专利名称：光刻系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种无掩模或无刻线光刻系统，该系统直接在诸如基板 的目标对象上写入或形成图案。具体地说，本发明涉及对曝光处理的控 制。
背景技术：
本发明涉及在日本专利申请No.2007-209528 (2007年8月10日提 交)中包含的主题，该申请的全部内容通过引证清楚地结合于此。
在制造集成电路时，对印刷电路板或涂覆有光刻胶的基板进行光刻 处理，即曝光处理，用于使预定图案在基板上成像。在无掩模或无刻线 光刻系统中，使用具有多个二维阵列元件的空间光调制器，例如DMD(数 字微镜装置)或LCD (液晶装置)。来自光源的光被调制元件反射，每个 元件(例如可实施为镜子)基于图案数据投射图像的一部分。
在曝光处理中，将涂覆有光刻胶的材料布置在台上，并使该台相对 于光敏材料沿扫描方向运动，从而扫描曝光区域(空间光调制器的投射 区域)。根据曝光区域的相对位置和图案数据对空间光调制器的每个元件 进行调制，即接通/切断。在曝光处理之后，进行显影处理、蚀刻处理、 光刻胶移除处理等等。对于曝光方法，使用步骤重复处理或者连续扫描 方法。另外，可利用在相同区域上重复照射光的多次曝光方法。
在与CAD系统连接的光刻系统中，将图案数据(例如向量数据)传 输到光刻系统，并将图案数据转化为用于控制光调制元件的光栅数据。 每个光调制元件(可以是微镜)受到对应光栅数据的控制。根据曝光区 域的相对运动重复进行图案数据的输入、图案数据的处理和元件的控制。 也就是说，每次曝光区域到达待曝光的预定区域时，就更新图案数据。 这些光刻系统在日本专利公报No.2003-57836A、No.2003-15309A中公开。
大量图案数据的频繁更新花费很多时间，并影响总曝光时间(即生 产率)。为了减轻数据处理的负荷，例如对具有坐标信息的向量数据进行
坐标变换处理，并对变换后的向量数据的一部分取样。而且，DMD的反 射表面被分成多个区域，并在每个区域中当光栅数据传输到镜子之后对 该镜子进行重置。这些光刻系统在日本专利公报No.2005-84198A、 No.2005-55881A中公开。
空间光调制器包括许多元件(例如1024X768个元件)。光栅数据量 和用于存储光栅数据所需的存储容量取决于元件数量。另外，由于曝光 区域相对于基板而言较小，所以在光刻系统中布置多个空间光调制器， 并且应根据空间光调制器的数量准备图案数据和存储。因此，数据传输 处理和用于生成光栅数据的数据变换处理需要大量时间，并且生产率没 有得到改进。特别是在多次曝光方法的情况下，数据传输和数据变换处 理的频率与单次曝光方法相比较大。因此，台的相对运动和曝光间距由
于处理数据所需的时间较长而受限。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光刻系统或方法，其在使用简单数据处 理电路的同时通过增加处理速度而能够减少曝光数据的处理时间。
根据本发明的光刻系统具有至少一个空间光调制器，该空间光调制 器包括扫描机构和多个规则排列的光调制元件。该扫描机构使曝光区域 相对于目标对象沿给定扫描方向运动，从而扫描照射光。曝光区域限定 为来自空间光调制器的投射区域。
光刻系统具有多个存储器，所述存储器构造成与通过划分所述曝 光区域而限定的多个局部曝光区域对应；数据处理器，该数据处理器根 据曝光定时在每个存储器中连续地写入曝光数据；以及曝光控制器，该 曝光控制器基于所述曝光区域的相对位置控制所述多个光调制元件。所 述多个存储器指定为第1个至第N个存储器。例如，所述多个存储器可 彼此串联连接。
在本发明中，所述数据处理器在第1存储器中写入新生成的曝光数
据，并使存储在第1个至第N-l个存储器中的曝光数据分别移位至第2 个至第N个存储器。对于一个存储器生成光栅数据，并将存储在该存储 器中的光栅数据顺序移位至其它存储器。
当所述曝光区域相对于扫描方向倾斜或旋转给定角度时，优选的是， 所述数据处理器使曝光数据移位数量与给定角度对应的像素，使得局部 曝光区域的曝光位置与其它局部曝光区域的曝光位置相同。
优选的是，所述多个局部曝光区域通过等分所述曝光区域而限定。 所述曝光控制器以对应于一个局部曝光区域宽度的间距执行曝光动作。
根据本发明的另一方面， 一种在目标对象上进行光刻的方法包括a) 使曝光区域相对于对象沿扫描方向运动；b)根据曝光定时在多个存储器 (第1个至第N个存储器)的每一个中连续存储曝光数据；C)基于曝光 区域的相对位置控制所述多个光调制元件；以及d)在第1存储器中写入 新生成的曝光数据，并使存储在第1个至第N-l个存储器中的曝光数据 分别移位至第2个至第N个存储器。
根据本发明另一方面的光刻系统具有至少一个空间光调制器，该空 间光调制器包括扫描机构和多个规则排列的光调制元件，该扫描机构构 造成使曝光区域相对于目标对象沿扫描方向运动。曝光区域限定为来自 空间光调制器的投射区域。该光刻系统还具有数据处理器，该数据处 理器生成与通过划分所述曝光区域限定的多个局部曝光区域对应的曝光 数据序列；以及曝光控制器，该曝光控制器基于所述曝光区域的相对位 置控制所述多个光调制元件。所述数据处理器生成和更新与头部局部曝 光区域对应的头部曝光数据。注意，头部局部曝光区域表示首先经过和 到达待印刷区域的曝光区域。然后，当每个其余的局部曝光区域稍后经 过所述头部局部曝光区域的曝光位置时，所述曝光控制器基于所述头部 曝光数据进行曝光。
根据本发明的另一方面， 一种在目标对象上进行光刻的方法包括a) 相对于光敏材料沿扫描方向扫描曝光区域，该曝光区域限定为来自至少 一个空间光调制器的投射区域；b)生成与通过划分所述曝光区域限定的 多个周部曝光区域对应的曝光数据序列；c)基于所述曝光区域的相对位
置控制所述多个光调制元件；d)生成和更新与头部局部曝光区域对应的 头部曝光数据；以及e)当每个其余的局部曝光区域稍后经过所述头部局 部曝光区域的曝光位置时，基于所述头部曝光数据执行曝光动作。
根据本发明另一方面的一种制造基板的方法包括a)在覆有光敏材 料的基板上进行曝光处理；b)进行显影处理；c)在显影后的基板上进 行蚀刻或电镀处理；以及d)在蚀刻或电镀后的基板上进行光刻胶移除处 理。然后，通过上述一个光刻系统进行曝光处理。
从以下结合附图给出的对本发明的优选实施方式的描述将更好地理 解本发明，附图中
图1是根据本实施方式的光刻系统的示意性立体图； 图2是曝光单元的示意性剖面图； 图3是表示扫描处理的图； 图4是光刻系统的框图； 图5是表示曝光区域划分的图6是根据步骤重复方法和多次曝光方法进行的曝光处理的流程 图；并且
图7是表示曝光动作处理的图。
具体实施例方式
下面参照附图描述本发明的优选实施方式。
图1是根据本实施方式的光刻系统的示意性立体图。图2是曝光单 元的示意性剖面图。图3是表示扫描处理的图。
具有门件12和基部14的光刻系统IO是用于在涂覆有光敏材料的基 板SW上投射光从而使电路图案在基板SW上成像或形成的设备。在基 部14上设置支撑台18的X-Y导向机构(这里未示出)，并将基板SW设 置在台18上。
在门件12上附接八个曝光单元20i至208。 一个曝光单元2(^配备有 第一照明光学系统(未示出)，第二照明光学系统22、 DMD24和物镜光 学系统26 (见图2)。其它曝光单元202至208也具有这些部件。在门件 12中彼此相对的两个光源16A和16B分别为曝光单元20,至204和曝光 单元205至208提供照射光。
基板SW可以是硅晶片、膜或玻璃板。在曝光处理之前，将光刻胶 涂覆到基板SW并作为空白设置在台18上。在台18上限定彼此垂直的 X-Y坐标。台18沿Y方向运动。这里，负Y方向指定为扫描方向。
如图2所示，曝光单元20,中的第二照明光学系统22布置在支撑件 19上，支撑件19从门件12沿Y方向延伸。另一方面，物镜光学系统26 沿垂直方向布置在基板SW上方。曝光单元20,还具有镜子25、光学系 统27。 DMD24布置成与镜子25相对。
这里的光源16A是高压水银灯。从光源16A发射的光被导向第一照 明光学系统。第一照明光学系统将来自光源16A的散射光变为光强均匀 的平行光。另外，照明光的光通量在第二照明光学系统22中得到修正， 并经由镜子25和光学透镜27导向DMD 24。
DMD 24由规则排列成矩阵的矩形微镜构成。这里，DMD由1024 X768个微镜构成。每个微镜可通过静电效应枢转以改变其位置。具体地 说，每个微镜保持在第一位置(On位置)或第二位置(Off位置)，在第 一位置将照射光向基板SW反射，在第二位置将照射光从基板SW反射。 通过控制信号改变微镜的位置。
在DMD 24中，每个微镜根据光栅数据在on与off之间独立地切换， 并且仅从微镜在第一 (On)位置反射的光被导向基板SW。因此，照射 基板SW的光由选择性反射的光通量构成，该光通量对应于待形成在给 定区域上的电路图案。
当所有微镜定位在第一位置时，在基板SW上形成投射点EA。下面， 投射点EA指定为"曝光区域"。由于在这里物镜光学系统26的放大率为 1，所以曝光区域EA的尺寸与DMD24—致。如图3所示，曝光区域EA 相对于扫描方向倾斜角度"a"。曝光单元20,布置成使得曝光区域EA相
对于扫描方向倾斜。因此，通过一个微镜形成的微点Sp的位置偏离垂直
于Y方向的X方向。该偏离可以产生分辨率更高的图案。
对于曝光方法，这里应用多次曝光方法和步骤重复方法。因此，台 18间歇地沿Y方向运动。每次在曝光区域EA相对于基板SW运动预定 距离R时执行曝光动作。每个微镜以预定的曝光间隔开启或关闭。距离 R比曝光区域EA的尺寸短，因此执行曝光动作以覆盖曝光区域。曝光区 域EA间歇地沿扫描方向运动，从而形成电路图案的一个扫描线。
曝光单元202至208进行类似于曝光单元20,的曝光处理。当台18 沿扫描方向运动时，沿扫描方向排列的曝光单元20,至208使基板SW的 总面积曝光。在曝光处理之后，将基板SW从光刻系统10移除，进行显 影处理、蚀刻/电镀处理和光刻胶移除处理。从而生成形成有图案的电路 基板。
图4是光刻系统10的框图。图5是表示曝光区域划分的图。 光刻系统10的曝光控制器30连接到工作站(未示出)。工作站向曝 光控制器30输出向量数据作为图案数据(CAD/CAM数据)。系统控制 电路32控制曝光处理，并向DMD驱动电路34、地址控制电路37、台控 制电路38等等输出控制信号。在设置于系统控制电路32中的ROM单元 内存储用于控制曝光处理的程序。
从工作站传输的向量数据包括坐标信息。光栅变换电路36将图案数 据变换为光栅数据。生成的光栅数据是由0和1表示的二维点图案数据， 其对应于电路图案的图像并确定每个微镜的on/off位置。光栅数据在每 个曝光单元中生成并存储在彼此串联连接的缓冲存储器38A、38B和38C 中。
如图5所示，通过等分曝光区域EA限定三个局部曝光区域EA1、 EA2和EA3。三个局部曝光区域EA1、 EA2和EA3沿着扫描方向顺序排 列，局部曝光区域EA1是最先到达和经过待曝光区域的头部区域。因此， 在DMD24中，限定三个局部调制区域D1、 D2和D3。每个局部曝光区 域相对于扫描方向旋转一个像素的宽度，即一个微镜的微点Sp的尺寸。 因此，曝光区域EA相对于扫描方向倾斜三个像素的总长度。
仅为局部曝光区域EA1，即局部调制区域D1准备从工作站输出的 向量数据。通过光栅变换电路36获得的光栅数据存储在缓冲存储器38A 中。用于局部曝光区域EA1 (局部调制区域D1)的新图案数据被连续输 入曝光控制器30，并且每次执行曝光动作时将生成的光栅数据存储在缓 冲存储器38A中。从而更新光栅数据。
另一方面，根据曝光动作，已经存储在缓冲存储器38A和38B中的 光栅数据分别移位到缓冲存储器38B和38C。通过数据移位擦去存储在 缓冲存储器38C中的光栅数据。根据曝光定时将存储在缓冲存储器38A 和38C中的光栅数据序列传输到DMD驱动电路34。通过地址控制电路 37控制将光栅数据读取和写入到缓冲存储器38A至38C。
台控制电路38向台驱动电路44输出控制信号以控制XY平台机构 46的运动。位置传感器48检测台18的位置，以检测曝光区域EA在扫 描期间的相对位置。基于检测到的曝光区域EA的相对位置，系统控制电 路32控制DMD驱动电路34和地址控制电路37。
DMD驱动电路34具有用于存储对应于曝光区域EA (即DMD 24 的总面积)的光栅数据的位图存储器。基于由0和1表示的光栅数据， DMD驱动电路34向设置在每个曝光单元中的DMD输出On/Off信号。 具体地说，当光栅数据存储在缓冲存储器38A至38C中时，用于控制微 镜的控制信号传输到每个DMD，同时使用于曝光定时同步的时钟脉冲信 号同步。从而，每个DMD中的微镜在on与off之间切换。
图6是根据步骤重复方法和多次曝光方法进行的曝光处理的流程 图。图7是表示曝光动作处理的图。曝光处理从台18的运动开始。下面， 为了简便而示出了仅使用一个DMD的曝光处理。而且，使用字母图案 "A"、 "B"和"C"代替电路图案而用于例示。在图7中，在待印刷的 位置上描绘图案"A"、 "B"和"C"的轮廓。
距离RT表示曝光间距。曝光区域EA在一个曝光动作期间相对运动 距离RT。距离RT等于每个局部曝光区域的宽度RS。在曝光区域EA沿 扫描方向运动的同时，局部曝光区域EA2和EA3连续到达局部曝光区域 EA1的位置。由于曝光区域EA相对于扫描方向的旋转角(倾角)微小，
所以每个局部曝光区域EA2和EA3基本到达并经过头部局部曝光区域 EA1已经到达的区域。也就是说，执行曝光动作使得局部曝光区域EA1、 EA2和EA3彼此重叠。
在步骤S101中，基于台18的位置检测曝光区域EA的相对位置。 在步骤S102中，确定曝光区域EA是否到达给定的曝光位置。在图7中， 在曝光位置P2、 P3和P4执行曝光动作。在曝光区域EA到达位置P2之 后，基于预定的曝光间距RT检测曝光区域EA的相对位置。这里，检测 曝光区域EA的边缘点D作为曝光区域EA的位置。
当在步骤S102中确定曝光区域EA未到达曝光位置时，重复进行步 骤S101和S102，直到曝光区域EA到达曝光位置。在曝光区域EA运动 期间，DMD24中的每个微镜保持在off状态。在确定曝光区域EA到达 曝光位置时，处理前进到步骤S103，在该步骤中台18停止。
在步骤S104中，在光栅变换电路36中生成光栅数据，并且更新存 储在缓冲存储器38A至38C中的光栅数据序列。具体地说，将新生成的 光栅数据从光栅变换电路36传输到缓冲存储器38A，并将存储在缓冲存 储器38B和38C中的光栅数据读出并分别存储在缓冲存储器38A和38B 中。
例如，当局部曝光区域EA1到达曝光位置P2时，在缓冲存储器38A 中存储用于形成图案"A"的光栅数据。在缓冲存储器38B和38C中存 储关闭局部调制区域D2和D3中的微镜的光栅数据(见图7)。
当曝光区域EA前进距离RT并到达曝光位置P3时，局部曝光区域 EA2到达应形成图案"A"的曝光位置P2。因此，在缓冲存储器38A中 存储对应于图案"B"的新生成的光栅数据。同时，将存储在缓冲存储器 38A中的用于图案"A"的光栅数据读出并存储在缓冲存储器38B中。同 样，将存储在缓冲存储器38B中的光栅数据读出并存储在缓冲存储器38C 中。
当曝光区域EA前进距离RT并到达形成图案"C"的曝光位置P4 时，局部曝光区域EA2到达对应于图案"B"的曝光位置P3，局部曝光 区域EA3到达对应于图案"A"的曝光位置P2。在这种情况下，在缓冲
存储器38A中存储对于图案"C"的新生成的光栅数据，并将存储在缓 冲存储器38A和38B中的分别对应于图案"B"和"A"的光栅数据移位 到缓沖存储器38B和38C (见图7)。
这样，当局部曝光区域EA1到EA3分别到达曝光位置时，生成与 应形成在头部局部曝光区域EA1上的图案对应的光栅数据，并将其存储 在缓冲存储器38A中。同时，将存储在缓冲存储器38A和38B中的光栅 数据读出并存储在缓冲存储器38B和38C中。注意，与图7相比，用于 八个DMD的光栅数据实际存储在缓冲存储器38A到38C中。
在步骤S105中，对应于曝光区域EA的光栅数据传输到DMD驱动 电路34。在DMD驱动电路34中，基于输入的光栅数据向每个DMD输 出控制信号以控制每个微镜。从而，执行用于在给定曝光位置投射图案 的曝光动作。在执行曝光动作之后，关闭每个镜子。
考虑到曝光区域EA沿扫描方向倾斜或旋转的事实，对光栅数据在 DMD驱动电路34上的写入位置进行修正。如上所述，每次曝光区域EA 运动距离RT时，曝光区域EA沿着与扫描方向垂直的X方向移位一个像 素宽度的距离。因此，在步骤S105中，从缓冲存储器38B读取光栅数据 的起始位置移位一行。从而，移位一行的光栅数据被写入DMD驱动电路 34。而且，对于存储在缓冲存储器38C中的光栅数据，由于局部曝光区 域EA3与局部曝光区域EA1偏差两个像素，所以读取光栅数据的起始位 置移位两行。
在步骤S106中，确定曝光区域EA是否到达终点位置。在确定曝光 区域EA未到达终点位置时，处理进行到步骤S107，在该步骤中驱动台 18。然后，处理回到步骤SIOI。执行步骤S101至S106，直到曝光区域 EA到达终点位置。
从而在本实施方式中，DMD24设置在光刻系统10中，并通过在调 制DMD24中的每个镜子的同时使曝光区域EA相对于台18运动而执行 曝光处理。而且，通过将曝光区域EA分成三个相等区域而限定第一至第 三局部曝光区域EA1至EA3。因此，在DMD24上限定第一至第三局部 调制区域D1至D3，并设置三个缓冲存储器38A至38C以用于存储对应
于局部调制区域D1至D3的光栅数据。
在曝光处理中，对应于第一局部曝光区域EA1 (第一局部调制区域 Dl)的向量数据被连续从工作站传输到光刻系统IO，通过光栅变换处理 生成光栅数据并将其存储在缓冲存储器38A中。当曝光区域EA运动与 一个局部曝光区域的宽度对应的间距RT时，在缓冲存储器38A中存储 新生成的光栅数据，并将存储在缓冲存储器38A中的光栅数据和存储在 缓冲存储器38B中的光栅数据分别移位到缓冲存储器38B和缓冲存储器 38C。根据步骤重复方法，每次在曝光区域EA相对前进曝光间距RT的 距离时执行对光栅数据的这些处理。然后，利用所有存储在缓冲存储器 38A至38C中的光栅数据执行曝光动作。
由于仅生成用于缓冲存储器38A，即第一局部调制区域D1 (256个 元件阵列)的光栅数据，所以与使用全部DMD (768个元件阵列)的处 理相比，处理光栅数据的时间变为三分之一。因此，縮短了光刻处理并 提高了生产率。另外，由于可使用小容量的个体缓冲存储器，所以由于 电路单元简单而提高了数据处理速度，并降低了总成本。
曝光区域EA相对于扫描方向的旋转角可任选设置。而且，曝光区 域可无旋转地运动。对于曝光方法，可利用使曝光区域以等速运动的连 续运动方法。在这种情况下，在曝光区域运动的同时进行光栅数据的生 成和存储。曝光间距可根据在基板上待形成的图案而任选设置。另外， 可使用重叠曝光方法，该方法使镜子形成的微点的一部分彼此重叠。物 镜的放大率可设为除1之外的任意数。
曝光区域(DMD)的划分数也可以任选设置。例如，当镜子阵列沿 着扫描方向的数量为2"时，曝光区域可分为M个曝光区域，并可准备 M个存储器。而且，曝光区域可任选划分，只要划分的区域形成沿着扫 描方向的阵列即可。可使用其它诸如LCD等的空间光调制器来代替 DMDo
缓冲存储器可并联排列。而且，可实施大容量存储器作为代替，并 可根据曝光区域的划分来划分该大容量存储器。光刻系统可应用于在膜 或纸上形成诸如字母的图案的设备，例如用于电子摄影系统中。
最后，本领域的技术人员应理解，以上描述是对该装置的优选实施 方式的描述，可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对其进行各种 修改和变更。
权利要求
1.一种光刻系统，该光刻系统包括至少一个空间光调制器，该空间光调制器包括多个规则排列的光调制元件；扫描机构，该扫描机构构造成使曝光区域相对于目标对象沿给定扫描方向运动，该曝光区域限定为所述空间光调制器的投射区域；多个存储器，所述存储器构造成与通过划分所述曝光区域而限定的多个局部曝光区域对应，所述多个存储器指定为第1个至第N个存储器；数据处理器，该数据处理器根据曝光定时在每个存储器中连续地写入曝光数据；以及曝光控制器，该曝光控制器基于所述曝光区域的相对位置控制所述多个光调制元件，其中，所述数据处理器在第1存储器中写入新生成的曝光数据，并使存储在第1个至第N-1个存储器中的曝光数据分别移位至第2个至第N个存储器。
2. 根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述存储器彼此串联连接。
3. 根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述曝光区域相对于扫 描方向倾斜给定角度，所述数据处理器使曝光数据移位数量取决于角度 的像素，使得局部曝光区域的曝光位置与其它局部曝光区域的曝光位置 相同。
4. 根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述多个局部曝光区域 通过等分所述曝光区域而限定，所述曝光控制器以对应于一个局部曝光 区域宽度的间距执行曝光动作。
5. —种在目标对象上进行光刻的方法，该方法包括 使曝光区域相对于对象沿扫描方向运动，该曝光区域限定为来自至少一个空间光调制器的投射区域，所述空间光调制器具有多个规则排列 的光调制元件；根据曝光定时在多个存储器的每一个中连续存储曝光数据，所述多 个存储器构造成与通过划分所述曝光区域而限定的多个局部曝光区域对 应，所述多个存储器指定为第1个至第N个存储器；基于曝光区域的相对位置控制所述多个光调制元件；以及 在第1存储器中写入新生成的曝光数据，并使存储在第1个至第N-l 个存储器中的曝光数据分别移位至第2个至第N个存储器。
6. —种制造基板的方法，该方法包括a) 在覆有光敏材料的基板上执行曝光处理；b) 执行显影处理；C)在显影后的基板上执行蚀刻或电镀处理；以及 d)在蚀刻或电镀后的基板上执行光刻胶移除处理， 其中，通过权利要求1所述的光刻系统执行曝光处理。
7. —种光刻系统，该光刻系统包括至少一个空间光调制器，该空间光调制器包括多个规则排列的光调 制元件； '扫描机构，该扫描机构构造成使曝光区域相对于目标对象沿扫描方 向运动，该曝光区域限定为所述空间光调制器的投射区域；数据处理器，该数据处理器生成与通过划分整个曝光区域限定的多 个局部曝光区域对应的曝光数据序列；以及曝光控制器，该曝光控制器基于所述曝光区域的相对位置控制所述 多个光调制元件，其中，所述数据处理器生成和更新与头部局部曝光区域对应的头部 曝光数据，当每个其余的局部曝光区域稍后经过所述头部局部曝光区域 的曝光位置时，所述曝光控制器基于所述头部曝光数据进行曝光。
8. —种制造基板的方法，该方法包括a) 在覆有光敏材料的基板上执行曝光处理；b) 执行显影处理；C)在显影后的基板上执行蚀刻或电镀处理；以及 d)在蚀刻或电镀后的基板上执行光刻胶移除处理，其中，通过权利要求7所述的光刻系统执行曝光处理。
9. 一种在目标对象上进行光刻的方法，该方法包括-使曝光区域相对于光敏材料沿给定扫描方向运动，该曝光区域限定 为至少一个空间光调制器的投射区域，所述空间光调制器具有多个规则排列的光调制元件；生成与通过划分所述曝光区域限定的多个局部曝光区域相对应的曝 光数据序列；基于所述曝光区域的相对位置控制所述多个光调制元件； 生成和更新与头部局部曝光区域对应的头部曝光数据；以及 当每个其余的局部曝光区域稍后经过所述头部局部曝光区域的曝光 位置时，基于所述头部曝光数据进行曝光。
全文摘要
本发明涉及一种光刻系统。该光刻系统具有至少一个空间光调制器、构造成使曝光区域相对于目标对象沿扫描方向运动的扫描机构、多个存储器(第1个至第N个存储器)、数据处理器和曝光控制器。该曝光区域限定为所述空间光调制器的投射区域。所述多个存储器与通过划分所述曝光区域而限定的多个局部曝光区域对应。所述数据处理器根据曝光定时在每个存储器中连续地写入曝光数据，所述曝光控制器基于所述曝光区域的相对位置控制所述多个光调制元件。所述数据处理器在第1存储器中写入新生成的曝光数据，并使存储在第1个至第N-1个存储器中的曝光数据分别移位至第2个至第N个存储器。
文档编号H01L21/027GK101364050SQ20081014492
公开日2009年2月11日 申请日期2008年8月7日 优先权日2007年8月10日
发明者奥山隆志, 小林义则 申请人:株式会社Orc制作所