专利名称：发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明提供一种发光组件的制作方法，尤其是指一种发光二极管的制作方法。
背景技术：
发光二极管(Light emitting diode， LED)具有反应速度快、寿命长，以及体积小 等优点，可广泛地用于各种指示器作为光源使用。随着白光发光二极管的成功研发及其发 光效率的提升，发光二极管在一般照明(general lighting)领域的应用也逐渐受到重视。
现有的白光发光二极管是以电泳沉积法或喷墨法将一可吸收蓝光而发出黄光的 荧光层形成于一可发出蓝光的发光芯片表面上，以使蓝光与黄光混光而形成白光。除了覆 晶(flip chip)型式的发光芯片以外，一般的发光芯片需借着打线接合(wire bonding)所 形成的金属导线穿过该荧光层与该基座进行电连接。 由于电泳沉积法或喷墨法所形成的荧光层不易以传统的微影蚀刻工艺形成透孔， 以供该金属导线穿过，因此，现行的白光发光二极管制作方法，大多先以金属导线电连接该 发光芯片及该基座后，再于该发光芯片上形成该荧光层。然而，此种制作方法，却容易使得 金属导线周围的荧光层的厚度明显较大，进而导致混光均匀性不佳。
发明内容
因此，本发明的一目的，在于提供一种可提供厚度一致的荧光层的发光二极管制 作方法，可使制得的发光二极管具有较佳的混光均匀性。 为达到上述目的，本发明提供一种发光二极管的制作方法，包含以下步骤首先提 供一基座，其次提供一发光芯片于该基座上，该发光芯片的上表面具有至少一电极，接着于 该发光芯片的上表面上形成一荧光层，该荧光层覆盖该电极，然后以一激光产生器提供一 聚焦激光束将覆盖于该电极上的部份荧光层烧除，以形成露出至少部份的该电极的透孔， 最后将该发光芯片的电极以一导线经由该透孔电连接于该基座上。 本发明的有益功效在于，由以聚焦激光束将覆盖于该电极上的部份荧光层烧除， 以形成露出该电极的透孔，可供该导线对该电极及该基座进行电连接，以提供厚度一致的 荧光层，不会于该导线周围具有较大的厚度，使以本方法制得的发光二极管可具有较佳的 混光均匀性。 以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1为本发明的发光二极管的制作方法的流程图；及 图2至图7为本发明的发光二极管的制作各阶段的剖视图。 其中，附图标记 10基座 11焊垫 20发光芯片 21电极
30荧光层 31透孔 40激光产生器41聚焦激光束
50导线100 500步骤
具体实施例方式
有关本发明的技术内容，在以下配合参考图式的较佳实施例中，将可清楚地说 明 图1为依据本发明的发光二极管的制作方法的一较佳实施例的流程图，该发光二 极管的制作方法主要包含下列步骤 首先，在步骤100中，配合如图2所示，提供一基座IO，该基座10具有一平整的上 表面。该基座10可为灯泡型式(lamp type)或表面黏着型式(surfacemounted type)，且 不以此限，可视实际需求予以变化。该基座10的上表面具有二间隔设置的焊垫11。
其次，在步骤200中，配合如图3所示，提供一发光芯片20，并将该发光芯片20设 置于该基座10的上表面。该发光芯片20的上表面具有二金属材料制成的电极21。在本实 施例中，该发光芯片20为一可发出蓝光的发光二极管芯片，实际实施则不以此限。
接着，在步骤300中，配合如图4所示，于该发光芯片20上形成一荧光层30，该荧 光层30覆盖该发光芯片20的上表面、侧面，以及该等电极21。该荧光层30包含荧光粉材 料，用以吸收部份的该发光芯片20所发出的光线，并将其转换为另一光色的光线。在本实 施例中，该荧光层30由电泳沉积法或喷墨法使荧光粉附着于该发光芯片20而形成，而该荧 光粉为一将该发光芯片20所发出的部份蓝光转换为黄光，以使另一部份未被荧光粉吸收 的蓝光与荧光粉所转换出来的黄光混光而成白光。 然后，在步骤400中，配合如图5所示，以一激光产生器40提供一聚焦激光束41将 覆盖于该发光芯片20的电极21上的部份荧光层30烧除，以形成二分别露出至少部份的该 电极21的透孔31。该聚焦激光束41的波长位于紫外光波段，以利用其具有的高能量光子 有效地烧除该荧光层30的材料。该激光产生器40可为一准分子(excimer)激光产生器， 或一掺钕紀铝石榴石(Nd:YAG)激光产生器。 此外，在步骤400中，为了避免该激光产生器40输出能量控制不佳时，而导致该发 光芯片20的电极21遭到聚焦激光束41破坏，还可在该电极21的上表面预先形成一金属缓 冲层，用以保护该电极21不受该聚焦激光束41所产生的损伤。该金属缓冲层可为金、铝、 锡金合金、铬，或银等材质所制成，以提供较佳的保护效果。 最后，在步骤500中，配合如图6所示，将该发光芯片20的电极21以二导线50分 别经由该等透孔31电连接于该基座10的焊垫11上。详细来说，该等导线50是利用打线 接合(wire bonding)方式分别接合于该发光芯片20的电极21以及该基座10的焊垫11 上。 此外，在本实施例中，该发光芯片20是以其二电极21皆位于上表面的发光二极 管为例，实际实施时，亦可如图7所示，采用其二电极分别位于上表面及下表面的发光芯片 20，而其制作方法与上述步骤大致相同，其不同的处在于，该发光芯片20的下表面的电极 21直接与该基座IO接触以形成电连接，因此，仅需在以聚焦激光束烧除覆盖于该发光芯片 20的上表面的电极21上的荧光层30，以形成一露出至少部份的该发光芯片20的上表面的电极21的透孔31，供该导线50电连接该发光芯片20的电极21及该基座10的焊垫11之 用。 综上所述，本发明由以聚焦激光束41将覆盖于该发光芯片20的电极21上的部份 荧光层30烧除，以形成露出该电极21的透孔31，可供该导线50对该发光芯片20的电极21 及该基座10的焊垫11进行电连接，以提供厚度一致的荧光层，不会于该导线周围具有较大 的厚度，使以本方法制得的发光二极管可具有较佳的混光均匀性，确实达到本发明的功效。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟 悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变 形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包含如下步骤(A)提供一基座；(B)提供一发光芯片于该基座上，该发光芯片的上表面具有至少一电极；(C)于该发光芯片的上表面上形成一荧光层，该荧光层覆盖该电极；(D)以一激光产生器提供一聚焦激光束将覆盖于该电极上的部份荧光层烧除，以形成一露出至少部份的该电极的透孔；以及(E)将该发光芯片的电极以一导线经由该透孔电连接于该基座上。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该聚焦激光束的波长 位于紫外光波段。
3. 根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该激光产生器为一准 分子激光产生器。
4. 根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该激光产生器为一掺 钕钇铝石榴石激光产生器。
5. 根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该发光芯片为一蓝光 发光二极管芯片，该荧光层为一将部份蓝光转换为黄光的荧光层。
6. 根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该荧光层是以电泳沉 积法或喷墨法所制成。
7. 根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该电极为金属材料所 制成。
8. 根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，还包括在该电极上形 成有一用以保护该电极不受损伤的金属缓冲层。
9. 根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该金属缓冲层为金、 铝、锡金合金、铬或银材质所制成。
10. 根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该基座具有至少一供 该导线电连接于其上的焊垫。
11. 根据权利要求io所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该导线是利用打线接合方式分别接合于该发光芯片的电极以及该基座的焊垫。
全文摘要
一种发光二极管的制作方法，包含以下步骤首先提供一基座，其次提供一发光芯片于该基座上，该发光芯片的上表面具有至少一电极，接着于该发光芯片的上表面上形成一荧光层，该荧光层覆盖该电极，然后以一激光产生器提供一聚焦激光束，将覆盖于该电极上的部份荧光层烧除，以形成露出至少部份该电极的透孔，最后将该发光芯片的电极以一导线经由该透孔电连接于该基座上。为此，可提供厚度一致的荧光层，以获得较佳的混光均匀性。
文档编号H01L33/00GK101728465SQ20081017233
公开日2010年6月9日 申请日期2008年10月31日 优先权日2008年10月31日
发明者何立仁, 周宏勋, 庄世岱, 陈柏伸 申请人:艾笛森光电股份有限公司