。在步骤S9中，具有厚度例如为l(Vm的铜层此后在下侧被施加到电阻 膜21的暴露边缘。
在下一步骤S10中，此后对具有多个尚未分离的SMD电阻器的坯体进 行电阻调节。
在单独电阻调节之后，SMD电阻器此后在步骤Sll中从坯体分离，这 可通过锯切、冲压或激光加工完成。
在最终步骤S12中，连接部件22、 23此后作为焊料帽被施加到暴露边
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件22、 23可使连接部件22、 23也在切割面侧向包围支承元件19。
图2G最终显示位于电路板27上的根据本发明SMD电阻器18，具有
两个标准焊盘28、 29和两个焊点30、 31。从剖视图可见，焊点30、 31在
SMD电阻器18的侧部暴露、且因此可供目视检査。
本发明不限于以上所述优选示例性各实施例，利用本发明概念可能进
行的多种变更和更改因此也属于本专利范围内。
参考序号列表
1SMD电阻器
2基底
2.1、 2.2支承元件
3粘合层
4阻抗通路
保护漆
6切口
焊盘
8焊盘
9SMD电阻器
10基底
11粘合层
1412电阻膜
13铜触点
14、15连接部件
16、17保护漆涂层
18SMD电阻器
19支承元件
19.1、 19,2部分
zu业卜入A
21电阻膜
22、23连接部件
24切口
25、26阻焊物
27电路板
28、29标准焊盘
30、31焊点
1权利要求
1. 一种电阻器(18)，尤其是SMD电阻器，包括a)具有上侧和下侧的扁平金属支承元件(19)；b)由电阻材料制成的扁平电阻器元件(21)，其中电阻器元件(21)被布置在支承元件(19)的下侧；c)至少两个单独的金属连接部件(22、23)，它们与电阻器元件(21)电气连接、且部分地布置在支承元件(19)的下侧上；其特征在于d)连接部件(22、23)在电阻器(18)上侧向地暴露、且从可由焊料浸湿的侧部是可见的。
2. 如权利要求1所述的电阻器(18)，其特征在于，金属连接部件(22、 23)分别在电阻器(18)上侧向向上延伸到金属支承元件(19)、触及支承 元件(19)并且与所述支承元件(19)电气及热连接。
3. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于，支承元件(19) 具有切口 (24)，所述切口 (24)将支承元件(19)分为相互电气绝缘的至 少两个部分(19.1、 19.2)、并防止在两个连接部件(22、 23)之间经支承 元件(19)的电流流动。
4. 如权利要求3所述的电阻器(18)，其特征在于，支承元件(19)中 切口 (24)至少部分地成角度延伸。
5. 如权利要求4所述的电阻器(18)，其特征在于，切口 (24)在支承 元件(19)中成V形、W形或曲折形状延伸。
6. 根据前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于a) 连接部件(22、 23)的侧向范围小于电阻器(18)的侧向范围的30%、 20%或15%，以便于标准焊盘(28、 29)的连接；禾口/或b) 连接部件(22、 23)的侧向范围小于lmm、 0.5mm或O.lmm，以 便于标准焊盘(28、 29)的连接。
7. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于，高电阻材料为以下材料中的一种-a) 铜锰合金，尤其是铜锰镍合金，尤其是CuMnl2Ni、 CuMn7Sn或 CuMn3;b) 镍铬合金，尤其是镍铬铝合金，尤其是NiCr20AlSilMnFe、NiCr6015、 NiCr8020、 NiCr3020;c) 铜镍合金，尤其是CuNil5或CuNi10。
8. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于a) 厚度小于2 mm、 1 mm、 0.5 mm或0.3 mm;禾口/或b) 长度小于10mm、 5mm、 2mm或lmm;禾口/或c) 宽度小于5 mm、 2 mm或1 mm。
9. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于，支承元件(19) 具有小于o.3mm和/或大于0.05mm的厚度。
10. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于a) 支承元件(19)在其上侧表面涂覆有阻焊物(25);和/或b) 电阻器元件(21)在其下侧表面涂覆有阻焊物(26)。
11. 如前述任一权利要求所述的电阻器(21)，其特征在于a) 连接部件(22、 23)由高传导材料制成；和/或b) 支承元件(19)由高导热材料制成。
12. 如权利要求ll所述的电阻器元件(21)，其特征在于a) 连接部件(22、 23)由铜或铜合金制成；和/或b) 支承元件(19)由铜或铜合金制成。
13. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于a) 单独连接部件(22、 23)以帽状方式在顶部接合在支承元件(19) 上、并且在底部接合在电阻器元件(21)上；和/或b) 单独连接部件(22、 23)与支承元件(19)和/或电阻器元件(21) 侧向以帽状方式接合。
14. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于，还包括在 电阻器元件(21)与支承元件(19)之间的粘合层(20)。
15. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于，电阻器元 件(21)具有成简单矩形形状或以曲折形状延伸的阻抗通路。
16. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于，电阻值在 毫欧范围，尤其是电阻值小于500ml2、200mn、50mQ、30mQ、20mQ、 10mQ、 5mQ或lmQ。
17. 如前述任一权利要求所述的电阻器(18)，其特征在于，除了对连 接部件(22、 23)之外，电阻器元件(21)与外部完全电气绝缘。
18. —种制造电阻器的方法，尤其是制造如前述任一权利要求所述的电 阻器的方法，所述方法包括以下步骤a) 提供具有上侧和下侧的扁平金属支承元件(19);b) 将由电阻材料制成的扁平电阻器元件(21)施加至支承元件(19) 的下侧；c) 通过至少两个单独的金属连接部件(22、 23)电气连接电阻器元件 (21)，所述至少两个单独的金属连接部件(22、 23)部分地布置在支承元件(19)的下侧； 其特征在于d) 连接部件(22、 23)附连到电阻器(18)，使得连接部件(22、 23) 在电阻器(18)上侧向地暴露、且从可由焊料浸湿的侧部是可见的。
19. 如权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤 在支承元件中形成切口 (24),其中，切口 (24)将支承元件(19)分为两个部分(19.1、 19.2)、并防止在两个连接部件(22、 23)之间经支承 元件(19)的电流流动。
20. 如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，通过蚀刻或激光加 工在支承元件(19)中形成切口 (24)。
21. 如权利要求19或20所述的制造方法，其特征在于，切口 (24)至 少部分成角度地，尤其是成V形、W形或曲折形状形成在支承元件(19) 中。
22. 如权利要求所述18至21中任一权利要求所述的制造方法，其特征在于，电阻器元件(21)通过粘合层(20)粘接到支承元件(19)的下侧。
23. 如权利要求18至22中任一权利要求所述的制造方法，其特征在于， 电阻器元件(21)通过蚀刻或激光加工被结构化。
24. 如权利要求23所述的制造方法，其特征在于，由于电阻器元件(21) 的结构化，在电阻器元件(21)中形成曲折形的阻抗通路。
25. 如权利要求18至24中任一权利要求所述的制造方法，其特征在于， 还包括以下步骤-a) 将阻焊物(25)施加在支承元件(19)的上侧表面上；和/或b) 将阻焊物(26)施加在电阻器元件(21)的下侧表面上。
26. 如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤a) 去除支承元件(19)上侧在两个相反边缘上的阻焊物(25)的条带； 和/或b) 去除电阻器元件(21)下侧在相反边缘上的阻焊物(26)的条带； 和/或c) 去除支承元件(19)与电阻器元件(21)之间在相反边缘上的粘合 层(20)的条带；和/或d) 去除支承元件(19)下侧在两相反边缘上的电阻器元件(21)的条 带，以暴露用于电气连接的条带形状的电阻器元件(21)。
27. 如权利要求18至26中任一权利要求所述的制造方法，其特征在于， 还包括以下步骤通过从包括多个电阻器(18)的面板上分割使电阻器(18)分离。
28. 如权利要求27所述的制造方法，其特征在于，通过锯切、冲压或 通过激光切割面板，使电阻器(18)被分离。
29. 如权利要求27或28中任一权利要求所述的制造方法，其特征在于, 还包括以下步骤在分离电阻器(18)之前进行电阻平衡。
30. 如权利要求27至29中任一权利要求所述的制造方法，其特征在于， 在电阻平衡之后和/或分离之后附连连接部件(22、 23)。
全文摘要
本发明涉及一种电阻器(18)，尤其是SMD电阻器，包括a)具有顶表面和底表面的扁平金属支承元件(19)；b)由电阻材料制成并且被布置在支承元件(19)的底表面上的扁平电阻器元件(21)；(c)至少两个单独的金属连接部件(22、23)，金属连接部件与电阻器元件(21)电气接触、且部分地布置在支承元件(19)的底表面上。连接部件(22、23)在电阻器(18)上侧向地暴露、且可由焊料以可见方式侧向地被浸湿。本发明还涉及对应的制造方法。
文档编号H01C7/00GK101484952SQ200780025233
公开日2009年7月15日 申请日期2007年10月18日 优先权日2006年12月20日
发明者U·黑茨勒 申请人:伊莎贝尔努特·霍伊斯勒两合公司